JPH04192250A - 二次イオン質量分析方法 - Google Patents
二次イオン質量分析方法Info
- Publication number
- JPH04192250A JPH04192250A JP2323535A JP32353590A JPH04192250A JP H04192250 A JPH04192250 A JP H04192250A JP 2323535 A JP2323535 A JP 2323535A JP 32353590 A JP32353590 A JP 32353590A JP H04192250 A JPH04192250 A JP H04192250A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- analyzed
- insulating
- knife
- secondary ion
- Prior art date
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- Pending
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、簡単且つ低費用で分析すべき部分に導電性誘
起層を形成した絶縁性試料を分析する様にした二次イオ
ン質量分析方法に関する。
起層を形成した絶縁性試料を分析する様にした二次イオ
ン質量分析方法に関する。
［従来の技術］
試料の元素分析等を行う装置に二次イオン質量分析装置
がある。第２図はこの様な二次イオン質量分析装置の概
略を示したもので、図中１はイオン源、２は集束レンズ
、３は偏向器、４は試料、５は引出し電極、６は加速電
極、７は質量分析ユニット、８は二次イオン検出器、９
は信号処理手段、１０は表示手段である。前記質量分析
ユニット７は、例えば、エネルギー分離用の電場発生手
段と質量分離用の磁場発生手段から成る。この様な装置
において、イオン源１からのイオンビームを集束レンズ
２で集束し、偏向器３で試料上の所定の箇所へ照射する
。該照射により該試料から発生した二次イオンは引出し
電極５により引き出され、加速電極６で加速されて質量
分析ユニット７に入る。該ユニットによりエネルギー分
離及び質量分離されたイオンビームは二次イオン検出器
８に検出され、信号処理手段により各種処理され表示手
段１０に送られる。その結果、該表示手段に試料特有の
マススペクトルが表示される。
がある。第２図はこの様な二次イオン質量分析装置の概
略を示したもので、図中１はイオン源、２は集束レンズ
、３は偏向器、４は試料、５は引出し電極、６は加速電
極、７は質量分析ユニット、８は二次イオン検出器、９
は信号処理手段、１０は表示手段である。前記質量分析
ユニット７は、例えば、エネルギー分離用の電場発生手
段と質量分離用の磁場発生手段から成る。この様な装置
において、イオン源１からのイオンビームを集束レンズ
２で集束し、偏向器３で試料上の所定の箇所へ照射する
。該照射により該試料から発生した二次イオンは引出し
電極５により引き出され、加速電極６で加速されて質量
分析ユニット７に入る。該ユニットによりエネルギー分
離及び質量分離されたイオンビームは二次イオン検出器
８に検出され、信号処理手段により各種処理され表示手
段１０に送られる。その結果、該表示手段に試料特有の
マススペクトルが表示される。
さて、この様な二次イオン質量分析装置により絶縁性試
料の元素分析等を行う場合、試料のチャージアップを避
ける為に、絶縁性試料の分析すべき部分に導電性誘起層
を形成している。即ち、第３図に示す様に、絶縁試料２
０の分析すべき部分を除いた表面上に蒸着装置により数
１００人程度に金属薄膜２１を蒸着し、更に、該金属薄
膜面を上から金属性支え体２２で押さえる様にし、この
状態の絶縁試料を前記二次イオン分析装置の試料固定位
置に配置している。そして、該二次イオン分析装置に電
子線発生装置を設け、該電子発生装置から該絶縁試料２
０の分析すべき部分、及び金属薄膜面の一部（金属性支
え体２２から突出している部分）に電子線を照射し、該
各部に導電性誘起層２３を形成する。そして、該電子線
の照射を継続しつつ、該試料体に一部イオンを照射する
。
料の元素分析等を行う場合、試料のチャージアップを避
ける為に、絶縁性試料の分析すべき部分に導電性誘起層
