JPH04194500A - プロセスガスの供給装置 - Google Patents
プロセスガスの供給装置Info
- Publication number
- JPH04194500A JPH04194500A JP32276490A JP32276490A JPH04194500A JP H04194500 A JPH04194500 A JP H04194500A JP 32276490 A JP32276490 A JP 32276490A JP 32276490 A JP32276490 A JP 32276490A JP H04194500 A JPH04194500 A JP H04194500A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- gas
- piping
- valve
- process gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
- Indication Of The Valve Opening Or Closing Status (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体産業等に用いられるＣＶＤガスエツチン
グガス等のプロセスガスに供給方法に係れる。
グガス等のプロセスガスに供給方法に係れる。
近年、半導体産業等の発展に伴ない、薄膜形成プロセス
、特にＣＶＤ （気相成長）やエツチング工程において
、種々のプロセスガスが広汎に用いられている。これら
のガスは、ガスボンベに充填されて原料メーカより供給
され、薄膜形成プロセスでは、ガスの圧力や流量の調整
機構を有するガス供給装置にガスボンベを接続し、これ
を介して薄膜プロセス装置に供給される。プロセスガス
供給装置は、配管、バルブ、レギュレータ（圧力調整器
）、及びそれらを接続する継手から成っている。セミコ
ンダクタインターナショナル（１９９０年 □３月
）第７０頁から第７５頁（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｉｎｔｅ−ｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｍａｒｃｈ
１９９０ Ｐ２Ｏ〜７５）に記載されているように薄
膜プロセスでは、高純度の状態でガスを供給することが
工程の歩留り確保、及び膜質向上を図る上で極めて重要
である。このことは、原料メーカより購入するガスボン
ベ中のガスの純度を高めると言うことだけではなく、ガ
スボンベから薄膜装置へガスを供給する際にその純度を
落とさないことが必要であることを意味する。従って、
プロセスガス供給装置は極めてリーク（大気からのガス
の配管からの侵入）を少なくする技術が開発されている
。配管材料としては錆び等による劣化のないステンレス
の配管を用い、さらに継手は、リーク量の少ない喰い込
み継手やガスケットシールタイプの継手が開発され、バ
ルブ類も外部リークが基本的にないベローズバルブやメ
タルダイアフラムバルブが開発され使用されている。
、特にＣＶＤ （気相成長）やエツチング工程において
、種々のプロセスガスが広汎に用いられている。これら
のガスは、ガスボンベに充填されて原料メーカより供給
され、薄膜形成プロセスでは、ガスの圧力や流量の調整
機構を有するガス供給装置にガスボンベを接続し、これ
を介して薄膜プロセス装置に供給される。プロセスガス
供給装置は、配管、バルブ、レギュレータ（圧力調整器
）、及びそれらを接続する継手から成っている。セミコ
ンダクタインターナショナル（１９９０年 □３月
）第７０頁から第７５頁（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｉｎｔｅ−ｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｍａｒｃｈ
１９９０ Ｐ２Ｏ〜７５）に記載されているように薄
膜プロセスでは、高純度の状態でガスを供給することが
工程の歩留り確保、及び膜質向上を図る上で極めて重要
である。このことは、原料メーカより購入するガスボン
ベ中のガスの純度を高めると言うことだけではなく、ガ
スボンベから薄膜装置へガスを供給する際にその純度を
