JPH04195042A - 感光性樹脂膜の形成方法 - Google Patents
感光性樹脂膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH04195042A JPH04195042A JP2322796A JP32279690A JPH04195042A JP H04195042 A JPH04195042 A JP H04195042A JP 2322796 A JP2322796 A JP 2322796A JP 32279690 A JP32279690 A JP 32279690A JP H04195042 A JPH04195042 A JP H04195042A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- photosensitive resin
- resin film
- light
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は半導体装置及び薄膜多層基板等に用いられる感
光性耐熱樹脂あるいはそれらの製造工程に用いられるホ
トレジストの露光、現像によるパターン形成方法に関す
るものである。
光性耐熱樹脂あるいはそれらの製造工程に用いられるホ
トレジストの露光、現像によるパターン形成方法に関す
るものである。
一般にネガ形の感光性樹脂は露光量の少ない場合には、
パターニング性が良好である反面、残膜率が悪く、露光
量の多い場合には、残膜率が良好である反面、パターニ
ング性が悪いので、パターニング性と残膜率の双方を良
好にする露光量はないという特性がある。
パターニング性が良好である反面、残膜率が悪く、露光
量の多い場合には、残膜率が良好である反面、パターニ
ング性が悪いので、パターニング性と残膜率の双方を良
好にする露光量はないという特性がある。
上記において露光量が多い場合、パターニング性が悪い
のは、光の回折により未露光部への光の回り込み量が多
（なる為である。
のは、光の回折により未露光部への光の回り込み量が多
（なる為である。
また、ネガ形の感光性樹脂は膜厚が厚い場合には現像時
に膜の下層が上層よりも現像されやすくパターン断面形
状が逆テーパになりバターニング性が悪いという特性が
ある。
に膜の下層が上層よりも現像されやすくパターン断面形
状が逆テーパになりバターニング性が悪いという特性が
ある。
上記において、感光性樹脂の膜厚が厚い場合には現像時
に膜の下層が上層よりも現像されやすくなるのは、膜厚
が厚い場合に紫外光が膜の下層まで十分届かない為であ
る。
に膜の下層が上層よりも現像されやすくなるのは、膜厚
が厚い場合に紫外光が膜の下層まで十分届かない為であ
る。
従来感光性樹脂の露光においてバターニング性と残膜率
の双方を良好にする感光性樹脂膜の形成方法としては、
例えば特開昭６２−２７９６２８号公報に示されるよう
に、パターン寸法の大小異なる各ホトマスクを用いてそ
れぞれ１回ずつ合計２回の露光を行う方法がある。
の双方を良好にする感光性樹脂膜の形成方法としては、
例えば特開昭６２−２７９６２８号公報に示されるよう
に、パターン寸法の大小異なる各ホトマスクを用いてそ
れぞれ１回ずつ合計２回の露光を行う方法がある。
上記の従来技術は、１回目の露光量を少なくしてバター
ニング性を良好にし、２回目の露光はホトマスクの寸法
を未露光部への回り込みを見込んで、遮光部首法を大き
くしたホトマスクを用いて露光量を多くすることにより
、パターニング性と残膜率の双方を良好にする樹脂膜の
形成方法である。
ニング性を良好にし、２回目の露光はホトマスクの寸法
を未露光部への回り込みを見込んで、遮光部首法を大き
くしたホトマスクを用いて露光量を多くすることにより
、パターニング性と残膜率の双方を良好にする樹脂膜の
形成方法である。
上記の従来技術は、露光を２回行う必要があることから
工程数が多くなり、ホトマスクを２種類使用することか
らホトマスクの管理、交換等の工数が多くなる課題があ
る。また、露光時の基板とホトマスクの位置合わせ精度
が悪い場合には１回目と２回目の露光パターンがずれて
加工形状が悪くなる課題があった。
工程数が多くなり、ホトマスクを２種類使用することか
らホトマスクの管理、交換等の工数が多くなる課題があ
る。また、露光時の基板とホトマスクの位置合わせ精度
が悪い場合には１回目と２回目の露光パターンがずれて
加工形状が悪くなる課題があった。
本発明は１回の露光で感光性樹脂のパターン加工精度及
び残膜率を良好にすることができる感光性樹脂の形成方
