JPH04196378A - エキシマレーザ用波長選択素子 - Google Patents
エキシマレーザ用波長選択素子Info
- Publication number
- JPH04196378A JPH04196378A JP32229490A JP32229490A JPH04196378A JP H04196378 A JPH04196378 A JP H04196378A JP 32229490 A JP32229490 A JP 32229490A JP 32229490 A JP32229490 A JP 32229490A JP H04196378 A JPH04196378 A JP H04196378A
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- Japan
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- etalon
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- wavelength selection
- excimer laser
- light
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
1産業上の利用分野]
この発明は、狭帯域レーザ装置に組み込まれるエキシマ
レーザ用波長選択素子に関するものである。
レーザ用波長選択素子に関するものである。
[従来の技術]
第6図は、例えば特開昭62−198182号公報に示
された従来のレーザ用波長選択素子(エタロン)を用い
たレーザ装置であり、図において、全反射ミラー(1)
と出射ミラー(2)とからなる共振器を備えたエキシマ
レーザのキャビティ内に、波長選択素子としてのエタロ
ン(4)が配置されている。
された従来のレーザ用波長選択素子(エタロン)を用い
たレーザ装置であり、図において、全反射ミラー(1)
と出射ミラー(2)とからなる共振器を備えたエキシマ
レーザのキャビティ内に、波長選択素子としてのエタロ
ン(4)が配置されている。
(3)はウィンドウ(5a) 、 (5b)によって密
閉されたチャンバであり、チャンバ(3)には、レーザ
媒質(6)として、例7−ばアルゴンとフ・ノ素の混合
ガス、またはクリプトンとフッ素の混合ガスなどが充て
んされている。
閉されたチャンバであり、チャンバ(3)には、レーザ
媒質(6)として、例7−ばアルゴンとフ・ノ素の混合
ガス、またはクリプトンとフッ素の混合ガスなどが充て
んされている。
次に動作について説明する。レーザ媒質の充てんされた
チャンバ(3)内で放電を行うと、全反射ミラー(1)
と出射ミラー(2) との間てレーザ発振する。二のと
き全反射ミラー(1)と出射ミラー(2)との間にエタ
ロン(4)か挿入されているので、波長か選択され、ス
ペクトル幅の狭いレーザ光(L)が出射する。
チャンバ(3)内で放電を行うと、全反射ミラー(1)
と出射ミラー(2) との間てレーザ発振する。二のと
き全反射ミラー(1)と出射ミラー(2)との間にエタ
ロン(4)か挿入されているので、波長か選択され、ス
ペクトル幅の狭いレーザ光(L)が出射する。
エタロン(4)は、第5図に示すように、一方の面に高
反射膜(43)、他方の面に反射防止膜(44)を形成
した2枚の合成石英基板(44a)、(41b>を高反
射膜(43)どうしが対向するようにスペーサ(42)
を介して所定の間隔をあけて接合したものであり、この
対向した2つの高反射膜面(43)のギャップ間で光が
多重反射し干渉することによって波長選択性が得られる
。
反射膜(43)、他方の面に反射防止膜(44)を形成
した2枚の合成石英基板(44a)、(41b>を高反
射膜(43)どうしが対向するようにスペーサ(42)
を介して所定の間隔をあけて接合したものであり、この
対向した2つの高反射膜面(43)のギャップ間で光が
多重反射し干渉することによって波長選択性が得られる
。
−発明が解決しようとする課題]
以上のような従来のエキシマレーザ用波長選択素子にお
いて、−mにエタロンは、光がエタロ〉′の入射面に対
してわずかな角度をもって入射するように使用されるた
め、原理上、入射した光のうちの一部は共振せず、光軸
から外れて損失となる。
いて、−mにエタロンは、光がエタロ〉′の入射面に対
してわずかな角度をもって入射するように使用されるた
め、原理上、入射した光のうちの一部は共振せず、光軸
から外れて損失となる。
第8図のA、B面はそれぞれエタロンのギヤ・ツブ面、
もしくは高反射膜面〈43)であり、C,Dはエタロン
l\の入射光と出射光て゛ある。A面から入射した光C
はA、B面のギヤ・ツブ間で多重反射を繰り返した後、
B面から出射する。二のとき、aの部分は有効な光とし
て取出されるが、bの部分は十分に干渉しないため有効
な光として取出せずに損失となる。また、エタロンの高
反射膜(43)、反射防止膜(44)ともに、理想的な
反射面、透過面をもっていないため、これらの面で光が
散乱することによっても、光が光軸から外れて損失とな
る。
もしくは高反射膜面〈43)であり、C,Dはエタロン
l\の入射光と出射光て゛ある。A面から入射した光C
はA、B面のギヤ・ツブ間で多重反射を繰り返した後、
B面から出射する。二のとき、aの部分は有効な光とし
て取出されるが、bの部分は十分に干渉しないため有効
な光として取出せずに損失となる。また、エタロンの高
反射膜(43)、反射防止膜(44)ともに、理想的な
反射面、透過面をもっていないため、これらの面で光が
散乱することによっても、光が光軸から外れて損失とな
る。
エタロンに入射した光のうち、このようにし−ザ光の光
軸から外れた光は不要な光である。
軸から外れた光は不要な光である。
従来のエタロンにおいては、これらの光軸を外れた不要
な光かエタロン内部で反射を繰り返す間に一部は熱に変
換され、エタロンの温度は上昇し、熱膨張による歪等が
発生してエタロ〉としての機能が低下するという間I!
