JPH04196189A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH04196189A JPH04196189A JP2323582A JP32358290A JPH04196189A JP H04196189 A JPH04196189 A JP H04196189A JP 2323582 A JP2323582 A JP 2323582A JP 32358290 A JP32358290 A JP 32358290A JP H04196189 A JPH04196189 A JP H04196189A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
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- H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
-
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- H01S5/022—Mountings; Housings
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- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
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-
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- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光情報処理、光計測、光通信等に用いる半導
体レーザ装置に関するものである。
体レーザ装置に関するものである。
従来の技術
従来の半導体レーザ装置を第６図に示した断面図を参照
して説明する。
して説明する。
この構造は、素子固定台１の一側面の」一方にヒートシ
ンク２を固定し、この上に半導体レーザチップ（以後レ
ーザデツプと記す）３を固定し、レーザチップ３の発光
面とヒートシンク２の側面および素子固定台１の上面を
揃えるとともに、レーザデツプ３の発光面とは反対側に
レーザ出力光検出用フォトダイオードが載置され、素子
固定台１の」−面に信号検出用フォトダイオード５が載
置されたものである。
ンク２を固定し、この上に半導体レーザチップ（以後レ
ーザデツプと記す）３を固定し、レーザチップ３の発光
面とヒートシンク２の側面および素子固定台１の上面を
揃えるとともに、レーザデツプ３の発光面とは反対側に
レーザ出力光検出用フォトダイオードが載置され、素子
固定台１の」−面に信号検出用フォトダイオード５が載
置されたものである。
次に、この構造の動作を説明する。レーザチップ２から
図面の上方に出射された出射光６は、対象物に反射され
て反射光７として信号検出用フォトダイオード５に入力
され、信号処理される。−方、レーザチップ３の出射光
面の反対側から出射されるレーザ光は、レーザ出力光検
出用フォトダイオード４に入力され、レーザ光の強弱に
対応した電流信号に変換される。この信号をレーザチッ
プ駆動回路にフィードバックさせてレーザ光の出力を安
定に制御する。
図面の上方に出射された出射光６は、対象物に反射され
て反射光７として信号検出用フォトダイオード５に入力
され、信号処理される。−方、レーザチップ３の出射光
面の反対側から出射されるレーザ光は、レーザ出力光検
出用フォトダイオード４に入力され、レーザ光の強弱に
対応した電流信号に変換される。この信号をレーザチッ
プ駆動回路にフィードバックさせてレーザ光の出力を安
定に制御する。
この従来の構成では、信号検出用フォトダイオード５と
レーザ出力光検出用フォトダイオード４は素子固定台１
に対して水平と水平に近い面内に固定させるのに対して
、レーザチップ３は垂直面内に固定しなければならない
ので、組立作業効率が悪く、位置合わせ精度に大きな問
題があった。
レーザ出力光検出用フォトダイオード４は素子固定台１
に対して水平と水平に近い面内に固定させるのに対して
、レーザチップ３は垂直面内に固定しなければならない
ので、組立作業効率が悪く、位置合わせ精度に大きな問
題があった。
この問題を解決する構造として、第７図の断面図に示す
ような半導体レーザ装置がある。
ような半導体レーザ装置がある。
