JPH04192556A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリなどキャパ
シタを必要とする半導体装置を製造するのに好適な方法
に関し、 金属酸化物からなる膜が多結晶化することを抑止できる
ようにし、リーク電流が少なく、且つ、比誘電率が大き
い誘電体膜をもったキャパシタを作り込んだ半導体装置
を得ることを目的とし、基板上にキャパシタを構成する
為のシリコン蓄積電極を形成し、次いで、前記シリコン
蓄積電極に他の物質が侵入することを抑止するバリヤ膜
を形成し、次いで、前記バリヤ膜上にキャパシタの誘電
体膜を構成する為の金属薄膜を形成し、次いで、レーザ
或いは電子ビームなどの高エネルギ・ビームを照射して
前記金属薄膜を溶融してから固化させ、次いで、前記緻
密化された金属薄膜に酸化性雰囲気中でレーザ或いは電
子ビームなどの高エネルギ・ビームを照射し金属酸化物
膜に変換してキャパシタの誘電体膜を生成させ、次いで
、前記誘電体膜上にキャパシタの対向電極を形成する工
程が含まれてなるよう構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、ダイナミック・ランダム・アクセス°メモリ
（ｄｙｎａｍｉｃ　　ｒａｎｄｏｍ　　ａｃｃｅｓｓ　
　ｍｅｍｏｒｙ：ＤＲＡＭ）などキャパシタを必要とす
る半導体装置を製造するのに好適な方法に関する。

近年、ＤＲＡＭなどキャパシタをもつ半導体装置に於い
ては、微細化に伴って、そのキャパシタの平面占有面積
の縮小化が図られ、充分なキャパシタ容量を確保するの
が困難になりつつある。

そこで、これまでの斯かるキャパシタに関する研究・開
発は、専らキャパシタ容量を増加させることを目的とし
た誘電体膜の薄膜化及びキャパシタの三次元化に的を絞
ってきた。

このような対応策は、６４ＭＤＲＡＭを製造するのに必
要とされる微細化に対しては効を奏し得　。

るであろうが、それも限界状態になるものと考えられて
いる。

従って、それ以後の微細化には新たな手段が必要になる
筈である。

〔従来の技術〕

現在、６４ＭＤＲＡＭ以後の微細化に対応するに当たり
、従来からキャパシタの誘電体膜として用いられてきた
５ｉＯｚ膜、或いは、ＳｉＯ□／Ｓ　ｉ　：Ｉ　Ｎ　ａ
　／　Ｓ　ｉ　Ｏ□の三層構造膜、即ち、０ＮＯｌ！に
代わるものとして、周期律表のｍａ、ＩＶａ。

Ｖａ各属の金属酸化物が注目されている。これら金属酸
化物は高誘電率酸化物として知られ、その比誘電率は平
均的なもので約２５前後であって、Ｓ　１０　ｚが３．
８であるのに比較すれば６倍以上にもなり、６４ＭＤＲ
ＡＭ以後の微細化についても充分に対応できると考えら
れている。

この金属酸化物膜を形成するには、プラズマＣＶＤ（ｐ
ｌａｓｍａ　　ｃｈｅｍｉｃａｌ　　ｖａｐｏｕｒ　　
ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、熱酸化法、熱ＣＶＤ法など
が通用される。

〔発明が解決しようとする課題〕

前記したプラズマＣＶＤ法などで形成された前記金属酸
化物膜は実用の域に達していない。その理由はリーク電
流が大きい旨の欠点があることに依る。

このリーク電流は、金属酸化物膜の形成過程に於いて金
属酸化物が多結晶化することに由来している。即ち、リ
ーク電流は、結晶の粒界を介して発生するので、多結晶
の場合に増加するのは当然である。

