JPH04194690A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
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- JPH04194690A JPH04194690A JP2327720A JP32772090A JPH04194690A JP H04194690 A JPH04194690 A JP H04194690A JP 2327720 A JP2327720 A JP 2327720A JP 32772090 A JP32772090 A JP 32772090A JP H04194690 A JPH04194690 A JP H04194690A
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Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、真空中のエミッタから放出された電子が、ロ
ーレンツ力により曲げられ、一対のコレクタの一方に多
く捕集されるようにした磁気センサに関する。
ーレンツ力により曲げられ、一対のコレクタの一方に多
く捕集されるようにした磁気センサに関する。
従来の磁気センサにおいては、半導体のバイポーラトラ
ンジスタで、一対のコレクタを形成して、エミッタから
放出された電子が、ベース中を走行中に被検出磁場によ
り曲げられ、一対のコレクタの一方に電子を多く流入さ
せるようにした磁気センサがある。又、電界放出形の電
子銃をもつ電子顕微鏡にあっては、真空中で、電子を放
出するエミッタと電子引き出し用のグリッド及び、陽極
であるコレクタを備えており、外部磁場によりローレン
ツ力で、偏向させる技術がある。
ンジスタで、一対のコレクタを形成して、エミッタから
放出された電子が、ベース中を走行中に被検出磁場によ
り曲げられ、一対のコレクタの一方に電子を多く流入さ
せるようにした磁気センサがある。又、電界放出形の電
子銃をもつ電子顕微鏡にあっては、真空中で、電子を放
出するエミッタと電子引き出し用のグリッド及び、陽極
であるコレクタを備えており、外部磁場によりローレン
ツ力で、偏向させる技術がある。
従来の二つのコレクタをもつバイポーラトランジスタ形
の磁気センサにあっては、ｎ形エミッタから放出された
電子はｐ形ベースに少数キャリアとして注入され、被検
出磁場によるローレンツ力により偏向を受け、一方のコ
レクタに多く集まるようになっており、二つのコレクタ
電流を差動増幅して、磁場の検出を行っているが、ベー
ス領域を走行する少数キャリアの電子は、散乱のため、
大きく偏向されないこと、エミッタ接合面積が−般にベ
ース幅に比べ大きいため、二つのコレクタ電流差が大き
くなり難いことなどのため、検出感度を大きくできない
という問題があった。電子の電界放出形の電子銃におい
ては、電子エミッタとグリッド間が大きく、電子を放出
させるためにここでの印加電圧も数ＫＶという大きな電
圧にせざるを得なかった。
の磁気センサにあっては、ｎ形エミッタから放出された
電子はｐ形ベースに少数キャリアとして注入され、被検
出磁場によるローレンツ力により偏向を受け、一方のコ
レクタに多く集まるようになっており、二つのコレクタ
電流を差動増幅して、磁場の検出を行っているが、ベー
ス領域を走行する少数キャリアの電子は、散乱のため、
大きく偏向されないこと、エミッタ接合面積が−般にベ
ース幅に比べ大きいため、二つのコレクタ電流差が大き
くなり難いことなどのため、検出感度を大きくできない
という問題があった。電子の電界放出形の電子銃におい
ては、電子エミッタとグリッド間が大きく、電子を放出
