JPH04191377A - 多層光学干渉コーテイングを施す装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、湾曲し九コーティング基板に関し、更に詳し
くは、本発明社、湾曲した重合体基板に多層光学干渉コ
ーティングを施すことに関する。

〔発明の背景〕

この分野における別の方法に、表面処理およびコーティ
ング・プロセスを含んでいるものがあるが、これらは、
元来、光学目的ではない。また、複雑な表面形状の基板
を精密にコーティングするための成形電極を用いてｂる
ものは見あたらない。

普通のコーティング材料（たとえば、ＭｇＦ２　。

Ｓ　ｉ　０２）　Ｔ　ｒ　０２など）を用すている高性
能光学干渉コーティング（ＯＩＣ）を、光学的特性の重
合体（たとえば、ポリカーボネート、ＣＲ−３９すなわ
ち特殊な樹脂、アクリルなど）に施す際の基本的な問題
点は、無機コーティング材料と有機基板との間の基本的
な物理的性質が適合していないということである。特Ｋ
、温度に依存する熱膨張率の差が激しく、はんの数層の
このような普通のコーティングにおいても非常に高い歪
を生じる。実際には、このようなコーティングでは、層
の数は約２０が限界なので、多くの用途における性能や
設計のフレキシビリティを制限することになる。本発明
は、はとんどどのような形の重合体基板にも、非常に薄
い（すなわち、数ミルの厚さ）薄膜シートのストックを
含んでいる数百層ものコーティングを行なうことができ
るようにすることによって、このような従来の問題を解
決している。

〔発明の概要〕

本発明は、たとえば、レーザ兵器から目を保裏するため
の軍事仕様に設計されたヘリコプタのパイロットのバイ
ザのような、複雑に湾曲した形状の重合体基板に、高性
能の多層光学干渉コーティングを施す方法を提供する。

このようなバイザまたは他の重合体基板は、プラズマ・
エンハンスド化学蒸着（ＰＥＣＶＤ　）によシコーティ
ングされる。

重合体基板は、被着装置の反応領域に配置される。

（残留大気のバックグラウンドを含んでいる）作業チェ
ンバを排気して基板のガス抜きを行なうのに、真空ポン
プを使用している。その後、反応領域には、不活性キャ
リヤ・ガスと反応剤とともに被着材料が供給される。通
常、低温では熱力学的には不可能であった化学的および
薄膜形成プロセスが、プラズマの励起により実施される
。出発反応体は、形式Ｍ−Ｒ（すなわち、有機−金属種
の分子に関する一般的な配達）を有する。なお、Ｍは金
属で、Ｒは有機成分である。

本発明の特徴は、複雑な形状のコーティング部分に対し
て、電極／反応体供給構造を使用していることである。

また、本発明は重合体基板と嵌合しかつ適合するよう成
形された、それ自身の電源によりバイアスされる受動形
電極を有している。

被動形電極はこの受動形電極の表面形状に適合し、基板
が配置されるプラズマ反応が生じる空隙によりそれから
離間している。反応体供給管は被動形電極を通って空隙
すなわち反応チェンバに反応体を送る。装置は、空隙す
なわち反応領域にプラズマを閉じ込めるサイド・シール
ドを含んでいる。

被着物の厚さを測定するには、光学モニタが使用される
。

被着装置は、コーティングされた物体の表面における厚
み均一性許容差が可視光の波長の数パーセント以内であ
る薄膜で、複雑な表面形状の物体をコーティングするこ
とができる成形電極を含んでいる。

本発明は、複雑な形状の重合体基板のコーティングに関
して特に適しているが、本発明は、平面（平面は無限大
の半径曲率を有するという定義によシ）や無機基板のコ
ーティングにも適用できる。