この構造は、（１００）面のシリコン基板８に、両側の
斜面が（１１１）面により形成されるＶ状の溝が形成さ
れ、同溝の斜面のうち一方の面をレーザ出射光を反射さ
せる反射ミラー面つとし、これに対向する面側のシリコ
ン基板８の主面を他方の主面に対して低くし、低くした
シリコン基板の主面とＶ状の溝の斜面とが交わる稜線に
レーザチップ３のレーザ光が出射される前方端面面が平
行になるようにレーザチップ３が固定されたものである
。
斜面が（１１１）面により形成されるＶ状の溝が形成さ
れ、同溝の斜面のうち一方の面をレーザ出射光を反射さ
せる反射ミラー面つとし、これに対向する面側のシリコ
ン基板８の主面を他方の主面に対して低くし、低くした
シリコン基板の主面とＶ状の溝の斜面とが交わる稜線に
レーザチップ３のレーザ光が出射される前方端面面が平
行になるようにレーザチップ３が固定されたものである
。
この構造によれば、レーザデツプ３より、水平方向に出
射された出射光を反射ミラー面９て反射されて、はぼ上
方へ取り出すことができる。これにより、信号検出用フ
ォトダイオード（図示せず）やレーザ出力検出用フォト
ダイオード（図示せず）をシリコン基板８の主面に載置
することができ、位置合わせ精度を上げることができる
。
射された出射光を反射ミラー面９て反射されて、はぼ上
方へ取り出すことができる。これにより、信号検出用フ
ォトダイオード（図示せず）やレーザ出力検出用フォト
ダイオード（図示せず）をシリコン基板８の主面に載置
することができ、位置合わせ精度を上げることができる
。
発明が解決しようとする課題
（１００）面のシリコン基板８に、斜面が（１１１）面
により形成されるＶ状の溝を形成した場合、溝の取射ミ
ラー面９とシリコン基板８の表面に対する傾きθが約５
４°となるため、出射光の中心軸はシリコン基板主面の
垂直方向より約１８°傾いてしまうという問題点があっ
た。
により形成されるＶ状の溝を形成した場合、溝の取射ミ
ラー面９とシリコン基板８の表面に対する傾きθが約５
４°となるため、出射光の中心軸はシリコン基板主面の
垂直方向より約１８°傾いてしまうという問題点があっ
た。
また、各種用途のフォトダイオードをシリコン基板」二
に載置しなければならず、組立工程が複雑＝ ５− になるという問題点があった。
に載置しなければならず、組立工程が複雑＝ ５− になるという問題点があった。
課題を解決するための手段
本発明の半導体レーザ装置は、＜１１０＞方向を軸とし
て５〜１５°のオフアングルを有する（１００）面のシ
リコン基板上に、（１１１）面により形成されたＶ状の
溝が形成され、前記（１，１１）面のうち前記シリコン
基板表面に対する傾きが４５°に近い面をレーザ光を反
射させる反射ミラー面とし、この面に対向する側のシリ
コン基板の主面を他方の主面に対して低（し、更に、こ
の反射ミラー面に対向する面の上端稜線に対して半導体
レーザチップの前方端面が平行になるように前記半導体
レーザチップが前記シリコン基板に固定されるとともに
、反射ミラー面内のシリコン基板上もしくは前記半導体
レーザチップの後方の前記シリコン基板上にレーザ出力
光検出用フォトダイオードが形成され、さらに前記シリ
コン基板上に信号検出用フォトダイオード、レーザ駆動
回路、増幅回路および光信号処理回路のうちいずれか１
以上が形成されたものである。
て５〜１５°のオフアングルを有する（１００）面のシ
リコン基板上に、（１１１）面により形成されたＶ状の
溝が形成され、前記（１，１１）面のうち前記シリコン
基板表面に対する傾きが４５°に近い面をレーザ光を反
射させる反射ミラー面とし、この面に対向する側のシリ
コン基板の主面を他方の主面に対して低（し、更に、こ
の反射ミラー面に対向する面の上端稜線に対して半導体
レーザチップの前方端面が平行になるように前記半導体
レーザチップが前記シリコン基板に固定されるとともに
、反射ミラー面内のシリコン基板上もしくは前記半導体
レーザチップの後方の前記シリコン基板上にレーザ出力
光検出用フォトダイオードが形成され、さらに前記シリ
コン基板上に信号検出用フォトダイオード、レーザ駆動
回路、増幅回路および光信号処理回路のうちいずれか１
以上が形成されたものである。
作用
この構造によれば、シリコン基板の主面が（１００）面
より５〜１５°のオフアングルを設けた面になっている
ため、（１１１）面により形成されたＶ状の溝の反射ミ
ラー面とシリコン基板の主面との角度θを３９°≦θ≦
４９°の範囲にすることができる。このためレーザチッ
プから出射されたレーザ光は反射ミラー面で反射された
