JPH04196604A - 発振器 - Google Patents
発振器Info
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- JPH04196604A JPH04196604A JP32160090A JP32160090A JPH04196604A JP H04196604 A JPH04196604 A JP H04196604A JP 32160090 A JP32160090 A JP 32160090A JP 32160090 A JP32160090 A JP 32160090A JP H04196604 A JPH04196604 A JP H04196604A
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- Japan
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- circuit
- low frequency
- feedback circuit
- amplifier circuit
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
本発明は、高周波帯における発振器に関するものである
。
。
［従来の技術］
第５図に従来の発振器の一例を示す。ここで、１はトラ
ンジスタ増幅回路、２は高周波帯帰還回路、Ｔ１は増幅
回路１の入力端子、Ｔ２は増幅回路１の出力端子、Ｔ３
は高周波帯帰還回路２の入力端子、Ｔ４は高周波帯帰還
回路２の出力端子、１３，１４，１６．１７は高周波用
キャパシタ、１５．１８は高周波用インダクタ（１８は
高周波阻止用）、１１はＦＥＴ（電界効果トランジスタ
）、１２は抵抗器、２２は定電圧電源、’Ｔｏは高周波
信号出力端子である。
ンジスタ増幅回路、２は高周波帯帰還回路、Ｔ１は増幅
回路１の入力端子、Ｔ２は増幅回路１の出力端子、Ｔ３
は高周波帯帰還回路２の入力端子、Ｔ４は高周波帯帰還
回路２の出力端子、１３，１４，１６．１７は高周波用
キャパシタ、１５．１８は高周波用インダクタ（１８は
高周波阻止用）、１１はＦＥＴ（電界効果トランジスタ
）、１２は抵抗器、２２は定電圧電源、’Ｔｏは高周波
信号出力端子である。
この回路はコルピッツ形発振回路としてよく知られてい
るもので、入力端子Ｔ１に入力された高周波信号は、ト
ランジスタ増幅回路１で反転増幅された後、出力端子Ｔ
２に出力される。
るもので、入力端子Ｔ１に入力された高周波信号は、ト
ランジスタ増幅回路１で反転増幅された後、出力端子Ｔ
２に出力される。
この信号は帰還回路２の入力端子Ｔ３に入力され、高周
波帯帰還回路２内である特定の周波数付近で位相が約１
８０度変化した後、出力端子Ｔ４に出力される。この帰
還信号は再びトランジスタ増幅回路１の入力信号となる
。このとき、端子Ｔ１に注目すると、最初にトランジス
タ増幅回路１に入力された信号とトランジスタ増幅回路
１、高周波帯帰還回路２を通過してきた信号は、ある特
定の周波数で位相が一致し強め合うことにより、その周
波数での高周波信号は持続し、発振する。それ以外の周
波数では位相がずれるために信号は減衰する。
波帯帰還回路２内である特定の周波数付近で位相が約１
８０度変化した後、出力端子Ｔ４に出力される。この帰
還信号は再びトランジスタ増幅回路１の入力信号となる
。このとき、端子Ｔ１に注目すると、最初にトランジス
タ増幅回路１に入力された信号とトランジスタ増幅回路
１、高周波帯帰還回路２を通過してきた信号は、ある特
定の周波数で位相が一致し強め合うことにより、その周
波数での高周波信号は持続し、発振する。それ以外の周
波数では位相がずれるために信号は減衰する。
本発振器の発振周波数ｆは、高周波用コンデンサ１３，
１４．１６の容量をそれぞれ、Ｃ１゜Ｃｏ、Ｃ２とし、
高周波用インダクタ１５のインダクタンスをＬＯとした
とき、次式で与えられる 〔発明が解決しようとする課題〕 従来の発振回路では、雑誌「アイイーイーイー・トラン
ス・オン・マイクロウエーブセオリーアンドテクニクス
、第３３巻、１９８５年３月」に記載の論文「アナリシ
ス オブノイズアップコンバージョン イン マイクロ