これら材料には、標準光学ガラス（コーニング社製およ
び輸入業者スコツトφアメリカ・ガラスおよび実験用製
品社のスコツト・ガラス製品）およびリング・レーザー
ジャイロスコープ（ＲＬＧ）のミラー基板において一般
に使用されているコー二／グ社のサーψビット（Ｃｅｒ
−ＶＨ）およびスコツト社のゼロデユア（Ｚｅｒｏｄｕ
ｒ）のような超低膨張（ＴＩＴＬＥ）材料がある。また
、多くの実際のＲＬＧ設計では、（いわゆる長半径共振
器構成の）レーザ光学出力安定性を改善する湾曲したミ
ラー素子を用いている。本発ＦＩＡは、このような湾曲
したミラー素子をコーティングするのに特に有効である
。

本発明の他の利点は、様々な混和しやすい可視気相材料
の混合物を使用することによυ、普通の離散的勾配率の
境界多層形式と同様に、連続的に勾配率が変化する精巧
な光学干渉コーティングを施すことができることである
。

本発明の更に別の利点は、比較的低い温度で、しかも物
質のたった１つの状態（蒸気一固体）変化だけで、気体
／蒸気相のソース材料から直接的に形成することができ
ることである。この種の構成は、固体相のソース材料か
ら蒸気相への高温変換（輸送のため）し、その後固体の
薄膜に戻す過程を含んでいる電子ビーム蒸発のような光
学薄膜コーティングの一般的な方法とは著しく異なって
いる。より簡単で、−層直接的な本発明の薄膜形成路は
、コーティングに外部からの固体相の破壊Ｊｆｌ（、−
ビーム−コーティングでは“スピッツ（ｓｐｉｔｓ）　
”と呼称することがある）を含んでいることはほとんど
なく、そのため優れ念（すなわち、より低い）光学散乱
損失性能を得ることができる。

この固有の低散乱損失の利点は、よシー船釣なミラー、
ビームスプリッタ、カラー分離フィルタ、反射防止など
のコーティング用途と同様に、散乱損失が問題となるＲ
ＬＧコーティングおよび構成部材に特に適している。

以下、添付の図面に基づいて、本発明の実施例に関し説
明する。

〔実施例〕

第１図は、プラズマ・二ンノ・ンスド化学蒸着（ＰＥＣ
ＶＤ）リアクタ１００基本構造を示している。

コンテナ２５は、光学モニタおよびチェンバ１８を収容
している。また、反応チェンバすなわち領域１８をガス
抜き部分に排気し、かつプロセス・プラズマを生じるた
めの動作圧力を実現するポンプ・スタックすなわち真空
ポンプ装置１２が設轄られている。ポンプ装置１２は、
チェンバ１８から所定の物質またはガスを排気すること
ができるように、ポンプ１２とチェンバ１８間のパイプ
部材で反応チェンバ１８に接続している。チェンバ１８
中には２つの電極２８．３４がある。電極２８゜３４間
の空間すなわち領域４４に、コーティングされるべき物
体が配置され、被着プロセスが行なわれる。高周波（Ｒ
Ｆ）電源１４とインピーダンス整合回路網１６Ｆｉ、電
極２８．３４を駆動して、Ｍ−Ｒ成分を含んでいる化学
反応を促進するプラズマを確立し、それによう高品質の
薄膜を形成することができる。電極３４は被動形電極で
、一方の電極２８は受動形電極である。電源１４は、回
路網１６を介して電極３４に接続している一端と、アー
スまたは基準電圧を介して電極２８に接続している他端
を有している。ガスおよび反応体供給マニホルド２２は
、反応体をモニタしかつこれをプラズマ・リアクタ領域
４４に供給する。ガスおよび反応体物質は、ガス供給マ
ニホルド２２からパイプ３８を介してチェンバ１８に供
給される。

