JPH04196515A - 合焦装置 - Google Patents
合焦装置Info
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- JPH04196515A JPH04196515A JP2332417A JP33241790A JPH04196515A JP H04196515 A JPH04196515 A JP H04196515A JP 2332417 A JP2332417 A JP 2332417A JP 33241790 A JP33241790 A JP 33241790A JP H04196515 A JPH04196515 A JP H04196515A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体等の露光転写に使用する縮小投影露光
装置における合焦装置に関するものである。
装置における合焦装置に関するものである。
従来の技術
最近、マスクに描かれたパターンをウエノ\上へ転写す
る装置として、縮小投影露光装置(以後、ステッパーと
呼ぶ)がDRAMやLSI等の製造に盛んに利用される
ようになって来た。このステッパーには投影レンズを通
してレチクルパターンをウェハ上に鮮明に投影するため
の合焦装置が組み込まれており、この合焦装置としては
、例えば、特開昭60−101540号公報や精密工学
会編、精密機構(オーム社)、精密工学台、研究例会N
o89−03等に記載されている構成で知られている。
る装置として、縮小投影露光装置(以後、ステッパーと
呼ぶ)がDRAMやLSI等の製造に盛んに利用される
ようになって来た。このステッパーには投影レンズを通
してレチクルパターンをウェハ上に鮮明に投影するため
の合焦装置が組み込まれており、この合焦装置としては
、例えば、特開昭60−101540号公報や精密工学
会編、精密機構(オーム社)、精密工学台、研究例会N
o89−03等に記載されている構成で知られている。
以下、図面を参照しながら上記従来のステッパーにおけ
る合焦装置について説明する。
る合焦装置について説明する。
第7図は従来例における合焦装置を示す構成図である。
第7図において、101はウェハ、102はウェハ10
1を3次元的に移動させるためのウェハステージであり
、合焦調整では主に上下方向(Z軸方向)の移動を行な
う。103はレチクル(図示せず)のパターンをウェハ
101irlu::投影露光するための投影レンズ、1
04はLED等の発光素子、105は発光素子104で
発した光を平行光線にするためのレンズであり、このレ
ンズ105の焦点付近に発光素子104が設けられてい
る。106は送光スリットであり、平行光線の一部を通
過させるために長方形状のスリットが開けられ、この長
方形のスリットの中心が光軸となるように設けられてい
る。107は送光スリット106から発せられたスリッ
ト光をウェハ101の面上に結像するためのレンズ、1
08はウェハ101上で反射したスリット光を再び結像
させるためのレンズ、109は光軸を中心として円周方
向に振動する振動ミラー、110は振動ミラー109を
振動周波数fで駆動するミラードライバ、111は振動
ミラー109の振動中心(無振動状態)に対し、共役な
光軸中心に開けられた長方形状のスリットを持つ受光ス
リット、112は同様にレンズ108による結像点と共
役な位置に設けられ、受光スリット111を通った光を
電気信号に変換するための受光素子、113は受光素子
112からの信号114を振動ミラー109の振動周波
数fのサイン波信号で位相同期検波し、かつ平滑化する
ための位相同期検波処理回路、115は位相同期検波処
理回路113からの信号116により焦点ずれ量を算出
し、それに従ってウェハステージ102を上下方向(Z
軸方向)に移動させるためのウェハステージ制御駆動回
路である。
1を3次元的に移動させるためのウェハステージであり
、合焦調整では主に上下方向(Z軸方向)の移動を行な
う。103はレチクル(図示せず)のパターンをウェハ
101irlu::投影露光するための投影レンズ、1
04はLED等の発光素子、105は発光素子104で
発した光を平行光線にするためのレンズであり、このレ
ンズ105の焦点付近に発光素子104が設けられてい
る。106は送光スリットであり、平行光線の一部を通
過させるために長方形状のスリットが開けられ、この長
方形のスリットの中心が光軸となるように設けられてい
る。107は送光スリット106から発せられたスリッ
ト光をウェハ101の面上に結像するためのレンズ、1
08はウェハ101上で反射したスリット光を再び結像
させるためのレンズ、109は光軸を中心として円周方
向に振動する振動ミラー、110は振動ミラー109を
振動周波数fで駆動するミラードライバ、111は振動
ミラー109の振動中心(無振動状態)に対し、共役な
光軸中心に開けられた長方形状のスリットを持つ受光ス
リット、112は同様にレンズ108による結像点と共
役な位置に設けられ、受光スリット111を通った光を
電気信号に変換するための受光素子、113は受光素子
112からの信号114を振動ミラー109の振動周波
数fのサイン波信号で位相同期検波し、かつ平滑化する
ための位相同期検波処理回路、115は位相同期検波処
理回路113からの信号116により焦点ずれ量を算出
し、それに従ってウェハステージ102を上下方向(Z
軸方向)に移動させるためのウェハステージ制御駆動回
路である。
以上のような構成において、以下、その動作について説
明する。
明する。
第7図においては、レチクル、投影レンズ103、ウェ
ハ101の光学系でレチクルパターンの焦点がウェハ1
01の表面上で合った時の状態を示しており、この時の
投影レンズ103とウェハ101との間の距離をZoと
する。
ハ101の光学系でレチクルパターンの焦点がウェハ1
01の表面上で合った時の状態を示しており、この時の
投影レンズ103とウェハ101との間の距離をZoと
する。
発光素子104からの光は、レンズ105で平行光にな
る。この平行光のうち、光軸近傍の光は送光リフト10
6を通り、レンズ107により投影レンズ103の中心
の直下で、かつウェハ101の表面上で送光スリット1
06の像を結ぶ。この像はウェハ101上で反射され、
レンズ108を通り、ミラードライバ110により振動
周波数fで駆動される振動ミラー109で反射される。
る。この平行光のうち、光軸近傍の光は送光リフト10
6を通り、レンズ107により投影レンズ103の中心
の直下で、かつウェハ101の表面上で送光スリット1
06の像を結ぶ。この像はウェハ101上で反射され、
レンズ108を通り、ミラードライバ110により振動
周波数fで駆動される振動ミラー109で反射される。
上記のようにウェハ101は合焦点Z=Zoにおかれて
いるため、この反射された光は受光素子112の前に設
けられた受光スリット111におけるスリットの中心、
つまり光軸中心をセンタとして、一定振幅AOで振動す
る。今、送光スリット106のスリット幅をLl、受光
スリット111のスリット幅をL2とすると、Ll≦L
2≦AOのとき、受光素子112の電気信号114は、
第8図の■で示すように振動ミラー109の振動周波数
fの2倍の周波数2fのサイン波に近い信号となる。そ
して、ウェハステージ102を移動させるに従い、受光
スリット111上に投影された送光スリット106の像
の中心が移動するため、第8図に示す工〜■へと波形が
変化して行く。受光素子112の出力信号114につい
てミラードライバ110からの振動周波数fのサイン波
信号をリファレンス信号として位相同期検波処理回路1
13で検波して平滑化すると、ウエノX101が合焦点
2=20にある時には出力信号116は零となる。そし
て、ウェハステージ102を移動させて行くに従って第
9図に示すようなS字形の特性が得られる。この特性を
もとにしてウエノ1ステージ制御駆動回路115は、位