させるためにここでの印加電圧も数ＫＶという大きな電
圧にせざるを得なかった。
本発明は、エミッタとグリッド間を絶縁薄膜を介して、
例えば、数千オングストローム程度とし、このエミッタ
とグリッド間の低い電圧で電子を放出できるようにし、
更に絶縁膜ではさんだ極めて近接させた二つのコレクタ
をエミッタから数マイクロメータ程度層した所に設け、
真空中でエミッタからの電子を捕集させるようにした小
電圧で高感度かつ超小形の磁気センサを提供することを
目的としている。
例えば、数千オングストローム程度とし、このエミッタ
とグリッド間の低い電圧で電子を放出できるようにし、
更に絶縁膜ではさんだ極めて近接させた二つのコレクタ
をエミッタから数マイクロメータ程度層した所に設け、
真空中でエミッタからの電子を捕集させるようにした小
電圧で高感度かつ超小形の磁気センサを提供することを
目的としている。
上記目的を達成するために、本発明の磁気センナにおい
ては、半導体の微細加工技術を利用して、超小形の真空
室を形成し、ここに絶縁膜で分離したエミッタとグリッ
ド及び絶縁膜で分離した二つのコレクタを配置し、絶縁
膜の厚さを数千オングストローム、エミッタと二つのコ
レクタとの間隔は、数マイクロメータ程度と小さくする
。二つのコレクタには、はぼ同一の抵抗Ｒ３，Ｒｔをそ
れぞれ直列に接続することにより、これらを流わるコレ
クタ電流の変化を電圧の変化として検出することができ
る。被検出磁場Ｂが、印加されていないときは、それぞ
れのコレクタを流れる電流に基づく直列接続の抵抗Ｒ，
，Ｒ，の電圧降下が等しくなるようにこれらの抵抗Ｒ＋
、 Ｒｔの抵抗値を調整しておくとよい。エミッタか
らコレクタに向かう電子線が、ローレンツ力により偏向
されて、一方のコレクタに多く捕集されるようにエミッ
タ、コレクタ等を磁場に対して相対的に配置する必要が
ある。又、エミッタ表面には、仕事関数の小さい材料を
コーテングするか、その材料で、エミッタを形成するよ
うにすれば、電子が放出しやすくなるので好都合である
。更に、電子放出をしやすくするためにエミッタに光を
照射し、光電効果により、真空中に電子を放出させるこ
ともできる。又、電子放出は、エミッタ表面に吸着ガス
が存在すると困難になることか多いので、脱ガスを促進
し電子放出しやすくするために、１００℃程度に熱して
おくのもよい。この場合、熱容量を小さくし、ヒータの
消費電力を小さくさせるため、マイクロエアプリツノ上
にエミッタとグリッドを形成し、マイクロヒータで熱す
るようにした方がよい。このマイクロヒータの電極をエ
ミッタとして利用することもできる。
ては、半導体の微細加工技術を利用して、超小形の真空
室を形成し、ここに絶縁膜で分離したエミッタとグリッ
ド及び絶縁膜で分離した二つのコレクタを配置し、絶縁
膜の厚さを数千オングストローム、エミッタと二つのコ
レクタとの間隔は、数マイクロメータ程度と小さくする
。二つのコレクタには、はぼ同一の抵抗Ｒ３，Ｒｔをそ
れぞれ直列に接続することにより、これらを流わるコレ
クタ電流の変化を電圧の変化として検出することができ
る。被検出磁場Ｂが、印加されていないときは、それぞ
れのコレクタを流れる電流に基づく直列接続の抵抗Ｒ，
，Ｒ，の電圧降下が等しくなるようにこれらの抵抗Ｒ＋
、 Ｒｔの抵抗値を調整しておくとよい。エミッタか
らコレクタに向かう電子線が、ローレンツ力により偏向
されて、一方のコレクタに多く捕集されるようにエミッ
タ、コレクタ等を磁場に対して相対的に配置する必要が
ある。又、エミッタ表面には、仕事関数の小さい材料を
コーテングするか、その材料で、エミッタを形成するよ
うにすれば、電子が放出しやすくなるので好都合である
。更に、電子放出をしやすくするためにエミッタに光を
