JPH04196389A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
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- JPH04196389A JPH04196389A JP32293490A JP32293490A JPH04196389A JP H04196389 A JPH04196389 A JP H04196389A JP 32293490 A JP32293490 A JP 32293490A JP 32293490 A JP32293490 A JP 32293490A JP H04196389 A JPH04196389 A JP H04196389A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- insulating layer
- conductor
- organic insulating
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、素子の高密度実装に伴って要求される放熱性
、基板強度、高寸法安定性等の特徴より使用されている
メタルコア基板において、形成される導体の接着強度に
優れがっ絶縁の信顛性にも優れた配線基板に関する。
、基板強度、高寸法安定性等の特徴より使用されている
メタルコア基板において、形成される導体の接着強度に
優れがっ絶縁の信顛性にも優れた配線基板に関する。
（従来の技術）
電子部品の軽薄短小化に伴い部品の実装密度は、著しく
向上し、この傾向に伴い基板も多様化が進んでいる。ス
ルーホールを有する金属基板であるメタルコア基板もそ
のひとつであり、放熱性、基板強度、高寸法安定性等の
特徴より使用されている。
向上し、この傾向に伴い基板も多様化が進んでいる。ス
ルーホールを有する金属基板であるメタルコア基板もそ
のひとつであり、放熱性、基板強度、高寸法安定性等の
特徴より使用されている。
メタルコア基板は、スルーホールををする為、スルーホ
ール内壁と表面を絶縁し、その上に導体が形成されなけ
ればならない。現在の製造方法としては、金属板に穴明
げをし両側にエポキシ樹脂を含浸させたガラスクロスと
銅箔を配して熱圧ブレスにより接合し、その後穴内に流
動硬化したエポキシ樹脂に穴明けをし以下両面基板と同
様にして加工する方法や金属板に穴明は後電着塗装、静
電粉体塗装、流動浸漬法等により穴の内壁と表面を同時
に有機樹脂を被覆し、その後メンキにより導体を形成す
る方法がある。前者は、二層の穴明けにおける位置合わ
せ精度が難しく、工程も複雑となる。また表層がエポキ
シ樹脂含浸ガラスクロスであるため放熱性も低下するこ
ととなる。後者は、比較的容易に製造することが出来る
が、導体となるメッキ層の接着力が弱く、硬化した有機
絶縁層を粗面化しメッキ核を付け、その後無電解メ・７
キを行って導体を形成し、アンカー効果によりメッキ層
の接着力を向上させる手段がとられる。
ール内壁と表面を絶縁し、その上に導体が形成されなけ
ればならない。現在の製造方法としては、金属板に穴明
げをし両側にエポキシ樹脂を含浸させたガラスクロスと
銅箔を配して熱圧ブレスにより接合し、その後穴内に流
動硬化したエポキシ樹脂に穴明けをし以下両面基板と同
様にして加工する方法や金属板に穴明は後電着塗装、静
電粉体塗装、流動浸漬法等により穴の内壁と表面を同時
に有機樹脂を被覆し、その後メンキにより導体を形成す
る方法がある。前者は、二層の穴明けにおける位置合わ
せ精度が難しく、工程も複雑となる。また表層がエポキ
シ樹脂含浸ガラスクロスであるため放熱性も低下するこ
ととなる。後者は、比較的容易に製造することが出来る
が、導体となるメッキ層の接着力が弱く、硬化した有機
絶縁層を粗面化しメッキ核を付け、その後無電解メ・７
キを行って導体を形成し、アンカー効果によりメッキ層
の接着力を向上させる手段がとられる。
しかしながらこの粗面化させる為に、クロム酸混液、高
濃度アルカリ等の強い薬剤が使用される。
濃度アルカリ等の強い薬剤が使用される。
この為絶縁層にピンホールを発生する危険を有している
。
。
（発明が解決しようとする課題）
本発明の目的は、このような問題に対し導体となるメッ
キ層の接着力と絶縁信頬性に優れたメタルコア基板を提
供することにある。
キ層の接着力と絶縁信頬性に優れたメタルコア基板を提
供することにある。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成した本発明の配線基板は、金属板上に電