相同期検波処理回路113の出力信号116により現時
点のウエノ\101の位置Zを判定し、合焦点Z=ZO
との差(Z−2O)だけウェハステージ102を移動さ
せる。このようにして焦点合わせが行なわれる。
いるため、この反射された光は受光素子112の前に設
けられた受光スリット111におけるスリットの中心、
つまり光軸中心をセンタとして、一定振幅AOで振動す
る。今、送光スリット106のスリット幅をLl、受光
スリット111のスリット幅をL2とすると、Ll≦L
2≦AOのとき、受光素子112の電気信号114は、
第8図の■で示すように振動ミラー109の振動周波数
fの2倍の周波数2fのサイン波に近い信号となる。そ
して、ウェハステージ102を移動させるに従い、受光
スリット111上に投影された送光スリット106の像
の中心が移動するため、第8図に示す工〜■へと波形が
変化して行く。受光素子112の出力信号114につい
てミラードライバ110からの振動周波数fのサイン波
信号をリファレンス信号として位相同期検波処理回路1
13で検波して平滑化すると、ウエノX101が合焦点
2=20にある時には出力信号116は零となる。そし
て、ウェハステージ102を移動させて行くに従って第
9図に示すようなS字形の特性が得られる。この特性を
もとにしてウエノ1ステージ制御駆動回路115は、位
相同期検波処理回路113の出力信号116により現時
点のウエノ\101の位置Zを判定し、合焦点Z=ZO
との差(Z−2O)だけウェハステージ102を移動さ
せる。このようにして焦点合わせが行なわれる。
発明が解決しようとする課題
一般にウェハは半導体素子への製造過程において、蒸着
、レジスト塗布、エツチング等の種々のプロセス処理を
受け、その処理ごとにウェハの表面状態、つまり反射率
が変化する。また、同一プロセスでも、ウェハごとに反
射率が少しずつ異なる。そのために上記のような従来例
の構成では、投影レンズ103とウェハ101との間の
距離か一定値であってもプロセスごとの、またはウェハ
101ごとの反射率の違いにより受光素子112の出力
の振幅が変化する。したがって、投影レンズ103とウ
ェハ101との間の距離を変化させて得られた第8図の
各々の波形においても反射率の変化に従って振幅も変化
する。また、この信号を位相同期検波処理を行なうと、
振動ミラー109の周波数、振幅が同じであっても、ウ
ェハ101の反射率の違いにより第10図に示すように
、特性A、Bのような違いが生じる。そこで、ウェハ1
01ごとに、また、プロセス段階ごとにウェハステージ
102を移動させ、第9図に示すような特性を取り、そ
の特性に従って焦点合わせを行なうことが必要となり、
そのために多くの時間を要し、露光効率の向上に支障を
きたすという問題があった。
、レジスト塗布、エツチング等の種々のプロセス処理を
受け、その処理ごとにウェハの表面状態、つまり反射率
が変化する。また、同一プロセスでも、ウェハごとに反
射率が少しずつ異なる。そのために上記のような従来例
の構成では、投影レンズ103とウェハ101との間の
距離か一定値であってもプロセスごとの、またはウェハ
101ごとの反射率の違いにより受光素子112の出力
の振幅が変化する。したがって、投影レンズ103とウ
ェハ101との間の距離を変化させて得られた第8図の
各々の波形においても反射率の変化に従って振幅も変化
する。また、この信号を位相同期検波処理を行なうと、
振動ミラー109の周波数、振幅が同じであっても、ウ
ェハ101の反射率の違いにより第10図に示すように
、特性A、Bのような違いが生じる。そこで、ウェハ1
01ごとに、また、プロセス段階ごとにウェハステージ
102を移動させ、第9図に示すような特性を取り、そ
の特性に従って焦点合わせを行なうことが必要となり、
そのために多くの時間を要し、露光効率の向上に支障を
きたすという問題があった。
本発明は従来技術の以上のような問題を解決するもので
あり、合焦検出光学系の受光素子の出力を正規化するこ
とにより、位相同期検波処理後の出力値とウェハの移動
量との特性であるS字形特性を反射率に関係しない単一
の特性、つまり、正規化された特性とし、ウェハごと、
プロセス段階ごとに特性を取り直すことな(、短時間に
効率よく合焦操作を行なうことができるようにした合焦
装置を提供することを目的とするものである。
あり、合焦検出光学系の受光素子の出力を正規化するこ
とにより、位相同期検波処理後の出力値とウェハの移動
量との特性であるS字形特性を反射率に関係しない単一
の特性、つまり、正規化された特性とし、ウェハごと、
プロセス段階ごとに特性を取り直すことな(、短時間に
効率よく合焦操作を行なうことができるようにした合焦
装置を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するための本発明の技術的解決手段は、
発光素子から発した光を送光スリットに通してウェハ上
に結像し、この反射光を振動ミラーにより受光スリット
に通して受光素子に結像する合焦検出光学系と、上記ウ
ェハの入反射点と振動ミラーとの間の光路に設けられ、
反射、若しくは透過する一方の合焦検出光を上記振動ミ
ラーに導くハーフミラ−と、このハーフミラ−の透過、
若しくは反射するモニタ検出光を受光するモニタ用受光
素子と、上記合焦検出光の受光素子の8力と上記モニタ
用の受光素子の出力との比を求める除算手段と、上記振
動ミラーの振動周波数をリファレンス信号として上記除
算手段の値を位相同期検波することにより合焦検出を行
なう手段とを備えたものである。
発光素子から発した光を送光スリットに通してウェハ上
に結像し、この反射光を振動ミラーにより受光スリット
に通して受光素子に結像する合焦検出光学系と、上記ウ
ェハの入反射点と振動ミラーとの間の光路に設けられ、
反射、若しくは透過する一方の合焦検出光を上記振動ミ
ラーに導くハーフミラ−と、このハーフミラ−の透過、
若しくは反射するモニタ検出光を受光するモニタ用受光
素子と、上記合焦検出光の受光素子の8力と上記モニタ
用の受光素子の出力との比を求める除算手段と、上記振
動ミラーの振動周波数をリファレンス信号として上記除
算手段の値を位相同期検波することにより合焦検出を行
なう手段とを備えたものである。
また、発光素子から発した光を送光スリットに通してウ
ェハ上に結像し、この反射光を振動ハーフミラ−により
反射し、合焦検出光として受光スリットに通して受光素
子に結像する合焦検出光学系と、上記振動ハーフミラ−
を透過するモニタ検出光を受光するモニタ検出用受光素
子と、上記合焦検出光の受光素子の出力と上記モニタ用
受光素子の出力との比を求める除算手段と、上記振動ミ
ラーの振動周波数をリファレンス信号として上記除算手
段の値を位相同期検波することにより合焦検出を行なう
手段とを備えたものである。
ェハ上に結像し、この反射光を振動ハーフミラ−により
反射し、合焦検出光として受光スリットに通して受光素
子に結像する合焦検出光学系と、上記振動ハーフミラ−
を透過するモニタ検出光を受光するモニタ検出用受光素
子と、上記合焦検出光の受光素子の出力と上記モニタ用
受光素子の出力との比を求める除算手段と、上記振動ミ
ラーの振動周波数をリファレンス信号として上記除算手
段の値を位相同期検波することにより合焦検出を行なう
手段とを備えたものである。
また、発光素子から発した光を送光スリットに通してウ
ェハ上に結像し、この反射光を振動ミラーにより受光ス
リットに通して受光素子に結像する合焦検出光学系と、
上記振動ミラーによる反射光の最大値を上記受光素子を
介して保持すると共に、出力するピークホールド回路と
、上記受光素子の出力と上記ピークホールド回路の出力
との比を求める除算手段と、上記振動ミラーの振動周波
数をリファレンス信号として上記除算手段の値を位相同
期検波することにより合焦検出を行なう手段とを備えた
ものである。
ェハ上に結像し、この反射光を振動ミラーにより受光ス
リットに通して受光素子に結像する合焦検出光学系と、
