JPH04190588A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPH04190588A JPH04190588A JP2321411A JP32141190A JPH04190588A JP H04190588 A JPH04190588 A JP H04190588A JP 2321411 A JP2321411 A JP 2321411A JP 32141190 A JP32141190 A JP 32141190A JP H04190588 A JPH04190588 A JP H04190588A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- -1 that is Chemical class 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｕ産業上の利用分野］
この発明は交流電界印加によりＥＬ発光を呈する薄膜Ｅ
Ｌ素子に係わり、特に、駆動電圧が等しい２色発光薄膜
ＥＬ素子に関する。
Ｌ素子に係わり、特に、駆動電圧が等しい２色発光薄膜
ＥＬ素子に関する。
［従来の技術］
電圧を印加すると物質が螢光を発する現象すなわちエレ
クトロルミネッセンス（Ｅ Ｌ ）を利用したデイスプ
レィに用いられる薄膜Ｅｌ−素子が知られている。この
ような薄膜Ｅ Ｌ素子の２色発光のものの例を第２図を
参照して説明する。
クトロルミネッセンス（Ｅ Ｌ ）を利用したデイスプ
レィに用いられる薄膜Ｅｌ−素子が知られている。この
ような薄膜Ｅ Ｌ素子の２色発光のものの例を第２図を
参照して説明する。
図に示すように、カラス基板１の上に酸化インジウム・
ずず膜等の透明電極２か積層されている。
ずず膜等の透明電極２か積層されている。
さらに、透明電極２の上に第１絶縁体層３が積層されて
いる。
いる。
４ａは黄橙色発光を呈するＺｎＳ：Ｍｎ発光体であり、
第１絶縁体層３上にメタルマスクを用いた蒸着あるいは
フォトエツチング加工により所定パターンに形成されて
いる。
第１絶縁体層３上にメタルマスクを用いた蒸着あるいは
フォトエツチング加工により所定パターンに形成されて
いる。
４ｂはＺｎＳ：Ｒｅ発光体てあり、ＺｎＳ：Ｍｎ発光体
４ａと同様に、第１絶縁体層３上にメタルマスクを用い
た蒸着あるいはフォトエツチング加工により所定パター
ンに形成されている。」１記のＲｅはレアアース即ち希
土類金属を表し、以下の説明でも同様である。
４ａと同様に、第１絶縁体層３上にメタルマスクを用い
た蒸着あるいはフォトエツチング加工により所定パター
ンに形成されている。」１記のＲｅはレアアース即ち希
土類金属を表し、以下の説明でも同様である。
ＺｎＳ ： Ｍｎ発光体４ ａ、ＺｎＳ ： Ｒｅ発光
体４ｂおよび第１絶縁層３を覆うように第２絶縁体層５
か積層され、第２絶縁体層５の上に夫々の発光体に対応
して金属膜の背面電極６が蒸着されている。背面電極６
と透明電極２の間に電圧を印加することにより、これら
電極間に挟まれた部分の発光体４ａおよび４ｂが発光す
る。
体４ｂおよび第１絶縁層３を覆うように第２絶縁体層５
か積層され、第２絶縁体層５の上に夫々の発光体に対応
して金属膜の背面電極６が蒸着されている。背面電極６
と透明電極２の間に電圧を印加することにより、これら
電極間に挟まれた部分の発光体４ａおよび４ｂが発光す
る。
［発明が解決しようとする問題点］
」１記、従来の薄ＪｌｉＥＬ素子は、ＺｎＳ：Ｍｎ発光
体４ａとＺｎＳ：Ｒｅ発光体４ｂとの駆動電圧が異なり
、特に、ＺｎＳ：Ｒｅ発光体の駆動電圧が高く、電源の
構成が複雑となる欠点があった。
体４ａとＺｎＳ：Ｒｅ発光体４ｂとの駆動電圧が異なり
、特に、ＺｎＳ：Ｒｅ発光体の駆動電圧が高く、電源の
構成が複雑となる欠点があった。
また、両売光体の発光輝度に差があるという欠点があっ
た。
た。