ウェーブ ＦＥＴオシレターズ」 （″）１． Ｊ、
Ｓｉｗｅｒｉｓ ａｎｄ Ｂ、５ｃｈｉｅｋ： ”Ａ
ｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ Ｎｏ１ｓｅ Ｕｐｃｏｎｖｅｒ
ｓｉｏｎ ｉｎ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｆ ＥＴ ０ｓ
ｃｉｌｌａｔｏｒｓ”、ＩＥ Ｅ Ｅ Ｔｒａｎｓ、ｏ
ｎ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｔｈｅｏｒｙ ａｎｄ Ｔｅ
ｃｈｎｉｑｕｅｓ、 Ｖｏｌ、 ＭＴＴ−３３，Ｎｏ、
３． Ｍａｒｃｈ１９８５”）に示されるように、低周
波帯で発生する１／ｆ雑音は増幅回路内ＦＥＴの非線型
性により発振周波数の両側にアップコンバートされ、大
きな位相雑音を発生する欠点があった。
１４．１６の容量をそれぞれ、Ｃ１゜Ｃｏ、Ｃ２とし、
高周波用インダクタ１５のインダクタンスをＬＯとした
とき、次式で与えられる 〔発明が解決しようとする課題〕 従来の発振回路では、雑誌「アイイーイーイー・トラン
ス・オン・マイクロウエーブセオリーアンドテクニクス
、第３３巻、１９８５年３月」に記載の論文「アナリシ
ス オブノイズアップコンバージョン イン マイクロ
ウェーブ ＦＥＴオシレターズ」 （″）１． Ｊ、
Ｓｉｗｅｒｉｓ ａｎｄ Ｂ、５ｃｈｉｅｋ： ”Ａ
ｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ Ｎｏ１ｓｅ Ｕｐｃｏｎｖｅｒ
ｓｉｏｎ ｉｎ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｆ ＥＴ ０ｓ
ｃｉｌｌａｔｏｒｓ”、ＩＥ Ｅ Ｅ Ｔｒａｎｓ、ｏ
ｎ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｔｈｅｏｒｙ ａｎｄ Ｔｅ
ｃｈｎｉｑｕｅｓ、 Ｖｏｌ、 ＭＴＴ−３３，Ｎｏ、
３． Ｍａｒｃｈ１９８５”）に示されるように、低周
波帯で発生する１／ｆ雑音は増幅回路内ＦＥＴの非線型
性により発振周波数の両側にアップコンバートされ、大
きな位相雑音を発生する欠点があった。
ここにおいて本発明は前記従来の発振回路の欠点を解決
するのに有効な発振器を提供せんとするものである。
するのに有効な発振器を提供せんとするものである。
（課題を解決するための手段）
前記課題の解決は、本発明の発振器が、増幅回路の入出
力端間を高周波帯において正帰還回路で閉ループ接続す
るとともに、低周波帯において負帰還回路で閉ループ接
続して発振器を構成したことにより達成される。
力端間を高周波帯において正帰還回路で閉ループ接続す
るとともに、低周波帯において負帰還回路で閉ループ接
続して発振器を構成したことにより達成される。
〔作用］
本発明では増幅回路を高周波帯において正帰還回路で閉
ループ接続するとともに、低周波帯において負帰還回路
で閉ループすることにより低周波帯での雑音を抑圧し、
低減することができる。このため、低周波帯の雑音が、
通常の高周波帯における正帰還ループのみを有する発振
器に比べ少なくなり、増幅回路内のＦＥＴによりアップ
コンバートされた結果体じる位相雑音も低減される。
ループ接続するとともに、低周波帯において負帰還回路
で閉ループすることにより低周波帯での雑音を抑圧し、
低減することができる。このため、低周波帯の雑音が、
通常の高周波帯における正帰還ループのみを有する発振
器に比べ少なくなり、増幅回路内のＦＥＴによりアップ
コンバートされた結果体じる位相雑音も低減される。
〔実施例１〕
第１図は本発明の請求項（１）の実施例であって、■は
電圧利得αを持つトランジスタ増幅回路、２は高周波帯
帰還回路、３は低周波帯において電圧利得βを持つ低周
波帯帰還回路、４は低周波帯にて雑音電圧■４を発生す
るトランジスタ増幅回路の等価雑音電圧源、Ｔ１はトラ
ンジスタ増幅回路の入力端子、Ｔ２はトランジスタ増幅
回路の出力端子、Ｔ３は高周波帯帰還回路の入力端子、
Ｔ４は高周波帯帰還回路の出力端子、Ｔ５は低周波帯帰
還回路の入力端子、Ｔ６は低周波帯帰還回路の出力端子