後のレーザ光の中心軸をシリコン基板主面に対してほぼ
垂直方向にすることができる。
より５〜１５°のオフアングルを設けた面になっている
ため、（１１１）面により形成されたＶ状の溝の反射ミ
ラー面とシリコン基板の主面との角度θを３９°≦θ≦
４９°の範囲にすることができる。このためレーザチッ
プから出射されたレーザ光は反射ミラー面で反射された
後のレーザ光の中心軸をシリコン基板主面に対してほぼ
垂直方向にすることができる。
また、レーザチップを載置するヒートシンク用のシリコ
ン基板内に、レーザ出力光検出用フォトダイオード、レ
ーザ駆動回路、増幅回路および光信号処理回路が形成さ
れているため、組立時の角度の補正や組立工程等の複雑
さを無くずことかできる。
ン基板内に、レーザ出力光検出用フォトダイオード、レ
ーザ駆動回路、増幅回路および光信号処理回路が形成さ
れているため、組立時の角度の補正や組立工程等の複雑
さを無くずことかできる。
実施例
本発明の半導体レーザ装置の実施例を第１図に示した斜
視図とＡ−Ａ線に沿った断面図を参照して説明する。
視図とＡ−Ａ線に沿った断面図を参照して説明する。
これは、＜１１０＞方向を回転軸として約９゜のオフア
ングルを持たせた（ ］、 ＯＯ）面のシリコン基板１
０上に両側の斜面が（１１１）面により形成される■状
の、溝（以後■溝と記す）１１が形成され、これらの斜
面のうちシリコン基板１０の表面に対する傾きθが４５
°に近い方の面を反射ミラー面１２とし、この面に対向
する側のシリコン基板の主面３３を他方の主面３２に対
して低くし、更にこの反射ミラー面に対向する面の溝上
端稜線に対して半導体レーザチップ１３の前方端面が平
行になるようにシリコン基板１０の表面にレーザチップ
１３を固定した構造である。なお、反射ミラー面１２の
表面には３０００〜５０００への金薄膜１４が形成され
ており、ミラーの反射率は９０％以」二になっている。
ングルを持たせた（ ］、 ＯＯ）面のシリコン基板１
０上に両側の斜面が（１１１）面により形成される■状
の、溝（以後■溝と記す）１１が形成され、これらの斜
面のうちシリコン基板１０の表面に対する傾きθが４５
°に近い方の面を反射ミラー面１２とし、この面に対向
する側のシリコン基板の主面３３を他方の主面３２に対
して低くし、更にこの反射ミラー面に対向する面の溝上
端稜線に対して半導体レーザチップ１３の前方端面が平
行になるようにシリコン基板１０の表面にレーザチップ
１３を固定した構造である。なお、反射ミラー面１２の
表面には３０００〜５０００への金薄膜１４が形成され
ており、ミラーの反射率は９０％以」二になっている。
また、レーザチップ１３は発光部が下側になるようには
んだ材て固定されている。
んだ材て固定されている。
この構造により、レーザチップ１３から水平方向に出射
されたレーザ光は光路１５に示すように反射ミラーで反
射されて垂直あるいは垂直方向に近い方向へ進み、出力
光として取り出される。
されたレーザ光は光路１５に示すように反射ミラーで反
射されて垂直あるいは垂直方向に近い方向へ進み、出力
光として取り出される。
また、シリコン基板の表面として約９°のオフアングル
を持たせた（１００）面を使用したが、実際使用上５〜
１５°のオフアングルを有する（１００）面のものでも
よい。このとき反射ミラー面のシリコン基板の表面に対
する傾きθを３９゜≦θ≦４９°の範囲におさえること
ができる。
を持たせた（１００）面を使用したが、実際使用上５〜
１５°のオフアングルを有する（１００）面のものでも
よい。このとき反射ミラー面のシリコン基板の表面に対
する傾きθを３９゜≦θ≦４９°の範囲におさえること
ができる。
なお、このことは後に述べる他の実施例においても同じ
ことが言える。
ことが言える。
次に、本発明の半導体レーザ装置の他の実施例について
第２図に示した斜視図および断面図を参照して説明する
。
第２図に示した斜視図および断面図を参照して説明する
。
これは、第１図１図で説明したオフアングルを設けた（
１００）面のシリコン基板１０の主面３２に対して低く
した主面３３の領域を図に示すように、シリコン基板の
端部まででなく、少なくともレーザチップ１３が収納で
きる領域とした構造であり、反射ミラー面１２や半導体
レーザチップ１３の構造は第一１図で説明した通りであ
る。
１００）面のシリコン基板１０の主面３２に対して低く
した主面３３の領域を図に示すように、シリコン基板の
端部まででなく、少なくともレーザチップ１３が収納で
きる領域とした構造であり、反射ミラー面１２や半導体
