JPH0429582Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0429582Y2 JPH0429582Y2 JP3555788U JP3555788U JPH0429582Y2 JP H0429582 Y2 JPH0429582 Y2 JP H0429582Y2 JP 3555788 U JP3555788 U JP 3555788U JP 3555788 U JP3555788 U JP 3555788U JP H0429582 Y2 JPH0429582 Y2 JP H0429582Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- waveguide member
- light receiving
- semiconductor laser
- attenuation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は、半導体レーザ装置に関し、例えば光
デイスク装置用の光源として有用である。
デイスク装置用の光源として有用である。
(ロ) 従来の技術
光デイスク装置用光源として、消去用、読出
し、書込み用の各レーザビームを独立に放射でき
るようにした個々のビーム発生源を約100μｍ間
隔で並設せる３ビーム型の半導体レーザ装置が提
案されている（実開昭62−152474号公報）。
し、書込み用の各レーザビームを独立に放射でき
るようにした個々のビーム発生源を約100μｍ間
隔で並設せる３ビーム型の半導体レーザ装置が提
案されている（実開昭62−152474号公報）。
半導体レーザビーム発生源は２方向にビームを
放射するので通常、１方の放射ビームが出力強度
のモニタ用として用いられる。従つて３ビーム型
の場合、特開昭58−102590号公報に開示されてい
る如く、ビーム発生源の各々の１方側に近接して
モニタ用の各半導体受光部を配することとなる。
放射するので通常、１方の放射ビームが出力強度
のモニタ用として用いられる。従つて３ビーム型
の場合、特開昭58−102590号公報に開示されてい
る如く、ビーム発生源の各々の１方側に近接して
モニタ用の各半導体受光部を配することとなる。
然るに、半導体レーザビーム発生源から放射さ
れるビームの水平拡がり角θは少なくとも10°程
度あるため、ビーム発生源と受光素子との配置間
隔は500μｍ以下にしない限り正確にモニタでき
ない。即ち、第４図に示す如く、各ビームの光軸
４間距離を100μｍとしてビーム発生源１〜３を
並設した半導体レーザ手段LDと、これに対向す
る半導体受光部５〜７とを配置し、更に、各ビー
ムの水平拡がり角θが10°、各ビーム発生源と受
光部との距離が500μｍ以上であるものとすると、
各ビーム１ａ〜３ａは、受光部５〜７において重
なり、個々のビームのモニタが不可能となる。
れるビームの水平拡がり角θは少なくとも10°程
度あるため、ビーム発生源と受光素子との配置間
隔は500μｍ以下にしない限り正確にモニタでき
ない。即ち、第４図に示す如く、各ビームの光軸
４間距離を100μｍとしてビーム発生源１〜３を
並設した半導体レーザ手段LDと、これに対向す
る半導体受光部５〜７とを配置し、更に、各ビー
ムの水平拡がり角θが10°、各ビーム発生源と受
光部との距離が500μｍ以上であるものとすると、
各ビーム１ａ〜３ａは、受光部５〜７において重
なり、個々のビームのモニタが不可能となる。
各ビーム発生源と受光部との距離をより小さく
するとビームの重なりは解消するが、この様に両
者を近接させることはビーム発生源と受光部との
光軸合わせが困難になる等組立面での問題が生じ
る。
するとビームの重なりは解消するが、この様に両
者を近接させることはビーム発生源と受光部との
光軸合わせが困難になる等組立面での問題が生じ
る。
この点に鑑み、第５図に示す如く、導波部材８
を半導体レーザ手段LDとモニタ用受光手段PDと
の間に配置する構成が提案された（電子材料
Vol.26，No.．６，1987，P107）即ち、導波部材
８は、半導体レーザ手段LDから一方向へ放射さ
れた各レーザビームを互いに離散する方向へ指向
する複数の導波溝９〜１１を備えるものであり、
従つて半導体レーザLDから100μｍ間隔で放射さ
れた３本のビーム１ａ〜３ａは、導波部材８を経
ることにより、重なり合うことなく適当間隔に拡
げられ、対応の受光部５〜７に入る。