落とさないことが必要であることを意味する。従って、
プロセスガス供給装置は極めてリーク（大気からのガス
の配管からの侵入）を少なくする技術が開発されている
。配管材料としては錆び等による劣化のないステンレス
の配管を用い、さらに継手は、リーク量の少ない喰い込
み継手やガスケットシールタイプの継手が開発され、バ
ルブ類も外部リークが基本的にないベローズバルブやメ
タルダイアフラムバルブが開発され使用されている。
配管や継手に関しては、部品の性能を出すために′は、
正しい施工を行なうことが重要で、ネジの締め不足や締
め過ぎ、配管のねじれ等はリークの原因となる。そこで
、継手部のリークをチエツクするための手法が用いられ
ている。その代表的なものは、配管内を高圧に保ち、継
手部に石けん水を付け、気泡が発生するか否かでリーク
の有無を判断する気泡テストである。このテストは特別
な装置を必要としない簡便な方法であるが、熟練者が正
確に作業すれば、実用上問題となるリークを発見するこ
とは十分可能である。
正しい施工を行なうことが重要で、ネジの締め不足や締
め過ぎ、配管のねじれ等はリークの原因となる。そこで
、継手部のリークをチエツクするための手法が用いられ
ている。その代表的なものは、配管内を高圧に保ち、継
手部に石けん水を付け、気泡が発生するか否かでリーク
の有無を判断する気泡テストである。このテストは特別
な装置を必要としない簡便な方法であるが、熟練者が正
確に作業すれば、実用上問題となるリークを発見するこ
とは十分可能である。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術は、配管系のリークを発見するのに熟練者
の技術に頼っているため、一般の作業者が作業した場合
、ガス供給装置の信頼性が低下すると言う問題があった
。ここで、特に問題となるのは、ガスボンベの交換時に
おいてガスボンベ継手のリークを発見する作業の場合で
ある。何故ならば、プロセスガス供給装置のリーグのテ
ストは、上記以外は装置組立て時及び定期点検時に行な
う非定常作業であるため、その時のみ熟練の作業者に依
頼することは実質上障害とならない。しかしながらガス
ボンベの交換は、薄膜プロセスにおい゛て定常的に行な
う作業であり、その回数も多く、常に熟練作業者を就業
させることは困難である。
の技術に頼っているため、一般の作業者が作業した場合
、ガス供給装置の信頼性が低下すると言う問題があった
。ここで、特に問題となるのは、ガスボンベの交換時に
おいてガスボンベ継手のリークを発見する作業の場合で
ある。何故ならば、プロセスガス供給装置のリーグのテ
ストは、上記以外は装置組立て時及び定期点検時に行な
う非定常作業であるため、その時のみ熟練の作業者に依
頼することは実質上障害とならない。しかしながらガス
ボンベの交換は、薄膜プロセスにおい゛て定常的に行な
う作業であり、その回数も多く、常に熟練作業者を就業
させることは困難である。
本発明の目的は、非熟練作業者でも配管系のリークを容
易に発見することのできるプロセスガス供給方法および
装置を提供することにある。
易に発見することのできるプロセスガス供給方法および
装置を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明では、プロセスガス供
給装置において、ガスボンベの継手からガスボンベに最
も近いバルブ間の配管に圧カドランスデューサを設け、
上記配管を閉状態にした後配管内に圧力のガスを導入す
る手段を設け、高圧ガス導入後の経過時間と上記圧カド
ランスデューサの検知する圧力値の関係から配管系のリ
ークの有無をチエツクできるようにした。
給装置において、ガスボンベの継手からガスボンベに最
も近いバルブ間の配管に圧カドランスデューサを設け、
上記配管を閉状態にした後配管内に圧力のガスを導入す
る手段を設け、高圧ガス導入後の経過時間と上記圧カド
ランスデューサの検知する圧力値の関係から配管系のリ
ークの有無をチエツクできるようにした。
ボンベ交換によりボンベとの継手をはずし、新しいボン
ベとの接続を行なった後、配管内に高圧のガスを導入す
る。もし、配管にリークがあればガスが抜けるため配管
内の斥力は低下し、その低下速度はリーク量に比例した
ものになる。したがって高圧ガス導入後の時間をカウン
トし、配管内の圧力を圧カドランスデューサで検知すれ
