JPH04196378A - エキシマレーザ用波長選択素子 - Google Patents

エキシマレーザ用波長選択素子

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Publication number
JPH04196378A
JPH04196378A JP32229490A JP32229490A JPH04196378A JP H04196378 A JPH04196378 A JP H04196378A JP 32229490 A JP32229490 A JP 32229490A JP 32229490 A JP32229490 A JP 32229490A JP H04196378 A JPH04196378 A JP H04196378A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etalon
selection element
wavelength selection
excimer laser
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP32229490A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshifumi Matsushita
松下 嘉文
Tadao Minagawa
忠郎 皆川
Shungo Tsuboi
俊吾 坪井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 1産業上の利用分野] この発明は、狭帯域レーザ装置に組み込まれるエキシマ
レーザ用波長選択素子に関するものである。
[従来の技術] 第6図は、例えば特開昭62−198182号公報に示
された従来のレーザ用波長選択素子(エタロン)を用い
たレーザ装置であり、図において、全反射ミラー(1)
と出射ミラー(2)とからなる共振器を備えたエキシマ
レーザのキャビティ内に、波長選択素子としてのエタロ
ン(4)が配置されている。
(3)はウィンドウ(5a) 、 (5b)によって密
閉されたチャンバであり、チャンバ(3)には、レーザ
媒質(6)として、例7−ばアルゴンとフ・ノ素の混合
ガス、またはクリプトンとフッ素の混合ガスなどが充て
んされている。
次に動作について説明する。レーザ媒質の充てんされた
チャンバ(3)内で放電を行うと、全反射ミラー(1)
と出射ミラー(2) との間てレーザ発振する。二のと
き全反射ミラー(1)と出射ミラー(2)との間にエタ
ロン(4)か挿入されているので、波長か選択され、ス
ペクトル幅の狭いレーザ光(L)が出射する。
エタロン(4)は、第5図に示すように、一方の面に高
反射膜(43)、他方の面に反射防止膜(44)を形成
した2枚の合成石英基板(44a)、(41b>を高反
射膜(43)どうしが対向するようにスペーサ(42)
を介して所定の間隔をあけて接合したものであり、この
対向した2つの高反射膜面(43)のギャップ間で光が
多重反射し干渉することによって波長選択性が得られる
−発明が解決しようとする課題] 以上のような従来のエキシマレーザ用波長選択素子にお
いて、−mにエタロンは、光がエタロ〉′の入射面に対
してわずかな角度をもって入射するように使用されるた
め、原理上、入射した光のうちの一部は共振せず、光軸
から外れて損失となる。
第8図のA、B面はそれぞれエタロンのギヤ・ツブ面、
もしくは高反射膜面〈43)であり、C,Dはエタロン
l\の入射光と出射光て゛ある。A面から入射した光C
はA、B面のギヤ・ツブ間で多重反射を繰り返した後、
B面から出射する。二のとき、aの部分は有効な光とし
て取出されるが、bの部分は十分に干渉しないため有効
な光として取出せずに損失となる。また、エタロンの高
反射膜(43)、反射防止膜(44)ともに、理想的な
反射面、透過面をもっていないため、これらの面で光が
散乱することによっても、光が光軸から外れて損失とな
る。
エタロンに入射した光のうち、このようにし−ザ光の光
軸から外れた光は不要な光である。
従来のエタロンにおいては、これらの光軸を外れた不要
な光かエタロン内部で反射を繰り返す間に一部は熱に変
換され、エタロンの温度は上昇し、熱膨張による歪等が
発生してエタロ〉としての機能が低下するという間I!
点があった。
二の発明は以上のような問題点を解決するためになされ
たちのて、エタロンの温度上昇を低減させることができ
、したかって長時間にわたって初期特性を維持すること
かて゛きるエキシマし−ザ用波長選択素子を得ることを
目的とする。′11を解決するための手段] 二の発明に係るエキシマし−ザ用波長選択素子は、波長
選択素子であるエタロンの外周円筒面に渭を設けるか、
エタロン外周1こ放熱フィンが装着されている。
2作 用] この発明においては、エタロンの外周円筒面に溝または
半放熱フィンを設けることにより放熱効果が高まり、熱
歪による光学的特性の劣化を防止する。
[実施例] 第1図、第2図はこの発明の一実施例を示し、図におい
て、(45)は合成石英基板(41a) 、 (41b