本発明は、金属酸化物からなる膜が多結晶化することを
抑止できるようにし、リーク電流が少な（、且つ、比誘
電率が大きい誘電体膜をもったキャパシタを作り込んだ
半導体装１が得られるようにする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に依る半導体装置の製造方法に於いては、（１）
基板（例えばＳｉ半導体基板ｌ）上にキャパシタを構成
する為のシリコン蓄積電極（例えば蓄積電”極３）を形
成し、 次いで、前記シリコン蓄積電極に他の物質が侵入するこ
とを抑止するバリヤ膜（例えばバリヤ・メタル膜４）を
形成し、 次いで、前記バリヤ膜上にキャパシタの誘電体膜を構成
する為の金属薄膜（例えば金属薄膜５）を形成し、 次いで、レーザ或いは電子ビームなどの高エネルギ・ビ
ームを照射して前記金属薄膜を溶融してから固化させ、 次いで、前記緻密化された金属薄膜に酸化性雰囲気中で
レーザ或いは電子ビームなどの高エネルギ・ビームを照
射し金属酸化物膜に変換してキャパシタの誘電体膜（例
えば金属酸化物薄膜５“）を生成させ、 次いで、前記誘電体膜上にキャパシタの対向電極（例え
ば対向電極（セル・プレート）６）を形成する工程 が含まれてなるか、或いは、 （２）前記（１）に於いて、シリコン蓄積電極に他の物
質が侵入することを抑止するバリヤ膜がＴｉＮを材料と
するものであること を特徴とするか、或いは、 （３）前記（１）に於いて、シリコン蓄積電極に他の物
質が侵入することを抑止するバリヤ膜がＴｉＷを材料と
するものであること を特徴とするか、或いは、 （４）前記（１）或いは（２）或いは（３）に於いて、
キャパシタの誘電体膜を構成する為の金属薄膜がｍａ族
或いはＩＶａ族或いはＶａ族の金属を材料とするもので
あること を特徴とする。

［作用］ 前記手段を採ることに依り、酸化されてキャパシタの誘
電体膜となるｍａ族或いはＩＶａ族或いはＶａ族の金属
薄膜は結晶欠陥やピンホールが殆どなく、均−且つ良質
なものとすることができ、しかも、それを瞬間的に雰囲
気ガスと反応させて金属酸化物膜としているので、反応
過程の物質移動に起因する金属酸化物の多結晶化が起こ
らず、従って、結晶粒界に沿ってリークする電流は著し
く少なくなり、また、その金属酸化物膜の絶縁耐圧も充
分に高い。

（実施例〕 第１図乃至第５図は本発明一実施例を説明する為の工程
要所に於ける半導体装置の要部切断側面図を表し、以下
、これ等の図を参照しつつ解説する。

第１図参照 例えば、Ｓｉ、Ｎ４膜を耐酸化性マスクとする選択的熱
酸化法、例えば、ＬＯＣＯ３（ｌ　。

ｃａｔ　　ｏｘｉｄａｔｉｏｎ　　ｏｆ　　５ｉｌｉｃ
ｏｎ）法を適用することに依り、Ｓｉ半導体基板１の表
面に素子間分離の為の厚さが例えば５００（ｎｍ）であ
るフィールド絶縁膜２を形成する。

選択的熱酸化を行った際の耐酸化性マスクを除去し、Ｓ
ｉ半導体基板１の一部を表出させてから、ＬＰＣＶＤ（
ｌｏｗ　　ｐｒｅｓｓｕｒｅｃｈｅｍｉｃａｌ　　ｖａ
ｐｏｕｒ　　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を適用すること
に依り、厚さ例えば２００　（ｎｍ）のＰ含有多結晶Ｓ
ｉ膜を形成する。

このＰ含有多結晶Ｓｉ膜の形成は、前記したように、成
長時にＰを添加する手段のほか、多結晶Ｓｉ膜を成長さ
せた後にイオン注入に依って導入するようにしても良く
、また、Ｐの濃度、　　は、ドーズ量にして例えば５　
ｘ　１０　”　（ｅｌｌ−２）程度とする。

通常のフォト・リソグラフィ技術を適用することに依り
、Ｐ含有多結晶Ｓｉ膜をパターニングし、キャパシタの
蓄積電極３とする。

第２図参照 例えば、スパッタリング法を適用することに依って、厚
さが例えば５０（ｎｍ）程度であるＴｉＮ或いはＴｉＷ
などからなるバリヤ・メタル膜４を形成する。

バリヤ・メタル膜４を形成する技術として、スパッタリ
ング法の他に熱ＣＶＤ法などを適用することもできる。

スパッタリング法を適用することに依り、平均的厚さが
５　（ｎｍ）である周期率表のｍａ族、ＩＶａ族、Ｖａ
族から選択した金属からなる薄膜５を形成する。

尚、金属薄膜５を形成する技法としては、スパッタリン
グ法の他に電子ビーム蒸着法などを適用することもでき
る。また、何れの技法を適用した場合に於いても、得ら
れた金属Ｉｎ！５をＳＥＭ（ｓｃａｎｎｉｎｇ　　ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察すると、表
面には多くの凹凸が生成され、且つ、不均一にピンホー
ル様のものが存在していることを看取することができ、
また、ＴＥＭ（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　　ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ　　ｍ１ｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察すると、多
くの結晶欠陥が散在しているのを視認することができる
。