気泳動により形成された有機絶縁層、その上にメッキに
より形成された導体を備えた配線基板であって、上記導
体が上記有機絶縁層の熱硬化前にメッキ核を付与され硬
化後にメッキを行うことにより設けられたことを特徴と
する。
気泳動により形成された有機絶縁層、その上にメッキに
より形成された導体を備えた配線基板であって、上記導
体が上記有機絶縁層の熱硬化前にメッキ核を付与され硬
化後にメッキを行うことにより設けられたことを特徴と
する。
本発明に使用される金属板としては、特に限定されるも
のではないが、通常アルミニウム、鉄、珪素鋼板、陽極
酸化アルミニウム、銅、銅クラ。
のではないが、通常アルミニウム、鉄、珪素鋼板、陽極
酸化アルミニウム、銅、銅クラ。
ドインハー等が挙げられる。
本発明に使用される有機絶縁層としては、エポキシ樹脂
、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂等の層が挙げられるが
、耐電圧、耐熱性の面よりポリイミド樹脂から成るのが
望ましい。本発明に用いられるポリイミドとしては、特
に限定はされないが、接着性の面より例えば３．３′
−ジアミノヘンヅフェノン、１．３−ビス（３−アミノ
フェノキシ）ヘンゼン、４．４′ −ビス（３−アミノ
フェノキシ）ビフェニル、２．２−ビスＣ４−（３−ア
ミノフェノキシ）フエニルジプロパン、２，２−ビス（
／１−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕 −１，１
，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、ビス［４
−（３−アミノフェノキシ）フェニルフスルフィド、ビ
ス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニルコケトン、
ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホ
ン等のジアミンと例えばエチレンテトラカルボン酸二無
水物、シクロペンクンテトラカルボン酸二無水物、ピロ
メリット酸二無水物、３．３’、４．４’ −ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物、２．２’。
、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂等の層が挙げられるが
、耐電圧、耐熱性の面よりポリイミド樹脂から成るのが
望ましい。本発明に用いられるポリイミドとしては、特
に限定はされないが、接着性の面より例えば３．３′
−ジアミノヘンヅフェノン、１．３−ビス（３−アミノ
フェノキシ）ヘンゼン、４．４′ −ビス（３−アミノ
フェノキシ）ビフェニル、２．２−ビスＣ４−（３−ア
ミノフェノキシ）フエニルジプロパン、２，２−ビス（
／１−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕 −１，１
，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、ビス［４
−（３−アミノフェノキシ）フェニルフスルフィド、ビ
ス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニルコケトン、
ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホ
ン等のジアミンと例えばエチレンテトラカルボン酸二無
水物、シクロペンクンテトラカルボン酸二無水物、ピロ
メリット酸二無水物、３．３’、４．４’ −ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物、２．２’。
３．３′ −ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
、３．３’、４．４’ −ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物、２．２’、３．３’ −ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）プロパンニ無水物、２，２′−ビス（
２，３−ジカルボキシフェニル）プロパンニ無水物、ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテルニ無水物
、ビス（３゜４−ジカルボキシフェニル）スルホンニ無
水物、１．１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）
