JPH06112085A - 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH06112085A JPH06112085A JP3155917A JP15591791A JPH06112085A JP H06112085 A JPH06112085 A JP H06112085A JP 3155917 A JP3155917 A JP 3155917A JP 15591791 A JP15591791 A JP 15591791A JP H06112085 A JPH06112085 A JP H06112085A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic capacitor
- external electrodes
- surface roughness
- monolithic ceramic
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 外部電極を有する積層セラミックコンデンサ
を平均粒径が０．１〜１０．０ｍｍのジルコニアボール
を用いてバレル処理する工程を含む積層セラミックコン
デンサの製造方法。 【効果】 はんだ付け性が良好な外部電極を有する積層
セラミックコンデンサが製造できる。
を平均粒径が０．１〜１０．０ｍｍのジルコニアボール
を用いてバレル処理する工程を含む積層セラミックコン
デンサの製造方法。 【効果】 はんだ付け性が良好な外部電極を有する積層
セラミックコンデンサが製造できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、積層セラミックコンデ
ンサ及びその製造方法に関する。
ンサ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサは、回路基板
に実装するための外部電極を有している。この種の積層
セラミックコンデンサでは、外部電極材料として、銀−
パラジウム合金が利用されている。これは、銀を用いた
外部電極は、湿気中において直流電圧が印加されると電
気化学的にマイグレーションを起こし易いため、近接す
る他の外部電極とショートするおそれがあるためであ
る。
に実装するための外部電極を有している。この種の積層
セラミックコンデンサでは、外部電極材料として、銀−
パラジウム合金が利用されている。これは、銀を用いた
外部電極は、湿気中において直流電圧が印加されると電
気化学的にマイグレーションを起こし易いため、近接す
る他の外部電極とショートするおそれがあるためであ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の積層セラミ
ックコンデンサの外部電極は、パラジウムを含む合金か
らなるため、銀の外部電極に比べてはんだ付け性が劣
る。このため、前記従来の積層セラミックコンデンサ
は、回路基板上の厚膜導体との接続性が良好でない。
ックコンデンサの外部電極は、パラジウムを含む合金か
らなるため、銀の外部電極に比べてはんだ付け性が劣
る。このため、前記従来の積層セラミックコンデンサ
は、回路基板上の厚膜導体との接続性が良好でない。
【０００４】本発明の目的は、はんだ付け性の良好な積
層セラミックコンデンサ、及びその積層セラミックコン
デンサの製造方法を提供することにある。
層セラミックコンデンサ、及びその積層セラミックコン
デンサの製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る積層セ
ラミックコンデンサは、誘電体磁器と内部電極とが積層
された本体部の両端に外部電極を設けたものである。こ
の積層セラミックコンデンサでは、外部電極の平均表面
粗さが１．０μｍ以下である。
ラミックコンデンサは、誘電体磁器と内部電極とが積層
された本体部の両端に外部電極を設けたものである。こ
の積層セラミックコンデンサでは、外部電極の平均表面
粗さが１．０μｍ以下である。
【０００６】第２の発明に係る積層セラミックコンデン
サの製造方法は、外部電極を有する積層セラミックコン
デンサを用意する工程と、積層セラミックコンデンサの
バレル処理工程とを含んでいる。この製造方法では、バ
レル処理工程で平均粒径が０．１〜１０．０ｍｍのジル
コニアボールを用いている。
サの製造方法は、外部電極を有する積層セラミックコン
デンサを用意する工程と、積層セラミックコンデンサの
バレル処理工程とを含んでいる。この製造方法では、バ
レル処理工程で平均粒径が０．１〜１０．０ｍｍのジル
コニアボールを用いている。