を半導体レーザ手段LDとモニタ用受光手段PDと
の間に配置する構成が提案された（電子材料
Vol.26，No.．６，1987，P107）即ち、導波部材
８は、半導体レーザ手段LDから一方向へ放射さ
れた各レーザビームを互いに離散する方向へ指向
する複数の導波溝９〜１１を備えるものであり、
従つて半導体レーザLDから100μｍ間隔で放射さ
れた３本のビーム１ａ〜３ａは、導波部材８を経
ることにより、重なり合うことなく適当間隔に拡
げられ、対応の受光部５〜７に入る。
(ハ) 考案が解決しようとする課題
上記導波部材８において、その中央の導波溝１
０の配設方向はビーム発生源２の光軸４に一致し
ており、このため導波溝１０内を進ビームはほゞ
直進し、導波溝内でのビーム減衰はほとんどな
い。これに対し、両側の導波溝９，１１の配設方
向はビーム発生源１，３の光軸４に対して傾いて
いるため、これら導波溝内を進むビームは導波溝
内面での反射をくり返し、導波溝内でのビーム減
衰が認められる。
０の配設方向はビーム発生源２の光軸４に一致し
ており、このため導波溝１０内を進ビームはほゞ
直進し、導波溝内でのビーム減衰はほとんどな
い。これに対し、両側の導波溝９，１１の配設方
向はビーム発生源１，３の光軸４に対して傾いて
いるため、これら導波溝内を進むビームは導波溝
内面での反射をくり返し、導波溝内でのビーム減
衰が認められる。
この結果、各ビーム発生源１〜３がたとえ、同
一強度のビームを放射しているとしても、各受光
部５〜７では均等な出力が得られず、モニタ精度
が低下する。
一強度のビームを放射しているとしても、各受光
部５〜７では均等な出力が得られず、モニタ精度
が低下する。
本考案は従つて、上記導波部材を使つた場合
の、各導波溝内での減衰の問題を解決しようとす
るものである。
の、各導波溝内での減衰の問題を解決しようとす
るものである。
(ニ) 課題を解決するための手段
本考案の半導体レーザ装置の特徴は、導波部材
内での各ビームの減衰度に応じて、各受光部の出
力を補正する電気的補正回路を設けたことにあ
る。
内での各ビームの減衰度に応じて、各受光部の出
力を補正する電気的補正回路を設けたことにあ
る。
本考案の半導体レーザ装置の他の特徴は、導波
部材内での各ビームの減衰度に応じて各受光部の
受光面積が決められていることにある。
部材内での各ビームの減衰度に応じて各受光部の
受光面積が決められていることにある。
(ホ) 作用
本考案によれば、導波部材内での減衰度の大き
いビームに対しては、対応の受光部出力を電気的
に増大し、あるいは対応の受光部面積を大にし、
結果的に導波部材内での減衰度の相違が補償され
る。
いビームに対しては、対応の受光部出力を電気的
に増大し、あるいは対応の受光部面積を大にし、
結果的に導波部材内での減衰度の相違が補償され
る。
(ヘ) 実施例
第１図は本考案の第１の実施例の構造を、又第
２図は同電気回路図を示す。第１図を参照する
に、ヒートシンク２０はシリコン等の半導体もし
くは金属等の良放熱体からなり、その表面にイン
ジウム半田層を介して半導体レーザ手段LD及び
導波部材８が固着されている。斯るヒートシンク
２０はＬ型銅ブロツク２１の水平面に固着され、
一方、モニタ用受光手段PDが銅ブロツク２１の
垂直面に固定配置される。
２図は同電気回路図を示す。第１図を参照する
に、ヒートシンク２０はシリコン等の半導体もし
くは金属等の良放熱体からなり、その表面にイン
ジウム半田層を介して半導体レーザ手段LD及び
導波部材８が固着されている。斯るヒートシンク
２０はＬ型銅ブロツク２１の水平面に固着され、
一方、モニタ用受光手段PDが銅ブロツク２１の
垂直面に固定配置される。
半導体レーザ手段LDは、第１〜第３のレーザ
ビーム発生源１〜３を含み、これら各発生源は、
100μｍ間隔の光軸４間距離にて、夫々２方向に
平行なレーザビームを放射可能である。各発生源
１〜３は、夫々独立に駆動されるが、夫々個別の
レーザダイオードチツプで構成されるか、あるい
はモノリシツク形式で一体に構成される。
ビーム発生源１〜３を含み、これら各発生源は、
100μｍ間隔の光軸４間距離にて、夫々２方向に
平行なレーザビームを放射可能である。各発生源
１〜３は、夫々独立に駆動されるが、夫々個別の
レーザダイオードチツプで構成されるか、あるい
はモノリシツク形式で一体に構成される。
導波部材８は上記の各ビームに対応して第１〜
第３の導波溝９〜１１を備える。第２の導波溝１