第３図参照 レーザ或いは電子ビームなど高エネルギ・ビームを照射
して金属薄膜５を溶融してから固化を行う。尚、このレ
ーザ照射、或いは、電子ビーム照射を前レーザ照射、或
いは、前電子ビーム照射と呼ぶこととし、後の工程で実
施される酸素雰囲気での高エネルギ・ビームの照射と区
別するものとする。

この金属薄膜５の溶融及び固化は一度だけでなく、必要
に応じて複数回に亙って実施して良く、これに依って金
属薄膜５は平坦化され、且つ、均一となって、ピンホー
ルや結晶欠陥を低減させることができる。

このような処理をした後の金属薄膜５を、便宜上、記号
５′で指示する。

第４図参照 酸素雰囲気中で金属薄膜５′にレーザ或いは電子ビーム
など高エネルギ・ビームを照射して金属酸化物薄膜５″
に変換する。

このようにして得られた金属酸化物薄膜５″の膜質をＳ
ＥＭで観察すると、前記溶融及び固化の処理を施した金
属薄膜５′に於ける良好な状態を維持していて、従来の
技術で生成させた金属酸化物薄膜のような多結晶化は起
こらないことが確認できる。多結晶化が進行しない理由
としては、高エネルギ・ビーム照射に依って、金属薄膜
５′が２〜３　（ｍ秒〕オーダの時間で瞬間的に酸化し
てしまう為、物質移動が起こらないことに依るものと考
えられる。

第５図参照 ＬＰＣＶＤ法を適用することに依り、金属酸化物薄膜５
＃上に厚さ例えば２００　（ｎｍｌ程度のＰ含有多結晶
Ｓｉ膜を形成する。

このＰ含有多結晶Ｓｉ膜の形成は、前記したように、成
長時にＰを添加する手段のほか、多結晶Ｓｉ膜を成長さ
せた後にイオン注入に依って導入するようにして良く、
また、Ｐの濃度は、ドーズ量にして例えば５　Ｘ　１０
　”　（ｃｉ−”）程度とする。

通常のフォト・リソグラフィ技術を適用することに依り
、工程５−（１）で形成したＰ含有多結晶Ｓｉ膜をパタ
ーニングし、キャパシタの対向電極（セル・プレート）
６とし、これで、キャパシタが完成する。

第６図は本発明に依って作成したキャパシタ及び比較の
為に種々の技術を適用して作成したキャパシタの印加電
圧とリーク電流密度との関係を説明する為の線図を表し
、横軸には印加電圧（Ｖ）を、また、縦軸にはリーク電
流密度ＣＡ／Ｃ１ｌ”）をそれぞれ採っである。

このデータを得た際のキャパシタの誘電体膜はＴａｚＯ
ｓ膜であり、第１図及び第２図について説明した工程、
即ち、金属薄膜５、ここではＴａ薄膜を形成するまでの
工程は、各試料について全て同じである。

スパッタリング法で形成したＴａ膜の膜厚は５（ｎｍ）
であり、従来の技術に於ける熱酸化、或いは、本発明に
於けるレーザ照射酸化で生成されたＴａ、Ｏ，膜の膜厚
は１０［ｎｍｌ程度になっている。厚さが１０（ｎｍ）
のＴａｚＯｓ膜で得られる誘電体膜としての性能をＳｉ
ｎ、膜に膜厚換算すると３　（ｎｍ）になる。

バリヤ・メタル膜４とじては、厚さが５０″、ｎｍ］の
ＴｉＮ膜を用いた。

レーザ照射酸化に用いたレーザはエキシマ・レーザであ
る。

第６図に於いて、 ■：前レーザ照射することなくＴａ薄膜を熱酸化した場
合であって、熱酸化は９５０１°Ｃ：の酸素雰囲気で１
０口分］行い、Ｔ’ａ、Ｏ，薄膜に変換したものである
。