点があった。
な光かエタロン内部で反射を繰り返す間に一部は熱に変
換され、エタロンの温度は上昇し、熱膨張による歪等が
発生してエタロ〉としての機能が低下するという間I!
点があった。
二の発明は以上のような問題点を解決するためになされ
たちのて、エタロンの温度上昇を低減させることができ
、したかって長時間にわたって初期特性を維持すること
かて゛きるエキシマし−ザ用波長選択素子を得ることを
目的とする。′11を解決するための手段] 二の発明に係るエキシマし−ザ用波長選択素子は、波長
選択素子であるエタロンの外周円筒面に渭を設けるか、
エタロン外周1こ放熱フィンが装着されている。
たちのて、エタロンの温度上昇を低減させることができ
、したかって長時間にわたって初期特性を維持すること
かて゛きるエキシマし−ザ用波長選択素子を得ることを
目的とする。′11を解決するための手段] 二の発明に係るエキシマし−ザ用波長選択素子は、波長
選択素子であるエタロンの外周円筒面に渭を設けるか、
エタロン外周1こ放熱フィンが装着されている。
2作 用]
この発明においては、エタロンの外周円筒面に溝または
半放熱フィンを設けることにより放熱効果が高まり、熱
歪による光学的特性の劣化を防止する。
半放熱フィンを設けることにより放熱効果が高まり、熱
歪による光学的特性の劣化を防止する。
[実施例]
第1図、第2図はこの発明の一実施例を示し、図におい
て、(45)は合成石英基板(41a) 、 (41b
)のその他、第7図におけると同一符号右同一部分であ
る。
て、(45)は合成石英基板(41a) 、 (41b
)のその他、第7図におけると同一符号右同一部分であ
る。
以上の構成により、合成石英基板(41a) 、 (4
1b)の外周円筒面に放熱1(45)が設けられた波長
選択素子(4)においては、エタロン内部で発生する熱
の発散を容易にし、エタロンの温度上昇をおさえること
ができ、熱歪を軽減することができる。
1b)の外周円筒面に放熱1(45)が設けられた波長
選択素子(4)においては、エタロン内部で発生する熱
の発散を容易にし、エタロンの温度上昇をおさえること
ができ、熱歪を軽減することができる。
レーザ装置、特にエキシマレーザのような短波長レーザ
用のエタロンにおいては、pm(ピコメータ)のオーダ
で光の制御を行うなめ、基板のギャップ間の距離および
ギャップ面の面精度には非常に高い精度が要求される。
用のエタロンにおいては、pm(ピコメータ)のオーダ
で光の制御を行うなめ、基板のギャップ間の距離および
ギャップ面の面精度には非常に高い精度が要求される。
この実施例によれば、精度低下の因子となる熱歪を低減
し、エタロンの性能向上、ひいてはレーザ装置の性能向
上が可能となる。
し、エタロンの性能向上、ひいてはレーザ装置の性能向
上が可能となる。
この実施例における実験結果を表1に示す。
表1は、それぞれエタロンをKrFエキシマし−ザ(波
長248mm 、20]1z 、 10mJ/cm:)
で30分間動作させたときのエタロンの温度上昇と、温
度上昇による熱歪から発生する波長シフトについて示し
たものである。表1より、従来のエタロンに比べて本発
明によるエタロンの性能が向上しているのがわかる。以
上、この発明のエア・キャップ型エタロンにおける適用
例を示したか2平行平板型および、ソリッド型エタロン
においてもエア・ギャップ型同様、本発明によって性能
向上が達成される。
長248mm 、20]1z 、 10mJ/cm:)
で30分間動作させたときのエタロンの温度上昇と、温
度上昇による熱歪から発生する波長シフトについて示し
たものである。表1より、従来のエタロンに比べて本発
明によるエタロンの性能が向上しているのがわかる。以
上、この発明のエア・キャップ型エタロンにおける適用
例を示したか2平行平板型および、ソリッド型エタロン
においてもエア・ギャップ型同様、本発明によって性能
向上が達成される。
また、放熱溝(45)の方向は、縦、横、斜め、いずれ
の方向でもよい。
の方向でもよい。
第3図、第4図はソリッド型エタロンで放熱漬(45)
の方向が縦の他の実施例を示す。第1図におけると同一
符号は同一部分を示している。
の方向が縦の他の実施例を示す。第1図におけると同一
符号は同一部分を示している。
以上の構成により、まえの実施例と同様の効果を奏する
。
。
また、放熱溝を合成石英基板(41)に直接加工しなく
とも、従来タイプのエタロンの円周面上に、熱伝導率の
高い材質で作成された例えばアルミ製の放熱フィンを装
着してもよい。その実施例を第5図に示す。図において
、(46)は後付けの放熱フィンである。
とも、従来タイプのエタロンの円周面上に、熱伝導率の