である。ここで、低周波帯について着目し、等価雑音電
圧源入力点の低周波の電位を■３、トランジスタ増幅回
路入力点の低周波の電位を■２、トランジスタ増幅回路
出力点の低周波の電位を■３とすると、 ■２＝■１＋Ｖ、、□■ ■３＝α■２ □■ Ｖ、＝β−Ｖ３ □■ ■、■、■よりＶ、、Ｖ３を消去して整理すると、Ｖ２
＝Ｖ、／（１−αβ） ここで、αβ〈０ 即ちトランジスタ増幅回路１、低周
波帯帰還回路３を含む回路が負帰還ループを構成してい
るときには、トランジスタ増幅回路に入力される等価雑
音電圧が■７から■７／（１−αβ）に減少する。その
結果、トランジスタ増幅回路の非線型性による低周波雑
音のアップコンバージョンに起因する位相雑音の発生量
は低減される。
電圧利得αを持つトランジスタ増幅回路、２は高周波帯
帰還回路、３は低周波帯において電圧利得βを持つ低周
波帯帰還回路、４は低周波帯にて雑音電圧■４を発生す
るトランジスタ増幅回路の等価雑音電圧源、Ｔ１はトラ
ンジスタ増幅回路の入力端子、Ｔ２はトランジスタ増幅
回路の出力端子、Ｔ３は高周波帯帰還回路の入力端子、
Ｔ４は高周波帯帰還回路の出力端子、Ｔ５は低周波帯帰
還回路の入力端子、Ｔ６は低周波帯帰還回路の出力端子
である。ここで、低周波帯について着目し、等価雑音電
圧源入力点の低周波の電位を■３、トランジスタ増幅回
路入力点の低周波の電位を■２、トランジスタ増幅回路
出力点の低周波の電位を■３とすると、 ■２＝■１＋Ｖ、、□■ ■３＝α■２ □■ Ｖ、＝β−Ｖ３ □■ ■、■、■よりＶ、、Ｖ３を消去して整理すると、Ｖ２
＝Ｖ、／（１−αβ） ここで、αβ〈０ 即ちトランジスタ増幅回路１、低周
波帯帰還回路３を含む回路が負帰還ループを構成してい
るときには、トランジスタ増幅回路に入力される等価雑
音電圧が■７から■７／（１−αβ）に減少する。その
結果、トランジスタ増幅回路の非線型性による低周波雑
音のアップコンバージョンに起因する位相雑音の発生量
は低減される。
なお、本実施例において低周波帰還回路が受動素子のみ
で構成されているときには １βｌ≦１となるが、低周波帰還回路内に低周波帯増幅
器が含まれる場合には ｌβ１〉１とすることが可能である。
で構成されているときには １βｌ≦１となるが、低周波帰還回路内に低周波帯増幅
器が含まれる場合には ｌβ１〉１とすることが可能である。
〔実施例２〕
第２図は本発明の請求項（２）の実施例であって、１は
電圧利得αを持つトランジスタ増幅回路、５は高周波帯
においてトランジスタ増幅回路とともに正帰還ループを
構成し、低周波帯において電圧利得βを持つ帰還回路、
４は低周波帯にて雑音電圧■７を発生するトランジスタ
増幅回路の等価雑音電圧源、Ｔ１はトランジスタ増幅回
路の入力端子、Ｔ２はトランジスタ増幅回路の出力端子
、Ｔ７は帰還回路の入力端子、Ｔ８は帰還回路の出力端
子である。ここで、低周波帯について着目し、等価雑音
電圧源入力点の低周波の電位を■１．トランジスタ増幅
回路入力点の低周波の電位を■２、トランジスタ増幅回
路出力点の低周波の電位を■３、とすると、実施例１と
同様の議論より、 Ｖ、＝Ｖ、／（１−αβ） ここで、αβ〈Ｏ即ちトランジスタ増幅回路１、低周波
帯帰還回路３を含む回路が負帰還ループを構成している
ときには、トランジスタ増幅回路に入力される等価雑音
電圧がＶ７からＶ。
電圧利得αを持つトランジスタ増幅回路、５は高周波帯
においてトランジスタ増幅回路とともに正帰還ループを
構成し、低周波帯において電圧利得βを持つ帰還回路、
４は低周波帯にて雑音電圧■７を発生するトランジスタ
増幅回路の等価雑音電圧源、Ｔ１はトランジスタ増幅回
路の入力端子、Ｔ２はトランジスタ増幅回路の出力端子
、Ｔ７は帰還回路の入力端子、Ｔ８は帰還回路の出力端
子である。ここで、低周波帯について着目し、等価雑音
電圧源入力点の低周波の電位を■１．トランジスタ増幅
回路入力点の低周波の電位を■２、トランジスタ増幅回
路出力点の低周波の電位を■３、とすると、実施例１と
同様の議論より、 Ｖ、＝Ｖ、／（１−αβ） ここで、αβ〈Ｏ即ちトランジスタ増幅回路１、低周波
帯帰還回路３を含む回路が負帰還ループを構成している
ときには、トランジスタ増幅回路に入力される等価雑音