■；■と同様、前レーザ照射することなく、酸素雰囲気
でＴａｌ膜にレーザ照射して酸化を行い、Ｔ　ａ　ｚ　
Ｏｓ　Ｆｉ膜に変換したものである。

この場合のレーザ照射の条件は、レーザ強度密度が１．
　５　（Ｊ／ａｍ”　〕、また、パルス幅が３０〔ｎ秒
〕である。

■：Ｔａ薄膜に前レーザ照射を行ってから、■と同じ条
件で熱酸化してＴａｚＯｓ薄膜に変換したものである。

この場合の前レーザ照射の条件は、レーザ強度密度が３
．　５　〔Ｊ　７ｃｍ２〕、また、パルス幅が３０〔ｎ
秒］である。

■二本発明実施例であり、■と同じ条件の前レーザ照射
、及び、■と同じ条件のレーザ照射酸化を行ってＴａｚ
Ｏｓ薄膜にしたものである。

図の■及び■から明らかなように、前レーザ照射なしで
はリーク電流が多く、熱酸化もレーザ照射酸化も異なる
ところが殆どなかった。図の■に見られるように、前レ
ーザ照射＋熱酸化では、リーク電流が若干少なくなって
はいるが、実用上からは不充分である。図の■に見られ
るように、前レーザ照射＋レーザ照射酸化では、リーク
電流が充分に低減されている。

このように、本発明に依る、前レーザ照射十レーザ照射
酸化の組み合わせで、初めてリーク電流が少ない誘電体
膜を得ることができる。

前記■の条件で作成したキャパシタについて、１Ｏ−ｂ
Ｃ人〕を基準としたときの絶縁耐圧は１４（Ｍ　Ｖ　／
　ｃｖａ　）であり、ＴＤＤＢ　（ｔ　ｉｍｅ　　ｄｅ
ｐｅｎｄｅｎｃｅ　　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　　ｂｒｅ
ａｋｄｏｗｎ）測定の結果、素子の寿命は１０年であっ
て、実用的には充分であり、信頼性が高い誘電体膜であ
ることが判明した。

ところで、前レーザ照射は、さきに記述したように、形
成した金属薄膜を溶融及び固化して表面を平坦化すると
共に膜中のピンホールや結晶欠陥を低減させる働きをし
ている。

然しながら、前レーザ照射を行っても、その後から熱酸
化を行ったのでは、その酸化過程で例えばＴａｚＯｓの
物質移動が発生して多結晶化が進行し、結果的にリーク
電流が増大するものと考えられる。レーザ照射酸化では
、前記の如く、瞬間的にＴａの酸化が行われることから
、ＴａｚＯｓの物質移動は抑制されるものと考えられ、
多結晶化は起こらず、前レーザ照射を行った直後の良好
な膜質が保存されたまま誘電体膜が生成されるのである
。

第７図は本発明に依って作成したキャパシタ及び比較の
為に従来の技術を適用して作成したキャパシタの印加電
圧とリーク電流密度との関係を説明する為の線図を表し
、横軸には印加電圧ｒ　ｙ　Ｅを、また、縦軸にはリー
ク電流密度ＣＡ　／　Ｃ１＋　２’）をそれぞれ採っで
ある。

図に於いて、■は第６図と同様に本発明一実施例に依る
キャパシタの特性線であり、■並びに■は従来の技術に
依るキャパシタの特性線（要すれば、「月刊　Ｓｅｍ１
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　　Ｗ。

ｒｌｄ　　１９９０　５　　Ｐ、１１３Ｊ、の押力らに
依る実験報告を参照）であって、■は、ＬＰＣＶＤ法で
Ｔａｚ　ｏｓ膜を形成し、オゾン雰囲気中でＩＪＶ（ｕ
ｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ　　ｒａｙｓ）照射しつつアニー
ルする、所謂、Ｕｖオゾン・アニール及び乾性酸化アニ
ールの二段階アニールを行った場合であり、そして、■
は、スパッタリング法でＴａｚＯｓ膜を形成し、乾性酸
化アニールを行った場合である。この■及び■に於ける
Ｔａｚ０５膜の膜厚は共に１０［ｎｍ）であって、本発
明をなすについて行った実験と同じである。

