JPH0419200B2 - - Google Patents
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- JPH0419200B2 JPH0419200B2 JP61223950A JP22395086A JPH0419200B2 JP H0419200 B2 JPH0419200 B2 JP H0419200B2 JP 61223950 A JP61223950 A JP 61223950A JP 22395086 A JP22395086 A JP 22395086A JP H0419200 B2 JPH0419200 B2 JP H0419200B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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-
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Description
産業上の利用分野
本発明はレーザの分野に関するものである。特
には、本発明は、同調可能な（tunable）チタン
ドープサフアイアTi：Al2O3のレーザ効率を改善
する為の方法に関する。 従来技術とその問題点 同調可能固態レーザ物質が1960年代早期から斯
界で知られており、そして750〜900nｍの有効け
い光同調範囲を有する同調可能レーザ物質とし
て、Ti：Al2O3がピー．エフ．モウルトンにより
開示された（レーザフオーカス1963年５月）。
Ti：Al2O3に対する吸収スペクトル範囲は約650n
ｍまで及ぶものとして与えられていたが、しか
し、チタンドープサフアイアTi：Al2O3を処理す
る過程で特別な予備注意が払われないならば、吸
収スペクトルは、約650nｍにおいて最小値に達
するが、レーザ発光（けい光）範囲全体に及び、
同調可能Ti：Al2O3物質のレーザ効率が著しく減
少するという所望されざる結果を伴うことが見出
された。 更に、比較的少量のチタンのみがレーザ結晶と
して使用に適当なTi：Al2O3物質を調製するに当
り有用であることが判明した。融体中に１％のチ
タン濃度においてさえ、従来技術により調製され
た結晶は12％／cmを上回る、650〜1100nｍの範
囲での吸光度を有する。同調可能帯域の中央範囲
である約850nｍにおいて所望されざる吸収がピ
ークに達することも多々ある。 従つて、同調可能なチタンドープサフアイアレ
ーザ物質のレーザ効率を改善することが所望され
る。 サフアイアレーザ用物質の調製の為の幾つかの
プロセスが開示された。例えば、米国特許第
3715194号は、アルミナ融体を用意しそして融体
から結晶を形成することによる融体育成アルミナ
結晶の作製を開示する。この特許は、融体上方の
雰囲気は融体に対して不活性でなければならない
が、但し選択的に僅かに還元性或いは僅かに酸化
性いずれかと為しうることを述べている。この特
許はまた、Cr：Al2O3系の分配係数が結晶育成環
境における雰囲気に依存して大きく変化しうるこ
とを認識している。 上記特許は、チタンドープサフアイア結晶を作
製するに際して雰囲気を変えることの影響を特定
的に開示せず、ましてチタンドープサフアイア結
晶を作製するに際して雰囲気がチタンドープサフ
アイアレーザ物質のレーザ効率における改善をも
たらしうることを開示していない。 発明の概要 本発明により、チタンドープサフアイアレーザ
物質のけい光を向上する方法が提供される。本発
明方法において、同調可能なチタンドープサフア
イア結晶のけい光は、融体温度に向け加熱されつ
つある結晶用先駆物質混合物を一酸化炭素含有雰
囲気下に置くことにより結晶の製造時に向上され
る。有益には、一酸化炭素は混合物が液化する前
に存在する。 本発明により提供される結晶は特に所望のけい
光特性を有する同調可能レーザ物質として有用で
ある。本発明の一様相は、650〜1100nｍの範囲
にわたつて有益な光透過率特性を示すチタンドー
プサフアイア結晶に関係する。特に望ましいレー
ザ結晶は、この範囲内で（しばしば850nｍにお
いて測定）10（しばいば８、好ましくは５）×結晶
を製造する為の融体中のチタンの重量％の２乗未
満の吸光度（％／cm）を示す。即ち、1.5重量％
チタンを含有する融体に対しては、吸光度は
（1.5）2（10）＝22.5％／cm未満となる。実際上、本