法を提供することを目的とする。
び残膜率を良好にすることができる感光性樹脂の形成方
法を提供することを目的とする。
上記課題は露光時に露光部と未露光部境界に中間露光量
領域を設けて露光を行うことにより解決される。
領域を設けて露光を行うことにより解決される。
露光部パターンと未露光部境界に中間露光量領域を設け
て、露光部と中間露光量領域との露光量の差をつけるこ
とが出来、中間露光量領域では露光量を少なくしてパタ
ーニング性を良好にし、露光部の露光量を多くして残膜
率を良好にすることにより、パターニング性と残膜率の
双方を良好にすることが可能となる。
て、露光部と中間露光量領域との露光量の差をつけるこ
とが出来、中間露光量領域では露光量を少なくしてパタ
ーニング性を良好にし、露光部の露光量を多くして残膜
率を良好にすることにより、パターニング性と残膜率の
双方を良好にすることが可能となる。
以下、特許請求の範囲第２項の一実施例を、図面を用い
て説明する。
て説明する。
第１図において、基板１上には公知の方法によりＡＩ配
線２が形成されている。ネガ形の感光性樹脂膜３は基板
１上にｐｈｏｔｏ−ＰＡＬ（感光性ポリイミド、日立化
成株式会社の商標）をスピン塗布した後、８５℃、 ３
０ｍ１ｎのプリベークにより形成されている。ホトマス
ク４は遮光部パターン５と光透過量調整機能を持つフィ
ルター６と光透過部７を有する。このフィルター６の光
透過率は光透過部７の２５％である。紫外光８の光源は
超高圧水銀灯であり感光に有効な輝線スペクトルは３６
５．４０５．４３６ｎｍであり、露光量は２００ｍｊ／
ａｎ！ （３６５ｎｍで測定）である。
線２が形成されている。ネガ形の感光性樹脂膜３は基板
１上にｐｈｏｔｏ−ＰＡＬ（感光性ポリイミド、日立化
成株式会社の商標）をスピン塗布した後、８５℃、 ３
０ｍ１ｎのプリベークにより形成されている。ホトマス
ク４は遮光部パターン５と光透過量調整機能を持つフィ
ルター６と光透過部７を有する。このフィルター６の光
透過率は光透過部７の２５％である。紫外光８の光源は
超高圧水銀灯であり感光に有効な輝線スペクトルは３６
５．４０５．４３６ｎｍであり、露光量は２００ｍｊ／
ａｎ！ （３６５ｎｍで測定）である。
ネガ形の感光性樹脂膜３にホ）・マスク４を介して紫外
光８を照射すると、光透過部７の直下での露光量は２０
０ｍｊ／ｃｕｔ、光透過量調整機能を持つフィルター６
直下での露光量は５０ｍｊ／ｃｆｆｌ、遮光部パターン
５直下での露光量はＯｍｊ／ｃ＋＋！どなる。
光８を照射すると、光透過部７の直下での露光量は２０
０ｍｊ／ｃｕｔ、光透過量調整機能を持つフィルター６
直下での露光量は５０ｍｊ／ｃｆｆｌ、遮光部パターン
５直下での露光量はＯｍｊ／ｃ＋＋！どなる。
このように露光を行った感光性樹脂膜３を前記ｐｈｏｔ
ｏ−ＰＡＬ用の現像液を用い、２５℃、 ］００ｍ１の
条件のもとて現像を行い、さらに１８０℃のＮ２中で、
３０ｍ１ｎ、４００℃のＮ２中で、３０ｍ１ｎのキュア
を行う。
ｏ−ＰＡＬ用の現像液を用い、２５℃、 ］００ｍ１の
条件のもとて現像を行い、さらに１８０℃のＮ２中で、
３０ｍ１ｎ、４００℃のＮ２中で、３０ｍ１ｎのキュア
を行う。
上述した露光量５０ｍｊ ／ ａｌｌの領域では良好な
バターニング性が得られ、露光量２００ｍｊ／ｃｒｌの
領域では良好な残膜率が得られるので、本実施例によれ
ば１回の露光でパターニング性と残膜率の双方を良好に
することが可能である。
バターニング性が得られ、露光量２００ｍｊ／ｃｒｌの
領域では良好な残膜率が得られるので、本実施例によれ
ば１回の露光でパターニング性と残膜率の双方を良好に
することが可能である。
次に、特許請求の範囲第３項の一実施例を、図面を用い
て説明する。
て説明する。
第２図において、基板１上には公知の方法によりＡ１配
線２が形成されている。ネガ形の感光性樹脂膜３は基板
１上にｐｈｏｔｏ−ＰＡＬ（感光性ポリイミド、日立化
成株式会社の商標）をスピン塗布した後、８５°Ｃ，３
０ｍ１ｎのプリベークにより形成されてる。ホトマスク
４は遮光部パターン５と光波長選択機能を持つフィルタ
ー６と光透過部７を有する。
線２が形成されている。ネガ形の感光性樹脂膜３は基板
１上にｐｈｏｔｏ−ＰＡＬ（感光性ポリイミド、日立化
成株式会社の商標）をスピン塗布した後、８５°Ｃ，３
０ｍ１ｎのプリベークにより形成されてる。ホトマスク
４は遮光部パターン５と光波長選択機能を持つフィルタ
ー６と光透過部７を有する。
このフィルター６の透過波長範囲は４２０〜４６０ｎｍ
である。紫外光８の光源は超高圧水銀灯であり感光に有