図から判るように、本発明の一実施例に依る特性線であ
る■に依れば、従来例の特性線である■及び■に比較す
ると、リーク電流は蟲に少ないことが明瞭である。

第８図は本発明に依って作成したキャパシタ及び比較の
為に種々の技術を適用して作成したキャパシタの印加電
圧とリーク電流密度との関係を説明する為の線図を表し
、横軸には印加電圧（ｙ　Ｅを、また、縦軸にはリーク
電流密度［Ａ／ｃＴＩｉ２］をそれぞれ採っである。尚
、このデータは、第６−図のデータを得た実験と概略同
様なそれを行って得られたと考えて良い。

このデータを得た際のキャパシタの誘電体膜はＴｉＯ２
膜であり、ここで、Ｔｉｆｊｉ膜を形成するまでの工程
は、各試料について全て同じである。

スパッタリング法で形成したＴｉ膜の膜厚は５（ｎｍ）
であり、従来の技術に於ける熱酸化、或いは、本発明に
於けるレーザ照射酸化で生成されたＴｉｅ、膜の膜厚は
１５［ｎｍ）程度になっている。厚さが１５（ｎｍ）の
ＴｉＯ２膜で得られる誘電体膜としての性能をＳｉＯ□
膜に膜厚換算すると２．５　（ｎｍ］になる。

バリヤ・メタル膜には、厚さが５０　〔ｎｍ）のＴｉＮ
膜を用いた。

レーザ照射酸化Ｓこ用いたレーザはＸｅＣｌエキシマ・
レーザである。

第８図に於いて、 ■：前レーザ照射することなくＴｉ’ｌ膜を熱酸化した
場合であって、熱酸化は９５０（’Ｃ３のの酸素雰囲気
で１０（分〕行い、Ｔｉｅ２薄膜に変換したものである
。

■：■と同様、前レーザ照射することなく、酸素雰囲気
でＴｉ薄膜にレーザ照射して酸化を行　　　　−い、Ｔ
ｉ０ｚＦｆ膜に変換したものである。

この場合のレーザ照射の条件は、レーザ強度密度が１．
　３　（Ｊ／ｃｍ２〕、また、パルス幅が３０〔ｎ秒］
である。

■：Ｔｉｌ膜に前レーザ照射を行ってから、■と同じ条
件で熱酸化してＴｉｅ２薄膜に変換したちのである。

この場合の前レーザ照射の条件は、レーザ強度密度が２
．　ＯＣｌ／ＣＷＩ”　Ｅ　、また、パルス幅が３０Ｃ
ｎ秒〕である。

［相］：本発明実施例であり、■と同し条件の前レーザ
照射、及び、■と同し条件のレーザ照射酸化を行ってＴ
ｉＯ□薄膜にしたものである。

図の■及び■から明らかなように、前レーザ照射なしで
はリーク電流が多く、熱酸化もレーザ照射酸化も異なる
ところが殆どなかった。図の■に見られるように、前レ
ーザ照射＋熱酸化では、リーク電流が若干少なくなって
はいるが、実用上がらは不充分である。図の［相］に見
られるようδこ、前レーザ照射＋レーザ照射酸化では、
リーク電流が充分に低減されている。

この場合も、本発明に依る、前レーザ照射＋レーザ照射
酸化の組み合わせで、初めてリーク電流が少ない誘電体
膜を得ることができる。

前記［相］の条件で作成したキャパシタについて、１０
−”　Ｃ人〕を基準としたときの絶縁耐圧は１３［ＭＶ
／Ｃ１１）　テアリ、ＴＤＤＢ測定ノ結果、素子の寿命
は９年であって、この実施例も、実用的には充分であり
、信頼性が高い誘電体膜である。

〔発明の効果〕

本発明に依る半導体装置の製造方法シこ於いては、キャ
パシタを構成する為のシリコン蓄積電極を形成し、その
シリコン蓄積電極に他の物質が侵入することを抑止する
バリヤ膜を形成し、そのバリヤ膜上にキャパシタの誘電
体膜を構成する為の金属薄膜を形成し、高エネルギ・ビ
ームを照射して前記金属薄膜を溶融・固化し、その金属
薄膜に酸化性雰囲気中で高エネルギ・ビームを照射し金
属酸化物膜に変換してキャパシタの誘電体膜を生成させ
、その誘電体膜上にキャパシタの対向電極を形成するよ
うにしている。