電圧がＶ７からＶ。
／（１−αβ）に減少する。その結果、トランジスタ増
幅回路の非線型性による低周波雑音のアップコンバージ
ョンに起因する位相雑音の発生量は低減される。
幅回路の非線型性による低周波雑音のアップコンバージ
ョンに起因する位相雑音の発生量は低減される。
なお、本実施例において帰還回路が受動素子のみで構成
されているときには １β１≦１となるが、低周波帰還回路内に低周波帯増幅
器が含まれる場合には １β１〉１とすることが可能である。
されているときには １β１≦１となるが、低周波帰還回路内に低周波帯増幅
器が含まれる場合には １β１〉１とすることが可能である。
［実施例３〕
第３図は本発明の別の実施例であって、１はトランジス
タ増幅回路、２は高周波帯帰還回路、３は低周波帯帰還
回路、６は高周波および低周波の阻止回路、Ｔ１はトラ
ンジスタ増幅回路の入力端子、Ｔ２はトランジスタ増幅
回路の出力端子、Ｔ３は高周波帯帰還回路の入力端子、
Ｔ４は高周波帯帰還回路の出力端子、Ｔ５は低周波帯帰
還回路の入力端子、Ｔ６は低周波帯帰還回路の出力端子
、Ｔｏは高周波信号出力端子、１１はＦＥＴ （電界効
果トランジスタ）、１２は抵抗器、１３，１４，１６．
１７は高周波用コンデンサ、１５．１８．２０は高周波
用インダクタ（１８，２０は高周波阻止用）、１９は低
周波通過用コンデンサ、２１は低周波阻止用インダクタ
、２２は定電圧電源である。
タ増幅回路、２は高周波帯帰還回路、３は低周波帯帰還
回路、６は高周波および低周波の阻止回路、Ｔ１はトラ
ンジスタ増幅回路の入力端子、Ｔ２はトランジスタ増幅
回路の出力端子、Ｔ３は高周波帯帰還回路の入力端子、
Ｔ４は高周波帯帰還回路の出力端子、Ｔ５は低周波帯帰
還回路の入力端子、Ｔ６は低周波帯帰還回路の出力端子
、Ｔｏは高周波信号出力端子、１１はＦＥＴ （電界効
果トランジスタ）、１２は抵抗器、１３，１４，１６．
１７は高周波用コンデンサ、１５．１８．２０は高周波
用インダクタ（１８，２０は高周波阻止用）、１９は低
周波通過用コンデンサ、２１は低周波阻止用インダクタ
、２２は定電圧電源である。
本実施例は、前述のコルピッツ発振器に本発明を適用し
たものであり、高周波用コンデンサ１３．１４．１６の
容量をそれぞれ、ＣＩ＋ｃｏ＋０２とし、高周波用イン
ダクタ１５のインダクタンスをＬｏとしたとき、発振高
波数ｆは次式で与えられる。
たものであり、高周波用コンデンサ１３．１４．１６の
容量をそれぞれ、ＣＩ＋ｃｏ＋０２とし、高周波用イン
ダクタ１５のインダクタンスをＬｏとしたとき、発振高
波数ｆは次式で与えられる。
本実施例では、高周波用インダクタ１８゜２０と低周波
通過用コンデンサ１９により低周波帯の帰還回路を構成
するとともに、低周波阻止用のインダクタ２１により電
源を介しての低周波信号の接地を防ぐことにより、低周
波帯の雑音に対する負帰還を可能としている。このこと
から低周波雑音が低減され、結果として低周波雑音のア
ップコンバージョンに起因する位相雑音が低減される。
通過用コンデンサ１９により低周波帯の帰還回路を構成
するとともに、低周波阻止用のインダクタ２１により電
源を介しての低周波信号の接地を防ぐことにより、低周
波帯の雑音に対する負帰還を可能としている。このこと
から低周波雑音が低減され、結果として低周波雑音のア
ップコンバージョンに起因する位相雑音が低減される。
〔実施例４〕゛
第４図は本発明のさらに別の実施例であって、１はトラ
ンジスタ増幅回路、２は高周波帯帰還回路、３は低周波
帯帰還回路、６は高周波および低周波の阻止回路、Ｔ１
はトランジスタ増幅回路の入力端子、Ｔ２はトランジス
タ増幅回路の出力端子、Ｔ３は高周波帯帰還回路の入力
端子、Ｔ４は高周波帯帰還回路の出力端子、Ｔ５は低周
波帯帰還回路の入力端子、Ｔ６は低周波帯帰還回路の８
カ端子（高周波帯帰還回路の出力端子Ｔ４と共用）、Ｔ
ｏは高周波信号出力端子、１１はＦＥＴ （電界効果ト
ランジスタ）、１２は抵抗器、１３．１７は高周波用コ
ンデンサ、１５．１Ｂ、２０．２３は高周波用インダク
タ（１８，２０は高周波阻止用）、２１は低周波阻止用
インダクタ、２２は定電圧源、２３はＦＥＴのゲート・
ソース間容量、２４は負荷抵抗である。