上記振動ミラーによる反射光の最大値を上記受光素子を
介して保持すると共に、出力するピークホールド回路と
、上記受光素子の出力と上記ピークホールド回路の出力
との比を求める除算手段と、上記振動ミラーの振動周波
数をリファレンス信号として上記除算手段の値を位相同
期検波することにより合焦検出を行なう手段とを備えた
ものである。
作 用
したがって、本発明によれば、ウェハの合焦検出光学系
の受光素子の出力と、この合焦検出光学系におけるウェ
ハからの反射側のノーーフミラーにより反射、若しくは
透過するモニタ検出光を受光したモニタ用受光素子との
比を除算手段で求め、またはウェハの合焦検出光学系の
受光素子の出力と、この合焦検出光学系におけるウェハ
からの反射側の振動ハーフミラ−の透過光を受光したモ
ニタ用受光素子の出力との比を除算手段で求め、または
ウェハの合焦検出光学系の受光素子の出力と、この受光
素子の出力からピークホールド回路で求めたウェハから
の反射側の振動ミラーによる反射光の最大値との比を除
算手段で求め、合焦検出光学系の受光素子の出力を正規
化し、振動ミラー、または振動ハーフミラ−の周波数を
リファレンス信号として上記正規化した値を位相周期検
波して合焦検出を行なうことにより、ウエノ\の反射率
の変化に依存することなく、合焦検出を行なうことがで
きる。
の受光素子の出力と、この合焦検出光学系におけるウェ
ハからの反射側のノーーフミラーにより反射、若しくは
透過するモニタ検出光を受光したモニタ用受光素子との
比を除算手段で求め、またはウェハの合焦検出光学系の
受光素子の出力と、この合焦検出光学系におけるウェハ
からの反射側の振動ハーフミラ−の透過光を受光したモ
ニタ用受光素子の出力との比を除算手段で求め、または
ウェハの合焦検出光学系の受光素子の出力と、この受光
素子の出力からピークホールド回路で求めたウェハから
の反射側の振動ミラーによる反射光の最大値との比を除
算手段で求め、合焦検出光学系の受光素子の出力を正規
化し、振動ミラー、または振動ハーフミラ−の周波数を
リファレンス信号として上記正規化した値を位相周期検
波して合焦検出を行なうことにより、ウエノ\の反射率
の変化に依存することなく、合焦検出を行なうことがで
きる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。
する。
まず、本発明の第1の実施例について説明する。
第1図は本発明の第1の実施例における合焦装置を示す
構成図である。
構成図である。
第1図はウェハが合焦点にあるときの状態を示している
。
。
第1図において、1はウェハ、2はウエノ\1を3次元
的に移動させるためのウエノ1ステージであり、合焦操
作では主に上下方向(Z軸方向)の移動を行なう。3は
レチクル(図示せス)ツバターンをウェハ1の面に投影
露光するための投影レンズ、4は合焦検出光学系におけ
るLED等の発光素子、5は発光素子4から発した点状
の光を平行光線にするためのレンズであり、このレンズ
5の焦点近傍に発光素子4が設けられている。6は送光
スリットであり、レンズ5からの平行光線の一部を通過
させるために長方形状のスリットが開けられ、この長方
形のスリットの中心が光軸となるように設けられている
。7はレンズであり、露光焦点が合った状態では、送光
スリット6を通過した光を投影レンズ3の中心直下のウ
ェハ1の面上Pに結像するような位置に設けられている
。8はウェハ1上で反射したスリット像を再び結像させ
るためのレンズ、9はハーフミラ−であり、レンズ8を
通った光の一部を反射させ、残る一部を透過させる。1
0はハーフミラ−9で反射したモニタ検出光を受光する
モニタ用受光素子であり、反射したモニタ検出光の光軸
上で、かつハーフミラ−9に対し、レンズ8の結像点と
共役な位置に設けられている。11は光軸を中心とした
円周方向に振動し、ハーフミラ−9を透過した合焦検出
光を反射する振動ミラー、12は振動ミラー11を周波
数f、一定振幅で振動させるドライバであり、周波数f
の発振回路を内蔵している。13は受光スリットであり
、振動ミラー11が振動中心にあるとき、すなわち、振
動停止状態の時、この振動ミラー11に対し、共役とな
る光軸をスリットの中心に持つ。14は受光スリット1
3を通過した光を電気信号に変換するための受光素子で
あり、停止状態の振動ミラー11に対し、レンズ8の焦
点と共役な位置の近傍に設けられている。15は増幅器
であり、合焦検出光学系の受光素子14の電気信号を増
幅する。16は増幅器であり、モニタ用受光素子10の
電気信号を増幅する。17は増幅器15の出力を増幅器
16の出力で除する除算器、18はドライバ12の周波
数信号をリファレンス信号として、除算器17の8力を
位相同期検波する位相同期検波器、19は位相同期検波
器18の出力信号を平滑化するための低域ろ波器、20
はウェハステージ制御回路であり、投影レンズ3とウェ
ハ1との距離を変化させることによって得られる位相同
期検波特性をもとにして低域ろ波器19の出力信号によ
りウェハステージ2の合焦点への移動量を決定し、移動
信号を出力する。21はウェハステージ駆動回路であり
、ウェハステージ制御回路20から出力された移動信号
に基づいてウェハステージ2を移動させるための駆動回
路である。
的に移動させるためのウエノ1ステージであり、合焦操
作では主に上下方向(Z軸方向)の移動を行なう。3は
レチクル(図示せス)ツバターンをウェハ1の面に投影
露光するための投影レンズ、4は合焦検出光学系におけ
るLED等の発光素子、5は発光素子4から発した点状
の光を平行光線にするためのレンズであり、このレンズ
5の焦点近傍に発光素子4が設けられている。6は送光
スリットであり、レンズ5からの平行光線の一部を通過
させるために長方形状のスリットが開けられ、この長方
形のスリットの中心が光軸となるように設けられている
。7はレンズであり、露光焦点が合った状態では、送光
スリット6を通過した光を投影レンズ3の中心直下のウ
ェハ1の面上Pに結像するような位置に設けられている
。8はウェハ1上で反射したスリット像を再び結像させ
るためのレンズ、9はハーフミラ−であり、レンズ8を
通った光の一部を反射させ、残る一部を透過させる。1
0はハーフミラ−9で反射したモニタ検出光を受光する
モニタ用受光素子であり、反射したモニタ検出光の光軸
上で、かつハーフミラ−9に対し、レンズ8の結像点と
共役な位置に設けられている。11は光軸を中心とした
円周方向に振動し、ハーフミラ−9を透過した合焦検出
光を反射する振動ミラー、12は振動ミラー11を周波
数f、一定振幅で振動させるドライバであり、周波数f
の発振回路を内蔵している。13は受光スリットであり
、振動ミラー11が振動中心にあるとき、すなわち、振
動停止状態の時、この振動ミラー11に対し、共役とな
る光軸をスリットの中心に持つ。14は受光スリット1
3を通過した光を電気信号に変換するための受光素子で
あり、停止状態の振動ミラー11に対し、レンズ8の焦
点と共役な位置の近傍に設けられている。15は増幅器
であり、合焦検出光学系の受光素子14の電気信号を増
幅する。16は増幅器であり、モニタ用受光素子10の
電気信号を増幅する。17は増幅器15の出力を増幅器
16の出力で除する除算器、18はドライバ12の周波
数信号をリファレンス信号として、除算器17の8力を
位相同期検波する位相同期検波器、19は位相同期検波
器18の出力信号を平滑化するための低域ろ波器、20
はウェハステージ制御回路であり、投影レンズ3とウェ
ハ1との距離を変化させることによって得られる位相同
期検波特性をもとにして低域ろ波器19の出力信号によ
りウェハステージ2の合焦点への移動量を決定し、移動
信号を出力する。21はウェハステージ駆動回路であり
、ウェハステージ制御回路20から出力された移動信号
に基づいてウェハステージ2を移動させるための駆動回
路である。
以上のような構成において、以下、その動作について説
明する。
明する。
合焦検出光学系の発光素子4から発した光は、レンズ5
