JPH04196595A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、高出力化をはかった半導体レーザ装置の製
造方法に関するものである。

〔従来の技術〕

従来の窓領域の形成には、第７図（ａ）〜（ｃ）に示す
ような方法があった。すなわち、第７図（ａｌに示すよ
うに、基板１にエツチングによりリッジ４１を形成する
。１ｉｌｌｌｌは前記リッジ４１に直交するレーザの分
ｓｌ線を示し、１点＃１４線１２は前記リッジ４１と平
行するレーザのへき開端面を示すものである。

リッジ４１を形成した基板１に、第７図（ｂ）に示すよ
うに、電流ブロック層（電流狭窄層）２を液相エピタキ
シャル成長し、次に、リッジ４１に直交して内部ス）・
ライブ溝３を形成する。この場合、電流ブロック層２が
す・フジ４１を完全に埋め込まないように成長条件を制
御する必要がある。

さらに、第７図（ｃ）に示すように、内部ストう、イボ
溝３を形成した後のダブルヘテロ構造を液相成長により
形成する。すなわち、４はダブルヘテロ構造を構成する
下クラッド層、５はレーザ発振の動作層となる活性層、
６はダブルへテロ構造を構成し、かっレーザ発振器端面
のへき開端面で、窓構造を構成する上クラッド層である
。また、７はオーミック電極を形成するためのコンタク
ト層である。

〔発明が解決しようとする課題〕

第７図（ｂ）に示すように、従来の基板１を加工して窓
構造を構成する方法は、液相エピタキシャル成長の特性
のため、リッジ４１から遠いへき開端面の中央の電流ブ
ロック層２の層厚Ｔ１が場所により不均一で、窓構造に
必要な電流ブロック層２の高低差ｈ１の制御性が悪く、
また、層厚Ｔ。

のバラツキによりリッジ４１外の部分でも内部ストライ
ゴ溝３が基板１まで到達してしまい、活性層５が端面で
も利得をもつことになり、窓構造にはならないなどの問
題点があった。

この発明は、上記のような従来の問題点を解消するため
になされたもので、同等の加工工程でより制御性、再現
性のよい窓構造が形成できろ半導体レーザ装置の製造方
法を得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、基板上
に半導体レーザのへき開端面と直交し、基板全長におよ
ぶリッジを内部ストライプの位置を中心として両側に形
成する工程、リッジと直交し、へき開端面と平行なリッ
ジをへき開端面の近傍領域に窓領域を残して形成する工
程２基板上に電流プロ・シフ層を、窓領域の層厚をへき
開端面と平行なリッジ上の層厚より厚く、かつ内部スト
ライプブの堀り込み深さがへき開端面と直交するリッジ
の間で形成される活性層では、基板に達しない厚さに形
成する工程、基板上の電流ブロック層上にダブルへテロ
構造の下クラッド層、活性層、およびコシタクト層を形
成するものである。

〔作用〕

この発明においては、半導体レーザ素子の分離方向の両
端に形成されたリッジにより、ストライプ部分の窓部を
形成する電流プロ・ツク層の凹部分が制御性、再現性よ
く成長される。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図面について説明する。

第１図はこの発明の一実施例を示す図で、１１゜１２．
４１は第７図と同じものであり、２１はエツチングによ
りリッジ加工をほどこした基板であり、斜線を施した部
分２４は新たに設けた分離方向の全長にわたって形成さ
れたリッジを示す。なお、以下では必要により４１を第
１のリッジ、２４を第２のリッジという。

第２図は、第１図の基板２１の電流ブロック層２２を液
相成長させ、内部ストライプ２３を形成した状態を示す
斜視図である。

第１．第２のリッジ４１．２４を第１図のように形成し
た場合の成長の状況を第３図にて説明する。

電流ブロック層２２の成長は、第３図に示すように、第
２のリッジ２４上と、第２のりｙｉ＞２４間の凹部の埋
め込みが同時に行われ、成長速度は第２のリッジ２４間
の凹部（窓領域）の方が速い。

また、この凹部を埋める形状は第３図の破線で示すよう
に、平坦な直線部分と凹部分の組合せとなり、凹部が埋
め込まれるまでは第２のリッジ２４上の膜厚Ｔ１の成長
レートは、凹部の成長レートＴ２よりも小さい。