を形成している。即ち、第３図に示す様に、絶縁試料２
０の分析すべき部分を除いた表面上に蒸着装置により数
１００人程度に金属薄膜２１を蒸着し、更に、該金属薄
膜面を上から金属性支え体２２で押さえる様にし、この
状態の絶縁試料を前記二次イオン分析装置の試料固定位
置に配置している。そして、該二次イオン分析装置に電
子線発生装置を設け、該電子発生装置から該絶縁試料２
０の分析すべき部分、及び金属薄膜面の一部（金属性支
え体２２から突出している部分）に電子線を照射し、該
各部に導電性誘起層２３を形成する。そして、該電子線
の照射を継続しつつ、該試料体に一部イオンを照射する
。
この様にすれば、該試料の分析部分、金属薄膜２１及び
金属性支え体２２との間に電荷流出路が出来ているので
、チャージアップが発生しない。
金属性支え体２２との間に電荷流出路が出来ているので
、チャージアップが発生しない。
［発明が解決しようとする課題］
所で、この様に絶縁試料に導電性誘起層を形成するのに
蒸着装置による蒸着が必要である。又、該蒸着は、電子
線が該蒸着膜を透過する様に極めて薄く形成されねばな
らない。且つ、前記金属性支え体２２との接触を良くす
る為に厚さの−様か保たれねばならない。その為、費用
か掛り、操作も厄介となる。然りとて、蒸着膜を厚くす
れば、電子線のエネルギーをそれ相応に大きくしなけれ
ばならず、加速電圧の高い電子発生装置を用意しなけれ
ばならず、この場合も費用が掛り、更に、装置全体か大
形化してしまう問題がある。
蒸着装置による蒸着が必要である。又、該蒸着は、電子
線が該蒸着膜を透過する様に極めて薄く形成されねばな
らない。且つ、前記金属性支え体２２との接触を良くす
る為に厚さの−様か保たれねばならない。その為、費用
か掛り、操作も厄介となる。然りとて、蒸着膜を厚くす
れば、電子線のエネルギーをそれ相応に大きくしなけれ
ばならず、加速電圧の高い電子発生装置を用意しなけれ
ばならず、この場合も費用が掛り、更に、装置全体か大
形化してしまう問題がある。
本発明はこの様な問題を解決する事を目的としたもので
、新規な試料体を提供するものである。
、新規な試料体を提供するものである。
［課題を解決するための手段］
本発明は、絶縁試料に一部イオンビームを照射し、該試
料から放出される二次イオンを測定する二次イオン質量
分析方法において、絶縁性試料の分析すべき部分を除い
た部分を覆う様にナイフェツジ状部を内側に有する部材
を該試料の表面に接触させ、該試料の分析すべき部分と
該ナイフェツジ状部の一部に電子線を照射する様にした
。
料から放出される二次イオンを測定する二次イオン質量
分析方法において、絶縁性試料の分析すべき部分を除い
た部分を覆う様にナイフェツジ状部を内側に有する部材
を該試料の表面に接触させ、該試料の分析すべき部分と
該ナイフェツジ状部の一部に電子線を照射する様にした
。
［実施例コ
第１図は本発明の要部の一実施例を示したちので、絶縁
試料に導電性誘起層を形成する様子を示したものである
。図中３０は絶縁試料、３１はナイフェツジ状部材、３
２は導電性誘起層、３３は支持台、３４は押圧体、３５
は支持台である。先ず、絶縁試料３０の分析すべき部分
を除いた部分を覆う様にナイフェツジ状部を内側に有す
るナイフェツジ状部材３１を該試料の表面に接触させる
。
試料に導電性誘起層を形成する様子を示したものである
。図中３０は絶縁試料、３１はナイフェツジ状部材、３
２は導電性誘起層、３３は支持台、３４は押圧体、３５
は支持台である。先ず、絶縁試料３０の分析すべき部分
を除いた部分を覆う様にナイフェツジ状部を内側に有す
るナイフェツジ状部材３１を該試料の表面に接触させる
。
そして、この状態で、例えば、前記第２図に示す如き二
次イオン質量分析装置の試料固定位置に接地された支持
台３３の上に載せる事により、前記絶縁試料３０が該支
持台３３と前記ナイフェツジ状部材３１とで挟持される
様にする。そして、該二次イオン質量分析装置に設けら
れた電子線発生装置（図示せず）からの電子線を、該試
料の分析すべき部分と該ナイフェツジ状部材のナイフェ
ツジ状部の一部に照射して該試料の分析すべき部分と該
ナイフェツジ部の一部に接触した試料部分に導電性誘起
層３２を形成する。
次イオン質量分析装置の試料固定位置に接地された支持
台３３の上に載せる事により、前記絶縁試料３０が該支
