JPH04189081A - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置Info
- Publication number
- JPH04189081A JPH04189081A JP2319443A JP31944390A JPH04189081A JP H04189081 A JPH04189081 A JP H04189081A JP 2319443 A JP2319443 A JP 2319443A JP 31944390 A JP31944390 A JP 31944390A JP H04189081 A JPH04189081 A JP H04189081A
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- JP
- Japan
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- reset
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- time
- unit time
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
赤外線を受光して撮像信号を得る赤外線撮像装置に関し
、 強力な赤外光が入射しても飽和せず、撮像温度範囲を広
くすることを目的とし、 赤外光を光電変換する受光部と、該光電変換により発生
した電荷を蓄積する蓄積部と、該蓄積された電荷を読み
出すために移送させる移送ゲートとを有する画素が並設
された撮像素子を有する赤外線撮像装置において、前記
電荷が前記蓄積部に蓄積される単位時間内で蓄積開始よ
り所定時間後に、該蓄積された電荷をリセットするリセ
ットゲートを前記画素に設ける構成とし、また、前記移
送ゲート及び前記リセットゲートの開閉を制御すると共
に、該リセットゲートが動作された前記画素からの出力
信号を所定倍にして出力させる制御手段を有する構成と
する。
、 強力な赤外光が入射しても飽和せず、撮像温度範囲を広
くすることを目的とし、 赤外光を光電変換する受光部と、該光電変換により発生
した電荷を蓄積する蓄積部と、該蓄積された電荷を読み
出すために移送させる移送ゲートとを有する画素が並設
された撮像素子を有する赤外線撮像装置において、前記
電荷が前記蓄積部に蓄積される単位時間内で蓄積開始よ
り所定時間後に、該蓄積された電荷をリセットするリセ
ットゲートを前記画素に設ける構成とし、また、前記移
送ゲート及び前記リセットゲートの開閉を制御すると共
に、該リセットゲートが動作された前記画素からの出力
信号を所定倍にして出力させる制御手段を有する構成と
する。
(産業上の利用分野〕
本発明は、赤外線を受光して撮像信号を得る赤外線撮像
装置に関する。
装置に関する。
近年、赤外線撮像装置は、電子ビームによる制限がなく
、赤外線領域の不可視光線用の撮像デバイスとして法用
範囲か広いことから研究か盛んに行われている。この赤
外線撮像装置は、高性能化に伴い、撮像可能な温度範囲
を拡大することが要求されている。
、赤外線領域の不可視光線用の撮像デバイスとして法用
範囲か広いことから研究か盛んに行われている。この赤
外線撮像装置は、高性能化に伴い、撮像可能な温度範囲
を拡大することが要求されている。
第6図に、従来の赤外線撮像装置の動作を説明するため
の図を示す。第6図(A)は、例えばIRCCD (赤
外線電荷結合素子)等の赤外線撮像装置であり、蓄積部
50に赤外光か入射されると、電荷が蓄積される。そし
て、赤外光の入射が終了すると、移送ゲート51を開放
して電荷を移送し、出力電圧を撮像信号として出力する
ものである。
の図を示す。第6図(A)は、例えばIRCCD (赤
外線電荷結合素子)等の赤外線撮像装置であり、蓄積部
50に赤外光か入射されると、電荷が蓄積される。そし
て、赤外光の入射が終了すると、移送ゲート51を開放
して電荷を移送し、出力電圧を撮像信号として出力する
ものである。
この場合、出力電圧は入射赤外光に対して比例して出力
される。
される。
ところて、強い赤外光が入射すると、実際の撮像視野は
第6図(B)に示すような強度の差A。
第6図(B)に示すような強度の差A。
Bとして認識されるが、蓄積部50に発生する電荷量が
該蓄積部の許容電荷量を上回り、当該レベルで飽和する
。このため、撮像画面上では、第6図(C)に示すよう
な濃淡のない状態として認識される。この傾向は感光波
長か3〜5μm帯で特に強く現われる。
該蓄積部の許容電荷量を上回り、当該レベルで飽和する
。このため、撮像画面上では、第6図(C)に示すよう