発明に従う方法において、融体中約1.5重量％チ
タンを使用して作製された結晶は約３〜４％／cm
の吸光度しか呈しなかつた。 要約すると、本発明は、 () ドープ量のTiO2及びAl2O3の混合物を非反
応性雰囲気下で加熱して融体を調製する段階
と、 () 前記融体から非反応性雰囲気下でTi：
Al2O3結晶を形成する段階と を包含し、その際融体を調製する為前記混合物を
加熱する過程中、但し一酸化炭素の過度の熱分解
が起る温度以下で、前記非反応性雰囲気中に生成
結晶の結晶けい光が向上するよう十分の一酸化炭
素を付加することを特徴とするレーザ物質として
使用するに好適なチタンドープサフアイア結晶を
製造する方法を提供する。 一酸化炭素はチタン及びアルミナ先駆物質を含
む固相が液相になる前に存在せしめられる。理論
に縛られるのを欲しないが、一酸化炭素の利益は
チタン含有種が固相である間に主に与えられると
信ぜられる。従つて、一酸化炭素は、固相混合物
の加熱中混合物の液化前に所望の向上せるけい光
が得られるに充分な期間存在すべきである。しば
しば、一酸化炭素の存在中の温度は少くとも約
800℃でありそして約800〜1600℃の範囲をとりう
る。 混合物が融体である間そして結晶の形成中、混
合物が僅かに還元性の雰囲気下に維持されること
が好ましい。一酸化炭素の分解及び融体の昇温に
より、非反応性雰囲気中で還元剤として水素を使
用することが通常好ましい。結晶が形成される
と、結晶はその後冷却されそして少くとも約1600
℃を越える温度において冷却中の結晶は好ましく
は約5ppm〜１容積％水素を含有する非反応性雰
囲気中に維持される。但し、もつと高い水素濃度
例えば5ppm〜20容積％も使用されうるが、安全
上の問題に鑑み通常回避される。 一般に、一酸化炭素は非反応性雰囲気中で約
5ppm〜１容積％の量において与えられる。例え
ば5ppm〜20容積％のようなもつと高い一酸化炭
素濃度も有用であるが、使用される温度を考慮し
ての安全性への配慮及びガス漏れの危険性に鑑み
て一般に回避される。約1500〜1700℃の温度にお
いて一酸化炭素が融体を取巻く雰囲気から取除か
れることが多い。 発明の具体的説明 本発明の実施において、約0.03〜2.0、多くは
0.03〜1.0重量％のチタンを含有する融体から作
製されたチタンドープサフアイア（Al2O3）の結
晶は、高純度TiO2（Cr、Fe、Si、Ca50ppm未満）
とSi、Cr、Fe及びMgのような不純物を100ppm
未満しか含まない高純度Al2O3、例えばサフアイ
ア「クラツクル」の混合物を加熱して約2050〜
2080℃の範囲内の温度において融体を調製し、そ
の融体から例えば周知のチヨクラルスキー法によ
りTi：Al2O3結晶を形成しそして結晶を室温まで
冷却することにより作製される。上記段階は、例
えば窒素、アルゴン或いは他の不活性気体のよう
な非反応性周囲雰囲気において実施され、そして
800℃を越える温度においては周囲気体雰囲気中
に約5ppm〜１容積％の還元性気体（もつと高い
濃度が使用しうるが安全上の配慮から一般的に使
用されない）が与えられる。還元性気体は水素と
なしうる。使用される一酸化炭素もまた800〜
1600℃の温度において還元性気体として本発明に
従つて使用されうるが、1600℃を越えて結晶形成
の為の最大温度、例えば2050℃に至るもつと高い
温度に対しては水素により置換される。これら高
温での一酸化炭素の置換は一酸化炭素の分解に由
る炭素汚染を回避する為に必要とされる。 こうして作製されたFi：Al2O3のボウルは、透
明で、深いピンク色を有し、散乱中心（即ち気
泡、介在物及び点欠陥）を実質上含まずそして第
２図の曲線Ｂに表わされる吸収スペクトルを有し
ている。これは、多数の散乱中心を含み、なんと
か透明性を有し、紫、青色合を有しそして第１図
の先行技術グラフにおける蛍光スペクトルの波長
を完全に横切つて延在する第２図の点線Ａにより
表される吸収スペクトルを有する、窒素周囲雰囲
気のみを使用して作製されたボウルと対照的であ
る。この結果として、Tiドープサフアイア物質
の同調可能なスペクトルのレーザ効率がコントロ
ールされた還元性周囲雰囲気の使用によりボウル
中の散乱中心に関して向上されることが理解され
うる。(B)の材料に対するレーザ効率は(A)のそれよ
り平均して２〜29％高く、そして(B)の材料は
EPR（電子常磁性共鳴）及び吸光分光分析により