パイプ３８は、ガス供給マニホルド２２を電極３４に接
続している。電極３４は、ガスおよび反応体が領域４４
に流入する孔を有している。空隙すなわち領域４４は、
電極２８．３４間の空間で、ここでは、プラズマが生じ
、反応およびコーティングが行なわれる。光学モニタ（
ＯＭ）装置は、コンテナ２５に収容されている。０Ｍソ
ース２４と０Ｍ検出器２６を有するＯＭは、ソース２４
から電極２８．３４のトンネル５２およびコーティング
される物体を通って、チェンバ１８中を進行しかつ検出
部２６に到達する光線で、薄膜の光学的厚さを精密にモ
ニタする。それによシ、精密に調整された多層光学干渉
コーティングを製造することができる。

真空ポンプ装置１２、電源１４、インピーダンス整合回
路網１６および供給マニホルド２２は、市場において容
易に入手できる標準的な構成装置で、しかもいくつかの
工場で市販されているいくつかのプラズマ−リアクタ設
計に共通している。

このような設計は、半導体産業において窒化シリコンの
パッシベーション層を被着するのに広く使用されている
中央吸排気平板リアクタを含んでいる。

ソース２４および検出器２６から成る光学干渉装置は、
通常、どんな種類の化学蒸着プロセスにも使用できない
が、光学干渉コーティングの普通の物理蒸着においては
しばしば使用される特殊な構成装置である。これら装置
は、リヒテンシュタインのバルザスおよびカリフォルニ
ア州、ラフアイエツトのエデイ社を含むいくつかの会社
から入手できる。

複雑な形の部品にプラズマ・エンハンスド化学蒸着薄膜
を施すことができる本発明およびリアクタ設計の論点は
、電極および反応体供給構造１８である。第２図は、電
極および反応体供給構造１８の構成部分を示している。

電極２８は、受動的で形 ある、具体的には、三次ｙＥ’＆すなわちＣ（ｒ）の一
部に適合するような形状に成形されている。なお、Ｃ（
ｒ）は、座標系に関する、コーティングされるべき部分
の形状を示している半径の関数である。コーティングさ
れるべき基板は、基板の凸側をコーティングする凸形の
電極２８、または基板の凹側をコーティングする凹形の
電極２８に配置される。

第２図の電極２８！−１凹形である。電極２８は導電性
材料でできていて、コーテイング性能を高める必要があ
る場合、電気的アースに関して（電Ｆｆｙａにおいて）
正または負の電位にバイアスされることができる。受動
形電極のバイアス電源３２Ｈ１要求に応じてバイアス電
圧Ｖａを供給する。Ｖａは、代表的には、ゼロ・ボルト
なので、電極２８は、装置の基準電位すなわち電気的接
地点にある。

被動形電極３４は、キャパシタ３６を介してインピーダ
ンス整合回路網１６とともにＲＦ電源１４により駆動さ
れる。キャパシタ３６は、直流（ｎｃ）電力を阻止する
一方、ＲＦ電力を接続する。被動形電極３４は、受動電
極２８の形状に対応した三次元形状Ｃ（ｒ）を有してい
る。被動形電極３４は、距離Ｇの空隙によシ受動形電極
２８から分離されている。距離Ｇは、代表的には５〜１
０センチメートルで、プラズマ−リアクタ１０は、１〜
２００ミリトルの圧力範囲で動作される。

被動形電極３４は、電気的絶縁材料でできた反応体供給
管３８を通って反応体マニホルド２２に接続している。

反応体は、被動形電極３４に配電された送出オリフィス
すなわちジェット４２から電極間の反応領域４４に放出
される。ジェット４２の位置は、形状Ｃ（ｒ）上にコー
ティングされた厚さが均一になるような位置である。

バイアス電源４６は、ゼロから負の数百ボルトＤＣの範
囲のｖｂで、被動形電極３４を独立的かつ電気的にバイ
アスする。

静電サイド・シールド４８は、電極２８．３４間の空隙
領域４４にプラズマを閉じ込める働きがある。サイドＯ
シールド４Ｂは、導電材料でできておシ、通常、電気的
アース電位に保持されている。シールド４８を使用する
ことＫよシ、被着プロセスの効率はかなシ改善される。