【０００７】
【作用】第１の発明に係る積層セラミックコンデンサで
は、外部電極の平均表面粗さが１．０μｍ以下であるた
め、外部電極のはんだヌレ性が良好である。したがっ
て、本発明の積層セラミックコンデンサは、外部電極の
はんだ付け性が良好であり、たとえば回路基板に接続さ
れても回路基板との接続不良を起こしにくい。
は、外部電極の平均表面粗さが１．０μｍ以下であるた
め、外部電極のはんだヌレ性が良好である。したがっ
て、本発明の積層セラミックコンデンサは、外部電極の
はんだ付け性が良好であり、たとえば回路基板に接続さ
れても回路基板との接続不良を起こしにくい。
【０００８】第２の発明に係る積層セラミックコンデン
サの製造方法では、積層セラミックコンデンサはバレル
処理工程においてジルコニアボールにより処理される。
ここでは、ジルコニアボールが外部電極に衝突し、外部
電極表面全体に細かな凹凸を形成する。これにより、外
部電極のはんだヌレ性が向上するので、外部電極のはん
だ付け性が向上する。
サの製造方法では、積層セラミックコンデンサはバレル
処理工程においてジルコニアボールにより処理される。
ここでは、ジルコニアボールが外部電極に衝突し、外部
電極表面全体に細かな凹凸を形成する。これにより、外
部電極のはんだヌレ性が向上するので、外部電極のはん
だ付け性が向上する。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明の一実施例としての積層セラ
ミックコンデンサの斜視図である。図において、積層セ
ラミックコンデンサ１は、直方体状の本体部２と、本体
部２の両端に対向するように配置された１対の外部電極
３ａ，３ｂとを備えている。
ミックコンデンサの斜視図である。図において、積層セ
ラミックコンデンサ１は、直方体状の本体部２と、本体
部２の両端に対向するように配置された１対の外部電極
３ａ，３ｂとを備えている。
【００１０】本体部２は、たとえばチタン酸バリウムの
ような誘電体磁器材料のグリーンシートを多数枚積層
し、これを焼成して一体化することにより構成されてい
る。本体部２の内部には、図２に示すように、内部電極
４ａ，４ｂが交互に多数配置されている。内部電極４ａ
は、本体部２の図右側端面に配置された外部電極３ａに
接続されており、左側端面に配置された外部電極３ｂと
は絶縁されている。一方、内部電極４ｂは外部電極３ｂ
に接続されており、外部電極３ａとは絶縁されている。
また、内部電極４ａ，４ｂは、それぞれ平行に配置され
ている。
ような誘電体磁器材料のグリーンシートを多数枚積層
し、これを焼成して一体化することにより構成されてい
る。本体部２の内部には、図２に示すように、内部電極
４ａ，４ｂが交互に多数配置されている。内部電極４ａ
は、本体部２の図右側端面に配置された外部電極３ａに
接続されており、左側端面に配置された外部電極３ｂと
は絶縁されている。一方、内部電極４ｂは外部電極３ｂ
に接続されており、外部電極３ａとは絶縁されている。
また、内部電極４ａ，４ｂは、それぞれ平行に配置され
ている。
【００１１】外部電極３ａ，３ｂは、導電性ペーストの
焼成体により構成されている。導電性ペーストとして
は、導電性材料と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと
を含むものが用いられる。このうち、導電性材料は、パ
ラジウムを０〜２５重量％含む銀−パラジウム系の合金
粉末やその他銅等の粉末が用いられる。ガラスフリット
は、外部電極３ａ，３ｂと本体部２とを接着するための
成分である。ガラスフリットとしては、たとえばＢｉ2
Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＰｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 等が用いられる。
焼成体により構成されている。導電性ペーストとして
は、導電性材料と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと
を含むものが用いられる。このうち、導電性材料は、パ
ラジウムを０〜２５重量％含む銀−パラジウム系の合金
粉末やその他銅等の粉末が用いられる。ガラスフリット
は、外部電極３ａ，３ｂと本体部２とを接着するための
成分である。ガラスフリットとしては、たとえばＢｉ2
Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＰｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 等が用いられる。