(A)に較べて増大せるTi+3含量を示す。 実施例 １ 装入物はTiO2粉末とAl2O3クラツクルから用意
された。これら材料の不純物含有量は次の通りと
測定された。 Al2O3：100ppm未満不純物 TiO2：50ppm未満不純物 22ｇのTiO2と4000ｇのAl2O3から装入物を調製し
た。 材料は、大気漏入がないよう密閉されたベルジ
ー内に置かれたイリジウム製るつぼに装入され
た。10ppm未満O2の窒素の流れ（40CFM）がベ
ルジヤー内の周囲雰囲気として使用された。誘導
加熱コイルを使用して装入物を室温から2050〜
2080℃の範囲内の温度まで８時間にわたつて加熱
し、後者の温度に２時間維持した。２時間の終り
において装入物が溶融したことが観察された。回
転棒に取付けたサフアイア（Al2O3）種晶が融体
中に降下され、15rpmにおいて回転されそして
300時間にわたつて引上げられて、１ 1/2インチ
直径×３インチ長さのTi：Al2O3結晶のボウルを
得た。750〜800℃の温度範囲において最初の窒素
周囲雰囲気は一酸化炭素含有雰囲気（１容積％
CO；99容積％N2）により置換されそして1500℃
の温度においてこの一酸化炭素含有周囲雰囲気は
１容積％水素を含有する窒素雰囲気により置換さ
れた。生成ボウルは、この窒素含有雰囲気下で25
℃まで冷却されそして室温で分析した結果約0.08
〜0.1原子％のFi3+含有量を有することが判明し
た。このボウルはピンク色でありそして散乱中心
を実質含まなかつた。吸収スペクトルは第２図の
Ｂに相当しそしてそのレーザ効率はCO及びH2還
元性雰囲気の使用により増大した。 実施例 ２〜６ これら例において、実施例１に呈示した手順が
次の表に記した点を除いてほぼそのまま遂行さ
れた。表に生成結晶材料の性能をも併せて報告
する。
には、本発明は、同調可能な（tunable）チタン
ドープサフアイアTi：Al2O3のレーザ効率を改善
する為の方法に関する。 従来技術とその問題点 同調可能固態レーザ物質が1960年代早期から斯
界で知られており、そして750〜900nｍの有効け
い光同調範囲を有する同調可能レーザ物質とし
て、Ti：Al2O3がピー．エフ．モウルトンにより
開示された（レーザフオーカス1963年５月）。
Ti：Al2O3に対する吸収スペクトル範囲は約650n
ｍまで及ぶものとして与えられていたが、しか
し、チタンドープサフアイアTi：Al2O3を処理す
る過程で特別な予備注意が払われないならば、吸
収スペクトルは、約650nｍにおいて最小値に達
するが、レーザ発光（けい光）範囲全体に及び、
同調可能Ti：Al2O3物質のレーザ効率が著しく減
少するという所望されざる結果を伴うことが見出
された。 更に、比較的少量のチタンのみがレーザ結晶と
して使用に適当なTi：Al2O3物質を調製するに当
り有用であることが判明した。融体中に１％のチ
タン濃度においてさえ、従来技術により調製され
た結晶は12％／cmを上回る、650〜1100nｍの範
囲での吸光度を有する。同調可能帯域の中央範囲
である約850nｍにおいて所望されざる吸収がピ
ークに達することも多々ある。 従つて、同調可能なチタンドープサフアイアレ
ーザ物質のレーザ効率を改善することが所望され
る。 サフアイアレーザ用物質の調製の為の幾つかの
プロセスが開示された。例えば、米国特許第
3715194号は、アルミナ融体を用意しそして融体
から結晶を形成することによる融体育成アルミナ
結晶の作製を開示する。この特許は、融体上方の
雰囲気は融体に対して不活性でなければならない
が、但し選択的に僅かに還元性或いは僅かに酸化
性いずれかと為しうることを述べている。この特
許はまた、Cr：Al2O3系の分配係数が結晶育成環
境における雰囲気に依存して大きく変化しうるこ
とを認識している。 上記特許は、チタンドープサフアイア結晶を作
製するに際して雰囲気を変えることの影響を特定
的に開示せず、ましてチタンドープサフアイア結
晶を作製するに際して雰囲気がチタンドープサフ
アイアレーザ物質のレーザ効率における改善をも
たらしうることを開示していない。 発明の概要 本発明により、チタンドープサフアイアレーザ
物質のけい光を向上する方法が提供される。本発
明方法において、同調可能なチタンドープサフア
イア結晶のけい光は、融体温度に向け加熱されつ
つある結晶用先駆物質混合物を一酸化炭素含有雰
囲気下に置くことにより結晶の製造時に向上され
る。有益には、一酸化炭素は混合物が液化する前