レーザチップ１３の構造は第一１図で説明した通りであ
る。
次に、本発明の半導体レーザ装置の他の実施例について
第３図に示した断面図を参照して説明する。
第３図に示した断面図を参照して説明する。
これは、＜１１０＞方向を回転軸として約９゜のオフア
ングルを持たぜた（１００）面のＰ型シリコン基板２０
上に、第１図で示したＶ溝が形成され、このＶ溝のシリ
コン基板２０の表面に対する傾きが４５°に近い方の面
をレーザ光を反射させる反射ミラー面２１とし、この面
に対向する側のシリコン基板の主面３３を他方の主面３
２に対して低くし、反射ミラー面のＰ型シリコン基板２
０側にｎ型の拡散領域２２が形成され、反射ミラー面２
１の上に絶縁用の酸化シリコン膜２３と金薄膜２４．が
積層され、反射ミラー面２１に対向する面の上端稜線に
対してレーザチップ１３の前方端面が平行になるように
レーザチップ１３がシリコン基板２０に固定された構造
である。
ングルを持たぜた（１００）面のＰ型シリコン基板２０
上に、第１図で示したＶ溝が形成され、このＶ溝のシリ
コン基板２０の表面に対する傾きが４５°に近い方の面
をレーザ光を反射させる反射ミラー面２１とし、この面
に対向する側のシリコン基板の主面３３を他方の主面３
２に対して低くし、反射ミラー面のＰ型シリコン基板２
０側にｎ型の拡散領域２２が形成され、反射ミラー面２
１の上に絶縁用の酸化シリコン膜２３と金薄膜２４．が
積層され、反射ミラー面２１に対向する面の上端稜線に
対してレーザチップ１３の前方端面が平行になるように
レーザチップ１３がシリコン基板２０に固定された構造
である。
なお、金薄膜２４の膜厚を５００〜１．０００ 人とし
て半透過膜とし、レーザ光の一部がＰ型シリコン基板２
０とｎ型拡散領域２３とて構成されたフォトダイオード
に入射される構造である。
て半透過膜とし、レーザ光の一部がＰ型シリコン基板２
０とｎ型拡散領域２３とて構成されたフォトダイオード
に入射される構造である。
この構造により、レーザチップ１３から水平方向に出射
されたレーザ光は、一部は金薄膜２４で形成された半透
過膜を通過してフォトダイオードに入射され、残りは半
透過膜で反射されて光路２５に示すように垂直あるいは
垂直に近い方向に進み、出力光として取り出される。
されたレーザ光は、一部は金薄膜２４で形成された半透
過膜を通過してフォトダイオードに入射され、残りは半
透過膜で反射されて光路２５に示すように垂直あるいは
垂直に近い方向に進み、出力光として取り出される。
なお、フォトダイオードに入射された光は、その光強度
に応じて電流信号に変化され、この電流信号がレーザチ
ップ駆動回路に帰還されてレーザ光の出力を一定にさせ
るのに使用される。
に応じて電流信号に変化され、この電流信号がレーザチ
ップ駆動回路に帰還されてレーザ光の出力を一定にさせ
るのに使用される。
次に本発明の半導体レーザ装置の他の実施例について第
４図に示した断面図を参照して説明する。
４図に示した断面図を参照して説明する。
これは、＜ １１０＞方向を回転軸として約９゜のオフ
アングルを持たせた（１００）面のＰ型シリコン基板２
０上に、第１図で示したＶ溝が形成され、このＶ溝のシ
リコン基板２０の表面に対する傾きが４５°の近い方の
面をレーザ光を反射させる反射ミラー面２１とし、この
面に対向する側のシリコン基板の主面３３を他方の主面
３２に対して低（し反射ミラー面に対向する面の上端稜
線に対してレーザチップ１３の前方端面が平行になるよ
うにレーザチップ１３がシリコン基板２０に固定され、
レーザチップ１３の後方のＰ型シリコン基板２０の主面
３３あるいは主面３２と主面３３がなす段差にまたがっ
てｎ型拡散領２６が形成された構造である。
アングルを持たせた（１００）面のＰ型シリコン基板２
０上に、第１図で示したＶ溝が形成され、このＶ溝のシ
リコン基板２０の表面に対する傾きが４５°の近い方の
面をレーザ光を反射させる反射ミラー面２１とし、この
面に対向する側のシリコン基板の主面３３を他方の主面
３２に対して低（し反射ミラー面に対向する面の上端稜
線に対してレーザチップ１３の前方端面が平行になるよ
うにレーザチップ１３がシリコン基板２０に固定され、
レーザチップ１３の後方のＰ型シリコン基板２０の主面
３３あるいは主面３２と主面３３がなす段差にまたがっ
てｎ型拡散領２６が形成された構造である。
Ｐ型シリコン基板２０とｎ型拡散領域２６で形成される
フォトダイオードは、レーザチップ１３の後端面から出
射されたレーザ光を受光し、その光強度に応じて変化し