【００１２】前記積層セラミックコンデンサ１では、焼
成された磁器材料を介して対向する内部電極４ａ，４ｂ
間に電荷が蓄積される。そして、外部電極３ａ，３ｂ
は、本体部２内に構成されたコンデンサの入出力用端子
となる。
成された磁器材料を介して対向する内部電極４ａ，４ｂ
間に電荷が蓄積される。そして、外部電極３ａ，３ｂ
は、本体部２内に構成されたコンデンサの入出力用端子
となる。
【００１３】前記積層セラミックコンデンサ１では、外
部電極３ａ，３ｂの平均表面粗さが１．０μｍ以下、好
ましくは０．４〜０．７μｍ以下に設定されている。平
均表面粗さが１．０μｍを超えると、表面が粗すぎるた
め却ってはんだヌレ性が低下してしまい、外部電極のは
んだ付け性が低下する。なお、外部電極３ａ，３ｂの平
均表面粗さが上述の範囲内に設定されているため、外部
電極３ａ，３ｂの表面にはガラス成分が露出していな
い。このため、外部電極３ａ，３ｂでは、ガラス成分の
露出によるはんだヌレ性の低下が起こらない。
部電極３ａ，３ｂの平均表面粗さが１．０μｍ以下、好
ましくは０．４〜０．７μｍ以下に設定されている。平
均表面粗さが１．０μｍを超えると、表面が粗すぎるた
め却ってはんだヌレ性が低下してしまい、外部電極のは
んだ付け性が低下する。なお、外部電極３ａ，３ｂの平
均表面粗さが上述の範囲内に設定されているため、外部
電極３ａ，３ｂの表面にはガラス成分が露出していな
い。このため、外部電極３ａ，３ｂでは、ガラス成分の
露出によるはんだヌレ性の低下が起こらない。
【００１４】なお、本実施例において、平均表面粗さ
は、表面粗さ測定器ＳＥ−３０Ｈ（小坂研究所製）によ
り測定した値をいう。
は、表面粗さ測定器ＳＥ−３０Ｈ（小坂研究所製）によ
り測定した値をいう。
【００１５】次に、前記積層セラミックコンデンサ１の
製造方法について説明する。まず、本体部２を用意す
る。本体部２は、内部電極４ａ，４ｂを形成するための
導電性ペーストが印刷されたセラミックグリーンシート
を複数枚積層し、これを焼成することにより得られる。
なお、焼成により得られた本体部２の両端部には、それ
ぞれ内部電極４ａまたは４ｂの端部が露出している。
製造方法について説明する。まず、本体部２を用意す
る。本体部２は、内部電極４ａ，４ｂを形成するための
導電性ペーストが印刷されたセラミックグリーンシート
を複数枚積層し、これを焼成することにより得られる。
なお、焼成により得られた本体部２の両端部には、それ
ぞれ内部電極４ａまたは４ｂの端部が露出している。
【００１６】次に、得られた本体部２の両端面、すなわ
ち内部電極４ａ，４ｂが露出する面に外部電極３ａ，３
ｂを形成する。外部電極３ａ，３ｂの形成では、まず本
体部２の両端面に上述の導電性ペーストを１００〜４０
０μｍ程度の厚みに塗布する。導電性ペーストの塗布
は、たとえば浸漬法、転写法等により行われる。導電性
ペーストの塗布後、溶剤を揮発させてペーストを乾燥し
てから導電性ペーストの焼成を行う。焼成温度は、通常
７３０〜８８０℃程度に設定される。焼成工程では、ま
ず４００℃付近でペースト中の樹脂成分が揮散する。さ
らに焼成を続けると、導電性粉末の焼結反応と、ガラス
フリットの軟化と塑性流動とが起こる。この反応では、
導電性ペーストの本体部２側にガラスフリットが集中
し、焼成温度の上昇にしたがって本体部２と導電性粉末
との接合面にガラスリッチな接着層が形成される。これ
により、本体部２と外部電極３ａ，３ｂとが強固に接合
された積層セラミックコンデンサ１が得られる。
ち内部電極４ａ，４ｂが露出する面に外部電極３ａ，３
ｂを形成する。外部電極３ａ，３ｂの形成では、まず本
体部２の両端面に上述の導電性ペーストを１００〜４０
０μｍ程度の厚みに塗布する。導電性ペーストの塗布
は、たとえば浸漬法、転写法等により行われる。導電性
ペーストの塗布後、溶剤を揮発させてペーストを乾燥し
てから導電性ペーストの焼成を行う。焼成温度は、通常
７３０〜８８０℃程度に設定される。焼成工程では、ま
ず４００℃付近でペースト中の樹脂成分が揮散する。さ
らに焼成を続けると、導電性粉末の焼結反応と、ガラス
フリットの軟化と塑性流動とが起こる。この反応では、
導電性ペーストの本体部２側にガラスフリットが集中
し、焼成温度の上昇にしたがって本体部２と導電性粉末
との接合面にガラスリッチな接着層が形成される。これ
により、本体部２と外部電極３ａ，３ｂとが強固に接合
された積層セラミックコンデンサ１が得られる。
【００１７】得られた積層セラミックコンデンサ１は、
次にバレル処理される。バレル処理では、たとえば円筒
形のエンプラポット中に積層セラミックコンデンサ１と