エタンニ無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル
）メタンニ無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）メタンニ無水物、２，３，６゜７−ナフタレンテト
ラカルボン酸二無水物、１゜４．５．８−ナフタレンテ
トラカルボン酸二無水物、１．２．５．６−ナフタレン
テトラカルボン酸二無水物、１．２．３．４−ヘンゼン
テトラカルボン酸二無水物、３，４，９．１０−ペリレ
ンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６．７−アント
ラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７゜８−フ
ェナントレンテトラカルボン酸二無水物等のテトラカル
ボン酸二無水物より構成されるポリアミド酸を加熱イミ
ド化して得られるポリイミドが好ましい。これらは単独
でも或いは２種以上混合して用いても構わない。
、３．３’、４．４’ −ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物、２．２’、３．３’ −ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）プロパンニ無水物、２，２′−ビス（
２，３−ジカルボキシフェニル）プロパンニ無水物、ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテルニ無水物
、ビス（３゜４−ジカルボキシフェニル）スルホンニ無
水物、１．１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）
エタンニ無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル
）メタンニ無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）メタンニ無水物、２，３，６゜７−ナフタレンテト
ラカルボン酸二無水物、１゜４．５．８−ナフタレンテ
トラカルボン酸二無水物、１．２．５．６−ナフタレン
テトラカルボン酸二無水物、１．２．３．４−ヘンゼン
テトラカルボン酸二無水物、３，４，９．１０−ペリレ
ンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６．７−アント
ラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７゜８−フ
ェナントレンテトラカルボン酸二無水物等のテトラカル
ボン酸二無水物より構成されるポリアミド酸を加熱イミ
ド化して得られるポリイミドが好ましい。これらは単独
でも或いは２種以上混合して用いても構わない。
又、本樹脂中に放熱性を向上させる目的にて無機フィラ
ーを加えても構わない。この目的で使用される無機フィ
ラーとしては、例えばアルミナ、ンリカ、窒化硼素、炭
化珪素、窒化アルミニウム、酸化ベリリウム等が挙げら
れる。
ーを加えても構わない。この目的で使用される無機フィ
ラーとしては、例えばアルミナ、ンリカ、窒化硼素、炭
化珪素、窒化アルミニウム、酸化ベリリウム等が挙げら
れる。
電気泳動によるポリイミド絶縁膜の形成は、以下のよう
にして行うことが出来る。すなわちポリイミドの前駆体
であるポリアミド酸をアミン等で中和し、水希釈するこ
とにより電着液を調製し、木電着液中乙こて所定の穴明
けをされた金属板を陽極として通常１０Ｖ〜３００■の
電圧にて電気泳動を行い、金属板にポリアミド酸被膜を
形成する。その後、加熱イミド化することによりポリイ
ミド絶縁層を形成することが出来る。
にして行うことが出来る。すなわちポリイミドの前駆体
であるポリアミド酸をアミン等で中和し、水希釈するこ
とにより電着液を調製し、木電着液中乙こて所定の穴明
けをされた金属板を陽極として通常１０Ｖ〜３００■の
電圧にて電気泳動を行い、金属板にポリアミド酸被膜を
形成する。その後、加熱イミド化することによりポリイ
ミド絶縁層を形成することが出来る。
本発明に使用されるメッキ核としては、パラジウム、銅
、銀等が挙げられるが、ポリアミド酸被膜の加熱イミド
化時の酸化防止の面よりパラジウムが望ましい。
、銀等が挙げられるが、ポリアミド酸被膜の加熱イミド
化時の酸化防止の面よりパラジウムが望ましい。
以下にパラジウム核の被着方法の一例を示す。
上記の如（電着浴中にてポリアミド酸被膜を形成された
金属板を水洗後、塩化錫コロイド液に浸漬し、次いで塩