)のその他、第7図におけると同一符号右同一部分であ
る。
以上の構成により、合成石英基板(41a) 、 (4
1b)の外周円筒面に放熱1(45)が設けられた波長
選択素子(4)においては、エタロン内部で発生する熱
の発散を容易にし、エタロンの温度上昇をおさえること
ができ、熱歪を軽減することができる。
レーザ装置、特にエキシマレーザのような短波長レーザ
用のエタロンにおいては、pm(ピコメータ)のオーダ
で光の制御を行うなめ、基板のギャップ間の距離および
ギャップ面の面精度には非常に高い精度が要求される。
この実施例によれば、精度低下の因子となる熱歪を低減
し、エタロンの性能向上、ひいてはレーザ装置の性能向
上が可能となる。
この実施例における実験結果を表1に示す。
表1は、それぞれエタロンをKrFエキシマし−ザ(波
長248mm 、20]1z 、 10mJ/cm:)
で30分間動作させたときのエタロンの温度上昇と、温
度上昇による熱歪から発生する波長シフトについて示し
たものである。表1より、従来のエタロンに比べて本発
明によるエタロンの性能が向上しているのがわかる。以
上、この発明のエア・キャップ型エタロンにおける適用
例を示したか2平行平板型および、ソリッド型エタロン
においてもエア・ギャップ型同様、本発明によって性能
向上が達成される。
また、放熱溝(45)の方向は、縦、横、斜め、いずれ
の方向でもよい。
第3図、第4図はソリッド型エタロンで放熱漬(45)
の方向が縦の他の実施例を示す。第1図におけると同一
符号は同一部分を示している。
以上の構成により、まえの実施例と同様の効果を奏する
また、放熱溝を合成石英基板(41)に直接加工しなく
とも、従来タイプのエタロンの円周面上に、熱伝導率の
高い材質で作成された例えばアルミ製の放熱フィンを装
着してもよい。その実施例を第5図に示す。図において
、(46)は後付けの放熱フィンである。
以上の構成により、エタロン内部の散乱光が円筒面方向
に出射しなくなり、一部材質か有機物でなるエタロンホ
ルダ(図示せず)との反応もなくなり、エタロンの汚染
しなく、長期間安定でクリーンな表面状態が得られると
いう効果もある。
なお、エタロンにより選択する波長を制御する手段とし
てはギャップ間の距離を変える方法、レーザ光の光軸と
エタロンの角度を変化させる方法、いずれの方法も可能
である。
[発明の効果j 以上のように、二の発明によればエタロンの外周円筒面
に放熱溝または放熱フィンを設けることによって、エタ
ロン内部で発生する熱の発散を容易にし、エタロンの熱
歪を軽減し、光学的初期特性を長期間維持できるという
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施内の斜視図、第2図は同じく
縦断面図、第3図は他の実施例の斜視図、第4図は同し
く縦断面図、第5図はさらに他の実施例の斜視図、第6
図は従来のし−サ用エタロンを用いたし−研装置の側面
図、第7図は従来のエキシマレーサ用エタロンの側面図
、第8図は第7図のものにおける光路図である。 (4)  ・ エタロン(波長選択素子) 、(45)
・放熱溝、 (46)・・放熱フィン。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代  理  人     曾  我、 道  照PF、
1図 元2図     ′″′8 Pl−)3図 葱4図 W)6図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. レーザ共振器内に配置されるエキシマレーザ用波長選択
    素子において、外周円筒面に放熱溝および放熱フィンの
    いずれが設けられていることを特徴とするエキシマレー
    ザ用波長選択素子。
JP32229490A 1990-11-28 1990-11-28 エキシマレーザ用波長選択素子 Pending JPH04196378A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32229490A JPH04196378A (ja) 1990-11-28 1990-11-28 エキシマレーザ用波長選択素子

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32229490A JPH04196378A (ja) 1990-11-28 1990-11-28 エキシマレーザ用波長選択素子

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JPH04196378A true JPH04196378A (ja) 1992-07-16

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JP32229490A Pending JPH04196378A (ja) 1990-11-28 1990-11-28 エキシマレーザ用波長選択素子

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