た電流信号を発生させる。
フォトダイオードは、レーザチップ１３の後端面から出
射されたレーザ光を受光し、その光強度に応じて変化し
た電流信号を発生させる。
この電流信号をレーザチップ駆動回路に帰還させて、レ
ーザチップ１３の前端面から出射されるレーザ光の強度
を一定にさせるモニタ用として利用される。
ーザチップ１３の前端面から出射されるレーザ光の強度
を一定にさせるモニタ用として利用される。
なお、レーザチップ１３の前端面から水平方向に出射さ
れたレーザ光は、金薄膜が被覆された反射ミラー面２１
で反射されて垂直あるいは垂直に近い方向に進み、出力
光として取り出される。
れたレーザ光は、金薄膜が被覆された反射ミラー面２１
で反射されて垂直あるいは垂直に近い方向に進み、出力
光として取り出される。
なお、２７はレーザチップ１３後端面より出射されたレ
ーザ光の光路、２８はレーザチップ１３前端面より出射
されたレーザ光の光路を示す。
ーザ光の光路、２８はレーザチップ１３前端面より出射
されたレーザ光の光路を示す。
次に、本発明の半導体レーザ装置の他の実施例について
第５図に示した斜視図を参照して説明する。
第５図に示した斜視図を参照して説明する。
この構造は、＜１１０＞方向を回転軸として約９°のオ
フアングルを持たせた（１００）面のＰ型シリコン基板
２０上に両側の斜面が（１１１）面により形成されるＶ
溝１１が形成され、これらの斜面のうちシリコン基板２
０の表面に対する傾きが４５°に近い方の反射ミラー面
１２とし、この面に対向する例のシリコン基板の主面３
３を他方の主面３２に対して低くし反射ミラー面に対向
する面の溝上端稜線に対してレーザチップ１３の前方端
面が平行になるようにシリコン基板２０の表面にレーザ
チップ１３が固定され、レーザチップ１３の後方にｎ型
拡散領域を形成することによリレーザ出力光検出用フォ
トダイオード２つが形成され、さらにシリコン基板２０
上に信号検出用フォトダイオード３０が形成されたもの
である。
フアングルを持たせた（１００）面のＰ型シリコン基板
２０上に両側の斜面が（１１１）面により形成されるＶ
溝１１が形成され、これらの斜面のうちシリコン基板２
０の表面に対する傾きが４５°に近い方の反射ミラー面
１２とし、この面に対向する例のシリコン基板の主面３
３を他方の主面３２に対して低くし反射ミラー面に対向
する面の溝上端稜線に対してレーザチップ１３の前方端
面が平行になるようにシリコン基板２０の表面にレーザ
チップ１３が固定され、レーザチップ１３の後方にｎ型
拡散領域を形成することによリレーザ出力光検出用フォ
トダイオード２つが形成され、さらにシリコン基板２０
上に信号検出用フォトダイオード３０が形成されたもの
である。
この構成により、レーザチップ１３の前端面から水平方
向に出射されたレーザ光は、金薄膜が被覆された反射ミ
ラー面１２で反射されて光路１５に示すように垂直ある
いは垂直に近い方向に進み、出力光として取り出される
。この出力光が対象物で反射された信号光３１は、信号
検出用フォトダイオード３０に入力され、信号処理され
る。
向に出射されたレーザ光は、金薄膜が被覆された反射ミ
ラー面１２で反射されて光路１５に示すように垂直ある
いは垂直に近い方向に進み、出力光として取り出される
。この出力光が対象物で反射された信号光３１は、信号
検出用フォトダイオード３０に入力され、信号処理され
る。
一方、レーザチップ１３の後端面より出射されたレーザ
光は、レーザ出力検出用フォトダイオード２９に入力さ
れ、光強度に応じた電流信号に変換される。この電流信
号がレーザチップ駆動回路に帰還されて、レーザチップ
の前端面より出射されたレーザ光の出力を一定にさせる
のに利用される。
光は、レーザ出力検出用フォトダイオード２９に入力さ
れ、光強度に応じた電流信号に変換される。この電流信
号がレーザチップ駆動回路に帰還されて、レーザチップ
の前端面より出射されたレーザ光の出力を一定にさせる
のに利用される。
この構造によれば、レーザ出力光検出用フォトダイオー
ド２９と信号検出用フォトダイオード３０を同一基板上
に形成しているので小型に集積化することができる。
ド２９と信号検出用フォトダイオード３０を同一基板上
に形成しているので小型に集積化することができる。
なお、実施例ではレーザ出力光検出用と信号検出用のフ
ォトダイオードを示したが、これに限られることはな（
、フォトダイオードから得られる信号の増幅回路、レー
ザチップの駆動回路および光信号処理回路等を同一基板
上に形成することができる。
ォトダイオードを示したが、これに限られることはな（