０は第２の発生源２の光軸４と整合関係にあり、
その光軸方向に延びる。第１、第３の導波溝９，
１１は、夫々その入口側において対応の第１、第
３の発生源１，３の各光軸４と整合関係にある
が、出口側は外側に偏る。これにより、半導体レ
ーザ手段LDから放射される一方向の各ビームは、
互いに離散する方向へ指向される。斯る導波部材
８は、シリコンからなり、エツチングにより各溝
９〜１１を形成すると共に、溝内壁面に金等の光
反射材を蒸着することにより作成される。又各溝
９〜１１の幅は60μｍが適当である。
第３の導波溝９〜１１を備える。第２の導波溝１
０は第２の発生源２の光軸４と整合関係にあり、
その光軸方向に延びる。第１、第３の導波溝９，
１１は、夫々その入口側において対応の第１、第
３の発生源１，３の各光軸４と整合関係にある
が、出口側は外側に偏る。これにより、半導体レ
ーザ手段LDから放射される一方向の各ビームは、
互いに離散する方向へ指向される。斯る導波部材
８は、シリコンからなり、エツチングにより各溝
９〜１１を形成すると共に、溝内壁面に金等の光
反射材を蒸着することにより作成される。又各溝
９〜１１の幅は60μｍが適当である。
受光部５〜７は共通のシリコン基板に拡散によ
り形成され、通常のフオトダイオードを構成す
る。受光部５〜７の受光面積は、導波部材８の各
導波溝の幅程度に一致される。
り形成され、通常のフオトダイオードを構成す
る。受光部５〜７の受光面積は、導波部材８の各
導波溝の幅程度に一致される。
第２図を参照するに、第１〜第３の受光部５〜
７の各出力は検出部３０で検出された後、共通の
基準電圧Vcと比較部３１で比較され、この比較
結果に基いて、駆動部３２が対応の発生源１〜３
を駆動せしめる。尚検出部３０は固定抵抗器４０
と可変抵抗器４１を含み、比較部３１は演算増幅
器４２を主体とし、又駆動部３２はトランジスタ
４３を主体とする等、それら自体は周知の構成で
ある。
７の各出力は検出部３０で検出された後、共通の
基準電圧Vcと比較部３１で比較され、この比較
結果に基いて、駆動部３２が対応の発生源１〜３
を駆動せしめる。尚検出部３０は固定抵抗器４０
と可変抵抗器４１を含み、比較部３１は演算増幅
器４２を主体とし、又駆動部３２はトランジスタ
４３を主体とする等、それら自体は周知の構成で
ある。
第１図に示した導波部材８の各導波溝９〜１１
より導出されるビーム強度は、既述の理由により
第２導波溝１０よりのものが最も大きく、それ以
外のビーム強度は、導波溝内での減衰により小さ
い。従つて、斯る減衰度に応じて、各検出部３０
の可変抵抗器４１が調整される。即ち、各ビーム
発生源１〜３が同一強度のビームを発生する状態
にて、各検出部３０の出力端５０に同一出力が得
られるべく、可変抵抗器４１の抵抗値が調節され
るのである。この結果、各導波溝９〜１１内での
減衰度の相違が補償され、正確なモニタ動作が可
能となる。
より導出されるビーム強度は、既述の理由により
第２導波溝１０よりのものが最も大きく、それ以
外のビーム強度は、導波溝内での減衰により小さ
い。従つて、斯る減衰度に応じて、各検出部３０
の可変抵抗器４１が調整される。即ち、各ビーム
発生源１〜３が同一強度のビームを発生する状態
にて、各検出部３０の出力端５０に同一出力が得
られるべく、可変抵抗器４１の抵抗値が調節され
るのである。この結果、各導波溝９〜１１内での
減衰度の相違が補償され、正確なモニタ動作が可
能となる。
尚、検出部３０の構成は、その他、トランジス
タや演算増幅器等を使い、増幅度の調整可能な回
路にすることもできる。
タや演算増幅器等を使い、増幅度の調整可能な回
路にすることもできる。
第３図は、本考案の第２の実施例の特徴部分を
示す。この場合、各受光部５〜７の受光面積が各
導波溝９〜１１内での減衰度に応じて設定され
る。即ち、最も減衰の少ない第２導波溝１０に対
応する第２受光部６の受光面積を最も小さくし
て、それへの入射光量を少なくし、各ビーム発生
源１〜３が同一強度ビームを発生する状態にて、
各受光部５〜７が同一出力値を与える様になす。
この場合、第２図で説明した可変抵抗器４１によ
る出力合わせは不要となる。
示す。この場合、各受光部５〜７の受光面積が各
導波溝９〜１１内での減衰度に応じて設定され
る。即ち、最も減衰の少ない第２導波溝１０に対
応する第２受光部６の受光面積を最も小さくし
て、それへの入射光量を少なくし、各ビーム発生
源１〜３が同一強度ビームを発生する状態にて、