ジルコニアボールと水とを入れ、エンプラポットを７０
〜９０ｒｐｍ程度で回転する。本実施例では、ジルコニ
アボールとして、平均粒径が０．１〜１０．０ｍｍのも
のが用いられる。平均粒径が０．１ｍｍ未満の場合は、
外部電極３ａ，３ｂが均一に研磨されてしまい、電極表
面の平滑性が充分に得られないので、はんだヌレ性が改
善されない。逆に、平均粒径が１０．０ｍｍを超える
と、外部電極３ａ，３ｂとジルコニアボールとの接触面
積が減少し、また衝突回数が減少してしまうので、平均
表面粗さを１．０μｍ以下に設定するのが困難となり、
この結果はんだヌレ性が低下してしまう。なお、ジルコ
ニアボールは、前記範囲の平均粒径を有するものであれ
ば、２種以上の平均粒径のものを混合して用いてもよ
い。本実施例では、ジルコニアボールと水との添加量
は、通常、１２５ｃｃの積層セラミックコンデンサ１
（体積換算）に対してジルコニアボールが２４０〜２６
０ｃｃであり、水が３００〜４００ｃｃである。バレル
処理時間は、通常、４０〜６０分程度に設定される。６
０分を超えるバレル処理を行っても、顕著なバレル処理
効果が現れない。なお、バレル処理工程では、ジルコニ
アボールが積層セラミックコンデンサ１の外部電極３
ａ，３ｂに衝突し、外部電極３ａ，３ｂが１．０μｍ以
下の平均表面粗さに加工される。
次にバレル処理される。バレル処理では、たとえば円筒
形のエンプラポット中に積層セラミックコンデンサ１と
ジルコニアボールと水とを入れ、エンプラポットを７０
〜９０ｒｐｍ程度で回転する。本実施例では、ジルコニ
アボールとして、平均粒径が０．１〜１０．０ｍｍのも
のが用いられる。平均粒径が０．１ｍｍ未満の場合は、
外部電極３ａ，３ｂが均一に研磨されてしまい、電極表
面の平滑性が充分に得られないので、はんだヌレ性が改
善されない。逆に、平均粒径が１０．０ｍｍを超える
と、外部電極３ａ，３ｂとジルコニアボールとの接触面
積が減少し、また衝突回数が減少してしまうので、平均
表面粗さを１．０μｍ以下に設定するのが困難となり、
この結果はんだヌレ性が低下してしまう。なお、ジルコ
ニアボールは、前記範囲の平均粒径を有するものであれ
ば、２種以上の平均粒径のものを混合して用いてもよ
い。本実施例では、ジルコニアボールと水との添加量
は、通常、１２５ｃｃの積層セラミックコンデンサ１
（体積換算）に対してジルコニアボールが２４０〜２６
０ｃｃであり、水が３００〜４００ｃｃである。バレル
処理時間は、通常、４０〜６０分程度に設定される。６
０分を超えるバレル処理を行っても、顕著なバレル処理
効果が現れない。なお、バレル処理工程では、ジルコニ
アボールが積層セラミックコンデンサ１の外部電極３
ａ，３ｂに衝突し、外部電極３ａ，３ｂが１．０μｍ以
下の平均表面粗さに加工される。
【００１８】〔実験例〕導電性粉末６７重量％と、ガラ
スフリット１０．５重量％と、有機樹脂１．５重量％
と、有機溶剤２２重量％とをミキサーで混練し、導電性
ペーストを作成した。なお、導電性粉末には、パラジウ
ムを１０重量％含む銀−パラジウム合金を用いた。ま
た、ガラスフリットには、５６重量％のＢｉ2 Ｏ3 と、
３．４５重量％のＳｉＯ2 と、３６．１８重量％のＣｄ
Ｏと、４．３６重量％のＢ2 Ｏ3 とを含むものを用い
た。
スフリット１０．５重量％と、有機樹脂１．５重量％
と、有機溶剤２２重量％とをミキサーで混練し、導電性
ペーストを作成した。なお、導電性粉末には、パラジウ
ムを１０重量％含む銀−パラジウム合金を用いた。ま
た、ガラスフリットには、５６重量％のＢｉ2 Ｏ3 と、
３．４５重量％のＳｉＯ2 と、３６．１８重量％のＣｄ
Ｏと、４．３６重量％のＢ2 Ｏ3 とを含むものを用い
た。
【００１９】次に、厚さ１．０ｍｍの３２型磁器コンデ
ンサ素体（京セラ（株）製）に対し、浸漬法により導電
性ペーストを塗布した。そして、この導電性ペーストを
２００℃で乾燥し、さらに８８０℃で焼成することによ
り、外部電極が形成された積層セラミックコンデンサを
製造した。
ンサ素体（京セラ（株）製）に対し、浸漬法により導電
性ペーストを塗布した。そして、この導電性ペーストを
２００℃で乾燥し、さらに８８０℃で焼成することによ
り、外部電極が形成された積層セラミックコンデンサを
製造した。
【００２０】次に、容量が７００ｃｃの円筒形エンプラ
ポットに、平均粒径が０．７ｍと５ｍｍのジルコニアボ
ールを各１２５ｃｃと、水４００ｃｃとを入れ、エンプ
ラポットを７５ｒｐｍで回転し積層セラミックコンデン
サをバレル処理した。なお、バレル処理時間は、２０
分、４０分、６０分、１２０分及び３００分の５種類に