により平行光になる。その平行光のうち、光軸近傍の光
は送光スリット6を通過し、レンズ7により投影レンズ
3の中心の直下で、かつウェハ1の表面上の点Pで送光
スリット6の像を結ぶ。このスリット像はウェハ1上で
反射され、レンズ8に達する。このレンズ8は結像する
ためのものであり、レンズ8を通った光はハーフミラ−
9で反射光(モニタ検出光)と透過光(合焦検出光)に
分けられる。反射光はノ\−フミラー9に対し、レンズ
8の焦点と共役な点、つまり反射光の結像点に設けられ
たモニタ用受光素子10に達し、このモニタ用受光素子
10で電気信号に変換される。合焦操作では、合焦点Z
=ZOを基準にして上下方向(Z軸方向)に数10μm
から数100μm程度のわずかな移動を行なうものであ
り、このような場合、モニタ用受光素子10の出力は、
ウェハ1の反射率が変わらなければ、一定値と見なすこ
とができる。一方、ハーフミラ−9で透過した光は、第
1図中の点線で示すレンズ8の焦点に結像しようとする
が、ドライバ12により周波数f、一定振幅で駆動させ
る振動ミラー11で反射され、この振動ミラー11に対
し、共役な点に結像する。そして、この共役点に受光素
子14が設けられ、また、受光素子14の直前には受光
スリット13が設けられている。また、上記のようにウ
ェハ1は合焦点Z=ZOに置かれているので、振動ミラ
ー11で反射された光は、受光スリット13におけるス
リットの中心、つまり、光軸をセンタとして、一定振幅
で振動している。
により平行光になる。その平行光のうち、光軸近傍の光
は送光スリット6を通過し、レンズ7により投影レンズ
3の中心の直下で、かつウェハ1の表面上の点Pで送光
スリット6の像を結ぶ。このスリット像はウェハ1上で
反射され、レンズ8に達する。このレンズ8は結像する
ためのものであり、レンズ8を通った光はハーフミラ−
9で反射光(モニタ検出光)と透過光(合焦検出光)に
分けられる。反射光はノ\−フミラー9に対し、レンズ
8の焦点と共役な点、つまり反射光の結像点に設けられ
たモニタ用受光素子10に達し、このモニタ用受光素子
10で電気信号に変換される。合焦操作では、合焦点Z
=ZOを基準にして上下方向(Z軸方向)に数10μm
から数100μm程度のわずかな移動を行なうものであ
り、このような場合、モニタ用受光素子10の出力は、
ウェハ1の反射率が変わらなければ、一定値と見なすこ
とができる。一方、ハーフミラ−9で透過した光は、第
1図中の点線で示すレンズ8の焦点に結像しようとする
が、ドライバ12により周波数f、一定振幅で駆動させ
る振動ミラー11で反射され、この振動ミラー11に対
し、共役な点に結像する。そして、この共役点に受光素
子14が設けられ、また、受光素子14の直前には受光
スリット13が設けられている。また、上記のようにウ
ェハ1は合焦点Z=ZOに置かれているので、振動ミラ
ー11で反射された光は、受光スリット13におけるス
リットの中心、つまり、光軸をセンタとして、一定振幅
で振動している。
この一定振幅をAOとする。受光スリット13を通過し
た光は、受光素子14で受光され、受光素子14の出力
信号は増幅器15で増幅される。また、モニタ用受光素
子10の出力は、増幅器16で増幅される。
た光は、受光素子14で受光され、受光素子14の出力
信号は増幅器15で増幅される。また、モニタ用受光素
子10の出力は、増幅器16で増幅される。
今、振動ミラー11が振動中心で停止している場合、合
焦検出光学系の受光素子12の出力と、モニタ受光素子
16の出力との比は一定であり、ハーフミラ−9の反射
光と透過光との光量比となる。そこで、その比が1とな
るように増幅器15および16で調整することにより除
算器17の8カは1となる。そこで、振動ミラー11が
停止している場合、ウェハステージ2を水平方向(X1
Y軸方向)に移動させても、また、垂直方向(Z軸方向
)に移動させても、また、反射率の異なるウェハ1に替
えても除算器17の出力は1となる。次に、ウェハステ
ージ2のZ軸を合焦点(この点をZOとする)に移動さ
せ、再び振動ミラー11を作動させると、送光スリット
6の像は、受光スリット13の表面上を、スリットの中
心をセンターとして、幅AOで振動する。送光スリット
6、受光スリット13のスリット間隙をそれぞれLl、
L2とすると、L1≦L2≦AOの時、除算器17の出
力は、第2図のVで示すように、最大値1、周波数2f
の正規化されたアナログ波形が得られる。そして、ウェ
ハステージ2のZ軸を移動させることにより、第2図の
I〜■のような正規化された波形を得ることができる。
焦検出光学系の受光素子12の出力と、モニタ受光素子
16の出力との比は一定であり、ハーフミラ−9の反射
光と透過光との光量比となる。そこで、その比が1とな
るように増幅器15および16で調整することにより除
算器17の8カは1となる。そこで、振動ミラー11が
停止している場合、ウェハステージ2を水平方向(X1
Y軸方向)に移動させても、また、垂直方向(Z軸方向
)に移動させても、また、反射率の異なるウェハ1に替
えても除算器17の出力は1となる。次に、ウェハステ
ージ2のZ軸を合焦点(この点をZOとする)に移動さ
せ、再び振動ミラー11を作動させると、送光スリット
6の像は、受光スリット13の表面上を、スリットの中
心をセンターとして、幅AOで振動する。送光スリット
6、受光スリット13のスリット間隙をそれぞれLl、
L2とすると、L1≦L2≦AOの時、除算器17の出
力は、第2図のVで示すように、最大値1、周波数2f
の正規化されたアナログ波形が得られる。そして、ウェ
ハステージ2のZ軸を移動させることにより、第2図の
I〜■のような正規化された波形を得ることができる。
また、ウェハ1ごとに反射率が違っても、また、同一ウ
ェハ1で部分的に反射率が異なっていても、また、プロ
セス段階ごとに反射率が違っていても、ウェハ1をZ軸
方向に移動させたときに得られる除算器17の出力信号
は、第2図のI〜■の正規化された波形が得られる。そ
こで、除算器17の出力を位相同期検波器18の信号入
力とし、ドライバ12の周波数信号をリファレンス信号
として位相同期検波し、その出力を低域ろ波器19で平
滑化すると、その出力は、ウェハ1のZ軸方向の移動量
に従って第3図に示すような最大値が一定値VOとなる
S字形の特性が得られる。この特性は、ウェハ1のP点
の反射率が異なっても常に同一となる。
ェハ1で部分的に反射率が異なっていても、また、プロ
セス段階ごとに反射率が違っていても、ウェハ1をZ軸
方向に移動させたときに得られる除算器17の出力信号
は、第2図のI〜■の正規化された波形が得られる。そ
こで、除算器17の出力を位相同期検波器18の信号入
力とし、ドライバ12の周波数信号をリファレンス信号
として位相同期検波し、その出力を低域ろ波器19で平
滑化すると、その出力は、ウェハ1のZ軸方向の移動量
に従って第3図に示すような最大値が一定値VOとなる
S字形の特性が得られる。この特性は、ウェハ1のP点
の反射率が異なっても常に同一となる。
したがって、第3図に示すS字形特性をウェハステージ
制御回路20に記憶させておき、ウェハ1が合焦点にな
いときの低域ろ波器19の出力をウェハステージ制御回
路20に入力し、その入力信号とS字形特性とを比較す
ることにより、合焦点までのウェハステージ2の移動量
を算出し、その移動量をウェハステージ駆動回路21に
出力し、ウェハステージ2を駆動させ、若しくはS字形
特性と比較し、低域ろ波器19の出力が0となるまでウ
ェハステージ2を駆動することにより、ウェハ1を合焦
点に移動させることができる。
制御回路20に記憶させておき、ウェハ1が合焦点にな
いときの低域ろ波器19の出力をウェハステージ制御回
路20に入力し、その入力信号とS字形特性とを比較す
ることにより、合焦点までのウェハステージ2の移動量
を算出し、その移動量をウェハステージ駆動回路21に
出力し、ウェハステージ2を駆動させ、若しくはS字形