ば、リーク量が計測できる。リーク量りはＬ＝（ΔＰ／
Δｔ）×■で与えられる。ここで、ΔＰ／Δｔは、配管
内の圧力の経時変化（圧力低下速度）、■は閉状態にあ
る配管の内容積である。リーク量が実用上問題となる値
以上になった時、警報等を発生させ、継手部の点検、再
取り付けを“行ない、再度、リーク量を上記の方法で計
測し、実用上問題となる値未満になったことを確認した
後、上記高圧ガスを排気し、ボンベのバルブを開け、プ
ロセスガスを導入することにより高純度のプロセスガス
をＣＶＤやエツチング等の薄膜プロセス装置に導入する
ことができる。圧力低下速度を測定するために導入する
高圧のガスは、多量にリークする可能性があるので、毒
性、爆発性等の危険性のないガス、例えばＨｅ、 Ａｒ
、 Ｎｌ、を用いることが望ましい。
ベとの接続を行なった後、配管内に高圧のガスを導入す
る。もし、配管にリークがあればガスが抜けるため配管
内の斥力は低下し、その低下速度はリーク量に比例した
ものになる。したがって高圧ガス導入後の時間をカウン
トし、配管内の圧力を圧カドランスデューサで検知すれ
ば、リーク量が計測できる。リーク量りはＬ＝（ΔＰ／
Δｔ）×■で与えられる。ここで、ΔＰ／Δｔは、配管
内の圧力の経時変化（圧力低下速度）、■は閉状態にあ
る配管の内容積である。リーク量が実用上問題となる値
以上になった時、警報等を発生させ、継手部の点検、再
取り付けを“行ない、再度、リーク量を上記の方法で計
測し、実用上問題となる値未満になったことを確認した
後、上記高圧ガスを排気し、ボンベのバルブを開け、プ
ロセスガスを導入することにより高純度のプロセスガス
をＣＶＤやエツチング等の薄膜プロセス装置に導入する
ことができる。圧力低下速度を測定するために導入する
高圧のガスは、多量にリークする可能性があるので、毒
性、爆発性等の危険性のないガス、例えばＨｅ、 Ａｒ
、 Ｎｌ、を用いることが望ましい。
以下、本発明の一実施例を第１図及び第２図を用いて説
明する。第一図は、実施例における配管フローチャート
並びに制御ブロック図を示したものである。プロセスガ
スのボンベ１には、元弁２が付属しており、着脱式の継
手３によりプロセスガス供給配管系に接続されている。
明する。第一図は、実施例における配管フローチャート
並びに制御ブロック図を示したものである。プロセスガ
スのボンベ１には、元弁２が付属しており、着脱式の継
手３によりプロセスガス供給配管系に接続されている。
プロセスガス供給配管系は、フレキシブル配管４、圧カ
ドランスデューサ５、不活性ガス供給弁６、排気弁７、
プロセスガス供給弁８、レギュレータ９、フィルタ１９
より成り薄膜プロセス装置１７に接続されている。これ
らの弁およびレギュレータは、固定配管により接続され
ており、継手部は前記着脱式の継手３を除き、全て溶接
で継ながれている。不活性ガス弁６と排気弁７は自動弁
で、弁制御器ＩＯからの信号で開閉動作できる。不活性
ガス弁６は不活性ガス供給ライン１１に接続されており
。このラインは常に１５０ｋｇ／ａ＋ｔの圧力のＮ２．
Ａｒ、 Ｈｅ等の不活性ガスが供給されている。排気
弁７は排気ポンプ１２に接続されており、二の弁を開け
ることにより配管内を真空に引くことができる。圧カド
ランスデューサ５の信号は圧力表示器１３に送られ、圧
力表示器からの圧力信号は演算・警報装置１４に継なか
っている。演算・警報装置１４は、弁制御器とも信号の
授受を行ない、スタートボタン１５を押すことにより、
後述するような弁の開閉動作、圧力信号による演算・演
算結果による警報あるいは弁動作の一連の制御を行ない
、警報ブザ−１６、及びスタンバイランプ１７を有して
いる。
ドランスデューサ５、不活性ガス供給弁６、排気弁７、
プロセスガス供給弁８、レギュレータ９、フィルタ１９
より成り薄膜プロセス装置１７に接続されている。これ
らの弁およびレギュレータは、固定配管により接続され
ており、継手部は前記着脱式の継手３を除き、全て溶接
で継ながれている。不活性ガス弁６と排気弁７は自動弁
で、弁制御器ＩＯからの信号で開閉動作できる。不活性
ガス弁６は不活性ガス供給ライン１１に接続されており
。このラインは常に１５０ｋｇ／ａ＋ｔの圧力のＮ２．
Ａｒ、 Ｈｅ等の不活性ガスが供給されている。排気
弁７は排気ポンプ１２に接続されており、二の弁を開け