な濃淡のない状態として認識される。この傾向は感光波
長か3〜5μm帯で特に強く現われる。
しかし、上述のように強い赤外光で飽和状態か生じると
、どのような強度パターンの赤外光か入射しているかの
情報か失われることとなり、ひいては撮像可能な温度範
囲を狭くしているという問題があった。
、どのような強度パターンの赤外光か入射しているかの
情報か失われることとなり、ひいては撮像可能な温度範
囲を狭くしているという問題があった。
そこで、本発明は上記課題に鑑みなされたちので、強力
な赤外光か入射しても飽和せず、撮像温度範囲の広い赤
外線撮像装置を提供することを目的とする。
な赤外光か入射しても飽和せず、撮像温度範囲の広い赤
外線撮像装置を提供することを目的とする。
第1図に、本発明の原理図を示す。第1図(A)は一画
素の構成概念図を示したものである。
素の構成概念図を示したものである。
第1図(A)の画素1において、2は受光部であり、赤
外光を充電変換する。3は蓄積部であり、光電変換によ
り発生した電荷を蓄積する。4は移送ゲートであり、蓄
積部3に蓄積された電荷を読み出すために移送させる。
外光を充電変換する。3は蓄積部であり、光電変換によ
り発生した電荷を蓄積する。4は移送ゲートであり、蓄
積部3に蓄積された電荷を読み出すために移送させる。
そして、5はリセットゲートであり、電荷が蓄積部3に
蓄積される単位時間内で蓄積開始より所定時間後に、該
蓄積された電荷をリセットさせる。
蓄積される単位時間内で蓄積開始より所定時間後に、該
蓄積された電荷をリセットさせる。
このような画素1が複数個並設されて赤外線撮像素子が
構成され、前記移送ゲート4及びリセットゲート5の開
閉等の制御を制御手段(@示せず)により行う。
構成され、前記移送ゲート4及びリセットゲート5の開
閉等の制御を制御手段(@示せず)により行う。
第1図(A)に示すように、リセットゲート5を設けて
赤外光の受光により蓄積部3に蓄積された電荷を所定時
間後lこ一旦クリアにする。すなわち、第1図(B)に
示すように、時間t0より電荷の蓄積が開始され、蓄積
許容電荷量の時間t!まてに(単位時間)当該画素が飽
和しない程度の赤外光の照射であれば、リセットゲート
5を開放せずに電荷の蓄積を行う(第1図(B)■)。
赤外光の受光により蓄積部3に蓄積された電荷を所定時
間後lこ一旦クリアにする。すなわち、第1図(B)に
示すように、時間t0より電荷の蓄積が開始され、蓄積
許容電荷量の時間t!まてに(単位時間)当該画素が飽
和しない程度の赤外光の照射であれば、リセットゲート
5を開放せずに電荷の蓄積を行う(第1図(B)■)。
そして時間t、で移送ゲート4を開放して撮像信号を出
力する。
力する。
一方、強い赤外光で単位時間内(toからit)に蓄積
許容電荷量を越える場合には、時間t+ (to <
t+ <tl)でリセットゲート5を開放して電源Vに
電荷を送りリセットする。そして、新たに電荷の蓄積を
行い、時間t、において移送ゲート4を開放し、所定倍
にして撮像信号を出力するものである(第1図(B)■
)。すなわち、複数の画素が並設された赤外線撮像素子
の各画素の蓄積時間を変化させるものである。これによ
り、強い赤外光が入射すると、実際の撮像視野は第1図
(C)に示すような強度の差A、Bが、撮像画面上でも
第1図(D)に示すような濃淡A。
許容電荷量を越える場合には、時間t+ (to <
t+ <tl)でリセットゲート5を開放して電源Vに
電荷を送りリセットする。そして、新たに電荷の蓄積を
行い、時間t、において移送ゲート4を開放し、所定倍
にして撮像信号を出力するものである(第1図(B)■
)。すなわち、複数の画素が並設された赤外線撮像素子
の各画素の蓄積時間を変化させるものである。これによ
り、強い赤外光が入射すると、実際の撮像視野は第1図
(C)に示すような強度の差A、Bが、撮像画面上でも
第1図(D)に示すような濃淡A。
Bとして現われる。
従って、強い赤外光が入射しても当該画素の出力信号(
撮像信号)レベルが飽和しないことから、撮像温度範囲
を広くすることか可能となる。
撮像信号)レベルが飽和しないことから、撮像温度範囲
を広くすることか可能となる。
第2図に、本発明の一実施例の構成図を示す。
第2図において、赤外線撮像素子IOは、複数の画素A
−1がマトリクス状に並設されている。一つの画素(例
えばA)は、第3図に示すように、受光部2.蓄積部3
.移送ゲート4.水平リセットゲート5a、垂直リセッ
トゲート5b、入力ゲート6及び続出しゲート7より構
成される。
−1がマトリクス状に並設されている。一つの画素(例
えばA)は、第3図に示すように、受光部2.蓄積部3
.移送ゲート4.水平リセットゲート5a、垂直リセッ