言い換えれば、一対のシールド４８によシ、選択的に、
外部の壁領域上ではなく基板上に薄膜を形成するのに反
応体を用いることができる。

アクセス・トンネル５２は電［２８，３４を貫通してい
る。画電極２８．３４のトンネル５２は整合しているの
で、光学モニタ・ソース２４からのプローブ光線５４は
、コーティングされている基板を通って伝達され、検出
器２６に到達する。

検出器２６は、伝達された光線５４の量を測定し、基板
のコーテイング量を辰示する。

第３図は、飛行士のバイザ５６の二放射状に湾曲した内
側面のコーティングに合うように設計された形状を有す
る電極２８．３４を示している。

同様に、第４図は、２つのバイザ５８を同時にコーティ
ングするように設計された電極２８．３４を示している
。

第５図は、複数のレンズ６２のバッチ・コーティング用
に設計された電極２８．３４を有するマルチ−レンズ・
バッチ・コーティング装置を示している。このような装
置は、半円球形に湾曲したリング・レーザージャイロス
コープのミラー基板をコーティングするのに使用するこ
とができる。

第６図は、複数レンズ６４のバッチ・コーティング用の
環状電極２８．３４を示している。第７図は、複数のア
イ争シールド６６のバッチ−コーティングの環状電極２
８．３４を示している。第１１図は、アースされた電極
の基板ホルダ２８に取りつけられた単一の平坦な方形基
板６２（寸法Ｗ×１）をコーティングするよう設計され
た電極装置を示している。また、第１１図には、反応体
供給装置を配置した円形被動電極３４と暗黒部シールド
６７が示されている。第１１図および第１２）図の電極
装置において示すように、コーティングの状況をモ二り
するため、モニターストリップ６９が使用されている。

第１２ａ図は、複数の平坦なＲＬＧ基板６２をバラチリ
コーティングする取付は装置２８を示している。取付は
装置２８は、平面化された部分すなわち基板ホルダを備
えたアースされ念裏平面電極である。第１２ａ図の複数
のＲＬＧ　ミラー電極装置も、反応体供給装置を配置し
た円形被動電極３４と暗黒部シールド６７を有している
。

第１２ｂ図は、ミラー開ロマスク６３を示したＲＬＧ基
板６２の断面図である。基板６２Ｆｉ、ＯＬＥゼロデユ
ア・ミラー基板空所である。基板は、アクリルまたはテ
フロン（Ａｒｄａｌ）のような艶縁材料６５のポケット
の空所に配置される。

プラズマ・エンハンスド化学蒸着の方法において、コー
ティングされるべき部品は、被着装置すなわちプラズマ
・リアクタ１０（第１図）の反応領域４４に配置される
。真空ポンプ１２は、装置１０内に配置され、室温で１
０−’　）ル×２時間の代表的なプロセス・サイクルに
おいて、重合体基板を完全にガス抜きする。その後、被
着材料が、不活性キャリヤΦガス（たとえば、Ｘｅまた
はＡｒ）および適当な反応剤（たとえば、酸化剤０２　
またはＮ２０または還元剤Ｈ，）とともに反応領域４４
に供給される。その彼、リアクタ領域４４においてプラ
ズマを（放電により）励起する前に、反応体の流量と反
応領域４４の圧力が設定される（１〜１０標準立方セン
ナメートル／分（８ＣＣＭ）の範囲の代表的な流量と、
０．５〜１０立方メートルのリアクタ領域４４の体積に
関して１Ｏ−３〜１０−２トルの範囲の圧力）。プラズ
マが励起されることによシ、化学的および物理的な薄膜
形成プロセスが実施されるが、これは、励起されなけれ
ば低プロセス温度（代表的には、２０〜１００℃）では
熱力学的に不可能である。このよう々形成プロセスが行
なわれる理由は、これらプロセスの活性化エネルギが、
熱的（すなわち、ｋＴエネルギによシ）ではなく、電荷
交換の衝突により供給されるからである。