化パラジウム水溶液に浸漬しポリアミド酸被膜上にパラ
ジウム核を形成する。その後加熱イミド化によりポリア
ミド酸を脱水イミド化するとともにパラジウム核をポリ
イミド層に固定化する。
金属板を水洗後、塩化錫コロイド液に浸漬し、次いで塩
化パラジウム水溶液に浸漬しポリアミド酸被膜上にパラ
ジウム核を形成する。その後加熱イミド化によりポリア
ミド酸を脱水イミド化するとともにパラジウム核をポリ
イミド層に固定化する。
次いで無電解銅メッキを行いポリイミド被膜上に銅導体
層を形成する。この際無電解メンキと電気メッキを併用
してももちろん構わない。無電解メッキ前にメッキ核の
露出を促す為に、必要に応して溶剤、アルカリにより有
機絶縁層の表面をエツチングしても構わないがあくまで
表面を軽くエツチングを行うことが重要である。
層を形成する。この際無電解メンキと電気メッキを併用
してももちろん構わない。無電解メッキ前にメッキ核の
露出を促す為に、必要に応して溶剤、アルカリにより有
機絶縁層の表面をエツチングしても構わないがあくまで
表面を軽くエツチングを行うことが重要である。
メッキされた基板は、通常の両面基板と同様に、例えば
ドライフィルム、スクリーン印刷等の技術により所望の
回路形成が行われ、メタルコア配線基板が得られる。
ドライフィルム、スクリーン印刷等の技術により所望の
回路形成が行われ、メタルコア配線基板が得られる。
（発明の効果）
このようにして得られた本発明の配線基板は従来のメタ
ルコア基板の特徴を維持しつつ、導体回路の接着強度と
絶縁倍額性に優れるものであり、産業上有用なものであ
る。
ルコア基板の特徴を維持しつつ、導体回路の接着強度と
絶縁倍額性に優れるものであり、産業上有用なものであ
る。
（実施例）
以下、実施例を挙げ、本発明をより具体的に説明する。
以下の実施例において、接着強度は導体５ＩＩＩＩＩ１
幅にての９０°引き剥がし強度の測定結果をｋｇ ／
ｃｍの単位に換算し表示する。絶縁破壊電圧はＡＣにて
各電圧を１分間印加しモレ電流か５ｍＡに達した場合絶
縁破壊とみなす。半田耐熱性は、常態にて２６０”Ｃ２
０秒の半田浸漬を行った後の外観にて判定した。
幅にての９０°引き剥がし強度の測定結果をｋｇ ／
ｃｍの単位に換算し表示する。絶縁破壊電圧はＡＣにて
各電圧を１分間印加しモレ電流か５ｍＡに達した場合絶
縁破壊とみなす。半田耐熱性は、常態にて２６０”Ｃ２
０秒の半田浸漬を行った後の外観にて判定した。
実１壓１
ジアミンとして１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）
ベンゼン、テトラカルボン酸二無水物として３．３’、
４．４’ −ヘンシフエノンテトラカルボン酸二無水
物を反応させポリアミド酸を得た。本ポリアミド酸をジ
メチルエタノールアミンにて中和し、水を加えて電着液
を調製した。ドリルにより直径０．５皿の穴を開けたア
ルミニウム板を電着液中に浸漬しこのアルミニウム板を
陽極とし、ステンレスの板を陰極として１００ Ｖ３Ｑ
秒間の印加にて電気泳動を行った。本基板を水洗後、塩
化錫コロイド液に１分間浸漬し、次いで塩化パラジウム
水溶液に２分浸漬した。本基板を１２０°Ｃで３０分、
１８０°Ｃで３０分、次いで２５０°Ｃで３０分加熱イ
ミド化を行って、メッキ核を有するポリイミド絶縁層を
形成した。絶縁層厚は、１５μｍであった。
ベンゼン、テトラカルボン酸二無水物として３．３’、
４．４’ −ヘンシフエノンテトラカルボン酸二無水
物を反応させポリアミド酸を得た。本ポリアミド酸をジ
メチルエタノールアミンにて中和し、水を加えて電着液
を調製した。ドリルにより直径０．５皿の穴を開けたア
ルミニウム板を電着液中に浸漬しこのアルミニウム板を
陽極とし、ステンレスの板を陰極として１００ Ｖ３Ｑ
秒間の印加にて電気泳動を行った。本基板を水洗後、塩
化錫コロイド液に１分間浸漬し、次いで塩化パラジウム
水溶液に２分浸漬した。本基板を１２０°Ｃで３０分、
１８０°Ｃで３０分、次いで２５０°Ｃで３０分加熱イ
ミド化を行って、メッキ核を有するポリイミド絶縁層を
形成した。絶縁層厚は、１５μｍであった。
その後、無電解メッキにて１μｍ、次いで電気メッキに
より総厚１８μｍの銅メッキ層を形成した。
より総厚１８μｍの銅メッキ層を形成した。
メッキ層の接着強度は、１．５ｋｇ／ｃｍ。絶縁破壊電
圧は、７．５にνであった。半田浸漬後の外観は、スル
ーホール内、表面ともに異常はなかった。
圧は、７．５にνであった。半田浸漬後の外観は、スル
ーホール内、表面ともに異常はなかった。
裏箱■１
ジアミンとして２．２−ビス［４−（３−アミノフェノ
キシ）フェニル〕プロパン、テトラカルボン酸二無水物