トゲート5b、入力ゲート6及び続出しゲート7より構
成される。
そこで、第2図に戻って説明するに、各画素A〜Iの水
平リセットゲート5aは、垂直に配設された一群ごとに
トランジスタTri〜Tt3を介して電源Vに接続され
、トランジスタTri−Tt3を水平方向のα1.β、
、γ1の単位で水平デコーダ1)がリセット信号RG
+により駆動する。また、垂直リセットゲート5bは、
水平に配設された一群ごとに垂直方向のα1.β7.γ
、の単位で垂直デコーダ12がリセット信号RG、によ
りゲート開閉を行う。入力ゲート6にはバイアス(工G
)が加えられ、蓄積部3には蓄積を行うためのバイアス
(SG)が加えられる。また、移送ゲート4は、水平に
配設された一群ごとに垂直方向のr、t mの単位でシ
フトレジスタI3が移送信号TGにより走査する。そし
て、続出しゲート7は、垂直に配設された一群ごとに読
出し用CCD14が続出しを行う。
平リセットゲート5aは、垂直に配設された一群ごとに
トランジスタTri〜Tt3を介して電源Vに接続され
、トランジスタTri−Tt3を水平方向のα1.β、
、γ1の単位で水平デコーダ1)がリセット信号RG
+により駆動する。また、垂直リセットゲート5bは、
水平に配設された一群ごとに垂直方向のα1.β7.γ
、の単位で垂直デコーダ12がリセット信号RG、によ
りゲート開閉を行う。入力ゲート6にはバイアス(工G
)が加えられ、蓄積部3には蓄積を行うためのバイアス
(SG)が加えられる。また、移送ゲート4は、水平に
配設された一群ごとに垂直方向のr、t mの単位でシ
フトレジスタI3が移送信号TGにより走査する。そし
て、続出しゲート7は、垂直に配設された一群ごとに読
出し用CCD14が続出しを行う。
一方、制御手段20は、デコーダ制御回路21゜信号判
別回路22及び演算回路23により構成される。デコー
ダ制御回路21は、水平デコーダ1)及び垂直デコーダ
12を制御する。信号判別回路22は読出し用CCD
l 4からの信号のレベルを判断して、デコーダ制御回
路21の次のリセットタイミング時間の基礎とすると共
に、演算回路23で該続出し信号を所定倍にシフトさせ
て撮像信号を出力させるものである。
別回路22及び演算回路23により構成される。デコー
ダ制御回路21は、水平デコーダ1)及び垂直デコーダ
12を制御する。信号判別回路22は読出し用CCD
l 4からの信号のレベルを判断して、デコーダ制御回
路21の次のリセットタイミング時間の基礎とすると共
に、演算回路23で該続出し信号を所定倍にシフトさせ
て撮像信号を出力させるものである。
次に、上記赤外線撮像装置の動作について説明する。こ
こで、第4図に、一画素の動作を説明するための図を示
す。第4図において、受光部2は赤外光によりフォトダ
イオード2aか導通状態となり、入力ゲート6へのバイ
アス(TG)及び蓄積部3へのバイアス(SG)により
負の電荷が該蓄積部3に蓄積される。この蓄積された電
荷は、移送ゲート4への移送信号TGで読出し用CCD
14に電荷が移送(出力)される。この場合、水平リセ
ット状態)5a及び垂直リセットゲート5bにリセット
信号RG、及びRG、か印加されると、該蓄積部3に蓄
積された負の電荷が電源Vに流れ、当該蓄積部3内の電
荷は零となりリセット状態になる。
こで、第4図に、一画素の動作を説明するための図を示
す。第4図において、受光部2は赤外光によりフォトダ
イオード2aか導通状態となり、入力ゲート6へのバイ
アス(TG)及び蓄積部3へのバイアス(SG)により
負の電荷が該蓄積部3に蓄積される。この蓄積された電
荷は、移送ゲート4への移送信号TGで読出し用CCD
14に電荷が移送(出力)される。この場合、水平リセ
ット状態)5a及び垂直リセットゲート5bにリセット
信号RG、及びRG、か印加されると、該蓄積部3に蓄
積された負の電荷が電源Vに流れ、当該蓄積部3内の電
荷は零となりリセット状態になる。
そこで、第2図において画素E、Hが飽和レベルを越え
る強度の赤外光を受光した場合を、第5図の動作説明図
に基づいて説明する。まず、赤外光に対して総ての画素
A−1か単位時間(蓄積時間)受光を行い(第1図(B
)■参照)、読出し用CCD14を介して信号判別回路
22が、各画素の何れかが飽和レベルに達しているか否
かを判断する。画素E及びHが飽和レベル以上の場合に
は(第5図(A) )、該信号判別回路22によりデコ
ーダ制御回路21にリセットタイミング時間を、例えば
1/2に設定する。なお、総ての画素A〜Iが飽和レベ
ル以下であれば、リセットの設定は行わない。
る強度の赤外光を受光した場合を、第5図の動作説明図
に基づいて説明する。まず、赤外光に対して総ての画素
A−1か単位時間(蓄積時間)受光を行い(第1図(B