に存在する。 本発明により提供される結晶は特に所望のけい
光特性を有する同調可能レーザ物質として有用で
ある。本発明の一様相は、650〜1100nｍの範囲
にわたつて有益な光透過率特性を示すチタンドー
プサフアイア結晶に関係する。特に望ましいレー
ザ結晶は、この範囲内で（しばしば850nｍにお
いて測定）10（しばいば８、好ましくは５）×結晶
を製造する為の融体中のチタンの重量％の２乗未
満の吸光度（％／cm）を示す。即ち、1.5重量％
チタンを含有する融体に対しては、吸光度は
（1.5）2（10）＝22.5％／cm未満となる。実際上、本
発明に従う方法において、融体中約1.5重量％チ
タンを使用して作製された結晶は約３〜４％／cm
の吸光度しか呈しなかつた。 要約すると、本発明は、 () ドープ量のTiO2及びAl2O3の混合物を非反
応性雰囲気下で加熱して融体を調製する段階
と、 () 前記融体から非反応性雰囲気下でTi：
Al2O3結晶を形成する段階と を包含し、その際融体を調製する為前記混合物を
加熱する過程中、但し一酸化炭素の過度の熱分解
が起る温度以下で、前記非反応性雰囲気中に生成
結晶の結晶けい光が向上するよう十分の一酸化炭
素を付加することを特徴とするレーザ物質として
使用するに好適なチタンドープサフアイア結晶を
製造する方法を提供する。 一酸化炭素はチタン及びアルミナ先駆物質を含
む固相が液相になる前に存在せしめられる。理論
に縛られるのを欲しないが、一酸化炭素の利益は
チタン含有種が固相である間に主に与えられると
信ぜられる。従つて、一酸化炭素は、固相混合物
の加熱中混合物の液化前に所望の向上せるけい光
が得られるに充分な期間存在すべきである。しば
しば、一酸化炭素の存在中の温度は少くとも約
800℃でありそして約800〜1600℃の範囲をとりう
る。 混合物が融体である間そして結晶の形成中、混
合物が僅かに還元性の雰囲気下に維持されること
が好ましい。一酸化炭素の分解及び融体の昇温に
より、非反応性雰囲気中で還元剤として水素を使
用することが通常好ましい。結晶が形成される
と、結晶はその後冷却されそして少くとも約1600
℃を越える温度において冷却中の結晶は好ましく
は約5ppm〜１容積％水素を含有する非反応性雰
囲気中に維持される。但し、もつと高い水素濃度
例えば5ppm〜20容積％も使用されうるが、安全
上の問題に鑑み通常回避される。 一般に、一酸化炭素は非反応性雰囲気中で約
5ppm〜１容積％の量において与えられる。例え
ば5ppm〜20容積％のようなもつと高い一酸化炭
素濃度も有用であるが、使用される温度を考慮し
ての安全性への配慮及びガス漏れの危険性に鑑み
て一般に回避される。約1500〜1700℃の温度にお
いて一酸化炭素が融体を取巻く雰囲気から取除か
れることが多い。 発明の具体的説明 本発明の実施において、約0.03〜2.0、多くは
0.03〜1.0重量％のチタンを含有する融体から作
製されたチタンドープサフアイア（Al2O3）の結
晶は、高純度TiO2（Cr、Fe、Si、Ca50ppm未満）
とSi、Cr、Fe及びMgのような不純物を100ppm
未満しか含まない高純度Al2O3、例えばサフアイ
ア「クラツクル」の混合物を加熱して約2050〜
2080℃の範囲内の温度において融体を調製し、そ
の融体から例えば周知のチヨクラルスキー法によ
りTi：Al2O3結晶を形成しそして結晶を室温まで
冷却することにより作製される。上記段階は、例
えば窒素、アルゴン或いは他の不活性気体のよう
な非反応性周囲雰囲気において実施され、そして
800℃を越える温度においては周囲気体雰囲気中
に約5ppm〜１容積％の還元性気体（もつと高い
濃度が使用しうるが安全上の配慮から一般的に使
用されない）が与えられる。還元性気体は水素と
なしうる。使用される一酸化炭素もまた800〜
1600℃の温度において還元性気体として本発明に
従つて使用されうるが、1600℃を越えて結晶形成
の為の最大温度、例えば2050℃に至るもつと高い
温度に対しては水素により置換される。これら高
温での一酸化炭素の置換は一酸化炭素の分解に由
る炭素汚染を回避する為に必要とされる。 こうして作製されたFi：Al2O3のボウルは、透
明で、深いピンク色を有し、散乱中心（即ち気
泡、介在物及び点欠陥）を実質上含まずそして第
２図の曲線Ｂに表わされる吸収スペクトルを有し
ている。これは、多数の散乱中心を含み、なんと
か透明性を有し、紫、青色合を有しそして第１図
の先行技術グラフにおける蛍光スペクトルの波長