、フォトダイオードから得られる信号の増幅回路、レー
ザチップの駆動回路および光信号処理回路等を同一基板
上に形成することができる。
発明の効果
本発明の半導体レーザ装置によれば、＜１１０＞方向を
軸さして５〜１５°のオフアングルを有する（１００）
面のシリコン基板を用いて、（１１１）面により形成さ
れるＶ溝を形成するので、この（１，１１）面のうち一
つはシリコン基板の表面に対する傾きが約４５°となり
、この面を反射ミラー面とすることができる。この結果
、レーザチップから水平方向に出射されたレーザ光は反
射ミラー面で反射されて、はぼ垂直方向に取り出すこと
ができ、出射方向の位置合わせが簡単となる。
軸さして５〜１５°のオフアングルを有する（１００）
面のシリコン基板を用いて、（１１１）面により形成さ
れるＶ溝を形成するので、この（１，１１）面のうち一
つはシリコン基板の表面に対する傾きが約４５°となり
、この面を反射ミラー面とすることができる。この結果
、レーザチップから水平方向に出射されたレーザ光は反
射ミラー面で反射されて、はぼ垂直方向に取り出すこと
ができ、出射方向の位置合わせが簡単となる。
また、レーザチップを載置するヒーＩ・シンク用のシリ
コン基板上に、レーザ出力光検出用フォトダイオード、
信号検出用フォトダイオード、レーザ駆動回路、増幅回
路および光信号処理回路のうちいずれかが形成されてい
るため、集積化されるとともに組立時の角度の補正や組
立工程の複雑さをなくすことができ、費用を削減するこ
とができる。
コン基板上に、レーザ出力光検出用フォトダイオード、
信号検出用フォトダイオード、レーザ駆動回路、増幅回
路および光信号処理回路のうちいずれかが形成されてい
るため、集積化されるとともに組立時の角度の補正や組
立工程の複雑さをなくすことができ、費用を削減するこ
とができる。
第１図は本発明の半導体レーザ装置のＶ溝およびシリコ
ン基板の主面を低くした領域を有する場合の斜視図と断
面図、第２図は本発明の半導体レーザ装置の主面を低く
した領域をレーザチップが少なくとも収納できる領域に
限定した場合の斜視図と断面図、第３図は反射ミラー面
側にフォトダイオードが形成された本発明の半導体レー
ザ装置の断面図、第４図はレーザチップの後方にフォト
ダイオードが形成された本発明の半導体レーザ装置の断
面図、第５図はレーザチップを載置するシリコン基板上
に各種素子が形成された本発明の半導体レーザ装置の斜
視図、第６図はレーザチップが固定台に設置された従来
の半導体レーザ装置の１０・・・・・・シリコン基板、
１１・・・・・・Ｖ状の溝（Ｖ溝）、１２．１７．２１
・・・・・・反射ミラー面、１３・・・・・・半導体レ
ーザチップ、１４．２４・・・・・・金薄膜、１５，１
９．２５・・・・・・光路、１６・・・・・・四角錐状
凹部、１８・・・・・・反射ミラー面に向い合う面の四
角錐状凹部の上端稜線、２０・・・・・・Ｐ型シリコン
基板、２２．２６・・・・・・ｎ型拡散領域、２３・・
・・・・酸化シリコン膜、２７・・・・・・レーザチッ
プ後端面より出射されたレーザ光の光路、２８・・・・
・・レーザチップ前端面より出射されたレーザ光の光路
、２９・・・・・・レーザ出力光検出用フォトダイオー
ド、３０・・・・・・信号検出用フォトダイオード、３
１・・・・・・信号光、３２・・・・・・シリコン基板
の主面、３３・・・・・・低くしたシリコン基板の主面
。 代理人の氏名 弁理士小鍜治明 ほか２名ｑ ｋＮ”） ゞ守 も （ト レ１ ト腎６ ＞呻 １ ← 、＼ １い ゛せ 口 ｈｒ １ ）幇
ン基板の主面を低くした領域を有する場合の斜視図と断
面図、第２図は本発明の半導体レーザ装置の主面を低く
した領域をレーザチップが少なくとも収納できる領域に
限定した場合の斜視図と断面図、第３図は反射ミラー面
側にフォトダイオードが形成された本発明の半導体レー
ザ装置の断面図、第４図はレーザチップの後方にフォト
ダイオードが形成された本発明の半導体レーザ装置の断
面図、第５図はレーザチップを載置するシリコン基板上
に各種素子が形成された本発明の半導体レーザ装置の斜
視図、第６図はレーザチップが固定台に設置された従来
の半導体レーザ装置の１０・・・・・・シリコン基板、
１１・・・・・・Ｖ状の溝（Ｖ溝）、１２．１７．２１
・・・・・・反射ミラー面、１３・・・・・・半導体レ
ーザチップ、１４．２４・・・・・・金薄膜、１５，１
９．２５・・・・・・光路、１６・・・・・・四角錐状
凹部、１８・・・・・・反射ミラー面に向い合う面の四