特性と比較し、低域ろ波器19の出力が0となるまでウ
ェハステージ2を駆動することにより、ウェハ1を合焦
点に移動させることができる。
このように、本実施例によ゛れば、発光素子4より発し
た光を送光スリット6に通し、レンズ7で結像させてウ
ェハ1で反射させ、その反射光をレンズ8で再び結像さ
せるが、結像させる前にハーフミラ−9で反射光と透過
光に分け、反射光をモニタ用受光素子10で検出し、一
方、透過光を振動ミラー11で反射し、その反射光をス
リット13に通して受光素子14で検出する。そして、
受光素子14の増幅後の出力を被除算入力とし、モニタ
用受光素子10の増幅後の出力を除算入力として、除算
器17で除することにより正規化し、振動ミラー8の振
動周波数信号をリファレンスとして、上記正規化した値
を位相同期検波器18および低域ろ波器19で検波、平
滑し、ウェハステージ制御回路20で合焦点までのウェ
ハ1の移動距離を求め、ウェハステージ振動回路21で
ウェハステージ2を移動させて合焦させることにより、
ウェハ1の反射率が異なってもS字形特性を取り直す必
要がなく、ウェハ1の反射率の変化に即座に対応するこ
とができる効率のよい合焦装置を提供することができる
。
た光を送光スリット6に通し、レンズ7で結像させてウ
ェハ1で反射させ、その反射光をレンズ8で再び結像さ
せるが、結像させる前にハーフミラ−9で反射光と透過
光に分け、反射光をモニタ用受光素子10で検出し、一
方、透過光を振動ミラー11で反射し、その反射光をス
リット13に通して受光素子14で検出する。そして、
受光素子14の増幅後の出力を被除算入力とし、モニタ
用受光素子10の増幅後の出力を除算入力として、除算
器17で除することにより正規化し、振動ミラー8の振
動周波数信号をリファレンスとして、上記正規化した値
を位相同期検波器18および低域ろ波器19で検波、平
滑し、ウェハステージ制御回路20で合焦点までのウェ
ハ1の移動距離を求め、ウェハステージ振動回路21で
ウェハステージ2を移動させて合焦させることにより、
ウェハ1の反射率が異なってもS字形特性を取り直す必
要がなく、ウェハ1の反射率の変化に即座に対応するこ
とができる効率のよい合焦装置を提供することができる
。
なお、本実施例においては、モニタ用受光素子10の直
前にスリットを設けない場合について説明したが、受光
素子14と同じようなスリットを設けてもよい。また、
ハーフミラ−9の反射光をモニタ検出光、透過光を合焦
検出光としたが、透過光をモニタ検出光、反射光を合焦
検出光となるように構成してもよい。
前にスリットを設けない場合について説明したが、受光
素子14と同じようなスリットを設けてもよい。また、
ハーフミラ−9の反射光をモニタ検出光、透過光を合焦
検出光としたが、透過光をモニタ検出光、反射光を合焦
検出光となるように構成してもよい。
次に、本発明の第2の実施例について説明する。
第4図は本発明の第2の実施例における合焦装置を示す
構成図である。なお、第4図においては、ウェハが合焦
点にあるときの状態を示している。
構成図である。なお、第4図においては、ウェハが合焦
点にあるときの状態を示している。
本実施例において、上記第1の実施例と同一の構成要素
については同一の符号を付してその説明を省略し、異な
る構成について説明する。
については同一の符号を付してその説明を省略し、異な
る構成について説明する。
本実施例の特徴とするところは、第4図に示すように、
上記第1の実施例におけるハーフミラ−9および振動ミ
ラー11の2つの部材に代えてハーフミラ−で振動ミラ
ー22を構成し、この振動ハーフミラ−22の透過光の
結像点にモニタ用受光素子10を設けた点にある。なお
、振動ハーフミラ−22は、円周方向に振動するので、
その透過光の光軸および焦点も振動に従って移動する。
上記第1の実施例におけるハーフミラ−9および振動ミ
ラー11の2つの部材に代えてハーフミラ−で振動ミラ
ー22を構成し、この振動ハーフミラ−22の透過光の
結像点にモニタ用受光素子10を設けた点にある。なお
、振動ハーフミラ−22は、円周方向に振動するので、
その透過光の光軸および焦点も振動に従って移動する。
そのため、モニタ用受光素子1oは振動ハーフミラ−2
2が振動停止状態の光軸に対し、垂直な向きに位置し、
かつ振動しているときの結像点、つまり焦点の移動に対
し、受光をカバーすることができる程度のサイズに設定
する。このような構成によりP点の反射率に変化がない
とき、振動ハーフミラ−22が振動していてもその透過
光の受光量は常に一定値であり、モニタ用受光素子10
はモニタとしての機能を果たすことができる。
2が振動停止状態の光軸に対し、垂直な向きに位置し、
かつ振動しているときの結像点、つまり焦点の移動に対
し、受光をカバーすることができる程度のサイズに設定
する。このような構成によりP点の反射率に変化がない
とき、振動ハーフミラ−22が振動していてもその透過
光の受光量は常に一定値であり、モニタ用受光素子10
はモニタとしての機能を果たすことができる。
以上の構成において、以下、その動作について説明する
。
。
発光素子4からレンズ8までの動作については上記第1
の実施例と同様であるので、その説明を省略する。レン
ズ8を通った光は振動ハーフミラ−22で反射光と透過
光に分けられる。反射光は上記第1の実施例と同様であ
り、透過光はレンズ8の焦点に送光スリット6の像を結
ぼうとするが、振動ハーフミラ−22が振動しているた
め、その振動に伴い、結像点も円周方向に移動する。
の実施例と同様であるので、その説明を省略する。レン
ズ8を通った光は振動ハーフミラ−22で反射光と透過
光に分けられる。反射光は上記第1の実施例と同様であ
り、透過光はレンズ8の焦点に送光スリット6の像を結
ぼうとするが、振動ハーフミラ−22が振動しているた
め、その振動に伴い、結像点も円周方向に移動する。
しかし、この移動量は送光スリット6のスリット幅の数
倍程度であって大きくなく、また、モニタ用受光素子1
0はこの移動に対し、十分カバーできる受光面積を持つ
ので、振動していても常に−定値の光量を受光する。し
たがって、モニタ用受光素子10は上記第1の実施例に
おけるモニタ用受光素子10と同じ動きをする。そこで
、振動ハーフミラ−22を振動中心で停止させると、受
光素子14の出力とモニタ用受光素子10の出力との比
は振動ハーフミラ−22の反射光と透過光との光量比と
なるが、その比が1となるように増幅器15および16
を調整し、増幅器16の出力を除算器17の除算入力、
増幅器15の出力を除算器17の被除算入力とすると、
上記第1の実施例と同様に除算器17の出力は1となる
。次に、上記第1の実施例と同様にL1≦L2≦AOの
とき、振動ハーフミラ−22を作動させ、ウェハステー
ジ2をZ軸方向に移動させると、除算器17の出力は第
2図のIから■のように正規化された信号を発生する。
倍程度であって大きくなく、また、モニタ用受光素子1
0はこの移動に対し、十分カバーできる受光面積を持つ
ので、振動していても常に−定値の光量を受光する。し
たがって、モニタ用受光素子10は上記第1の実施例に
おけるモニタ用受光素子10と同じ動きをする。そこで
、振動ハーフミラ−22を振動中心で停止させると、受
光素子14の出力とモニタ用受光素子10の出力との比
は振動ハーフミラ−22の反射光と透過光との光量比と
なるが、その比が1となるように増幅器15および16
を調整し、増幅器16の出力を除算器17の除算入力、
増幅器15の出力を除算器17の被除算入力とすると、
上記第1の実施例と同様に除算器17の出力は1となる
。次に、上記第1の実施例と同様にL1≦L2≦AOの
とき、振動ハーフミラ−22を作動させ、ウェハステー
ジ2をZ軸方向に移動させると、除算器17の出力は第
2図のIから■のように正規化された信号を発生する。
また、点Pにおける反射率が異なっても、第2図のよう
に正規化された同じ信号が得られる。その結果、この信
号を位相同期検波器18、低域ろ波器19で検波、平滑