各受光部５〜７が同一出力値を与える様になす。
この場合、第２図で説明した可変抵抗器４１によ
る出力合わせは不要となる。
(ト) 考案の効果
本考案によれば、夫々２方向にレーザビームを
放射する複数のレーザビーム発生源を含む半導体
レーザ手段と、一方向に放射された上記各レーザ
ビームを互いに離散する方向へ指向する複数の導
波溝を備える導波部材と、この導波部材から導出
される各レーザビームを個別に受光する複数のモ
ニタ用受光部とを備えた半導体レーザ装置におい
て、各導波溝内でのビーム強度の減衰が補償さ
れ、正確なモニタ動作が行える。
放射する複数のレーザビーム発生源を含む半導体
レーザ手段と、一方向に放射された上記各レーザ
ビームを互いに離散する方向へ指向する複数の導
波溝を備える導波部材と、この導波部材から導出
される各レーザビームを個別に受光する複数のモ
ニタ用受光部とを備えた半導体レーザ装置におい
て、各導波溝内でのビーム強度の減衰が補償さ
れ、正確なモニタ動作が行える。
第１図、第２図は本考案の第１の実施例を示
し、第１図Ａは水平面で切つた断面図、第１図Ｂ
は同１Ｂ−１Ｂ線断面図、第２図は電気回路図、
第３図は本考案の第２の実施例を示す断面図、第
４図は従来例を示す平面図、第５図は他の従来例
を示す断面図である。 LD……半導体レーザ手段、１〜３……レーザ
ビーム発生源、PD……受光手段、５〜７……受
光部、８……導波部材、９〜１１……導波溝。
し、第１図Ａは水平面で切つた断面図、第１図Ｂ
は同１Ｂ−１Ｂ線断面図、第２図は電気回路図、
第３図は本考案の第２の実施例を示す断面図、第
４図は従来例を示す平面図、第５図は他の従来例
を示す断面図である。 LD……半導体レーザ手段、１〜３……レーザ
ビーム発生源、PD……受光手段、５〜７……受
光部、８……導波部材、９〜１１……導波溝。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 夫々２方向にレーザビームを放射する複数の
レーザビーム発生源を含む半導体レーザ手段
と、一方向に放射された上記各レーザビームを
互いに離散する方向へ指向する複数の導波溝を
備える導波部材と、この導波部材から導出され
る各レーザビームを個別に受光する複数のモニ
タ用受光部と、これら各受光部の出力を、上記
導波部材内での対応のビームの減衰度に応じて
補正する電気的補正回路とを具備せる半導体レ
ーザ装置。 (2) 夫々２方向にレーザビームを放射する複数の
レーザビーム発生源を含む半導体レーザ手段
と、一方向に放射された上記各レーザビームを
互いに離散する方向へ指向する複数の導波溝を
備える導波部材と、この導波部材から導出され
る各レーザビームを個別に受光する複数のモニ
タ用受光部とを備え、これら各受光部の受光面
積は、上記導波部材内での対応のビームの減衰
度に応じて決められていることを特徴とする半
導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3555788U JPH0429582Y2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3555788U JPH0429582Y2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01139468U JPH01139468U (ja) | 1989-09-22 |
| JPH0429582Y2 true JPH0429582Y2 (ja) | 1992-07-17 |
Family
ID=31262202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3555788U Expired JPH0429582Y2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0429582Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-03-17 JP JP3555788U patent/JPH0429582Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01139468U (ja) | 1989-09-22 |
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