照射し、光電効果により、真空中に電子を放出させるこ
ともできる。又、電子放出は、エミッタ表面に吸着ガス
が存在すると困難になることか多いので、脱ガスを促進
し電子放出しやすくするために、１００℃程度に熱して
おくのもよい。この場合、熱容量を小さくし、ヒータの
消費電力を小さくさせるため、マイクロエアプリツノ上
にエミッタとグリッドを形成し、マイクロヒータで熱す
るようにした方がよい。このマイクロヒータの電極をエ
ミッタとして利用することもできる。
上記のように構成された磁気センサのエミッタと二つの
コレクタ’３＆、３ｂ間に例えば、直流電圧を印加し、
エミッタとグリッド間に直流電圧を印加すれば、エミッ
タから電子が真空中に放出され、二つのコレクタに電子
線が到達し、二つのコレクタ３ａ、３ｂにそれぞれ同程
度の電流が流れる。それぞれのコレクタ３ａ、３ｂに直
列接続した抵抗Ｒ，，Ｒ，での電圧降下を差動増幅して
、外部磁場が零のときには、差動出力が零になるように
抵抗Ｒ１，Ｒｔを調整しておけば、外部４！ｔｊ＃が存
在し、電子線をどちらかのコレクタ側にローレンツ力に
より偏向させられるようにすることにより、偏向させら
れた側のコレクタ電流が多くなるので、そのコレクタ側
の電圧降下が大きくなり、差動出力が変化し、磁場の向
きと大きさを検出することができる。尚、この時、磁場
の向きは、どちらのコレクタ側の電圧降下が大きかった
かにより判定され、磁場の、大きさは、その電圧降下す
なわち、コレクタ電流の大きさから判定できる。
コレクタ’３＆、３ｂ間に例えば、直流電圧を印加し、
エミッタとグリッド間に直流電圧を印加すれば、エミッ
タから電子が真空中に放出され、二つのコレクタに電子
線が到達し、二つのコレクタ３ａ、３ｂにそれぞれ同程
度の電流が流れる。それぞれのコレクタ３ａ、３ｂに直
列接続した抵抗Ｒ，，Ｒ，での電圧降下を差動増幅して
、外部磁場が零のときには、差動出力が零になるように
抵抗Ｒ１，Ｒｔを調整しておけば、外部４！ｔｊ＃が存
在し、電子線をどちらかのコレクタ側にローレンツ力に
より偏向させられるようにすることにより、偏向させら
れた側のコレクタ電流が多くなるので、そのコレクタ側
の電圧降下が大きくなり、差動出力が変化し、磁場の向
きと大きさを検出することができる。尚、この時、磁場
の向きは、どちらのコレクタ側の電圧降下が大きかった
かにより判定され、磁場の、大きさは、その電圧降下す
なわち、コレクタ電流の大きさから判定できる。
実施例について、図面を参照して説明する。第１図は、
本発明の磁気センナをンリコン（Ｓｉ）チップ上に形成
した場合の平面概略図、第２図は、第１図のｘ−ｘ′線
から見た断面概略図であり、第３図は、直流電源Ｅ１．
Ｅｔやコレクタ３ａ、３ｂに直列接続した抵抗Ｒ，，Ｒ
，などの回路構成をも示した本発明の磁気センナの測定
回路概略図である。本実施例の磁気センサは、以下のよ
うな工程で作成できる。まず、Ｓｉ基板１０上に熱酸化
Ｓｉｎ、膜１１を０．２μｍ厚に形成する。この上に、
エミッタ１、エミッタ電極ｌ′と一方のコレクタ３ａ、
コレクタ電極３ａ’ になる電極金属として、ＡＩ（０
゜０５８℃厚） 、 Ｍｇ（０，０５８℃厚） 、 Ｍ
ｏ （０，１μｍ厚）とＡＩ （０，０５８℃厚）の４
層構造になるようにＡＩと閾。では、スパッタリング形
成し、Ｍｇは、真空蒸着させる。上下のＡＩは、Ｓ＋Ｏ
ｔ膜との密着性を良くさせるためで、麗。は、ＨＦ系の
エッチャントに耐えるようにさせるためである。また、
Ｍｇは、金属及び酸化物のどちらも、仕事関数が小さく
、電子を放出させ易いから使用したものである。これら
の電極をフォトリソグラフィにより、リン酸系のＡＩエ
ッチャントでエッチする。このエッチャントにはＪｏ、