設定した。得られた積層セラミックコンデンサについ
て、平均表面粗さとはんだヌレ性とを調べた。なお、ハ
ンダヌレ性は、メニスコグラフ法により測定した。メニ
スコグラフ法とは、積層セラミックコンデンサをはんだ
槽に浸漬し始めてから外部電極が完全に濡れるまでに外
部電極に作用するはんだの表面張力の変化を、はんだと
外部電極との接触角の変化として捉え、これを時間の関
数として測定するものである。測定は、田村製作所製の
デジタルソルダーグラフを用いて行った。ここでは、メ
ニスコグラフ法により、外部電極のヌレ力とゼロクロス
タイムとを測定し、外部電極のはんだヌレ性を評価し
た。なお、ゼロクロスタイムとは、図３に示すように、
積層セラミックコンデンサの試料Ａをはんだ槽Ｂに浸漬
した直後のはんだと外部電極との接触角θ（９０°＜θ
＜１８０°）が、図４に示すように９０°になるまでに
要する時間である。ゼロクロスタイムが短時間である程
はんだヌレ性は良好である。また、ヌレの力は、はんだ
の表面張力をγとした場合、γｃｏｓθで表される。ヌ
レの力が大きい程、はんだヌレ性は良好である。
ポットに、平均粒径が０．７ｍと５ｍｍのジルコニアボ
ールを各１２５ｃｃと、水４００ｃｃとを入れ、エンプ
ラポットを７５ｒｐｍで回転し積層セラミックコンデン
サをバレル処理した。なお、バレル処理時間は、２０
分、４０分、６０分、１２０分及び３００分の５種類に
設定した。得られた積層セラミックコンデンサについ
て、平均表面粗さとはんだヌレ性とを調べた。なお、ハ
ンダヌレ性は、メニスコグラフ法により測定した。メニ
スコグラフ法とは、積層セラミックコンデンサをはんだ
槽に浸漬し始めてから外部電極が完全に濡れるまでに外
部電極に作用するはんだの表面張力の変化を、はんだと
外部電極との接触角の変化として捉え、これを時間の関
数として測定するものである。測定は、田村製作所製の
デジタルソルダーグラフを用いて行った。ここでは、メ
ニスコグラフ法により、外部電極のヌレ力とゼロクロス
タイムとを測定し、外部電極のはんだヌレ性を評価し
た。なお、ゼロクロスタイムとは、図３に示すように、
積層セラミックコンデンサの試料Ａをはんだ槽Ｂに浸漬
した直後のはんだと外部電極との接触角θ（９０°＜θ
＜１８０°）が、図４に示すように９０°になるまでに
要する時間である。ゼロクロスタイムが短時間である程
はんだヌレ性は良好である。また、ヌレの力は、はんだ
の表面張力をγとした場合、γｃｏｓθで表される。ヌ
レの力が大きい程、はんだヌレ性は良好である。
【００２１】結果を表１に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１の結果から、バレル処理時間と平均表
面粗さとの関係、平均表面粗さとヌレ力との関係及び平
均表面粗さとクロスタイムとの関係をそれぞれグラフ化
し、図５、図６及び図７に示す。
面粗さとの関係、平均表面粗さとヌレ力との関係及び平
均表面粗さとクロスタイムとの関係をそれぞれグラフ化
し、図５、図６及び図７に示す。
【００２４】表１と、図５，図６，図７とから次のこと
がわかる。
がわかる。
【００２５】バレル処理を行っても、積層セラミック
コンデンサチップ１個の重量は減少していない。このこ
とから、積層セラミックコンデンサの外部電極はバレル
処理により研磨されていないことがわかる。
コンデンサチップ１個の重量は減少していない。このこ
とから、積層セラミックコンデンサの外部電極はバレル
処理により研磨されていないことがわかる。
【００２６】バレル処理時間と外部電極の平均表面粗
さとの関係は指数的に変化し、６０分以上処理しても表
面粗さの減少はごく僅かである。したがって、バレル処
理時間を長くしても、顕著な効果は得られない。
さとの関係は指数的に変化し、６０分以上処理しても表
面粗さの減少はごく僅かである。したがって、バレル処
理時間を長くしても、顕著な効果は得られない。
【００２７】ヌレ力のピークは平均表面粗さが０．５
μｍのときであり、それ以下になるとヌレ力は減少す
る。これは、平均表面粗さの減少により外部電極の界面
エネルギーが低下することによるものと考えられる。な
お、図６より、本実験例で最も好ましい平均表面粗さ
は、０．４〜０．６μｍである。
μｍのときであり、それ以下になるとヌレ力は減少す
る。これは、平均表面粗さの減少により外部電極の界面
エネルギーが低下することによるものと考えられる。な
お、図６より、本実験例で最も好ましい平均表面粗さ
は、０．４〜０．６μｍである。
【００２８】ヌレ力は、積層セラミックコンデンサの実
装時に、はんだの立ち上がりに大きく影響するものであ