ることにより配管内を真空に引くことができる。圧カド
ランスデューサ５の信号は圧力表示器１３に送られ、圧
力表示器からの圧力信号は演算・警報装置１４に継なか
っている。演算・警報装置１４は、弁制御器とも信号の
授受を行ない、スタートボタン１５を押すことにより、
後述するような弁の開閉動作、圧力信号による演算・演
算結果による警報あるいは弁動作の一連の制御を行ない
、警報ブザ−１６、及びスタンバイランプ１７を有して
いる。
上記構成において、まず、配管内の圧力低下速度すなわ
ち、リーク量の設定を行なう。この値は、接続する薄膜
プロセス装置や配管の内容積によって異なるが、通常、
圧力低下速度が、１０゛２気圧／ｈ程度以下であれば、
実用可能なリーク量と言える。なお、上記構成において
、圧カドランスデューサ５を真空領域が測定できるもの
にし、配管内に不活性ガスを導入しない状態、すなわち
、真空状態にしておき、配管内の圧力上昇速度によりリ
ーク量を計測しても良い。
ち、リーク量の設定を行なう。この値は、接続する薄膜
プロセス装置や配管の内容積によって異なるが、通常、
圧力低下速度が、１０゛２気圧／ｈ程度以下であれば、
実用可能なリーク量と言える。なお、上記構成において
、圧カドランスデューサ５を真空領域が測定できるもの
にし、配管内に不活性ガスを導入しない状態、すなわち
、真空状態にしておき、配管内の圧力上昇速度によりリ
ーク量を計測しても良い。
次にボンベ交換後のプロセスガス供給方法について述べ
る。ガスボンベ１を交換した後、着脱継ぎ手３をネジ等
で接続する。この時、ボンベの元弁２及びプロセスガス
供給弁８は閉まっている。
る。ガスボンベ１を交換した後、着脱継ぎ手３をネジ等
で接続する。この時、ボンベの元弁２及びプロセスガス
供給弁８は閉まっている。
着脱継ぎ手３の接続を確認した後、演算・警報装置１４
のスタートボタン１５を押すと、まず排気弁７が開き、
配管内を真空に排気する。これは、配管内に入っている
空気を排気することが主目的である。圧カドランスデュ
ーサ５により、所定圧力以下、通常は１０−’Ｔｏｒｒ
程度以下まで排気できた時点で、排気弁７を閉じる。そ
の後、不活性ガス導入弁６を開き、１５０気圧の不活性
ガスを配管内に導入して、圧カドランスデューサ５、圧
力表示器１０、演算・警報装置１４により圧力低下速度
Ｒ（−八Ｐ／Δｔ）を計測し、前記した設定値Ｒ８と比
較演算する。その結果、もし、Ｒ＞Ｒｏであればリーク
量が多過ぎるので警報ブザ−１６を鳴らし、作業者は、
着脱継手３を点検、再装着した後、再度、スタートボタ
ン１５を押す。もし、Ｒ＜Ｒ６であればいわゆる配管内
パージ工程に進む。すなわち、−回の排気だけでは、配
管内に混入した空気の残留成分を十分に除くことができ
ないため、不活性ガスの導入と排気を数回繰り返す。通
常は４回程度十分である。このパージ操作は、排気弁７
の開、閉、不活性ガス導入弁の開、閉の繰り返しにより
行なうことができる。弁の開、閉のタイミングは、排気
弁の場合、圧力が設定値以下、本実施例では１０−３Ｔ
ｏｒｒ以下になった時点、不活性ガス導入弁の場合、圧
力が設定値以上、本実施例では１４０気圧以上になった
時点とした。不活性ガスによる繰り返しパージを終えた
後、排気弁７を開き、圧力が１０”−’Ｔｏｒｒ以下に
なるまで十分排気した後、排気弁７を閉じる。この−時
点でスタンバイランプ１６が点灯し、作業者は、ガスボ
ンベの元弁２、及びプロセスガス供給弁８を開き、さら
にレギュレータ９により所定圧力に減圧して、プロセス
ガスを薄膜プロセス装置に供給することができる。なお
、フィルタ１９は、配管内に混入したゴミ等を除くため
に設置しである。上記。操作のフローチャートを第２図
に示す。ここで、前述したように圧力の設定値は本実施
例の値に限定されるものでなく、対象となる薄膜プロセ
スに必要とされるガスの純度に対応して変えることがで
きるのは言うまでもない。
のスタートボタン１５を押すと、まず排気弁７が開き、
配管内を真空に排気する。これは、配管内に入っている
空気を排気することが主目的である。圧カドランスデュ
ーサ５により、所定圧力以下、通常は１０−’Ｔｏｒｒ
程度以下まで排気できた時点で、排気弁７を閉じる。そ
の後、不活性ガス導入弁６を開き、１５０気圧の不活性
ガスを配管内に導入して、圧カドランスデューサ５、圧