ンジスタ増幅回路、２は高周波帯帰還回路、３は低周波
帯帰還回路、６は高周波および低周波の阻止回路、Ｔ１
はトランジスタ増幅回路の入力端子、Ｔ２はトランジス
タ増幅回路の出力端子、Ｔ３は高周波帯帰還回路の入力
端子、Ｔ４は高周波帯帰還回路の出力端子、Ｔ５は低周
波帯帰還回路の入力端子、Ｔ６は低周波帯帰還回路の８
カ端子（高周波帯帰還回路の出力端子Ｔ４と共用）、Ｔ
ｏは高周波信号出力端子、１１はＦＥＴ （電界効果ト
ランジスタ）、１２は抵抗器、１３．１７は高周波用コ
ンデンサ、１５．１Ｂ、２０．２３は高周波用インダク
タ（１８，２０は高周波阻止用）、２１は低周波阻止用
インダクタ、２２は定電圧源、２３はＦＥＴのゲート・
ソース間容量、２４は負荷抵抗である。
本実施例は、ＦＥＴゲート・ソース間容量Ｃｇｓが無視
できないマイクロ波帯以上の周波数でよ（使用される、
コルピッツ発振器の一変形例に本発明を適用したもので
あって、ＦＥＴのゲート・ソース間容量Ｃ９５、高周波
用コンデンサ１３の容量をＣい高周波用インダクタ１５
のインダクタンスをＬｏとすれば、発振周波数はほぼ次
式で与えられる。
できないマイクロ波帯以上の周波数でよ（使用される、
コルピッツ発振器の一変形例に本発明を適用したもので
あって、ＦＥＴのゲート・ソース間容量Ｃ９５、高周波
用コンデンサ１３の容量をＣい高周波用インダクタ１５
のインダクタンスをＬｏとすれば、発振周波数はほぼ次
式で与えられる。
本実施例では、高周波用インダクタ１５゜１８と定電圧
源２２によりアースを介して低周波帯の帰還回路を構成
するとともに、低周波阻止回路６によりソースが低周波
的に接地されることを防ぎ、低周波帯の雑音に対する負
帰還を可能としている。このことから低周波雑音が低減
され、その結果低周波雑音のアップコンバージョンに起
因する位相雑音が低減される。また、本実施例では、高
周波用インダクタ１５が高周波帯帰還回路２と低周波帯
帰還回路３の間で、高周波用コンデンサ１３が高周波帯
帰還回路２と低周波阻止回路６の間で共用されている。
源２２によりアースを介して低周波帯の帰還回路を構成
するとともに、低周波阻止回路６によりソースが低周波
的に接地されることを防ぎ、低周波帯の雑音に対する負
帰還を可能としている。このことから低周波雑音が低減
され、その結果低周波雑音のアップコンバージョンに起
因する位相雑音が低減される。また、本実施例では、高
周波用インダクタ１５が高周波帯帰還回路２と低周波帯
帰還回路３の間で、高周波用コンデンサ１３が高周波帯
帰還回路２と低周波阻止回路６の間で共用されている。
なお、本発明の実施例３．４では高・低周波阻止回路、
および低周波帯帰還回路内に低周波阻止インダクタを有
しているが、この低周波阻止インダクタはトランジスタ
または高抵抗を用いた定電流回路により代用が可能であ
る。
および低周波帯帰還回路内に低周波阻止インダクタを有
しているが、この低周波阻止インダクタはトランジスタ
または高抵抗を用いた定電流回路により代用が可能であ
る。
以上説明したように、本発明の発振器においては、低周
波帯の負帰還により低周波帯の雑音を抑圧する。その結
果、増幅回路内増幅素子のもつ非線形による、低周波雑
音の発振周波数の両側へのアップコンバージョンに起因
する位相雑音を低減することができる。
波帯の負帰還により低周波帯の雑音を抑圧する。その結
果、増幅回路内増幅素子のもつ非線形による、低周波雑
音の発振周波数の両側へのアップコンバージョンに起因
する位相雑音を低減することができる。
第１図は本発明の発振器の構成図、第２図は本発明の発
振器の別の構成図、第３図は本発明の実施例、第４図は
本発明の別の実施例、第５図は従来の例である。 １・・・増幅回路、 ２・・・高周波帯帰還回路、 ３・・・低周波帯帰還回路、 ４・・・増幅回路の等価雑音電圧源。 第２叉 ｒ −−−−−−−−−−−−−一−−光］第３図 第４「
振器の別の構成図、第３図は本発明の実施例、第４図は
本発明の別の実施例、第５図は従来の例である。 １・・・増幅回路、 ２・・・高周波帯帰還回路、 ３・・・低周波帯帰還回路、 ４・・・増幅回路の等価雑音電圧源。 第２叉 ｒ −−−−−−−−−−−−−一−−光］第３図 第４「
Claims (2)