効な輝線スペクトルは３６５．４０５．４３６ｎｍであ
り、露光量は２００ｍｊ／ａＩ！（３６５ｎｍで測定）
である。
である。紫外光８の光源は超高圧水銀灯であり感光に有
効な輝線スペクトルは３６５．４０５．４３６ｎｍであ
り、露光量は２００ｍｊ／ａＩ！（３６５ｎｍで測定）
である。
ネガ形の感光性樹脂膜３にホトマスク４を介して紫外光
８を照射すると、光透過部７の直下での露光輝線スペク
トルは３６５．４０５．４３６ｎｍ、フィルター６直下
での露光輝線スペクトルは４３６ｎｍとなる。
８を照射すると、光透過部７の直下での露光輝線スペク
トルは３６５．４０５．４３６ｎｍ、フィルター６直下
での露光輝線スペクトルは４３６ｎｍとなる。
このように露光を行った感光性樹脂膜３を前記ｐｈｏｔ
ｏ−ＰＡＬ用の現像液を用い、２５℃、 １０ｍ１ｎの
条件のもとて現像を行い、さらに１８０℃のＮユ中で、
３０ｍ１ｎ、４００℃のＮ２中で、３０ｍ１ｎのキュア
を行う。
ｏ−ＰＡＬ用の現像液を用い、２５℃、 １０ｍ１ｎの
条件のもとて現像を行い、さらに１８０℃のＮユ中で、
３０ｍ１ｎ、４００℃のＮ２中で、３０ｍ１ｎのキュア
を行う。
上述した露光輝線スペクトル４３６ｎｍの領域では良好
なパターニング性が得られ、露光輝線スペクトル３６５
．４０５．４３６ｎｍの領域では良好な残膜率が得られ
るので、本実施例によれば１回の露光でパターニング性
と残膜率の双方を良好にすることが可能である。
なパターニング性が得られ、露光輝線スペクトル３６５
．４０５．４３６ｎｍの領域では良好な残膜率が得られ
るので、本実施例によれば１回の露光でパターニング性
と残膜率の双方を良好にすることが可能である。
次に、特許請求の範囲第４項の一実施例を、図面を用い
て説明する。
て説明する。
第３図において、基板】上には公知の方法によりＡ１配
線２が形成されている。ネガ形の感光性樹脂膜３は基板
１上にｐｈｏｔｏ−ＰＡｌ、 （感光性ポリイミド、日
立化成株式会社の商標）をスピン塗布した後、８５℃、
３０ｍ１ｎのプリベークにより形成されている。ホト
マスク４は遮光部パターン５と光透過部７を有する。紫
外光８の光源は超高圧水銀灯であり感光に有効な輝線ス
ペクトルは３６５，４０５゜４３６ｎｍであり、露光量
は２００ｍｊ／ｃｒｌ（３６５ｎｍ テ測定）である。
線２が形成されている。ネガ形の感光性樹脂膜３は基板
１上にｐｈｏｔｏ−ＰＡｌ、 （感光性ポリイミド、日
立化成株式会社の商標）をスピン塗布した後、８５℃、
３０ｍ１ｎのプリベークにより形成されている。ホト
マスク４は遮光部パターン５と光透過部７を有する。紫
外光８の光源は超高圧水銀灯であり感光に有効な輝線ス
ペクトルは３６５，４０５゜４３６ｎｍであり、露光量
は２００ｍｊ／ｃｒｌ（３６５ｎｍ テ測定）である。
また、感光性樹脂膜３とホトマスク４の間隔９は３０μ
ｍである。
ｍである。
ネガ形の感光性樹脂膜３にホトマスク４を介して紫外光
８を照射すると、遮光部パターン５と光透過部７の境界
部の直下に紫外光８の回折により中間露光量領域が生じ
る。
８を照射すると、遮光部パターン５と光透過部７の境界
部の直下に紫外光８の回折により中間露光量領域が生じ
る。
このように露光を行った感光性樹脂膜３を前記ｐｈｏｔ
ｏ−ＰＡＬ用の現像液を用い、２５℃、１０ｍ１ｎの条
件のもとて現像を行い、さらに１８０’ｃのＮ、中で、
３０ｍ１ｎ、４０℃のＮつ中で、３０ｍ１ｎのキュアを
行う。
ｏ−ＰＡＬ用の現像液を用い、２５℃、１０ｍ１ｎの条
件のもとて現像を行い、さらに１８０’ｃのＮ、中で、
３０ｍ１ｎ、４０℃のＮつ中で、３０ｍ１ｎのキュアを
行う。
上述した中間露光量領域では現像時に感光性樹脂膜ｊの
表面も現像されるので感光性樹脂膜３の膜厚が厚い場合
でも感光性樹脂膜３の現像パターンの断面形状が逆テー
パになりにくいので良好なパターニング性が得られ、露
光量２００ｍｊ／ａ＋！の露光領域では良好な残膜率が
得られるので、本実施例によれば１回の露光でパターニ
ング性と残膜率の双方を良好にすることが可能である。
表面も現像されるので感光性樹脂膜３の膜厚が厚い場合
でも感光性樹脂膜３の現像パターンの断面形状が逆テー
パになりにくいので良好なパターニング性が得られ、露
光量２００ｍｊ／ａ＋！の露光領域では良好な残膜率が
得られるので、本実施例によれば１回の露光でパターニ
ング性と残膜率の双方を良好にすることが可能である。
「発明の効果〕
本発明によれは、感光性樹脂膜のパターンの断面形状、
パターン寸法及び膜厚を良好にすることが出来、感光性
樹脂膜の微細加工及び厚膜加工が可能である。