Ｍｇも可溶で、エミッタ電極１′と一方のコレクタ電
極３ａ′を第１図〜第３図に示すような形状にパターン
できる。尚、この時、真空室１５となるべき空洞領域は
、後の工程で形成するので、この電極パターン形成時に
は、エミッタ電極１′ と一方のコレクタ電極３２Ｌ′
とは、分離されずに−続きのパターンとなっている。
本発明の磁気センナをンリコン（Ｓｉ）チップ上に形成
した場合の平面概略図、第２図は、第１図のｘ−ｘ′線
から見た断面概略図であり、第３図は、直流電源Ｅ１．
Ｅｔやコレクタ３ａ、３ｂに直列接続した抵抗Ｒ，，Ｒ
，などの回路構成をも示した本発明の磁気センナの測定
回路概略図である。本実施例の磁気センサは、以下のよ
うな工程で作成できる。まず、Ｓｉ基板１０上に熱酸化
Ｓｉｎ、膜１１を０．２μｍ厚に形成する。この上に、
エミッタ１、エミッタ電極ｌ′と一方のコレクタ３ａ、
コレクタ電極３ａ’ になる電極金属として、ＡＩ（０
゜０５８℃厚） 、 Ｍｇ（０，０５８℃厚） 、 Ｍ
ｏ （０，１μｍ厚）とＡＩ （０，０５８℃厚）の４
層構造になるようにＡＩと閾。では、スパッタリング形
成し、Ｍｇは、真空蒸着させる。上下のＡＩは、Ｓ＋Ｏ
ｔ膜との密着性を良くさせるためで、麗。は、ＨＦ系の
エッチャントに耐えるようにさせるためである。また、
Ｍｇは、金属及び酸化物のどちらも、仕事関数が小さく
、電子を放出させ易いから使用したものである。これら
の電極をフォトリソグラフィにより、リン酸系のＡＩエ
ッチャントでエッチする。このエッチャントにはＪｏ、
Ｍｇも可溶で、エミッタ電極１′と一方のコレクタ電
極３ａ′を第１図〜第３図に示すような形状にパターン
できる。尚、この時、真空室１５となるべき空洞領域は
、後の工程で形成するので、この電極パターン形成時に
は、エミッタ電極１′ と一方のコレクタ電極３２Ｌ′
とは、分離されずに−続きのパターンとなっている。
この後、Ｓｔｅｗ膜１２全１２２μｌ程度の厚みにスパ
ッタリング形成する。更に、グリッド電極２′と他方の
コレクタ電極３ｂ’ になるべき電権金属である＾ｌ（
０，０５８℃厚）、ＭＯ（Ｏ１μｍ厚） 、 ＡＩ （
０，０５８℃厚）の三層構造にスパッタリング形成し、
エミッタ電極１′ と一方のコレクタ電極３ａ′の形成
時と同様に−続きのままでパターン形成する。次に低融
点ガラス膜１３を１．５μｍ程度スパッタ形成する。次
に真空室１５の形成と各電極のパッド部上のリード線取
り出し穴部１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、ｌａｄの形成をフ
ォトリソグラフィによるエツチングにより行う。その後
真空中で、透明ガラス板のふた１４を真空室１５上に乗
せ、低融点ガラス１３の融点（例えば、４５０℃）以上
に熱し、真空封止する。尚、エミッタ電極１′、グリッ
ド電極２′、コレクタ電極３ａ’ 、３ｂ′が、それぞ
れ真空室１５に面している箇所か、エミッタ１、グリッ
ド２、コレクタ３ａ、３ｂに対応している。
ッタリング形成する。更に、グリッド電極２′と他方の
コレクタ電極３ｂ’ になるべき電権金属である＾ｌ（
０，０５８℃厚）、ＭＯ（Ｏ１μｍ厚） 、 ＡＩ （
０，０５８℃厚）の三層構造にスパッタリング形成し、
エミッタ電極１′ と一方のコレクタ電極３ａ′の形成
時と同様に−続きのままでパターン形成する。次に低融
点ガラス膜１３を１．５μｍ程度スパッタ形成する。次
に真空室１５の形成と各電極のパッド部上のリード線取
り出し穴部１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、ｌａｄの形成をフ
ォトリソグラフィによるエツチングにより行う。その後
真空中で、透明ガラス板のふた１４を真空室１５上に乗
