JPS60176225A - 液相エピタキシヤル成長方法 - Google Patents

液相エピタキシヤル成長方法

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JPS60176225A
JPS60176225A JP59031636A JP3163684A JPS60176225A JP S60176225 A JPS60176225 A JP S60176225A JP 59031636 A JP59031636 A JP 59031636A JP 3163684 A JP3163684 A JP 3163684A JP S60176225 A JPS60176225 A JP S60176225A
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JP
Japan
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layer
type
phase epitaxial
growth
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP59031636A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Hamada
健 浜田
Masaru Wada
優 和田
Kunio Ito
国雄 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP59031636A priority Critical patent/JPS60176225A/ja
Publication of JPS60176225A publication Critical patent/JPS60176225A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
    • H10P14/2901—Materials
    • H10P14/2907—Materials being Group IIIA-VA materials
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Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は液相エピタキシャル成長方法に関するものであ
る。
従来例の構成とその問題点 近年、ディスクファイル装置の記録・再生用の光源とし
て、低しきい値、低雑音で高出力が得られる半導体レー
ザ装置がめられている。本発明者らはこの要求に応える
べく、内部ストライプ型のＴＲ３型レーザを提案した２
、 その断面図を第１図に示す。同図において、１はｐ型Ｇ
ａＡｓ基板、２はｎ型ＧａＡｓブロッキング層、３はｐ
型Ｇ２ＬＩ　ｙＡβｙＡｓクラッド層、４はノンドープ
Ｇａ　、１Ａ６ｘＡｓ活性層、５はｎ型Ｆａ、　、ｈｅ
ｙｈｓクラッド層、６はｎ型ＧａＡｓ電極形成層、７は
ｎ側オーミック電極用金属膜、８はｐ側オーミック電極
用金属膜である。ストライプ状の突起をつけたｐ型Ｇａ
Ａｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓブロッキング層２を成長さ
せ、そこに２つの平行なりッジが形成されている。ｐ側
電極８より注入された電流はブロッキング層２の働きで
溝部上の活性層４に集中的に注入される。リッジの働き
で非常に薄い活性層４が形成されているので、この電流
により活性層４内に生じた光はクラツド層３に大きくし
み出す。この光はりッジ部では基板に吸収されるために
結果的に溝部に閉じ込められ、ここで安定な基本横モー
ド発振が得られる。
ところが、従来のこの内部ストライプ型ＴＲＳレーザで
は、第１回成長によるブロッキング層２の形成の際、第
２図ａのように成長表面が平坦とならずうねりが生じる
ことがしばしばある。このようなうねりが生じると第２
図すに示すように、リッジ形成の際のエツチングが溝部
以外でも基板寸で届いてしまい、そのために第２図Ｃの
ようにレーザを構成した際に矢印で示すように溝部以外
で電流のリークを生じてしまう。これは素子の発振率を
向上させる上で大きな障害となる。
発明の目的 本発明は上記欠点に鑑み、突起を設けた基板上に平坦な
表面の層を形成することができる液相工・ピタキシャル
成長方法を提供するものである。
発明の構成 この目的を達成するために、本発明の液相エピタキシャ
ル成長方法は、過飽和度を４°Ｃ以上のもとて成長を行
なうことを特徴としている。
実施例の説明　１ 以下図面を参照しながら、本発明の一実施例について説
明を行なう。第３図ａ−ｄは本発明の一実施例の各工程
における断面図である。
エツチングによシ高さ２．２μｍ１幅１０μ〃２の突起
を形成したｐ型ＧａＡｓ基板１（第３図ａ）の表面に液
相エピタキシャル法によりｎ型ＧａＡｓブロッキング層
２を突起の上で０．７μｍの厚さになるように成長温度
８４５°Ｃ１過飽和度５°Ｃの条件のもとて成長を行な
う（第３図ｂ）。この第１回の成長が終らした基板の表
面に、高さ１．５μ２２ｚ。
幅２０μｍｎの２個の平行に直立するりツジを、幅４μ
ｍの溝をはさんでエツチングにより形成する。