パターン寸法及び膜厚を良好にすることが出来、感光性
樹脂膜の微細加工及び厚膜加工が可能である。
第１図は本発明の請求項第２項の感光性樹脂膜の形成方
法の一実施例を示す図、第２図は本発明の請求項第３項
の感光性樹脂膜の形成方法の一実施例を示す図、第３図
は本発明の請求項第４項の感光性樹脂膜の形成方法の一
実施例を示す図である。 １・・基板、２・・・Ａ１配線、３・・感光性樹脂膜、
４・・ホトマスク、５ ・遮光部パターン、６・・・フ
ィルター、７・・・光透過部、８・・紫外光、９・・・
感光性樹脂膜とホ１へマスクの間隔。
法の一実施例を示す図、第２図は本発明の請求項第３項
の感光性樹脂膜の形成方法の一実施例を示す図、第３図
は本発明の請求項第４項の感光性樹脂膜の形成方法の一
実施例を示す図である。 １・・基板、２・・・Ａ１配線、３・・感光性樹脂膜、
４・・ホトマスク、５ ・遮光部パターン、６・・・フ
ィルター、７・・・光透過部、８・・紫外光、９・・・
感光性樹脂膜とホ１へマスクの間隔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下地基板、配線層および樹脂膜からなる装置の製造
工程における感光性樹脂膜の形成方法において、露光時
に露光部と未露光部境界に中間露光量領域を設けて露光
を行うことにより、所定のパターンを形成することを特
徴とする感光性樹脂膜の形成方法。 ２、上記露光時に遮光部パターンと光透過部境界に光透
過量調整機能を有するフィルター部を設けたホトマスク
を用いて露光を行うことにより所定のパターンを形成す
ることを特徴とする請求項第１項記載の感光性樹脂膜の
形成方法。 ３、上記露光時に遮光部パターンと光透過部境界に光波
長選択機能を有するフィルター部を設けたホトマスクを
用いて露光を行うことにより、所定のパターンを形成す
ることを特徴とする請求項第１項記載の感光性樹脂膜の
形成方法。 ４、上記露光時に近接露光法あるいは投影露光法を用い
て露光部パターンと未露光部境界の中間露光量領域の幅
を調整して露光を行うことにより所定のパターンを形成
することを特徴とする請求項第１項記載の感光性樹脂膜
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2322796A JPH04195042A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 感光性樹脂膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2322796A JPH04195042A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 感光性樹脂膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04195042A true JPH04195042A (ja) | 1992-07-15 |
Family
ID=18147727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2322796A Pending JPH04195042A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 感光性樹脂膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04195042A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008181038A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-07 | Sony Corp | 露光マスク、パターン形成方法、半導体装置の製造方法、および表示装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP2322796A patent/JPH04195042A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008181038A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-07 | Sony Corp | 露光マスク、パターン形成方法、半導体装置の製造方法、および表示装置の製造方法 |
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