にした特性は、第3図に示すようになる。そこで、この
特性を用い、上記第1の実施例と同様に合焦操作するこ
とができる。
に正規化された同じ信号が得られる。その結果、この信
号を位相同期検波器18、低域ろ波器19で検波、平滑
にした特性は、第3図に示すようになる。そこで、この
特性を用い、上記第1の実施例と同様に合焦操作するこ
とができる。
このように、本実施例によれば、発光素子4より発した
光をレンズ5で平行にし、その平行光を送光スリット6
に通し、レンズ7でウェハ1の近傍で結像させ、この結
像を点Pで反射し、その反射光をレンズ8で再び結像さ
せる。レンズ8からの光を振動ハーフミラ−22で反射
光と透過光に分け、反射光を受光スリット13に通して
受光素子14で受光し、一方、透過光をモニタ用受光素
子10で受光する。モニタ用受光素子10の増幅後の出
力を除算入力、受光素子14の増幅後の出力を被除算入
力として除算器17で除することにより正規化し、振動
ハーフミラ−22の振動周波数信号をリファレンスとし
て、上記正規化した値を位相同期検波器18および低域
ろ波器19で検波、平滑し、ウェハステージ制御回路2
0で合焦点までのウェハ1の移動距離を求め、ウェハス
テージ駆動回路21でウェハステージ2を移動させて合
焦させることによりウェハ1の反射率が異なっでも、反
射率が異なるごとにS字形特性を取り直す必要がなく、
ウェハ1の反射率の変化i: 即座に対応することがで
き、効率のよい合焦装置を提供することができる。
光をレンズ5で平行にし、その平行光を送光スリット6
に通し、レンズ7でウェハ1の近傍で結像させ、この結
像を点Pで反射し、その反射光をレンズ8で再び結像さ
せる。レンズ8からの光を振動ハーフミラ−22で反射
光と透過光に分け、反射光を受光スリット13に通して
受光素子14で受光し、一方、透過光をモニタ用受光素
子10で受光する。モニタ用受光素子10の増幅後の出
力を除算入力、受光素子14の増幅後の出力を被除算入
力として除算器17で除することにより正規化し、振動
ハーフミラ−22の振動周波数信号をリファレンスとし
て、上記正規化した値を位相同期検波器18および低域
ろ波器19で検波、平滑し、ウェハステージ制御回路2
0で合焦点までのウェハ1の移動距離を求め、ウェハス
テージ駆動回路21でウェハステージ2を移動させて合
焦させることによりウェハ1の反射率が異なっでも、反
射率が異なるごとにS字形特性を取り直す必要がなく、
ウェハ1の反射率の変化i: 即座に対応することがで
き、効率のよい合焦装置を提供することができる。
なお、本実施例において、モニタ用受光素子10の直前
に受光素子14と同様に受光スリットを設けてもよい。
に受光素子14と同様に受光スリットを設けてもよい。
次に、本発明の第3の実施例について説明する。
第5図は本発明の第3の実施例における合焦装置を示す
構成図である。なお、第5図においては、ウェハが合焦
点にあるときの状態を示している。
構成図である。なお、第5図においては、ウェハが合焦
点にあるときの状態を示している。
本実施例において上記第1の実施例と同一の構成要素に
ついては同一の符号を付してその説明を省略し、異なる
構成について説明する。
ついては同一の符号を付してその説明を省略し、異なる
構成について説明する。
本実施例の特徴とするところは、第5図に示すように、
上記第1の実施例におけるハーフミラ−9、モニタ用受
光素子10および増幅器16に代えてピークホールド回
路23を設けた点にある。
上記第1の実施例におけるハーフミラ−9、モニタ用受
光素子10および増幅器16に代えてピークホールド回
路23を設けた点にある。
このピークホールド回路23は増幅器15の出力信号か
らピーク値(最大値)を求め、その値を記憶する機能と
、言己憶した値を保持して出力し、かつ一定周期ごとに
保持値を更新する機能を持っている。
らピーク値(最大値)を求め、その値を記憶する機能と
、言己憶した値を保持して出力し、かつ一定周期ごとに
保持値を更新する機能を持っている。
以上の構成において、以下、その動作について説明する
。
。
発光素子4からレンズ8までの動作については上記第1
の実施例と同様であるので、その説明を省略する。レン
ズ8を通った光は振動ミラー11で反射され、振動ミラ
ー11に対し、レンズ8の焦点と共役な点で送光スリッ
ト6の像を結像する。この結像点には受光素子14が設
けられており、受光素子14の直前には受光スリット1
3が設けられている。そこで、振動ミラー11で反射し
た結像光は受光スリット13を通り、受光素子14に到
達する。今、送光スリット6、受光スリット13のスリ
ット間隔をそれぞれLl、L2とし、また、振動ミラー
11の受光スリット13上での振幅をAOとし、ウェハ
1が合焦点(Z=ZO)にある場合について考える。受
光スリ・ソト13の面上では送光スリット6の像が振幅
AOで振動するが、ウェハ1が合焦点にあるために、振
動中心とすると、第6図(a+に示すような関係になり
、受光スリット13の直後に設けられた受光素子14の
出力と、振動ミラー11の振動周波数fとの相関がよく
わかる(第6図(bl参照)。ここで、受光素子14の
出力のピーク値(最大値)をBOとすると、その出力が
BOとなるのは、送光スリット6のスリット像が受光ス
リット13の間隙の中にはみ出さずに位置している場合
である。今、振動中心が受光スリット13のスリット中
心にあるので、受光素子14の出力が最大となるのは、
丁度、振動が停止しているときであるが、ウェハ1が合
焦点をずれると、振動中心は第6図(C)に示すように
、横方向に移動する。そして、受光スリット13のスリ
ット中心を基準として、振動中心の移動量を取り、その
値をMとすると、M≦AOのときには、必ず受光スリッ
ト13の中に送光スリット6が入るので、受光素子14
の出力にはピーク値Boが現われる(第6図fd)参照
)。−方、第9図のようなS字形特性において、一般に
合焦操作に使用される部分は、0点を含めたリニアな部
分であり、この範囲内では振動中心の移動量Mは、M≦
AOとなる。その結果、振動の一周期内には必ずピーク
値が現われる。また、第6図において、このピーク値B
○は反射率が不要であれば一定値となるが、反射率が変
わればピーク値BOはそれに従って変わる。そこで、第
5図に示すように、受光素子14の出力信号を増幅器1
5により増幅し、そのピーク値をBとすると、ピークホ
ールド回路23はこのピーク値Bを捉え、その値を記憶
し、かつ保持して出力する。そして、この値を一定周期
ごとに更新することもできる。
の実施例と同様であるので、その説明を省略する。レン
ズ8を通った光は振動ミラー11で反射され、振動ミラ
ー11に対し、レンズ8の焦点と共役な点で送光スリッ
ト6の像を結像する。この結像点には受光素子14が設
けられており、受光素子14の直前には受光スリット1
3が設けられている。そこで、振動ミラー11で反射し
た結像光は受光スリット13を通り、受光素子14に到
達する。今、送光スリット6、受光スリット13のスリ
ット間隔をそれぞれLl、L2とし、また、振動ミラー
11の受光スリット13上での振幅をAOとし、ウェハ
1が合焦点(Z=ZO)にある場合について考える。受
光スリ・ソト13の面上では送光スリット6の像が振幅
AOで振動するが、ウェハ1が合焦点にあるために、振
動中心とすると、第6図(a+に示すような関係になり
、受光スリット13の直後に設けられた受光素子14の
出力と、振動ミラー11の振動周波数fとの相関がよく
わかる(第6図(bl参照)。ここで、受光素子14の
出力のピーク値(最大値)をBOとすると、その出力が
BOとなるのは、送光スリット6のスリット像が受光ス
リット13の間隙の中にはみ出さずに位置している場合
である。今、振動中心が受光スリット13のスリット中
心にあるので、受光素子14の出力が最大となるのは、
丁度、振動が停止しているときであるが、ウェハ1が合
焦点をずれると、振動中心は第6図(C)に示すように