り、９０ｄｙｎｅ以上（好ましくは１０２ｄｙｎｅ以
上）であれば、立ち上がりが急峻となるので、実装する
基板上の表面パターンを小さくできる。またゼロクロス
タイムは、実装時にはんだ付けをするための加熱時間に
大きく影響するものである。ゼロクロスタイムが０．２
秒以下になると、加熱時間を短くできる。特に０．０８
秒以下であると、両外部電極３ａ，３ｂ間にゼロクロス
タイムのばらつきが発生しても、その差は小さいので、
マンハッタン現象に対して極めて有用に作用する。
装時に、はんだの立ち上がりに大きく影響するものであ
り、９０ｄｙｎｅ以上（好ましくは１０２ｄｙｎｅ以
上）であれば、立ち上がりが急峻となるので、実装する
基板上の表面パターンを小さくできる。またゼロクロス
タイムは、実装時にはんだ付けをするための加熱時間に
大きく影響するものである。ゼロクロスタイムが０．２
秒以下になると、加熱時間を短くできる。特に０．０８
秒以下であると、両外部電極３ａ，３ｂ間にゼロクロス
タイムのばらつきが発生しても、その差は小さいので、
マンハッタン現象に対して極めて有用に作用する。
【００２９】
【発明の効果】第１の発明では、外部電極の表面粗さが
１．０μｍ以下に設定されているため、外部電極のはん
だ付け性が良好な積層セラミックコンデンサが実現でき
る。
１．０μｍ以下に設定されているため、外部電極のはん
だ付け性が良好な積層セラミックコンデンサが実現でき
る。
【００３０】第２の発明では、積層セラミックコンデン
サのバレル処理工程において上述のようなジルコニアボ
ールを用いている。このため、本発明によれば、外部電
極のはんだ付け性が良好な積層セラミックコンデンサが
製造できる。
サのバレル処理工程において上述のようなジルコニアボ
ールを用いている。このため、本発明によれば、外部電
極のはんだ付け性が良好な積層セラミックコンデンサが
製造できる。
【図１】本発明の一実施例に係る積層セラミックコンデ
ンサの斜視図。
ンサの斜視図。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ断面図。
【図３】試料をはんだに浸漬した直後の状態を示す図。
【図４】試料をはんだに浸漬してから時間経過した場合
の図３Ａに相当する図。
の図３Ａに相当する図。
【図５】バレル処理時間と平均表面粗さとの関係を示す
グラフ。
グラフ。
【図６】平均表面粗さとヌレ力との関係を示すグラフ。
【図７】平均表面粗さとゼロクロスタイムとの関係を示
すグラフ。
すグラフ。
１ 積層セラミックコンデンサ ２ 本体部 ３ａ，３ｂ 外部電極
Claims (2)
- 【請求項１】誘電体磁器と内部電極とが積層された本体
部の両端に外部電極を設けた積層セラミックコンデンサ
において、 前記外部電極の平均表面粗さが１．０μｍ以下であるこ
とを特徴とする積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項２】外部電極を有する積層セラミックコンデン
サを用意する工程と、前記積層セラミックコンデンサを
バレル処理する工程とを含む積層セラミックコンデンサ
の製造方法において、 前記バレル処理工程が、平均粒径が０．１〜１０．０ｍ
ｍのジルコニアボールを用いて行われることを特徴とす
る積層セラミックコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3155917A JPH06112085A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3155917A JPH06112085A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112085A true JPH06112085A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=15616338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3155917A Pending JPH06112085A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112085A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0858085A1 (en) * | 1997-02-03 | 1998-08-12 | TDK Corporation | Laminated chip varistor and production method thereof |