この発明は」−記した点に鑑みなされたちのてあって、
その目的とするところは、駆動電圧が同一である２色発
光の薄膜ＥＬ素子を提供することである。
その目的とするところは、駆動電圧が同一である２色発
光の薄膜ＥＬ素子を提供することである。
また、この発明の曲の目的は発光輝度が同一である２色
発光の薄膜Ｅｌ−素子を提供することである。
発光の薄膜Ｅｌ−素子を提供することである。
［課題を解決するための手段］
この発明の薄膜ＥＬ素子は、透明基板の上に透明電極、
第１の絶縁体層、Ｅｌ−発光を呈する発光層、第２の絶
縁体層、背面電極を順次積層してなる薄膜ＥＬ索子にお
いて、Ｚ ｎ Ｓ ： Ｍ ｎ発光体を第１の絶縁体層
上に所定パターンに形成し、ＺｎＳ：Ｒｅ発光体をＺｎ
Ｓ：Ｍｎ発光体パターン上および第１の絶縁体層上に形
成し、ＺｎＳ ： Ｒｅ発光体とＺ ｎ Ｓ ： Ｍ
ｎ発光体とが重なった部分の発光駆動電圧とＺｎＳ：Ｒ
ｅ発光体のみの発光駆動電圧とが同一どなるように発光
層を構成するとともに第１および第２の絶縁体層の少な
くとも一方を強誘電体で形成したものである。
第１の絶縁体層、Ｅｌ−発光を呈する発光層、第２の絶
縁体層、背面電極を順次積層してなる薄膜ＥＬ索子にお
いて、Ｚ ｎ Ｓ ： Ｍ ｎ発光体を第１の絶縁体層
上に所定パターンに形成し、ＺｎＳ：Ｒｅ発光体をＺｎ
Ｓ：Ｍｎ発光体パターン上および第１の絶縁体層上に形
成し、ＺｎＳ ： Ｒｅ発光体とＺ ｎ Ｓ ： Ｍ
ｎ発光体とが重なった部分の発光駆動電圧とＺｎＳ：Ｒ
ｅ発光体のみの発光駆動電圧とが同一どなるように発光
層を構成するとともに第１および第２の絶縁体層の少な
くとも一方を強誘電体で形成したものである。
また、前記薄膜ＥＬ素子において、ＺｎＳ ： Ｍｎ発
光体とＺｎＳ：Ｒｅ発光体との発光輝度を同一とするよ
うにＭｎ量を調整したものである。
光体とＺｎＳ：Ｒｅ発光体との発光輝度を同一とするよ
うにＭｎ量を調整したものである。
１作用」
Ｚ ｎ Ｓ ： Ｍ ｎ発光体はＺ ｎ Ｓ ： Ｒｅ
発光体に比べ発光駆動電圧が低いが、ＺｎＳ：Ｍｎ発光
体の上にＺｎＳ ： Ｒｅ発光体を重ねることによりこ
れら積層体の駆動電圧が高くなる。従って、ＺｎＳ：Ｒ
ｅ発光体とＺｎＳ：Ｍｎ発光体との形成条件を調整する
ことによりＺｎＳ：Ｍｎ発光体にＺｎＳ：Ｒｅ発光体か
重なった部分とＺｎＳ：Ｒｅ発光体の部分の発光駆動電
圧を同一とすることができる。
発光体に比べ発光駆動電圧が低いが、ＺｎＳ：Ｍｎ発光
体の上にＺｎＳ ： Ｒｅ発光体を重ねることによりこ
れら積層体の駆動電圧が高くなる。従って、ＺｎＳ：Ｒ
ｅ発光体とＺｎＳ：Ｍｎ発光体との形成条件を調整する
ことによりＺｎＳ：Ｍｎ発光体にＺｎＳ：Ｒｅ発光体か
重なった部分とＺｎＳ：Ｒｅ発光体の部分の発光駆動電
圧を同一とすることができる。
また、ＺｎＳ：Ｍｎ発光体にＺｎＳ：Ｒｅ発光体が重な
ると全体の発光駆動電圧は高くなるが、絶縁体層に強誘
電体を用いることにより発光駆動電圧の上昇が押さえら
れる。
ると全体の発光駆動電圧は高くなるが、絶縁体層に強誘
電体を用いることにより発光駆動電圧の上昇が押さえら
れる。
さらに、ＺｎＳ：Ｍｎ発光体上のＺ ｎ Ｓ ： Ｒｅ
発光体はＺｎＳ：Ｍｎ発光体に比べ発光効率が悪く、発
光輝度が低いが、ＺｎＳ：Ｒｅ発光体を最−−弓
− 大発光輝度となるように形成し、ＺｎＳ：Ｍｎ発光体の
Ｍｎドープ量を最大発光輝度のポイントからずらずよう
に調整して両弁光部分の発光輝度を同一 となるように
することがてきる。
発光体はＺｎＳ：Ｍｎ発光体に比べ発光効率が悪く、発
光輝度が低いが、ＺｎＳ：Ｒｅ発光体を最−−弓
− 大発光輝度となるように形成し、ＺｎＳ：Ｍｎ発光体の
Ｍｎドープ量を最大発光輝度のポイントからずらずよう
に調整して両弁光部分の発光輝度を同一 となるように
することがてきる。
［実施例］
この発明の実施例である薄膜ＥＬ索子を第１図に基づい
て説明する。