、横方向に移動する。そして、受光スリット13のスリ
ット中心を基準として、振動中心の移動量を取り、その
値をMとすると、M≦AOのときには、必ず受光スリッ
ト13の中に送光スリット6が入るので、受光素子14
の出力にはピーク値Boが現われる(第6図fd)参照
)。−方、第9図のようなS字形特性において、一般に
合焦操作に使用される部分は、0点を含めたリニアな部
分であり、この範囲内では振動中心の移動量Mは、M≦
AOとなる。その結果、振動の一周期内には必ずピーク
値が現われる。また、第6図において、このピーク値B
○は反射率が不要であれば一定値となるが、反射率が変
わればピーク値BOはそれに従って変わる。そこで、第
5図に示すように、受光素子14の出力信号を増幅器1
5により増幅し、そのピーク値をBとすると、ピークホ
ールド回路23はこのピーク値Bを捉え、その値を記憶
し、かつ保持して出力する。そして、この値を一定周期
ごとに更新することもできる。
このピークホールド回路23の保持出力Bを除算器17
の除算入力とし、増幅器15の出力を除算器17の被除
算入力とするとき、除算器17の出力は、上記第1の実
施例と同様に第2図に示すような正規化された信号とな
る。そして、除算器17の出力はウェハ1の反射率に依
存しないで第2図に示すIから■のような波形の信号と
なる。その結果、この信号を位相同期検波器18、低域
ろ波器19で検波、平滑した特性は第3図に示すように
なる。そこで、この特性を用い、上記第1の実施例と同
様に合焦操作することができる。
の除算入力とし、増幅器15の出力を除算器17の被除
算入力とするとき、除算器17の出力は、上記第1の実
施例と同様に第2図に示すような正規化された信号とな
る。そして、除算器17の出力はウェハ1の反射率に依
存しないで第2図に示すIから■のような波形の信号と
なる。その結果、この信号を位相同期検波器18、低域
ろ波器19で検波、平滑した特性は第3図に示すように
なる。そこで、この特性を用い、上記第1の実施例と同
様に合焦操作することができる。
このように本実施例によれば、発行素子4より発した光
をレンズ5で平行にし、その平行光を送光スリット6に
通し、レンズ7でウェハ1の近傍で結像させ、この結像
を点Pで反射し、その反射光をレンズ8で再び結像させ
る。レンズ8からの光を振動ミラー11で反射し、受光
スリット13に通し、受光素子14で受光する。この受
光素子14の出力を増幅器15で増幅し、この出力を除
算器17の被除算入力とする。これと共に、増幅器15
の出力をピークホールド回路23に入力し、受光素子1
4のピーク値を検出し、記憶保持して出力し、この出力
を除算器17の除算入力とする。これにより、除算器1
7の出力は正規化された値となる。振動ミラー11の振
動周波数信号をリファレンスとして上記の正規化された
信号を位相同期検波器18および低域ろ波器19で検波
、平滑し、ウェハステージ制御回路20で合焦点までの
ウェハ1の移動距離を求め、ウェハステージ駆動回路2
1でウェハステージ2を移動させて合焦させることによ
り、ウェハ1の反射率が変化しても変化するごとに第9
図のようなS字形特性を取り直す必要がなく、ウェハ1
の反射率の変化に即座に対応することができ、効率のよ
い合焦装置を提供することができる。
をレンズ5で平行にし、その平行光を送光スリット6に
通し、レンズ7でウェハ1の近傍で結像させ、この結像
を点Pで反射し、その反射光をレンズ8で再び結像させ
る。レンズ8からの光を振動ミラー11で反射し、受光
スリット13に通し、受光素子14で受光する。この受
光素子14の出力を増幅器15で増幅し、この出力を除
算器17の被除算入力とする。これと共に、増幅器15
の出力をピークホールド回路23に入力し、受光素子1
4のピーク値を検出し、記憶保持して出力し、この出力
を除算器17の除算入力とする。これにより、除算器1
7の出力は正規化された値となる。振動ミラー11の振
動周波数信号をリファレンスとして上記の正規化された
信号を位相同期検波器18および低域ろ波器19で検波
、平滑し、ウェハステージ制御回路20で合焦点までの
ウェハ1の移動距離を求め、ウェハステージ駆動回路2
1でウェハステージ2を移動させて合焦させることによ
り、ウェハ1の反射率が変化しても変化するごとに第9
図のようなS字形特性を取り直す必要がなく、ウェハ1
の反射率の変化に即座に対応することができ、効率のよ
い合焦装置を提供することができる。
発明の詳細
な説明したように本発明によれば、ウェハの合焦検出光
学系の受光素子の出力と、この合焦検出光学系における
ウェハからの反射側のハーフミラ−により反射、若しく
は透過するモニタ検出光を受光したモニタ用受光素子と
の比を除算手段で求め、またはウェハの合焦検出光学系
の受光素子の出力と、この合焦検出光学系におけるウェ
ハからの反射側の振動ハーフミラ−の透過光を受光した
モニタ用受光素子の出力との比を除算手段で求め、また
はウェハの合焦検出光学系の受光素子の出力と、この受
光素子の出力からピークホールド回路で求めたウェハか
らの反射側の振動ミラーによる反射光の最大値との比を
除算手段で求め、合焦検出光学系の受光素子の出力を正
規化し、振動ミラー、または振動ハーフミラ−の周波数
をリファレンス信号として上記正規化した値を位相周期
検波して合焦検出を行なうようにしている。したがって
、ウェハの反射率の変化に依存することなく、迅速に、
かつ効率よく合焦操作を行なうことができる。
学系の受光素子の出力と、この合焦検出光学系における
ウェハからの反射側のハーフミラ−により反射、若しく
は透過するモニタ検出光を受光したモニタ用受光素子と
の比を除算手段で求め、またはウェハの合焦検出光学系
の受光素子の出力と、この合焦検出光学系におけるウェ
ハからの反射側の振動ハーフミラ−の透過光を受光した
モニタ用受光素子の出力との比を除算手段で求め、また
はウェハの合焦検出光学系の受光素子の出力と、この受
光素子の出力からピークホールド回路で求めたウェハか
らの反射側の振動ミラーによる反射光の最大値との比を
除算手段で求め、合焦検出光学系の受光素子の出力を正
規化し、振動ミラー、または振動ハーフミラ−の周波数
をリファレンス信号として上記正規化した値を位相周期
検波して合焦検出を行なうようにしている。したがって
、ウェハの反射率の変化に依存することなく、迅速に、
かつ効率よく合焦操作を行なうことができる。
第1図は本発明の第1の実施例における合焦装置を示す
構成図、第2図は上記第1の実施例における合焦装置内
の除算回路の出力信号を示す波形図、第3図は上記第1
の実施例における合焦装置内の低域ろ波回路の出力とウ
ェハのZ軸方向移動量との関係を示す特性図、第4図は
本発明の第2の実施例における合焦装置を示す構成図、
第5図は本発明の第3の実施例における合焦装置を示す
構成図、第6図は上記第3の実施例における合焦装置内
のスリット像の位置関係を示す相関図、第7図は従来例
の合焦装置を示す構成図、第8図は上記従来例の合焦装
置における受光素子の出力信号を示す波形図、第9図お
よび第10図は上記従来例の合焦装置における位相同期
検波処理回路の出力とウェハのZ方向移動量との関係を
示す特性図である。 1・・・ウェハ、2・・・ウェハステージ、3・・・投
影レンズ、4・・・発行素子、5・・・レンズ、6・・
・送光スリット、7.8・・・レンズ、9・・・ハーフ
ミラ−110・・・モニタ用受光素子、11・・・振動
ミラー、12・・・ドライバ、13・・・受光スリット
、14・・・受光素子゛、15.16・・・増幅器、1
7・・・除算器、18・・・位相同期検波器、19・・
・低域ろ波器、20・・・ウェハステージ制御回路、2
1・・・ウェハステージ駆動回路、22・・・振動ハー
フミラ−123・・・ピークホールド回路。 代理人の氏名 弁理士 小蝦治 明 ほか2名COO−
、、 第 2 図 第3図 安 (R− \、 \ ゛・ 旬 C!:3− \ ・1、 \ \、第6図 第8図 第 90 M1111+ 図 ′≧八へ】侵at 。