| JP2001332437A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Ibiden Co Ltd | コンデンサおよび多層プリント配線板 |
| JP2002075779A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-03-15 | Tdk Corp | セラミック電子部品 |
| JP2005243835A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型電子部品 |
| JP2011176238A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Tdk Corp | チップ型電子部品 |
| JP2012028456A (ja) * | 2010-07-21 | 2012-02-09 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品の製造方法、セラミック電子部品及び配線基板 |
| CN104517728A (zh) * | 2013-10-08 | 2015-04-15 | 三星电机株式会社 | 嵌入式多层陶瓷电子组件以及具有其的印刷电路板 |
| JP2018060998A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-12 | 株式会社村田製作所 | メディア |
| CN112975583A (zh) * | 2021-02-26 | 2021-06-18 | 厦门华信安电子科技有限公司 | 一种多层陶瓷电容器大规格产品研磨工艺及制备方法 |
| US11393627B2 (en) | 2019-12-06 | 2022-07-19 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
| US11495408B2 (en) | 2019-09-19 | 2022-11-08 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component including external electrode having surface roughness |
-
1991
- 1991-05-29 JP JP3155917A patent/JPH06112085A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0858085A1 (en) * | 1997-02-03 | 1998-08-12 | TDK Corporation | Laminated chip varistor and production method thereof |
| US5994995A (en) * | 1997-02-03 | 1999-11-30 | Tdk Corporation | Laminated chip varistor and production method thereof |
| JP2001332437A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Ibiden Co Ltd | コンデンサおよび多層プリント配線板 |
| JP2002075779A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-03-15 | Tdk Corp | セラミック電子部品 |
| JP2005243835A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型電子部品 |
| JP2011176238A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Tdk Corp | チップ型電子部品 |
| JP2012028456A (ja) * | 2010-07-21 | 2012-02-09 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品の製造方法、セラミック電子部品及び配線基板 |
| US8819932B2 (en) | 2010-07-21 | 2014-09-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing a ceramic electronic component |