て説明する。
図に示すように、カラス基板１の」二に酸化インジウム
・ずす膜等の透明電極２が積層されている。
・ずす膜等の透明電極２が積層されている。
さらに、透明電極２の上に第１絶縁体層３が積層されて
いる。第１絶縁体層３はチタン酸バリウムまたはチタン
酸ストロンチウムの強誘電体で形成されている。
いる。第１絶縁体層３はチタン酸バリウムまたはチタン
酸ストロンチウムの強誘電体で形成されている。
４ａは黄橙色発光を呈するＺｎＳ：Ｍｎ発光体であり、
第１絶縁体層３上にメタルマスクを用いた蒸着あるいは
フォトエツチング加工により所定パターンに形成されて
いる。
第１絶縁体層３上にメタルマスクを用いた蒸着あるいは
フォトエツチング加工により所定パターンに形成されて
いる。
ＺｎＳ：Ｒｅ発光体４ｂは、ＺｎＳ：Ｍｎ発光体’ｌａ
上および第１絶縁体層３Ｌに蒸着により積層されている
。
上および第１絶縁体層３Ｌに蒸着により積層されている
。
−６＝
ＺｎＳ二Ｒｅ発光体４ｂを覆うようにチタン酸バリウム
またはチタン酸ストロンチウムの第２絶縁体層５が積層
され、第２絶縁体層５の上に夫々の発光体に対応して金
属膜の背面電極６が蒸着されている。背面’ｔ９ｉ６と
透明電極２の間に電圧を印加することにより、これら電
極間に挟まれた部分の発光体が発光する。
またはチタン酸ストロンチウムの第２絶縁体層５が積層
され、第２絶縁体層５の上に夫々の発光体に対応して金
属膜の背面電極６が蒸着されている。背面’ｔ９ｉ６と
透明電極２の間に電圧を印加することにより、これら電
極間に挟まれた部分の発光体が発光する。
ＺｎＳ：Ｒｅ発光体４ｂとＺｎＳ：Ｍｎ発光体４ａおよ
びＺｎＳ：Ｒｅ発光体４ｂの積層体との発光駆動電圧か
同一となるように蒸着条件か調整され、また、ＺｎＳ：
Ｒｅ発光体を最大発光輝度となるように形成し、Ｚ ｎ
Ｓ ： Ｍ ｎ発光体のＭｎドープ量を最大発光輝度
のポイン１〜からずらすように調整して再発光部分の発
光輝度を同一となるように調整されている。
びＺｎＳ：Ｒｅ発光体４ｂの積層体との発光駆動電圧か
同一となるように蒸着条件か調整され、また、ＺｎＳ：
Ｒｅ発光体を最大発光輝度となるように形成し、Ｚ ｎ
Ｓ ： Ｍ ｎ発光体のＭｎドープ量を最大発光輝度
のポイン１〜からずらすように調整して再発光部分の発
光輝度を同一となるように調整されている。
Ｕ発明の効果コ
この発明の薄膜ＥＬ素子によれは、ＺｎＳ：Ｍｎ発光体
とＺ ｎ Ｓ ： Ｒｅ発光体を同一平面上で同一駆動
電圧で発光させるので駆動電源回路のコストダウンが図
れる。しかも、絶縁体層に強誘電体薄膜を使用すること
により駆動電圧の上昇が押さえられる。
とＺ ｎ Ｓ ： Ｒｅ発光体を同一平面上で同一駆動
電圧で発光させるので駆動電源回路のコストダウンが図
れる。しかも、絶縁体層に強誘電体薄膜を使用すること
により駆動電圧の上昇が押さえられる。
また、ＺｎＳ：Ｍｎ発光体とＺｎＳ：Ｒｅ発光体との発
光輝度を同一としたためバランスがよく表示品位が向上
する。
光輝度を同一としたためバランスがよく表示品位が向上
する。
第１図はこの発明の実施例である薄膜ＥＬ素子を示す断
面図、第２図は従来の薄膜ＥＬ素子の例を示す断面図で
ある。 １・・・〃ラス基板、２・・・透明電極、３・・・第１
絶縁層、４ａ−ＺｎＳ：Ｍｎ発光体、４ｂ・ＺｎＳ：Ｒ
ｅ発光体、５・・・第２絶縁体層、６・・・背面電極。
面図、第２図は従来の薄膜ＥＬ素子の例を示す断面図で
ある。 １・・・〃ラス基板、２・・・透明電極、３・・・第１
絶縁層、４ａ−ＺｎＳ：Ｍｎ発光体、４ｂ・ＺｎＳ：Ｒ
ｅ発光体、５・・・第２絶縁体層、６・・・背面電極。
Claims (2)
- １．透明基板の上に透明電極、第１の絶縁体層、ＥＬ発
光を呈する発光層、第２の絶縁体層、背面電極を順次積
層してなる薄膜ＥＬ素子において、ＺｎＳ：Ｍｎ発光体
を第１の絶縁体層上に所定パターンに形成し、ＺｎＳ：