を完全に横切つて延在する第２図の点線Ａにより
表される吸収スペクトルを有する、窒素周囲雰囲
気のみを使用して作製されたボウルと対照的であ
る。この結果として、Tiドープサフアイア物質
の同調可能なスペクトルのレーザ効率がコントロ
ールされた還元性周囲雰囲気の使用によりボウル
中の散乱中心に関して向上されることが理解され
うる。(B)の材料に対するレーザ効率は(A)のそれよ
り平均して２〜29％高く、そして(B)の材料は
EPR（電子常磁性共鳴）及び吸光分光分析により
(A)に較べて増大せるTi+3含量を示す。 実施例 １ 装入物はTiO2粉末とAl2O3クラツクルから用意
された。これら材料の不純物含有量は次の通りと
測定された。 Al2O3：100ppm未満不純物 TiO2：50ppm未満不純物 22ｇのTiO2と4000ｇのAl2O3から装入物を調製し
た。 材料は、大気漏入がないよう密閉されたベルジ
ー内に置かれたイリジウム製るつぼに装入され
た。10ppm未満O2の窒素の流れ（40CFM）がベ
ルジヤー内の周囲雰囲気として使用された。誘導
加熱コイルを使用して装入物を室温から2050〜
2080℃の範囲内の温度まで８時間にわたつて加熱
し、後者の温度に２時間維持した。２時間の終り
において装入物が溶融したことが観察された。回
転棒に取付けたサフアイア（Al2O3）種晶が融体
中に降下され、15rpmにおいて回転されそして
300時間にわたつて引上げられて、１ 1/2インチ
直径×３インチ長さのTi：Al2O3結晶のボウルを
得た。750〜800℃の温度範囲において最初の窒素
周囲雰囲気は一酸化炭素含有雰囲気（１容積％
CO；99容積％N2）により置換されそして1500℃
の温度においてこの一酸化炭素含有周囲雰囲気は
１容積％水素を含有する窒素雰囲気により置換さ
れた。生成ボウルは、この窒素含有雰囲気下で25
℃まで冷却されそして室温で分析した結果約0.08
〜0.1原子％のFi3+含有量を有することが判明し
た。このボウルはピンク色でありそして散乱中心
を実質含まなかつた。吸収スペクトルは第２図の
Ｂに相当しそしてそのレーザ効率はCO及びH2還
元性雰囲気の使用により増大した。 実施例 ２〜６ これら例において、実施例１に呈示した手順が
次の表に記した点を除いてほぼそのまま遂行さ
れた。表に生成結晶材料の性能をも併せて報告
する。
【表】
に使用された
＊＊ 3〜4％／cmと推定
＊＊ 3〜4％／cmと推定
第１図は、Ti：Al2O3に対する吸収及びけい光
スペクトルの例示である（300〓に於けるTi：
Al2O3dバンド）。第２図は、本発明の結晶成長技
術により処理されたTi：Al2O3に対する吸収スペ
クトルと本発明によらないTi：Al2O3に対する吸
収スペクトルを比較するグラフである（π−分
極、６：３×10-20cm、τ＝3.2μ秒）。
スペクトルの例示である（300〓に於けるTi：
Al2O3dバンド）。第２図は、本発明の結晶成長技
術により処理されたTi：Al2O3に対する吸収スペ
クトルと本発明によらないTi：Al2O3に対する吸
収スペクトルを比較するグラフである（π−分
極、６：３×10-20cm、τ＝3.2μ秒）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ レーザー物質として適当なTiドープAl2O3結
晶を作製するための方法であつて、 () ドープ量のTiO2及びAl2O3の固相混合物を
非反応性雰囲気下で加熱して融体を調製する段
階と、 () 前記融体から非反応性雰囲気下でTi：
Al2O3結晶を形成する段階と を包含し、その際前記融体を調製する為前記混合
物を加熱する過程中但しCOの過度の熱分解が起
る温度以下で、前記非反応性雰囲気中に結晶のけ
い光が向上するよう十分な一酸化炭素を提供する
ことを特徴とするTiドープAl2O3結晶を作製する
方法。 ２ 少くともCOが非反応性雰囲気中にもはや提
供されない時、H2が融体に存在する遊離酸素を
減ずるに充分量において存在する特許請求の範囲
第１項記載の方法。 ３ 段階（）において形成される結晶が冷却さ
れそして少くとも約1600℃の温度以上で冷却中の
結晶が水素を含有する非反応性雰囲気中に維持さ
れる特許請求の範囲第３項記載の方法。 ４ TiO2が高純度を有しそしてAl2O3が100ppm
未満の不純物しか含有しない特許請求の範囲第３
項記載の方法。 ５ 融体が約2050〜2080℃の温度にもちきたされ