として３．３’、４．４’ −ヘンシフエノンテトラ
カルボン酸二無水物を反応させポリアミド酸を得た。実
施例１と同様にして電着液を調製し、アルミニウム板に
８０ Ｖ ４０秒の印加によりポリアミド酸電着を行い
、メッキ核を付与し加熱イミド化を行って、メッキ核を
存する、ポリイミド絶縁層を形成した。絶縁層の厚さは
、１７μｍであった。本処理板を３０°ＣＩＯ％水酸化
ナトリウム水溶液に２０秒浸漬した後、充分水洗し、そ
の後、無電解メッキを行った。メッキ厚は、１８μｍで
あった。メッキ層の接着強度は、］ 、 ８ ｋｇ ／
ｃｍ。絶縁破壊電圧は、７．２ｋＶであった。半田浸
漬後の外観は、スルーホール内、表面ともに異常はなか
った。
キシ）フェニル〕プロパン、テトラカルボン酸二無水物
として３．３’、４．４’ −ヘンシフエノンテトラ
カルボン酸二無水物を反応させポリアミド酸を得た。実
施例１と同様にして電着液を調製し、アルミニウム板に
８０ Ｖ ４０秒の印加によりポリアミド酸電着を行い
、メッキ核を付与し加熱イミド化を行って、メッキ核を
存する、ポリイミド絶縁層を形成した。絶縁層の厚さは
、１７μｍであった。本処理板を３０°ＣＩＯ％水酸化
ナトリウム水溶液に２０秒浸漬した後、充分水洗し、そ
の後、無電解メッキを行った。メッキ厚は、１８μｍで
あった。メッキ層の接着強度は、］ 、 ８ ｋｇ ／
ｃｍ。絶縁破壊電圧は、７．２ｋＶであった。半田浸
漬後の外観は、スルーホール内、表面ともに異常はなか
った。
夫施拠立
ジアミンとして３．３′ −ジアミノヘンヅフエノン、
テトラカルボン酸二無水物として３．３′。
テトラカルボン酸二無水物として３．３′。
４．４′ −ヘンシフエノンテトラカルボン酸二無水物
を反応させポリアミド酸を得た。本ポリアミド酸溶液に
平均粒径１μｍのアルミナを対固形分５０重量％を加え
、３本ロールにより混練した。その後実施例１と同様に
して電着液を調製し、アルミニウム板に１２０ Ｖ２Ｏ
秒の印加により電着を行い、メッキ核を付与し加熱イミ
ド化を行って、メッキ核を有するポリイミド絶縁層を形
成した。絶縁層の厚さは、２５μｍであった。その後、
無電解メッキと電気メッキを行った。メッキ厚は、３５
μｍであった。メッキ層の接着強度は、１．６ ｋｇ／
ｃｍ、絶縁破壊電圧は、９．０にνであった。半田浸漬
後の外観は、スルーホール内、表面ともに異常はなかっ
た。
を反応させポリアミド酸を得た。本ポリアミド酸溶液に
平均粒径１μｍのアルミナを対固形分５０重量％を加え
、３本ロールにより混練した。その後実施例１と同様に
して電着液を調製し、アルミニウム板に１２０ Ｖ２Ｏ
秒の印加により電着を行い、メッキ核を付与し加熱イミ
ド化を行って、メッキ核を有するポリイミド絶縁層を形
成した。絶縁層の厚さは、２５μｍであった。その後、
無電解メッキと電気メッキを行った。メッキ厚は、３５
μｍであった。メッキ層の接着強度は、１．６ ｋｇ／
ｃｍ、絶縁破壊電圧は、９．０にνであった。半田浸漬
後の外観は、スルーホール内、表面ともに異常はなかっ
た。
此Ｊｌ辻１
実施例１において得られた電着液を用い同一の電着条件
にて電気泳動を行った。本基板を水洗した後、１２０
’Ｃ３０分、１８０°Ｃ３０分、次いで２５０°Ｃ３０
分加熱イミド化を行った。絶縁層厚は、１５μｍであっ
た。塩化錫コロイド液に１分間浸漬し、次いで塩化パラ
ジウム水溶液に２分間浸漬し、メッキ核を付与した。メ
ッキ核を有するポリイミド絶縁層を形成した。その後、
無電解メッキにて１μｍ、次いで電気メンキにより総厚
１８μｍの銅メッキ層を形成した。絶縁破壊電圧は、７
．５ｋＶであったが、メッキ層の接着強度は、０．２ｋ
ｇ／Ｃｍと低く、半田浸漬後の外観は、スルーホール内
、表面ともに絶縁層と銅メッキ層の間で剥離を生じてい
た。
にて電気泳動を行った。本基板を水洗した後、１２０
’Ｃ３０分、１８０°Ｃ３０分、次いで２５０°Ｃ３０
分加熱イミド化を行った。絶縁層厚は、１５μｍであっ
た。塩化錫コロイド液に１分間浸漬し、次いで塩化パラ
ジウム水溶液に２分間浸漬し、メッキ核を付与した。メ
ッキ核を有するポリイミド絶縁層を形成した。その後、
無電解メッキにて１μｍ、次いで電気メンキにより総厚
１８μｍの銅メッキ層を形成した。絶縁破壊電圧は、７
．５ｋＶであったが、メッキ層の接着強度は、０．２ｋ
ｇ／Ｃｍと低く、半田浸漬後の外観は、スルーホール内
、表面ともに絶縁層と銅メッキ層の間で剥離を生じてい
た。
瓦較±Ｉ
実施例１において得られた電着液を用い同一の電着条件
にて電気泳動を行った。本基板を水洗後、１２０°Ｃ３
０分、１８０°Ｃ３０分、次いで２５０°Ｃ３０分加熱
イミド化を行いポリイミド絶縁層を形成した。絶縁層厚