光学的特性の薄膜の材料は、Ｍ−Ｒの形の出発反応体か
ら得られる。ここで、Ｍは金属原子（たとえば、Ｔｉ、
ＺｎまたはＳｎ）で、Ｒは有機成分（たとえば、アルキ
ルまたはアルコキシド基）を示している。プラズマ・リ
アクタ１０のパラメータ（高周波（ｒｆ）電力、電極の
直流（ｄａ）バイアス電圧、リアクタ圧力、反応体の流
量、反応体の吸入排出速度および基板温度）を調整する
ことによシ、反応性（酸化）雰囲気中のこれら反応体か
ら被着された薄膜が、純粋有機から純粋無機までの物理
的特性を有するようＫすることができる。この特性は、
Ｍ（すなわち、無機相、通常ＭＯｘ金属酸化物として含
まれている）とＲ（すなわち、有機相）の相対的比率に
よシ決まる。これら材料と装置１０は、重合体基板の物
理的および化学的特性によく合った理想的な高性能光学
的薄膜を供給する。

第８図〜第１０図は、装置１０におけるプラズマ・エン
ハンスド化学蒸着によシ材料から形成された薄膜のマイ
ク日構造を示した電子顕微鏡写真の図である。第８図は
、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳ）から形成され
た薄膜の断面図である。

第９図はテトラメチルスズ（ＴＭＴ、ｊなわ？、Ｍ＝Ｓ
ｎでＲ＝（ＣＨ３−）！１＝４）から形成され念薄膜の
断面図である。第１０図は、第８図および第９図の薄膜
において使用された２つの材料から製造された多層光学
干渉コーティングの断面図である。

上記図面は、普通の技術で被着された材料において特有
の微小空間円柱構造のない、高密度で、ガラス質で、非
晶質の薄膜を示している。優れた光学性能と（薄膜の弾
性特性を与える有機相にょシ生じた）優れた機械的可柳
性を備えた本発明による薄膜の高密度充填微小構造は、
この種の材料から製造されたプラズマ・エンハンスド化
学蒸着薄膜における特徴である。

薄膜コーティングは、第１２図の電極装置に示された■
、Ｅ（超低膨張）基板６２上に被着される。

このようなコーティングされた基板６２は、リング−レ
ーザ・ジャイロ装置のミラーとして作用するよう設計さ
れている。基板は、スコツト・ガラス製品社のガラス−
セラミックすなわちゼロデユア基板、またはコーニング
社製のサーービット基板のような超低膨張（ＵＬＥ）基
板である。このような基板に被着される代表的なコーテ
ィングは、たとえばＺｎ、Ｔｊ　、Ｚｒ＋Ｔａ＋Ｓｌ　
　を含んでいる有機物のような有機金属先駆物質からで
きている。

第１３図は、リング榔レーザ・ジャイロのミラー設計の
よう力四分の一波長の多層スタック・コーティングを被
着する方法７０を示している。過程６８は、装填および
被着チェンバの吸入排出である。被着材料は、不活性ガ
スと反応剤とともにチェンバの反応領域に送られる。過
程７２は、プレクリーニング工程を含み、物体のコーテ
ィングに関するリアクタの動作点およびパラメータを設
定する。過程７４は、材料Ａの選択と、選択された動作
パラメータの下で、コーティングされるべき物体をコー
ティングするプロセスを含んでいる。