角錐状凹部の上端稜線、２０・・・・・・Ｐ型シリコン
基板、２２．２６・・・・・・ｎ型拡散領域、２３・・
・・・・酸化シリコン膜、２７・・・・・・レーザチッ
プ後端面より出射されたレーザ光の光路、２８・・・・
・・レーザチップ前端面より出射されたレーザ光の光路
、２９・・・・・・レーザ出力光検出用フォトダイオー
ド、３０・・・・・・信号検出用フォトダイオード、３
１・・・・・・信号光、３２・・・・・・シリコン基板
の主面、３３・・・・・・低くしたシリコン基板の主面
。 代理人の氏名 弁理士小鍜治明 ほか２名ｑ ｋＮ”） ゞ守 も （ト レ１ ト腎６ ＞呻 １ ← 、＼ １い ゛せ 口 ｈｒ １ ）幇
Claims (6)
- （１）＜１１０＞方向を軸として５〜１５°のオフアン
グルを有する（１００）面のシリコン基板上に、両側の
斜面が（１１１）面により構成されるＶ状の溝が形成さ
れ、同溝の斜面のうち前記シリコン基板表面に対する傾
きが４５°に近い面をレーザ光を反射する反射ミラー面
とし、この面に対向する側のシリコン基板の主面を他方
の主面に対して低くし、更に反射ミラー面に対向する面
の溝上端稜線に対して半導体レーザチップの前端面がほ
ぼ平行になるように前記半導体レーザチップが前記シリ
コン基板に固定されたことを特徴とする半導体レーザ装
置。 - （２）特許請求の範囲第１項に記載のシリコン基板にお
ける主面を低くする領域を少なくとも半導体レーザチッ
プが収納できる領域に制限したことを特徴とする半導体
レーザ装置。 - （３）反射ミラー面にレーザ光の反射率を高めるコーテ
ィング膜が施されていることを特徴とする請求項１また
は請求項２記載の半導体レーザ装置。 - （４）反射ミラー面内のシリコン基板上にフォトダイオ
ードが形成されていることを特徴とする請求項１または
請求項２または請求項３記載の半導体レーザ装置。 - （５）半導体レーザチップが固定されたシリコン基板上
の同半導体レーザチップの後方にフォトダイオードが形
成されていることを特徴とする請求項１または請求項２
または請求項３記載の半導体レーザ装置。 - （６）半導体レーザチップが固定されたシリコン基板上
にレーザの駆動回路、フォトダイオード、同フォトダイ
オードから得られる信号の増幅回路、光信号処理回路の
うちいずれか１以上が形成されていることを特徴とする
請求項１または請求項２または請求項３記載の半導体レ
ーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2323582A JP2892820B2 (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2323582A JP2892820B2 (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 半導体レーザ装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10358945A Division JPH11274654A (ja) | 1998-12-17 | 1998-12-17 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04196189A true JPH04196189A (ja) | 1992-07-15 |
| JP2892820B2 JP2892820B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=18156319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2323582A Expired - Fee Related JP2892820B2 (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2892820B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994027826A1 (en) * | 1993-05-20 | 1994-12-08 | Compaq Computer Corporation | Ink jet printhead assembly having aligned dual internal channel arrays |