は、１５μｍであった。本処理板を８０°Ｃの１０％水
酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬した後、充分水洗し
、塩化錫コロイド液に１分間浸漬し、次いで塩化パラジ
ウム水溶液に２分間浸漬し、メッキ核を付与した。その
後、無電解メッキにて１μｍ、次いで電気メッキにより
総厚１８μｍの銅メッキ層を形成した。メッキ層の接着
強度は、１．６ｋｇ ／ ｃｒｎ、半田浸漬後の外観は
、スルーホール内、表面ともに異常なかったが、絶縁破
壊電圧は、０、５ｋＶ と低い値であった。
にて電気泳動を行った。本基板を水洗後、１２０°Ｃ３
０分、１８０°Ｃ３０分、次いで２５０°Ｃ３０分加熱
イミド化を行いポリイミド絶縁層を形成した。絶縁層厚
は、１５μｍであった。本処理板を８０°Ｃの１０％水
酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬した後、充分水洗し
、塩化錫コロイド液に１分間浸漬し、次いで塩化パラジ
ウム水溶液に２分間浸漬し、メッキ核を付与した。その
後、無電解メッキにて１μｍ、次いで電気メッキにより
総厚１８μｍの銅メッキ層を形成した。メッキ層の接着
強度は、１．６ｋｇ ／ ｃｒｎ、半田浸漬後の外観は
、スルーホール内、表面ともに異常なかったが、絶縁破
壊電圧は、０、５ｋＶ と低い値であった。
特許出願人 三井東圧化学株式会社
Claims (2)
- １．金属板上に、電気泳動により形成された有機絶縁層
、その上にメッキにより形成された導体を備えた配線基
板であって、上記導体が、上記有機絶縁層の熱硬化前に
メッキ核が付与され、硬化後にメッキを行うことにより
設けられたことを特徴とする配線基板。 - ２．有機絶縁層がポリイミド樹脂から成ることを特徴と
する請求項１記載の配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32293490A JP2945129B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32293490A JP2945129B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04196389A true JPH04196389A (ja) | 1992-07-16 |
| JP2945129B2 JP2945129B2 (ja) | 1999-09-06 |
Family
ID=18149267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100389468B1 (ko) * | 1998-05-29 | 2003-06-25 | 미츠이 긴조쿠 고교 가부시키가이샤 | 수지피복 복합체박, 그 제조방법 및 용도 |
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-
1990
- 1990-11-28 JP JP32293490A patent/JP2945129B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100389468B1 (ko) * | 1998-05-29 | 2003-06-25 | 미츠이 긴조쿠 고교 가부시키가이샤 | 수지피복 복합체박, 그 제조방법 및 용도 |
| US6652962B1 (en) | 1998-05-29 | 2003-11-25 | Mitsui Mining & Smelting Co. Ltd. | Resin-coated composite foil, production and use thereof |
| JP2008069424A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Nts:Kk | 放熱体及び放熱材塗装用電着塗料 |
| JP2008308762A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-12-25 | Kimoto & Co Ltd | 無電解メッキ形成材料、および無電解メッキされた非導電性基材の製造方法 |
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| JP2945129B2 (ja) | 1999-09-06 |
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