| CN104517728A (zh) * | 2013-10-08 | 2015-04-15 | 三星电机株式会社 | 嵌入式多层陶瓷电子组件以及具有其的印刷电路板 |
| JP2018060998A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-12 | 株式会社村田製作所 | メディア |
| US11495408B2 (en) | 2019-09-19 | 2022-11-08 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component including external electrode having surface roughness |
| US11393627B2 (en) | 2019-12-06 | 2022-07-19 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
| CN112975583A (zh) * | 2021-02-26 | 2021-06-18 | 厦门华信安电子科技有限公司 | 一种多层陶瓷电容器大规格产品研磨工艺及制备方法 |
| CN112975583B (zh) * | 2021-02-26 | 2022-04-29 | 厦门华信安电子科技有限公司 | 一种多层陶瓷电容器大规格产品研磨工艺及制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102112107B1 (ko) | 전자부품 및 전자부품의 제조 방법 | |
| JP2852372B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2001307947A (ja) | 積層チップ部品及びその製造方法 | |
| CN115036135B (zh) | 陶瓷电子部件 | |
| JP7587445B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
| JP4573956B2 (ja) | 積層型電子部品およびその製法 | |
| JPH06112085A (ja) | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2943380B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 | |
| JP3679529B2 (ja) | 端子電極ペーストおよび積層セラミックコンデンサ | |
| JP3514117B2 (ja) | 積層セラミック電子部品、積層セラミック電子部品の製造方法及び内部電極形成用導電ペースト | |
| JP2001102243A (ja) | 貫通型コンデンサ | |
| JPH037130B2 (ja) | ||
| JP5251589B2 (ja) | セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP2001338830A (ja) | 導電性ペースト及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| JPH03296205A (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JPH0428110A (ja) | 積層型コンデンサの端子電極形成用導電性ペースト及び積層型コンデンサ | |
| JPH03280414A (ja) | 磁器電子部品 | |
| JP2000077260A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JPH1187167A (ja) | 端子電極用ペーストおよびそれを用いたセラミック電子部品とその製造方法 | |
| JPH0722268A (ja) | チップ型電子部品 | |
| JPH07201637A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JPH04154104A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2000058375A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JPH10284338A (ja) | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP2003007563A (ja) | コンデンサ |