る特許請求の範囲第１項記載の方法。 ６ 結晶がチヨクラルスキー技術により形成され
る特許請求の範囲第５項記載の方法。 ７ 固相混合物が約0.03〜1.0重量％チタンを含
有する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ８ 約0.03〜1.0重量％のチタンを有する融体か
ら作製されそして10×（融体中のチタン重量％の
２乗）未満の830nｍでの吸光度を有する同調可
能なチタンドープアルミナレーザ結晶。 ９ 830nｍでの吸光度が５×（融体中のチタン重
量％の２乗）未満である特許請求の範囲第８項の
レーザ結晶。 １０ 高純度TiO2及び100ppm未満の不純物しか
含まないAl2O3から実質成る融体から作製される
特許請求の範囲第９項のレーザ結晶。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/838,605 US4711696A (en) | 1985-05-20 | 1986-03-11 | Process for enhancing Ti:Al2 O3 tunable laser crystal fluorescence by controlling crystal growth atmosphere |
| US838605 | 1986-03-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62212298A JPS62212298A (ja) | 1987-09-18 |
| JPH0419200B2 true JPH0419200B2 (ja) | 1992-03-30 |
Family
ID=25277564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61223950A Granted JPS62212298A (ja) | 1986-03-11 | 1986-09-24 | 結晶成長雰囲気を制御することによるＴｉ：Ａｌ↓２Ｏ↓３同調可能レ−ザ結晶けい光を向上するための方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4711696A (ja) |
| EP (1) | EP0241614B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62212298A (ja) |
| CA (1) | CA1290655C (ja) |
| DE (1) | DE3675016D1 (ja) |
Families Citing this family (14)
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|---|---|---|---|---|
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| US4836953A (en) * | 1988-02-09 | 1989-06-06 | Union Carbide Corporation | Processes for enhancing fluorescence of TI:A1203 tunable laser crystals |
| JPH02186685A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-20 | Tosoh Corp | 固体レーザー発振装置 |
| US5099490A (en) * | 1990-07-16 | 1992-03-24 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method for reducing energy losses in laser crystals |
| JP3351477B2 (ja) * | 1993-02-04 | 2002-11-25 | 理化学研究所 | 固体レーザー結晶薄膜作成方法および固体レーザー結晶薄膜作成装置 |
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| JP4930166B2 (ja) * | 2007-04-10 | 2012-05-16 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化アルミニウム単結晶の製造方法 |