Ｒｅ発光体をＺｎＳ：Ｍｎ発光体パターン上および第１
の絶縁体層上に形成し、ＺｎＳ：Ｒｅ発光体とＺｎＳ：
Ｍｎ発光体とが重なった部分の発光駆動電圧とＺｎＳ：
Ｒｅ発光体のみの発光駆動電圧とが同一となるように発
光層を構成するとともに第１および第２の絶縁体層の少
なくとも一方を強誘電体で形成した薄膜ＥＬ素子。 - ２．ＺｎＳ：Ｍｎ発光体とＺｎＳ：Ｒｅ発光体との発光
輝度を同一とするようにＭｎ量を調整した請求項１の薄
膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2321411A JP2621057B2 (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2321411A JP2621057B2 (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04190588A true JPH04190588A (ja) | 1992-07-08 |
| JP2621057B2 JP2621057B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=18132250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2321411A Expired - Lifetime JP2621057B2 (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2621057B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5932327A (en) * | 1995-02-09 | 1999-08-03 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroluminescent element |
| US6099979A (en) * | 1995-07-24 | 2000-08-08 | Denso Corporation | Electroluminescent display element and manufacturing method for manufacturing same |
| JP2005026224A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子、表示デバイス及び表示デバイスの制御方法 |
-
1990
- 1990-11-26 JP JP2321411A patent/JP2621057B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5932327A (en) * | 1995-02-09 | 1999-08-03 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroluminescent element |
| US6099979A (en) * | 1995-07-24 | 2000-08-08 | Denso Corporation | Electroluminescent display element and manufacturing method for manufacturing same |
| JP2005026224A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子、表示デバイス及び表示デバイスの制御方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2621057B2 (ja) | 1997-06-18 |
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