)■参照)、読出し用CCD14を介して信号判別回路
22が、各画素の何れかが飽和レベルに達しているか否
かを判断する。画素E及びHが飽和レベル以上の場合に
は(第5図(A) )、該信号判別回路22によりデコ
ーダ制御回路21にリセットタイミング時間を、例えば
1/2に設定する。なお、総ての画素A〜Iが飽和レベ
ル以下であれば、リセットの設定は行わない。
次に、デコーダ制御回路21は、上記設定に即して、画
素E、Hを、蓄積時間(単位時間)の半分の時間で水平
及び垂直デコーダ1).12よりリセット信号RG、(
β、)及びRG、(β、。
素E、Hを、蓄積時間(単位時間)の半分の時間で水平
及び垂直デコーダ1).12よりリセット信号RG、(
β、)及びRG、(β、。
γ、)を出力させてリセット状態)5a、5bを開放し
てリセット状態とする(第5図(B))。
てリセット状態とする(第5図(B))。
そして、該画素E、Hは単位時間の残りの半分の時間で
電荷の蓄積を行う(第5図(C))。すなわち、蓄積時
間が半分となることから、飽和をさせない状態で処理す
るものである。
電荷の蓄積を行う(第5図(C))。すなわち、蓄積時
間が半分となることから、飽和をさせない状態で処理す
るものである。
そこで、単位時間経過後に移送ゲート4が開放されて読
出し用CCD I 4を介して出力信号か信号判別回路
22に入力されると、再度飽和レベル以上か否かを判別
すると共に、演算回路23に出力信号を送る。演算回路
23では画素E、Hの出力信号を2倍にシフトして撮像
信号を出力するものである(第5図(D))。これによ
り、画素EとHでは撮像画面上で強度の差が現われるこ
とどなる。
出し用CCD I 4を介して出力信号か信号判別回路
22に入力されると、再度飽和レベル以上か否かを判別
すると共に、演算回路23に出力信号を送る。演算回路
23では画素E、Hの出力信号を2倍にシフトして撮像
信号を出力するものである(第5図(D))。これによ
り、画素EとHでは撮像画面上で強度の差が現われるこ
とどなる。
なお、上記実施例では、電荷のリセットを一回行わせた
場合を示したが、残りの蓄積時間で再び飽和レベルを越
える場合には、さらに残りの蓄積時間の半分でリセット
を行わせることとすればよい。そして、これらの繰返し
により順次リセット時間をさらに残りの蓄積時間の半分
づつに縮めることも可能である。
場合を示したが、残りの蓄積時間で再び飽和レベルを越
える場合には、さらに残りの蓄積時間の半分でリセット
を行わせることとすればよい。そして、これらの繰返し
により順次リセット時間をさらに残りの蓄積時間の半分
づつに縮めることも可能である。
また、上記実施例は、便宜上単位時間の半分のタイミン
グでリセットを行うこととしたものであるが、本発明は
半分に限られるものではなく、電荷の蓄積を行う単位時
間内で1回以上のリセットを行わせることを要部とした
ものである。
グでリセットを行うこととしたものであるが、本発明は
半分に限られるものではなく、電荷の蓄積を行う単位時
間内で1回以上のリセットを行わせることを要部とした
ものである。
これにより、強い赤外光か入射しても飽和か起りにくく
、目標からの情報が失われる確率か減少すると共に、入
射光量が少ない場合には演算回路23で信号を積算し、
出力増幅を行うことから高感度となり、入射光量か多い
場合には感度を低(してダイナミックレンジの広い画像
を得ることかできる。すなわち、撮像温度範囲を広くす
ることができるものである。
、目標からの情報が失われる確率か減少すると共に、入
射光量が少ない場合には演算回路23で信号を積算し、
出力増幅を行うことから高感度となり、入射光量か多い
場合には感度を低(してダイナミックレンジの広い画像
を得ることかできる。すなわち、撮像温度範囲を広くす
ることができるものである。
以上のように本発明によれば、電荷蓄積の単位時間内で
所定時間後に蓄積された電荷をリセットすることにより
、強力な赤外光であっても飽和状態になることかなく、
撮像温度範囲を広くすることができ、高性能化を図るこ
とかできる。また、入射光量が少ない場合、制御手段に
より画素からの出力信号を所定回数積算にすることによ
り、入射光量の多い部分があっても感度を高くすること
ができる。また、入射光量が少ない場合は、感度か高く
、多過ぎる場合は感度を低くてきるのでダイナミックレ
ンジの広い画像を得ることができる。
所定時間後に蓄積された電荷をリセットすることにより
、強力な赤外光であっても飽和状態になることかなく、
撮像温度範囲を広くすることができ、高性能化を図るこ
とかできる。また、入射光量が少ない場合、制御手段に
より画素からの出力信号を所定回数積算にすることによ