前記構成を採ることに依り、酸化されてキャパシタの誘
電体膜となるｍａ族或いはＴＶａ族或いは〜°ａ族の金
属薄膜は結晶欠陥やピンホールが殆どなく、均−且つ良
質なものとすることができ、しかも、それを瞬間的に雰
囲気ガスと反応させて金属酸化物膜としているので、反
応過程の物質移動に起因する金属酸化物の多結晶化が起
こらず、従って、結晶粒界に沿ってリークする電流は著
しく少なくなり、また、その金属酸化物膜の絶縁耐圧も
充分に高い。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第５図は本発明一実施例を説明する為の工程
要所に於ける半導体装置の要部切断側面図、第６図は本
発明に依って作成したキャパシタ及び比較の為に種々の
技術を適用して作成したキャパシタの印加電圧とリーク
電流密度との関係を説明する為の線図、第７図は本発明
に依って作成したキャパシタ及び比較の為に従来の技術
を適用して作成したキャパシタの印加電圧とリーク電流
密度との関係を説明する為の線図、第８図は本発明に依
って作成したキャパシタ及び比較の為に種々の技術を適
用して作成したキャパシタの印加電圧とリーク電流密度
との関係を説明する為の線図をそれぞれ表している。 図に於いて、１はＳｉ半導体基板、２はフィールド絶縁
膜、３はキャパシタの蓄積電極、４はバリヤ・メタル膜
、５は金属薄膜、５′は溶融・固化した金属薄膜、５″
は金属酸化物薄膜、６はキーバンタの対向電極（セル・
プレート）をそれぞれ示している。 特許出願人　　　富士通株式会社 代理人弁理士　　相　谷　昭　司 代理人弁理士　　渡　邊　弘　− １（Ｓｉ半導体基板） 実施例を説明するための工程要所に於ける半導体装置の
要部切断側面図第１図 実施例を説明するための工＠要所に於ける半導体装置の
要部切断ｅＩ面図第２図 ５（溶融・固化した金属薄膜）　　　高エネルギ・ビー
ム実施例を説明すうための工程要所に於ける半導体装置
の要部切断側面図第３図 ５（金属Ｗヒ物薄膜）　　　　　　　　　高エネルギ・
ビーム実施例を説明するための工＠要所に於ける半導体
装置の要部切断側面図６（対向電極） へ 実施例を説明するための工程要所に於ける半導体の要部
切断側面図印加電圧（） キャパシタの印加電圧とリーク電流 密度との関係を説明するための線図 第６図 印加電圧（Ｖ） キャパシタの印加電圧とり一９７１ｔＬ密度との関係を
説明するための線図 第７図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上にキャパシタを構成する為のシリコン蓄積
   電極を形成し、 次いで、前記シリコン蓄積電極に他の物質が侵入するこ
   とを抑止するバリヤ膜を形成し、次いで、前記バリヤ膜
   上にキャパシタの誘電体膜を構成する為の金属薄膜を形
   成し、 次いで、レーザ或いは電子ビームなどの高エネルギ・ビ
   ームを照射して前記金属薄膜を溶融してから固化させ、 次いで、前記緻密化された金属薄膜に酸化性雰囲気中で
   レーザ或いは電子ビームなどの高エネルギ・ビームを照
   射し金属酸化物膜に変換してキャパシタの誘電体膜を生
   成させ、 次いで、前記誘電体膜上にキャパシタの対向電極を形成
   する工程 が含まれてなることを特徴とする半導体装置の製造方法
   。
2. （２）シリコン蓄積電極に他の物質が侵入することを抑
   止するバリヤ膜がＴｉＮを材料とするものであること を特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
3. （３）シリコン蓄積電極に他の物質が侵入することを抑
   止するバリヤ膜がＴｉＷを材料とするものであること を特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
4. （４）キャパシタの誘電体膜を構成する為の金属薄膜が
   IIIａ族或いはIVａ族或いはＶａ族の金属を材料とする
   ものであること を特徴とする請求項１或いは２或いは３記載の半導体装
   置の製造方法。