力表示器１０、演算・警報装置１４により圧力低下速度
Ｒ（−八Ｐ／Δｔ）を計測し、前記した設定値Ｒ８と比
較演算する。その結果、もし、Ｒ＞Ｒｏであればリーク
量が多過ぎるので警報ブザ−１６を鳴らし、作業者は、
着脱継手３を点検、再装着した後、再度、スタートボタ
ン１５を押す。もし、Ｒ＜Ｒ６であればいわゆる配管内
パージ工程に進む。すなわち、−回の排気だけでは、配
管内に混入した空気の残留成分を十分に除くことができ
ないため、不活性ガスの導入と排気を数回繰り返す。通
常は４回程度十分である。このパージ操作は、排気弁７
の開、閉、不活性ガス導入弁の開、閉の繰り返しにより
行なうことができる。弁の開、閉のタイミングは、排気
弁の場合、圧力が設定値以下、本実施例では１０−３Ｔ
ｏｒｒ以下になった時点、不活性ガス導入弁の場合、圧
力が設定値以上、本実施例では１４０気圧以上になった
時点とした。不活性ガスによる繰り返しパージを終えた
後、排気弁７を開き、圧力が１０”−’Ｔｏｒｒ以下に
なるまで十分排気した後、排気弁７を閉じる。この−時
点でスタンバイランプ１６が点灯し、作業者は、ガスボ
ンベの元弁２、及びプロセスガス供給弁８を開き、さら
にレギュレータ９により所定圧力に減圧して、プロセス
ガスを薄膜プロセス装置に供給することができる。なお
、フィルタ１９は、配管内に混入したゴミ等を除くため
に設置しである。上記。操作のフローチャートを第２図
に示す。ここで、前述したように圧力の設定値は本実施
例の値に限定されるものでなく、対象となる薄膜プロセ
スに必要とされるガスの純度に対応して変えることがで
きるのは言うまでもない。
以上述べたように本−発明によれば、特別の熟練作業の
必要なしに、プロセスガス供給時のリーク量を低減でき
、ガスリークによる薄膜の膜質劣化、プロセスガスと配
管内にリークした空気や水との反応生成物による配管詰
まり等を防止することができるので、薄膜プロセスにお
ける歩留り向上に顕著な効果を有す。また、作業者のボ
ンベ交換時における継手の継なぎ不完全等のケアレスミ
スによる多量ガスリーグが原因となる毒性ガス中毒事故
、可燃性ガス爆発事故が防止できるので、労働安全を確
保する上での効果もある。
必要なしに、プロセスガス供給時のリーク量を低減でき
、ガスリークによる薄膜の膜質劣化、プロセスガスと配
管内にリークした空気や水との反応生成物による配管詰
まり等を防止することができるので、薄膜プロセスにお
ける歩留り向上に顕著な効果を有す。また、作業者のボ
ンベ交換時における継手の継なぎ不完全等のケアレスミ
スによる多量ガスリーグが原因となる毒性ガス中毒事故
、可燃性ガス爆発事故が防止できるので、労働安全を確
保する上での効果もある。
第１図は本発明の一実施例の配管フローおよび、制御ブ
ロック図、第２図は第１図で示した実施例の動作フロー
チャートを示す図である。 ■・・・プロセスガスボンベ 、 ５・・・圧カドランスデューサ １３・・・圧力表示器 １４・・・演算警報装置 １８・・・薄膜プロセス装置 第」図
ロック図、第２図は第１図で示した実施例の動作フロー
チャートを示す図である。 ■・・・プロセスガスボンベ 、 ５・・・圧カドランスデューサ １３・・・圧力表示器 １４・・・演算警報装置 １８・・・薄膜プロセス装置 第」図
Claims (1)
- １、半導体製造等に用いる薄膜プロセス装置にプロセス
ガスを供給する装置において、ガスボンベの継手と該継
手から最も近い弁の間の配管内の圧力を測定する手段と
該圧力測定手段からの信号を演算し、圧力変化速度を求
める手段と、前記圧力変化速度を予め設定した値と比較
し、その結果により警報を発する手段を有することを特
徴とするプロセスガスの供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32276490A JPH04194500A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | プロセスガスの供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32276490A JPH04194500A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | プロセスガスの供給装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04194500A true JPH04194500A (ja) | 1992-07-14 |