り、入射光量の多い部分があっても感度を高くすること
ができる。また、入射光量が少ない場合は、感度か高く
、多過ぎる場合は感度を低くてきるのでダイナミックレ
ンジの広い画像を得ることができる。
第1図は本発明の原理説明図、
第2図は本発明の一実施例の構成図、
第3図は第2図における一画素の平面構成図、第4図は
一画素の動作を説明するための図、第5図は第2図の動
作を説明するための図、第6図は従来の赤外線撮像装置
の動作を説明するだめの図である。 図において、 1は画素、 2は受光部、 3は蓄積部、 4は移送ゲート、 5はリセットゲート、 6は入力ゲート、 7は読出しゲート、 20は割面手段 を示す。 特許出願人 富 士 通 株式会社 (A) (B) (C) (D)本発明
の原理説明図 第2図における一画素の平面構成図 第3図 一画素の動作を説明するだめの図 赤外光 (A)
一画素の動作を説明するための図、第5図は第2図の動
作を説明するための図、第6図は従来の赤外線撮像装置
の動作を説明するだめの図である。 図において、 1は画素、 2は受光部、 3は蓄積部、 4は移送ゲート、 5はリセットゲート、 6は入力ゲート、 7は読出しゲート、 20は割面手段 を示す。 特許出願人 富 士 通 株式会社 (A) (B) (C) (D)本発明
の原理説明図 第2図における一画素の平面構成図 第3図 一画素の動作を説明するだめの図 赤外光 (A)
Claims (2)
- (1)赤外光を光電変換する受光部(2)と、該光電変
換により発生した電荷を蓄積する蓄積部(3)と、該蓄
積された電荷を読み出すために移送させる移送ゲート(
4)とを有する画素(1)が並設された撮像素子を有す
る赤外線撮像装置において、 前記電荷が前記蓄積部(3)に蓄積される単位時間内で
蓄積開始より所定時間後に、該蓄積された電荷をリセッ
トするリセットゲート(5)を前記画素(1)に設ける
ことを特徴とする赤外線撮像装置。 - (2)前記移送ゲート(4)及び前記リセットゲート(
5)の開閉を制御すると共に、該リセットゲート(5)
が動作された前記画素(1)からの出力信号を所定倍に
して出力させる制御手段(20)を有することを特徴と
する請求項(1)記載の赤外線撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2319443A JP2799072B2 (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2319443A JP2799072B2 (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04189081A true JPH04189081A (ja) | 1992-07-07 |
| JP2799072B2 JP2799072B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=18110259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2319443A Expired - Fee Related JP2799072B2 (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2799072B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07122722A (ja) * | 1993-10-20 | 1995-05-12 | Nec Corp | 撮像装置 |
| JP2006229362A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Canon Inc | 撮像素子及び処理装置 |
-
1990
- 1990-11-22 JP JP2319443A patent/JP2799072B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07122722A (ja) * | 1993-10-20 | 1995-05-12 | Nec Corp | 撮像装置 |
| JP2006229362A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Canon Inc | 撮像素子及び処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2799072B2 (ja) | 1998-09-17 |
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