- （１）トランジスタ増幅回路と高周波帯帰還回路と低周
波帯帰還回路から構成され、前記増幅回路の出力が前記
高周波帯帰還回路および前記低周波帯帰還回路の入力に
接続され、前記高周帯帰還回路および前記低周波帯帰還
回路の出力が前記増幅回路の入力に帰還ループ接続され
、前記増幅回路と前記高周波帯帰還回路から構成される
閉ループは正帰還として動作し、高周波帯において発振
を行い、前記増幅回路と前記低周波帯帰還回路から構成
される閉ループは負帰還として動作することを特徴とす
る発振器。 - （２）トランジスタ増幅回路と帰還回路から構成され、
前記増幅回路の出力が前記帰還回路の入力に接続され、
前記帰還回路の出力が前記増幅回路の入力に帰還ループ
接続され、前記増幅回路と前記帰還回路から構成される
閉ループは高周波帯において正帰還として動作し発振を
行い、低周波帯において負帰還として動作することを特
徴とする発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32160090A JPH04196604A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32160090A JPH04196604A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04196604A true JPH04196604A (ja) | 1992-07-16 |
Family
ID=18134349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32160090A Pending JPH04196604A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04196604A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007116473A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Sharp Corp | 電圧制御発振器、受信モジュール、携帯機器、１セグ放送受信機、モバイル衛星放送受信機器及び地上波デジタル受信機器 |
| JP4916310B2 (ja) * | 2003-08-06 | 2012-04-11 | シナジー マイクロウェーブ コーポレーション | 周波数選択性を有し低位相ノイズかつ低熱ドリフトの発振器 |
| JP4939228B2 (ja) * | 2003-12-09 | 2012-05-23 | シナジー マイクロウェーブ コーポレーション | 熱ドリフトがユーザ指定可能な電圧制御発振器 |
| JP2014512155A (ja) * | 2011-04-18 | 2014-05-19 | レイセオン カンパニー | 低ノイズ発振器 |
-
1990
- 1990-11-26 JP JP32160090A patent/JPH04196604A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4916310B2 (ja) * | 2003-08-06 | 2012-04-11 | シナジー マイクロウェーブ コーポレーション | 周波数選択性を有し低位相ノイズかつ低熱ドリフトの発振器 |
| JP4939228B2 (ja) * | 2003-12-09 | 2012-05-23 | シナジー マイクロウェーブ コーポレーション | 熱ドリフトがユーザ指定可能な電圧制御発振器 |
| JP2007116473A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Sharp Corp | 電圧制御発振器、受信モジュール、携帯機器、１セグ放送受信機、モバイル衛星放送受信機器及び地上波デジタル受信機器 |
| JP2014512155A (ja) * | 2011-04-18 | 2014-05-19 | レイセオン カンパニー | 低ノイズ発振器 |
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