上記の状態を時間ｔと形状１２　（第２図）と膜厚Ｔ１
の関係で示すと、第４図のようになる。第２のリッジ２
４間が平坦に埋め込まれてしまってから（１，＝Ｗ／２
となってから）、Ｔ１の成長レートが上昇する。ｔＳｔ
、の時成長を中止することにより、電流ブロック層２２
の形状（平坦部と凹部の寸法）および第２のリッジ２４
上の電流ブロック層厚を再現性、制御性よく得ることが
できる。

第５図（ａ）は、第２図のようにして形成された電流プ
ロ・ツク層２２上に、第７図と同様にして下クラッド層
４．活性層５．上クラッド層６．およびコンタクト層７
を形成した半導体レーザ装置の斜視図で、第５図（ｂ）
および（Ｃ）は、第５図（ａ）の正面図およびＡ−Ａ断
面図である。

上記のように、電流ブロック層２２の層厚を制御して形
成することにより、窓領域の活性層５の基板に内部スト
ライプ２３の堀込みが達しないので、活性層５の端面で
利得をもつことがなくなり、良好な窓構造が得られる。

なお、第１．第２のりツク４１．２４の高さは２〜４μ
ｍ、第１のりツレ４１間の電流ブロック層２２の厚さが
第２のりツク２４上の電流プロ・ツク層の厚さより１．
５μｍ以上と厚くし、また、内部ストライプ２３の振り
込み深さが１．５μＡ以内とするのがよい。

第６図はこの発明の他の実施例を示す基板の斜視図で、
基板３１にエツチングによりリッジ３２ａ、３２ｂを形
成したものである。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明は、窓領域を構成する電
流ブロック層の成長をり・ソジによる形状、膜厚制御を
行って形成するので、制御性、再現性よく形成できる効
果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の半導体レーザ装置の製造方法の一実
施例による基板の加工状態を示す斜視図、第２図はこの
発明の半導体し−ザ装置の電流ブロック層を液相成長し
、内部ストライプ溝を形成した状態を示す斜視図、第３
図は成長時間の経過による電流ブロック層の形状を示す
断面図、第４図は電流ブロック層の膜厚と時間との関係
を示す図、第５図（ａ）は、第２図の基板上にダブルへ
テロ構造を形成した半導体レーザ装置を示す斜視図、第
５図（ｂ）および（ｅ）は、第５図（ａ）の正面図およ
びＡ−Ａ断面図、第６図はこの発明の他の実施例を示す
基板の斜視図、第７図は従来の半導体レーザ装置の製造
工程を示す斜視図である。 図において、４は下クラッド層、５は活性層、６は上ク
ラッド層、７はコシタクト層、１１は分離部分、１２は
へき開端面、２１はリッジ加工をほどこした基板、２２
は液相エピタキシャル成長した電流ブロック層、２３は
内部ストライプ溝ゴ４は第２のリッジ、３０はリッジ加
工をほどこした基板、４１は第１のりツノである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　（外２名）第１図 第２図 第３図 第４図 リ　　　　　　　−−−ｔｔｉ口１　　　１゜第５図 （ｂ）　　　　　　（Ｃ） ｌ　ロシタクト層 第６図 第７　図その１

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に液相エピタキシャル成長により製作された内部
   ストライプ構造をもつＧａＡｓ−Ｇａ＿１＿−＿ｘＡｌ
   ＿ｘＡｓダブルヘテロ構造の半導体レーザであって、レ
   ーザ発振を生じる端面近傍を発振光に対して透明となる
   ような組成の異なる窓領域を形成する半導体レーザの製
   造方法において、前記基板上に前記半導体レーザのへき
   開端面と直交し、前記基板全長におよぶリッジを内部ス
   トライプの位置を中心として両側に形成する工程、前記
   両側のリッジと直交し、前記へき開端面と平行なリッジ
   を前記へき開端面の近傍領域に窓領域を残して形成する
   工程、前記基板上に電流ブロック層を前記窓領域の層厚
   を前記へき開端面と平行なリッジ上の層厚より厚く前記
   両側のリッジの中央部で所定厚みになるように凹状に形
   成する工程と、前記内部ストライプの堀り込み深さが前
   記へき開端面では、前記基板に達しない厚さに形成する
   工程、前記基板上の電流ブロック層上にダブルヘテロ構
   造の下クラッド層、活性層、およびコンタクト層を形成
   する工程を含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製
   造方法。