| US5479426A (en) * | 1994-03-04 | 1995-12-26 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor laser device with integrated reflector on a (511) tilted lattice plane silicon substrate |
| US5680385A (en) * | 1995-03-30 | 1997-10-21 | Nec Corporation | Optical head with a heat sink |
| US5719414A (en) * | 1993-03-16 | 1998-02-17 | Sato; Keiji | Photoelectric conversion semiconductor device with insulation film |
| US5793785A (en) * | 1994-03-04 | 1998-08-11 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor laser device |
| WO2003067586A1 (en) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Sony Corporation | Optical pickup and disk drive unit |
| US6693871B2 (en) | 1999-09-27 | 2004-02-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Integrated unit, optical pickup, and optical recording medium drive device |
| JP2005203782A (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Samsung Electronics Co Ltd | マイクロ光学ベンチ構造物及びその製造方法 |
| JP2010212491A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Sharp Corp | マウント部材およびマウント部材を備えた半導体発光装置 |
| US8471289B2 (en) | 2009-12-28 | 2013-06-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device, optical pickup device and semiconductor device |
| CN116859532A (zh) * | 2023-08-15 | 2023-10-10 | 武汉钧恒科技有限公司 | 一种用于硅光模块的光路结构及硅光模块 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5696665U (ja) * | 1979-12-26 | 1981-07-31 | ||
| JPS61153360U (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-22 | ||
| JPS6223163A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ハイブリツド光ｉｃ装置 |
| JPH01253983A (ja) * | 1988-04-04 | 1989-10-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
-
1990
- 1990-11-26 JP JP2323582A patent/JP2892820B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN116859532B (zh) * | 2023-08-15 | 2024-04-09 | 武汉钧恒科技有限公司 | 一种用于硅光模块的光路结构及硅光模块 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2892820B2 (ja) | 1999-05-17 |
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| JPH0429582Y2 (ja) |
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