過程７６Ｆｉ、材料Ａに関し選択された動作パラメータ
の下でリアクタを作動する。過程７６において、所定の
層ｎに関して被着薄膜の光学的厚さをモニタする。ｎは
、ＡまたはＢの材料層の数である。ＡおよびＢは両方と
も、いくつかの気相ソースの混合であってもよい。波長
に関する層の厚さＴ　Ａ　Ｉ　Ｔ　Ｂの関係は、層の光
学的厚さ、ｎｌ　ｔＡ＝ｎＢ　ｔＢ＝λ。／４により示
される。ｎ人およびｎＢは、ＡおよびＢ層の各屈折率で
、λ。は、中心同調波長である。過程７６は、材料Ａの
完成層を生じる過程Ｔ８の実施、および過料８２におけ
るＢ材料の開始で終了する。過程７８において、ｎ４ｔ
Ａはλ。／４に醇しい。人材料層と同様に、過程８４は
材料Ｂに関する選択された動作パラメータの下でリアク
タを作動する。過程７６において、被着プロセスの光学
厚さは、Ｂ材料の所定の層ｎに関してモニタされる。過
程８６は、ｎＢ　ｔＢがＢ材料の層に関する設計エンド
・ポイント（すなわち、λ０／４）に到達し念時、完了
する。次の過程８８は、層スタックが設計上の層数に達
したかどうかを質問する。もし、達していない場合、材
料ＡおよびＢの他の組の層が加えられ、達している場合
には、多層プロセスは終了する。第１４図は、材料Ａお
よびＢの層の構成を示している。

第１５図は、方法８０の図表は、混和しゃすい二材料シ
ステムを用いて、勾配率反射防止コーティングを被着す
るプロセスを示している。充填および吸入排出と、プレ
クリーンおよびリアクタの動作点の設定を含んでいる過
程９０．９２は、それぞれ第１３図の過程６８．７２と
同様である。

材料Ａ、Ｂは、コーティングされた薄膜の設計屈折率分
布を得る念め、比率を費えて同時に供給される。過程９
４．９８は、基準ゼロ（Ｔ−０）の時に、材料Ａ、Ｂの
供給を開始する。停止過程９６゜１０２は、プロセス被
着時間（Ｔ＝τ）の終了において実行される。ＦＡ（１
）およびＦ　Ｂ　（ｔ）は、所定の基板に被着されてい
る薄膜の設計屈折率分布を得る走めの時間的な反応体の
流れ予定である。ＦＡ（１）およびＦ　Ｂ　（ｔ）を測
定するのに実時間閉ルーズの屈折率モニタリング（たと
えば、インシチュ楕円測定法により）を用いて、目標の
屈折率分布を得る。

第１６ａ図は、厚さＳＫ関し勾配率設計を有する薄膜を
示している。第１６ｂ図は、薄膜の深さが基板と薄膜の
境界から薄膜の上部まで変化する場合の薄膜の屈折率を
示している。

第１７図は、基板上の薄膜としているいろな種類の材料
を被着する方法１００の概要を示している。

過程１０４において、薄膜でカバーされるべきサンプル
を、反応チェンバにおける同様の形の電極ホルダに装填
する。反応チェンバは、代表的Ｋｌｉ、１０−’）ル（
Ｔ）のレンジのプロセス基本圧力に吸入排出される。サ
ンプルからガス抜きするため、チェンバは、室温で２時
間約１０−’Ｔに保持される。過程１０６は、サンプル
の任意のプラズマ洗浄を含んでいる。反応ガス（たとえ
ば、０２またはＨ２）および不活性ガス（たとえば、Ａ
ｒまたはＫｒ）またはその一方の流れをリアクタ中に供
給する。

吸入排出速度、流量および圧力点が設定される。

プラズマが点火され、高周波（ＲＦ）整合が行なわれ、
ＲＦ電力が設定され、直流（ＤＣ）バイアスが設定され
る。サンプルは、代表的には約１０分の所定時間洗浄プ
ラズマに璽出される。

過程１０８は、材料１の第１薄膜の被着である。

薄膜層のソース−ガスがブリードされ、リアクタ動作点
が材料１に関して設定され、薄膜が設計層の厚さまで被
着される。キャリヤ・ガスおよび反応ガスまたはその一
方が加えられる。被着は、物理的層の厚さまたは屈折率
に物理的層の厚さを掛た光学的厚さによりモニタされる
。過程１１０は、材料２・・の層２・・に関するプロセ
スを示している。過程１１２は、材料ｎの層ｎである薄
膜の最後の層に関するプロセスを示している。過程１１
０゜過程１１２のプロセスは、過程１０８のプロセスと
同様である。過程１１４は保護またはその他の目的のた
め薄膜構造にコーティングを被着する過程である。