構成図、第2図は上記第1の実施例における合焦装置内
の除算回路の出力信号を示す波形図、第3図は上記第1
の実施例における合焦装置内の低域ろ波回路の出力とウ
ェハのZ軸方向移動量との関係を示す特性図、第4図は
本発明の第2の実施例における合焦装置を示す構成図、
第5図は本発明の第3の実施例における合焦装置を示す
構成図、第6図は上記第3の実施例における合焦装置内
のスリット像の位置関係を示す相関図、第7図は従来例
の合焦装置を示す構成図、第8図は上記従来例の合焦装
置における受光素子の出力信号を示す波形図、第9図お
よび第10図は上記従来例の合焦装置における位相同期
検波処理回路の出力とウェハのZ方向移動量との関係を
示す特性図である。 1・・・ウェハ、2・・・ウェハステージ、3・・・投
影レンズ、4・・・発行素子、5・・・レンズ、6・・
・送光スリット、7.8・・・レンズ、9・・・ハーフ
ミラ−110・・・モニタ用受光素子、11・・・振動
ミラー、12・・・ドライバ、13・・・受光スリット
、14・・・受光素子゛、15.16・・・増幅器、1
7・・・除算器、18・・・位相同期検波器、19・・
・低域ろ波器、20・・・ウェハステージ制御回路、2
1・・・ウェハステージ駆動回路、22・・・振動ハー
フミラ−123・・・ピークホールド回路。 代理人の氏名 弁理士 小蝦治 明 ほか2名COO−
、、 第 2 図 第3図 安 (R− \、 \ ゛・ 旬 C!:3− \ ・1、 \ \、第6図 第8図 第 90 M1111+ 図 ′≧八へ】侵at 。
Claims (3)
- (1)発光素子から発した光を送光スリットに通してウ
ェハ上に結像し、この反射光を振動ミラーにより受光ス
リットに通して受光素子に結像する合焦検出光学系と、
上記ウェハの入反射点と振動ミラーとの間の光路に設け
られ、反射、若しくは透過する一方の合焦検出光を上記
振動ミラーに導くハーフミラーと、このハーフミラーの
透過、若しくは反射するモニタ検出光を受光するモニタ
用受光素子と、上記合焦検出光の受光素子の出力と上記
モニタ用の受光素子の出力との比を求める除算手段と、
上記振動ミラーの振動周波数をリファレンス信号として
上記除算手段の値を位相同期検波することにより合焦検
出を行なう手段とを備えた合焦装置。 - (2)発光素子から発した光を送光スリットに通してウ
ェハ上に結像し、この反射光を振動ハーフミラーにより
反射し、合焦検出光として受光スリットに通して受光素
子に結像する合焦検出光学系と、上記振動ハーフミラー
を透過するモニタ検出光を受光するモニタ検出用受光素
子と、上記合焦検出光の受光素子の出力と上記モニタ用
受光素子の出力との比を求める除算手段と、上記振動ミ
ラーの振動周波数をリファレンス信号として上記除算手
段の値を位相同期検波することにより合焦検出を行なう
手段とを備えた合焦装置。 - (3)発光素子から発した光を送光スリットに通してウ
ェハ上に結像し、この反射光を振動ミラーにより受光ス
リットに通して受光素子に結像する合焦検出光学系と、
上記振動ミラーによる反射光の最大値を上記受光素子を
介して保持すると共に、出力するピークホールド回路と
、上記受光素子の出力と上記ピークホールド回路の出力
との比を求める除算手段と、上記振動ミラーの振動周波
数をリファレンス信号として上記除算手段の値を位相同
期検波することにより合焦検出を行なう手段とを備えた
合焦装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2332417A JPH0732118B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 合焦装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2332417A JPH0732118B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 合焦装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04196515A true JPH04196515A (ja) | 1992-07-16 |
| JPH0732118B2 JPH0732118B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=18254739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2332417A Expired - Fee Related JPH0732118B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 合焦装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732118B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5642205A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-20 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Focus detecting method |
| JPS63255917A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-24 | Nikon Corp | 投影光学装置 |
| JPS63306626A (ja) * | 1987-06-09 | 1988-12-14 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| JPH01170022A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Nikon Corp | 露光方法及び基板の姿勢制御方法 |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP2332417A patent/JPH0732118B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5642205A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-20 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Focus detecting method |
| JPS63255917A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-24 | Nikon Corp | 投影光学装置 |
| JPS63306626A (ja) * | 1987-06-09 | 1988-12-14 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| JPH01170022A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Nikon Corp | 露光方法及び基板の姿勢制御方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0732118B2 (ja) | 1995-04-10 |
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Legal Events
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080410 Year of fee payment: 13 |
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