| JP2013245149A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Sumitomo Chemical Co Ltd | サファイア単結晶製造用原料アルミナ及びサファイア単結晶の製造方法 |
| EP3107875B1 (en) * | 2014-02-20 | 2018-06-13 | Corning Incorporated | Uv photobleaching of glass having uv-induced colorization |
| CZ306642B6 (cs) | 2016-01-12 | 2017-04-12 | Preciosa, A.S. | Způsob zvýšení luminiscenční účinnosti titanem dopovaného oxidového krystalu |
| CN110408994A (zh) * | 2019-07-11 | 2019-11-05 | 南京同溧晶体材料研究院有限公司 | 一种掺谱钪酸钆可见波段激光晶体及其制备方法 |
Family Cites Families (4)
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|---|---|---|---|---|
| US3608050A (en) * | 1969-09-12 | 1971-09-21 | Union Carbide Corp | Production of single crystal sapphire by carefully controlled cooling from a melt of alumina |
| US3715194A (en) * | 1970-10-29 | 1973-02-06 | Union Carbide Corp | Melt grown alumina crystals and process therefor |
| DE2638303A1 (de) * | 1976-08-25 | 1978-03-02 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur herstellung reinster einkristalle, hochschmelzender, oxidischer substanzen nach dem czochralski-tiegelziehverfahren |
| US4415401A (en) * | 1980-03-10 | 1983-11-15 | Mobil Solar Energy Corporation | Control of atmosphere surrounding crystal growth zone |
-
1986
- 1986-03-11 US US06/838,605 patent/US4711696A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-09-24 JP JP61223950A patent/JPS62212298A/ja active Granted
- 1986-09-24 CA CA000519023A patent/CA1290655C/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-09-24 DE DE8686307331T patent/DE3675016D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-09-24 EP EP86307331A patent/EP0241614B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0241614B1 (en) | 1990-10-17 |
| US4711696A (en) | 1987-12-08 |
| JPS62212298A (ja) | 1987-09-18 |
| DE3675016D1 (de) | 1990-11-22 |
| CA1290655C (en) | 1991-10-15 |
| EP0241614A1 (en) | 1987-10-21 |
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