せ、低融点ガラス１３の融点（例えば、４５０℃）以上
に熱し、真空封止する。尚、エミッタ電極１′、グリッ
ド電極２′、コレクタ電極３ａ’ 、３ｂ′が、それぞ
れ真空室１５に面している箇所か、エミッタ１、グリッ
ド２、コレクタ３ａ、３ｂに対応している。
このようにして形成された磁気センサ素子の各電極パッ
ドから、第３図に示すようにリード線を取り、エミッタ
電極１′ とグリッド電極２′ との間には、グリッド
側が正になるように例えば１ｏｖの直流電源Ｅ、を接続
し、一方のコレクタ電極３３′には、ＩＭΩ程度を可変
抵抗ＲＩを、他方のコレクタ電極３ｂ′にはＩＭΩの固
定抵抗Ｒ２を接続し、更に、これらの可変抵抗Ｒ１と固
定抵抗Ｒ２のコレクタと反対側を共通点Ｇとし、この共
通点Ｇに対して、エミッタＩが負の３０Ｖとなるように
電源Ｅ、を接続する。このような回路構成にすれば、二
つのコレクタ３ａ、３ｂには、エミッタ１から真空室１
５中に引き出された電子が、はぼ平等に二つのコレクタ
３ａ、３ｂに流入し、それぞれ、１１．Ｉｔなる電流に
なる。この電流１＋。
ドから、第３図に示すようにリード線を取り、エミッタ
電極１′ とグリッド電極２′ との間には、グリッド
側が正になるように例えば１ｏｖの直流電源Ｅ、を接続
し、一方のコレクタ電極３３′には、ＩＭΩ程度を可変
抵抗ＲＩを、他方のコレクタ電極３ｂ′にはＩＭΩの固
定抵抗Ｒ２を接続し、更に、これらの可変抵抗Ｒ１と固
定抵抗Ｒ２のコレクタと反対側を共通点Ｇとし、この共
通点Ｇに対して、エミッタＩが負の３０Ｖとなるように
電源Ｅ、を接続する。このような回路構成にすれば、二
つのコレクタ３ａ、３ｂには、エミッタ１から真空室１
５中に引き出された電子が、はぼ平等に二つのコレクタ
３ａ、３ｂに流入し、それぞれ、１１．Ｉｔなる電流に
なる。この電流１＋。
■、によるそれぞれ抵抗Ｒ１，Ｒｔでの電圧降下Ｖ１、
■、が、外部磁場Ｂが零の場合には、等しくなるように
、可変抵抗Ｒ，を調整しておく。従って、外部磁場Ｂ＝
０のときには、各抵抗Ｒ１とＲ７との電圧降下■、とＶ
、の差動増幅出力も零になる。しかし、外部磁場Ｂの印
加方向がエミッタｌからの電子線がコレクタ３ａの方に
多く流入するような方向に印加されれば、抵抗Ｒ，を通
る電流１１が多くなり、その電圧降下ｖ１がＶ、より大
きくなるので、これらの差動増幅出力か増加することに
なる。
■、が、外部磁場Ｂが零の場合には、等しくなるように
、可変抵抗Ｒ，を調整しておく。従って、外部磁場Ｂ＝
０のときには、各抵抗Ｒ１とＲ７との電圧降下■、とＶ
、の差動増幅出力も零になる。しかし、外部磁場Ｂの印
加方向がエミッタｌからの電子線がコレクタ３ａの方に
多く流入するような方向に印加されれば、抵抗Ｒ，を通
る電流１１が多くなり、その電圧降下ｖ１がＶ、より大
きくなるので、これらの差動増幅出力か増加することに
なる。
このようにして、どちらのコレクタに電流が多く流入す
るかにより磁場Ｂの印加力向が判定でき、その電流の大
きさから、磁場Ｂの大きさが判定できる。このようにし
て、本発明の磁気センサが構成され、動作する。上記実
施例では、グリッド電極２′ として、別に電極を設け
たが、エミッタ電極１′とグリッド電極２′の間の電界
が非常に大きく、絶縁破壊を生じやすい。Ｓｉの熱酸化
膜は、極めて絶縁耐力が大きいので、第２図における熱
酸化Ｓｉｎ、膜１１をエミッタ電極１′とグリッド電極
２′の間の絶縁膜として使用することもできる。
るかにより磁場Ｂの印加力向が判定でき、その電流の大
きさから、磁場Ｂの大きさが判定できる。このようにし
て、本発明の磁気センサが構成され、動作する。上記実
施例では、グリッド電極２′ として、別に電極を設け