以上のようＫ、本発明の実施例について述べてきたが、
本発ＦＩＡＦｉ、本発明の思想から離れることなく改変
し得ることは当業者には明白であろう。

【図面の簡単な説明】

第１図はコーティングするための関連装置の概要図、第
２図は電極装置の詳細図、第３図は単一バイザをコーテ
ィングする実際の電極装置の概要図、第４図は２つのバ
イザをコーティングする電極装置の概要図、第５図は湾
曲したリング、・レザー・ジャイロスコープのミラー基
板をコートするのにも使用し得るマルチ・レンズ平板電
極装置の概要図、第６図はマルチ・レンズ環状電極装置
の概要図、＄７図は複数アイ・シールド環状装置の概要
図、第８図はガラス上の単一層プラズマ重合体へキサメ
チルジシロキサン膜の断面図、第９図はガラス上の単一
層プラズマ重合体テトラメチルスズの断面図、第１０図
は多層プラズマ重合膜の断面図、第１１図はｗ　Ｘ　ｌ
の寸法の単一平坦基板をコーティングする電極装置の概
要図、第１２ａおよび第１２ｂ図はゼロデユア・リング
・レザー・ジャイロスコープ拳ミラー・ブランクのよう
な複数平坦基板をコーティングする電極装置の概要図、
！１３図は４分の１波長多層スタックｅコーティングを
得る方法を示したフローチャート、第１４図は別の層の
構造、第１５図は屈折勾配率を被着する方法の説明図、
第１６図は勾配率コーティングとそれに関連した勾配率
のグラフ、第１７図は多層コーティングの被着方法の工
程を示すフローチャートである。 １０−ｅ・・リアクタ、１２・・ｅ・真空ポンプ、１６
・・・・インピーダンス整合回路網、１８・・・・反応
チェンバ、２２・・・・ガス供給マニホルド、２４・・
・・０Ｍソース、２６−・・・０Ｍ検出器、２Ｂ　、　
３４　　・佛・・電極、３２゜４６・・・・バイアス電
源、４２・・・Φオリフィス、４４・・・・反応領域、
４８・・・・サイド・シールド、５２・９・・トンネル
、５６φ・・・バイザ、６２，６４・０・・レンズ、６
Ｂ・・ｅ・アイシールド、６７・・・・暗黒部シールＹ
、６Ｂ＠・・・モニタ・ストリップ。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）複雑に湾曲した形状の基板に高性能な複数層の光
   学干渉コーティングを施す方法において、反応領域と第
   １および第２電極はチエンバ内にあり、かつ上記基板の
   形状に整合した形の第１および第２電極の間に位置する
   反応領域に、コーティングされるべき基板を配置する工
   程と、 上記チエンバからガス成分を吸入排出する工程と、上記
   第１および第２電極の間に電磁界を生じるため、上記第
   １および第２電極に電力を供給する工程と、 上記チエンバ内を特定の圧力に保持する工程と、上記第
   ２電極の複数のオリフィスを介して上記反応領域に物質
   を供給する工程と、 から成り、上記物質は上記物質のプラズマに反応し、上
   記基板上に薄膜の形でプラズマ・エンハンスド化学蒸着
   を行なうことを特徴とする、基板に高性能な複数層の光
   学干渉コーティングを施す方法。
2. （２）基板の形状に整合した形の第１および第２電極の
   間に位置する反応領域に、コーティングされるべき基板
   を配置する工程と、 上記第１および第２電極に電力を供給する工程と、 上記第２電極の複数のオリフィスを介して上記反応領域
   に物質を供給する工程と、 から成り、上記物質はプラズマに反応して、上記基板上
   に薄膜の形でプラズマ・エンハンスド化学蒸着を行なう
   ことを特徴とする、基板に光学コーティングを施す方法
   。