Family
ID=18147384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32276490A Pending JPH04194500A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | プロセスガスの供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04194500A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119374026A (zh) * | 2024-10-25 | 2025-01-28 | 潍柴动力股份有限公司 | 一种车载储氢系统的检测方法及装置 |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP32276490A patent/JPH04194500A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119374026A (zh) * | 2024-10-25 | 2025-01-28 | 潍柴动力股份有限公司 | 一种车载储氢系统的检测方法及装置 |
| CN119374026B (zh) * | 2024-10-25 | 2025-11-18 | 潍柴动力股份有限公司 | 一种车载储氢系统的检测方法及装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100591976C (zh) | 具有检漏功能的管道结构与检漏器 | |
| US4012944A (en) | Electronic fluid pipeline leak detector and method | |
| US4670847A (en) | Pressure variation detecting type leakage inspection equipment | |
| JP4684135B2 (ja) | 配管路の漏洩検査方法及び漏洩検査装置 | |
| KR950001301A (ko) | 누설 검출 방법 및 장치 | |
| WO2007026902A1 (ja) | 圧力センサを保有する流量制御装置を用いた流体供給系の異常検出方法 | |
| US4542643A (en) | Fluid leak testing method | |
| US4553212A (en) | Leakage inspection device for brake hoses | |
| CN112179580A (zh) | 检漏装置及检漏方法 | |
| US20050064609A1 (en) | Semiconductor processing system | |
| JPH04194500A (ja) | プロセスガスの供給装置 | |
| CN209446277U (zh) | 呼吸阀校验装置 | |
| JP3875885B2 (ja) | 気密試験方法 | |
| JP2002031581A (ja) | 配管・容器の気密試験装置 | |
| JP2649490B2 (ja) | ハウジング水密試験装置 | |
| JP3186644B2 (ja) | 気体漏洩検査方法 | |
| JPS6182138A (ja) | 圧力洩れ検査方法 | |
| JPH0720015A (ja) | ガスサンプリング装置 | |
| JP3798252B2 (ja) | ガス配管の漏洩検査方法及び漏洩検査装置 | |
| JPS6315133A (ja) | 真空リ−クチエツク方法 | |
| JP3038321B2 (ja) | リーク量測定装置 | |
| JP2003254855A (ja) | 漏洩検出装置 | |
| JPS6093936A (ja) | リ−クデテクタ | |
| JPS6258127A (ja) | エアリ−クテスタ | |
| JPH03117800A (ja) | 危険ガス容器保管庫 |