たが、エミッタ電極１′とグリッド電極２′の間の電界
が非常に大きく、絶縁破壊を生じやすい。Ｓｉの熱酸化
膜は、極めて絶縁耐力が大きいので、第２図における熱
酸化Ｓｉｎ、膜１１をエミッタ電極１′とグリッド電極
２′の間の絶縁膜として使用することもできる。
この場合、グリッド電極２′として、Ｓｉ基板ｌＯを利
用し、真空室１５の下部に当たる熱酸化Ｓｌｌ模膜１を
除去し、露出したＳｉ基板ｌＯの表面を空乏層の極めて
小さい低抵抗にするために゛リンを拡散して高濃度にし
ておくのが良い。上記実施例で、透明ガラス板のふた１
４を真空室１５の真空封止に使用したが、この透明ガラ
ス板のふた１４の外から、光をエミッタ１の表面に照射
して光電効果をも利用することができる。又、この磁気
センサを磁気メモリの読み出しに使用するとき、この極
微小領域の磁気を真空室Ｉ５に導くために、高透磁率で
、高周波特性のよい軟磁性体薄膜をスパッタなどで形成
し、パターン化ビて、外部と真空室１５とを結ぶように
することもできる。
用し、真空室１５の下部に当たる熱酸化Ｓｌｌ模膜１を
除去し、露出したＳｉ基板ｌＯの表面を空乏層の極めて
小さい低抵抗にするために゛リンを拡散して高濃度にし
ておくのが良い。上記実施例で、透明ガラス板のふた１
４を真空室１５の真空封止に使用したが、この透明ガラ
ス板のふた１４の外から、光をエミッタ１の表面に照射
して光電効果をも利用することができる。又、この磁気
センサを磁気メモリの読み出しに使用するとき、この極
微小領域の磁気を真空室Ｉ５に導くために、高透磁率で
、高周波特性のよい軟磁性体薄膜をスパッタなどで形成
し、パターン化ビて、外部と真空室１５とを結ぶように
することもできる。
本発明は、上述のように構成されているので、次のよう
な効果がある。先ず、半導体の微細加工技術が使用でき
るので、０１μｍ程度の薄い＃膜のエミッタ電極１′、
グリッド電極２′、一対のコレクタ電極３ａ’ 、３ｂ
’ 、絶縁膜の形成及びそのパターン化が可能で、更に
、非常に小形の真空室１５が形成できるので、エミッタ
Ｉとコレクタ３ａ。
な効果がある。先ず、半導体の微細加工技術が使用でき
るので、０１μｍ程度の薄い＃膜のエミッタ電極１′、
グリッド電極２′、一対のコレクタ電極３ａ’ 、３ｂ
’ 、絶縁膜の形成及びそのパターン化が可能で、更に
、非常に小形の真空室１５が形成できるので、エミッタ
Ｉとコレクタ３ａ。
３ｂ間及びエミッタ１とグリッド２間の印加電圧が小さ
くできる。又、一対のコレクタ３ａと３ｂとの間隔が極
めて狭くでき、かつ真空中での電子線の偏向なので、微
小磁場Ｂの下でも二つのコレクタ電流Ｉ３、■、の変化
が検出でき、高速動作ができる。このように、本発明の
磁気センサは、小形で高感度高速応答磁気センサとなり
得る。
くできる。又、一対のコレクタ３ａと３ｂとの間隔が極
めて狭くでき、かつ真空中での電子線の偏向なので、微
小磁場Ｂの下でも二つのコレクタ電流Ｉ３、■、の変化
が検出でき、高速動作ができる。このように、本発明の
磁気センサは、小形で高感度高速応答磁気センサとなり
得る。
第１図は、本発明の磁気センサの平面概略図。
第２図は、第１図のｘ−ｘ’線より見た断面概略図、第
３図は、磁気センサの測定回路構成を示した概略図であ
る。 ■・・・エミッタ、ｉ′ ・・・エミッタ電極、２・
・・グリッド、２′ ・・・グリッド電極、 ３ユ。 ３ｂ・・・コレクタ、３ａ′、３ｂ′ ・・・コレクタ
電極、１０・・・Ｓｉ基板、 １１．１２・・・Ｓｉｎ
。 膜、１３・・・低融点ガラス、１４・・・ふた。 １５−−−真空室、 １６ａ、 １６ｂ、 １６ｃ、
１６ｄ ・・・リード線引き出し穴
３図は、磁気センサの測定回路構成を示した概略図であ
る。 ■・・・エミッタ、ｉ′ ・・・エミッタ電極、２・