持台３３と前記ナイフェツジ状部材３１とで挟持される
様にする。そして、該二次イオン質量分析装置に設けら
れた電子線発生装置（図示せず）からの電子線を、該試
料の分析すべき部分と該ナイフェツジ状部材のナイフェ
ツジ状部の一部に照射して該試料の分析すべき部分と該
ナイフェツジ部の一部に接触した試料部分に導電性誘起
層３２を形成する。
そして、該電子線の照射を継続しつつ、該試料に一部イ
オンを照射する。この様にすれば、該試料の分析部分３
２．ナイフェツジ状部材３１との間に電荷流出路が出来
ているので、チャージアップか発生しない。
オンを照射する。この様にすれば、該試料の分析部分３
２．ナイフェツジ状部材３１との間に電荷流出路が出来
ているので、チャージアップか発生しない。
［発明の効果コ
本発明は、絶縁性試料の分析すべき部分を除いた部分を
覆う様にナイフェツジ状部を内側に有する部材を該試料
の表面に接触させ、該試料の分析すべき部分と該ナイフ
ェツジ状部材のナイフェツジ状部の一部に電子線を照射
する様にしたので、従来の様な蒸着装置による蒸着操作
が不要であり、簡単且つ低費用で絶縁試料に導電性誘起
層を形成する事が出来る。
覆う様にナイフェツジ状部を内側に有する部材を該試料
の表面に接触させ、該試料の分析すべき部分と該ナイフ
ェツジ状部材のナイフェツジ状部の一部に電子線を照射
する様にしたので、従来の様な蒸着装置による蒸着操作
が不要であり、簡単且つ低費用で絶縁試料に導電性誘起
層を形成する事が出来る。
第１図は本発明の要部の一実施例を示したもので、絶縁
試料に導電性誘起層を形成する様子を示したもの、第２
図は二次イオン質量分析装置の概略図、第３図は従来の
絶縁試料に導電性誘起層を形成する様子を示したもので
ある。 ３０：絶縁試料 ３１：ナイフエッジ丈部材 ３２
：導電性誘起層 ３３：支持台３４：押圧体 ３５
：支持台 特許出願人 日本電子株式会社
試料に導電性誘起層を形成する様子を示したもの、第２
図は二次イオン質量分析装置の概略図、第３図は従来の
絶縁試料に導電性誘起層を形成する様子を示したもので
ある。 ３０：絶縁試料 ３１：ナイフエッジ丈部材 ３２
：導電性誘起層 ３３：支持台３４：押圧体 ３５
：支持台 特許出願人 日本電子株式会社
Claims (1)
- 絶縁試料に一次イオンビームを照射し、該試料から放出
される二次イオンを測定する二次イオン質量分析方法に
おいて、絶縁性試料の分析すべき部分を除いた部分を覆
う様にナイフエッジ状部を内側に有する部材を該試料の
表面に接触させ、該試料の分析すべき部分と該ナイフエ
ッジ状部の一部に電子線を照射する様にした二次イオン
質量分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2323535A JPH04192250A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 二次イオン質量分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2323535A JPH04192250A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 二次イオン質量分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04192250A true JPH04192250A (ja) | 1992-07-10 |
Family
ID=18155788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2323535A Pending JPH04192250A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 二次イオン質量分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04192250A (ja) |
-
1990
- 1990-11-27 JP JP2323535A patent/JPH04192250A/ja active Pending
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