高い材質で作成された例えばアルミ製の放熱フィンを装
着してもよい。その実施例を第5図に示す。図において
、(46)は後付けの放熱フィンである。
以上の構成により、エタロン内部の散乱光が円筒面方向
に出射しなくなり、一部材質か有機物でなるエタロンホ
ルダ(図示せず)との反応もなくなり、エタロンの汚染
しなく、長期間安定でクリーンな表面状態が得られると
いう効果もある。
に出射しなくなり、一部材質か有機物でなるエタロンホ
ルダ(図示せず)との反応もなくなり、エタロンの汚染
しなく、長期間安定でクリーンな表面状態が得られると
いう効果もある。
なお、エタロンにより選択する波長を制御する手段とし
てはギャップ間の距離を変える方法、レーザ光の光軸と
エタロンの角度を変化させる方法、いずれの方法も可能
である。
てはギャップ間の距離を変える方法、レーザ光の光軸と
エタロンの角度を変化させる方法、いずれの方法も可能
である。
[発明の効果j
以上のように、二の発明によればエタロンの外周円筒面
に放熱溝または放熱フィンを設けることによって、エタ
ロン内部で発生する熱の発散を容易にし、エタロンの熱
歪を軽減し、光学的初期特性を長期間維持できるという
効果がある。
に放熱溝または放熱フィンを設けることによって、エタ
ロン内部で発生する熱の発散を容易にし、エタロンの熱
歪を軽減し、光学的初期特性を長期間維持できるという
効果がある。
第1図はこの発明の一実施内の斜視図、第2図は同じく
縦断面図、第3図は他の実施例の斜視図、第4図は同し
く縦断面図、第5図はさらに他の実施例の斜視図、第6
図は従来のし−サ用エタロンを用いたし−研装置の側面
図、第7図は従来のエキシマレーサ用エタロンの側面図
、第8図は第7図のものにおける光路図である。 (4) ・ エタロン(波長選択素子) 、(45)
・放熱溝、 (46)・・放熱フィン。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代 理 人 曾 我、 道 照PF、
1図 元2図 ′″′8 Pl−)3図 葱4図 W)6図
縦断面図、第3図は他の実施例の斜視図、第4図は同し
く縦断面図、第5図はさらに他の実施例の斜視図、第6
図は従来のし−サ用エタロンを用いたし−研装置の側面
図、第7図は従来のエキシマレーサ用エタロンの側面図
、第8図は第7図のものにおける光路図である。 (4) ・ エタロン(波長選択素子) 、(45)
・放熱溝、 (46)・・放熱フィン。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代 理 人 曾 我、 道 照PF、
1図 元2図 ′″′8 Pl−)3図 葱4図 W)6図
Claims (1)
- レーザ共振器内に配置されるエキシマレーザ用波長選択
素子において、外周円筒面に放熱溝および放熱フィンの
いずれが設けられていることを特徴とするエキシマレー
ザ用波長選択素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32229490A JPH04196378A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | エキシマレーザ用波長選択素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32229490A JPH04196378A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | エキシマレーザ用波長選択素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04196378A true JPH04196378A (ja) | 1992-07-16 |
Family
ID=18142023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32229490A Pending JPH04196378A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | エキシマレーザ用波長選択素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04196378A (ja) |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP32229490A patent/JPH04196378A/ja active Pending
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