・・グリッド、２′ ・・・グリッド電極、 ３ユ。 ３ｂ・・・コレクタ、３ａ′、３ｂ′ ・・・コレクタ
電極、１０・・・Ｓｉ基板、 １１．１２・・・Ｓｉｎ
。 膜、１３・・・低融点ガラス、１４・・・ふた。 １５−−−真空室、 １６ａ、 １６ｂ、 １６ｃ、
１６ｄ ・・・リード線引き出し穴
Claims (1)
- 電子を放出するエミッタ１、このエミッタ１と絶縁膜を
介して配置したグリッド２、エミッタ１と真空中で対向
し、互いに絶縁薄膜を介して配置した一対のコレクタ３
ａ、３ｂを備え、エミッタ１から放出された電子線が被
検出磁場によるローレンツ力により一対のコレクタ３ａ
、３ｂのうち、一方に多く捕集されるように構成して、
コレクタ３ａ、３ｂを流れる電流変化から磁場を検出す
るようにした磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2327720A JP3007976B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2327720A JP3007976B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 磁気センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04194690A true JPH04194690A (ja) | 1992-07-14 |
| JP3007976B2 JP3007976B2 (ja) | 2000-02-14 |
Family
ID=18202237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2327720A Expired - Lifetime JP3007976B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3007976B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06308207A (ja) * | 1993-04-26 | 1994-11-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 磁気センサ |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12523551B2 (en) | 2021-08-13 | 2026-01-13 | Analog Devices, Inc. | Package stress sensor with hall cancellation |
| US12259285B2 (en) | 2021-08-13 | 2025-03-25 | Analog Devices, Inc. | Package stress sensor |
-
1990
- 1990-11-27 JP JP2327720A patent/JP3007976B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06308207A (ja) * | 1993-04-26 | 1994-11-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 磁気センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3007976B2 (ja) | 2000-02-14 |
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