リッジ間の溝は突起の真上に位置し、その底はｐ型基板
１まで達する。一方リッジ外側の平坦部はエツチング後
もブロッキング層２が残っている（第３図Ｃ）。かくし
てリッジを形成した基板１０表面に再び液相エピタキシ
ャル法によって第１層のｐ型ＧｔＬ　＋　１Ａｅｙ　Ａ
Ｓクラッｒ層３をリッジの上で厚さが約０．２μｍ１第
２層のノンドープＧａ、　ｚｈｅｘｈｓ活性層４を同様
に約０．０５　ｌｉ　７７Ｋ　、第３層のｎ型Ｇａ、　
、Ａ６ｙＡＳクラッド層５を同様に約１．６μｍ１第４
層のｎ型ＧａＡｓ電極形成層６を同様に約２．０μｍの
厚さにそれぞれなるよう連続成長させる（第３図ｄ）。
なお、上記実施例においては７＝０．４３、Ｘ＝０．０
８である。
この第４層の電極形成層６の上にｎ側電極用金属を蒸着
し、合金処理を行なってｎ側オーミック電極７ｆ：形成
し、基板１側にはｐ側電極用金属を蒸着し、合金処理を
行なってｐ側オーミック電極８を形成する。
第４図にブロッキング層の成長の際の過飽和度Δと成長
表面の平坦さとの関係を示す。第４図から明らかなよう
に過飽和度Δが４°Ｃ以上ならば成長表面は完全に平坦
になる。そのため本実施例に゛従って作製した半導体レ
ーザ装置は電流リークも全くなく、発振率が飛躍的に向
上し再現性良く５ＱｍＷの高出力を達成できた。
発明の詳細 な説明したように、本発明の液相エピタキシャル成長方
法によれば、突起を設けた基板上でも平坦な成長表面が
得られるので産業上の利用効果が太きい。
【図面の簡単な説明】
第１図は内部ストライプ型ＴＲＳレーザの断面図、第２
図ａ　−ｃはこのレーザの従来の製造方法による各工程
の断面図、第３図ａ　−ｄは本発明の一実施例における
製造方法の各工程の断面図、第４図はブロッキング層成
長の際の過飽和度と成長表面の関係を示す図である。 １・・・・・・ｐ型ＧａＡｓ基板、２・・・・・・ｎ型
ＧａＡｓブロッキング層、３・・・・・・ｐ型ＧＡ　１
ｙ　Ａ　ｅｙＡ　ｓクラット層、４・・・・・・ノンド
ープＧａ１，１ｘＡｓ活性層、５・・・・・・ｎ型Ｇａ
、　、ｈｅｙ、ｓクラッド層、６・・・・・・ｎ型ＧＩ
ＬＡＳ電極形成層、了・・・・・・ｎ側オーミック電極
用金属膜、８・・・・・・ｐ側オーミック電極用金属膜
。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第２図 第　３ｖ４

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 過飽和度を４°Ｃ以上のもとて突起を有する基板上に成
    長を行なうことを特徴とする液相エピタキシャル成長方
    法。
JP59031636A 1984-02-22 1984-02-22 液相エピタキシヤル成長方法 Pending JPS60176225A (ja)

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JP59031636A JPS60176225A (ja) 1984-02-22 1984-02-22 液相エピタキシヤル成長方法

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JP59031636A JPS60176225A (ja) 1984-02-22 1984-02-22 液相エピタキシヤル成長方法

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JPS60176225A true JPS60176225A (ja) 1985-09-10

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ID=12336695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59031636A Pending JPS60176225A (ja) 1984-02-22 1984-02-22 液相エピタキシヤル成長方法

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62173779A (ja) * 1986-01-27 1987-07-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光集積回路装置
JPS63197395A (ja) * 1987-02-12 1988-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レ−ザ装置およびその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS544088A (en) * 1977-06-13 1979-01-12 Hitachi Ltd Manufacture for semiconductor laser
JPS54152879A (en) * 1978-05-23 1979-12-01 Sharp Corp Structure of semiconductor laser element and its manufacture

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