JPH0419677A - 乾式現像方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子写真や静電記録等に採用される一成分非
磁性現像剤を用いる乾式現像方法にかかリ、詳しくは、
静電潜像担持体に現像剤担持体上の一成分非磁性現像剤
を近接させ、この現像剤担持体に矩形波バイアスを印加
して静電潜像を可視像化する現像方法に関するものであ
る。

［従来の技術］ 静電潜像担持体に現像剤担持体上の静電潜像と同極性に
帯電された一成分非磁性現像剤を近接させて現像を行う
技術は、特公昭４１−９４７５号公報によって公知であ
る。これは表面に現像剤の薄層を有するドナ一部材を静
電潜像担持体に近接配置して静電潜像のみに現像剤を飛
翔させるものである。又、上記現像間隙に低周波の交番
電界を印加して現像を行う技術はジャンピング現像方式
と呼ばれ、特開昭５５−１８６５６号公報等に言己載さ
れている。この方法は磁性現像剤を現像剤担持体である
マグネットローラー上に保持して現像域に搬送し、次の
二過程を行うものである。

第一の過程；項像部位における現像剤担持体と静電潜像
担持体の間隙において、非画像部分においても、画像部
分においても現像材粒子の転移と、現像剤担持体への逆
転移が交互に繰り返されるための低周波交番電界を印加
する過程。

第二の過程；現像間隙に現像剤担持体から画像部へ一方
的に現像剤の転移を生ゼしぬ、且つ非画像部から現像剤
担持体へ一方的に現像材の逆転移を生ゼしぬる上記第一
の過程における電界とは強度の異なる低周波交番電界を
印加する過程。

これにより良好な画像の再現か得られるとしている。し
かしながら、ジャンピング現像方式においては鉄粉を含
んだ磁性現像剤を使用することが前提となっているため
、鮮明なカラー画像が得られないという問題点かあった
。又、矩形波パルスのデユーティ比を可変にして現像剤
の飛翔を安定的に行うという考えは特開昭６０−１１８
８６５号公報等に記載されているか印加バイアスの型と
その作用効果までは開示されていない。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の磁性現像剤を用いた飛翔現像の装置においては、
例えば第７図の正弦波もしくは第８図の矩形波が現像担
持体である現像ローラーに印加され、現像剤に静電潜像
担持体に向けて飛翔するエネルギーを与えている。これ
らの図中、ＶＤは静電潜像の画像部電位、ＶＬは非画像
部電位を示している。マイナスの電荷を持った磁性現像
剤によるポジ・ポジ現像（静電潜像の極性と同極性の現
像剤を用いる、所謂、正規現像）の場合に、１００μｍ
の現像間隔（現像ローラー表面と静電潜像担持体表面と
の開講）に正弦波形のバイアスを印加したときの静電潜
像電位に対する画像反射濃度を測定した画像濃度面Ｍ（
以下、ＩＤ曲線という）は、横軸に静電潜像電位、縦軸
に画像濃度を取った第９図に示したものとなり、扁電位
部まで安定して濃度か出ている。

ところが非磁性の現像剤を用いた飛翔現像の装置に正弦
波形のバイアスを印加したときには第９図のような良好
なＩＤ曲線は得られず、第１０図に示すものとなる。実
験条件としては、単位質量嚢りの電荷量（Ｑ／Ｍ）がマ
イナス８μＣ／ｇの非磁性現像剤を用い、現像間隙１０
０μｍ（４振幅１５０００Ｖの正弦波をプラス２５０Ｖ
の直流電圧を重畳して印加したものである。感光体上の
画像部電位プラス５００Ｖ、非画像部電位プラス５０■
である。第１０図のＩＤ曲線を見れば、周波数が５００
ヘルツのときは地力ブリがとれず濃度も上がらない。１
０００ヘルツでは画像は潜像の電位の高い部分よりも電
位の中間の部分か濃度が高くなり、エツジ部が抜けたり
ライン剖がぼけるなどして、画像の鮮明度が不足してい
る。１５００ヘルツでは更に潜像の電位の高い部分の濃
度か落ち画像が不鮮明になる。又、直流電界による飛翔
現像では現像効率も悪く階調性がとれない。

このようにＱ／Ｍかマイナス８μＣ／ｇの非磁性現像剤
においては正弦波バイアスも直流バイアスも飛翔現像に
適さない。第１１図に、Ｑ／Ｍがマイナス１７μＣ／ｇ
の非磁性現像剤を用い、印加電圧の周波数が１０００ヘ
ルツの場合のＩＤ曲線を、上述の第１０図におけるＱ／
Ｍがマイナス８μＣ／ｇの非磁性現像剤を用い、印加電
圧の周波数が１０００ヘルツの場合のＩＤ曲線と共に示
す。同図より、Ｑ／Ｍがマイナス１７μＣ／ｇの非磁性
現像剤を用いた方が高電位部の現像特性は良いことが判
るが、０７Ｍが高くなると安定的に現像ローラー上に多
層に保持する事が困難であり、又現像効率が悪くなるた
め濃度が上がらないという問題がある。

ここでいう０７Ｍは、質量的３０ｇのファラデーケージ
に１０ｍｇ程度の現像ローラー上の現像剤を空気と共に
吸引して電荷量を測定したものである。

このように正弦波やデユーティ比が１対１の矩形波のバ
イアスを現像ローラーに印加して非磁性現像剤層に力学
的な飛翔のエネルギーを与えても、電界の強度に応答す
る現像剤の飛翔特性が得られなかった。これは、非磁性
の現像剤粒子が鉄粉を含まず一個当りの質量が磁性現像
剤粒子に比較して軽い事に加え、非磁性現像剤は現像ロ
ーラー上で磁気による拘束力を持たないためと考えられ
る。

本発明は、従来技術の有するこのような間圧点に鑑みな
されたものであり、その目的とするところは、非磁性の
一成分現像剤層を間隙を持って保持された静電潜像担持
体に向けて飛翔現像することで、高画質の画像を得るこ
とか可能で、且つ簡便な構成でカラー化も容易な低コス
トの現像装置を提供する二とである。

〔課題を解決するための手設〕

上記目的を達成するために、請求項（１）記載の発明は
、静電潜像担持体に現像剤担持体上の静電潜像と同極性
に帯電された一成分非磁性項像剤を近接させ、該現像剤
担持体に矩形波バイアスを印加して静電潜像を可視像化
する乾式現像方法において、該矩形波バイアスとして、
周波数が３゜Ｏヘルツ乃至１５００ヘルツで、現像剤の
帯電極性と同極性で絶対値が１００ボルト以下か又は現
像剤の帯電極性と逆極性の第一電圧部と現像剤の帯電極
性と同極性で絶対値が７００ボルト以上の第二電圧部と
からなり、第一電圧部の第二電圧部に対するデユーティ
比が３対２以上で、該デユーティ比が１対１の場合より
もポテンシャルの時間平均値が現像剤の帯電極性と逆極
性に偏奇している矩形波バイアスを用い、現像剤として
、単位質量当りの電荷量が５μＣ／ｇ乃至２０μＣ／ｇ
の現像剤を用いることを特徴とするものであり、請求項
（２）記載の発明は、静電潜像担持体に現像剤担持体上
の静電潜像と逆極性に帯電された一成分非磁性現像剤を
近接させ、該現像剤担持体に矩形波バイアスを印加して
静電潜像を可視像化する乾式現像方法において、該矩形
波バイアスとして、周波数が３００ヘルツ乃至１５００
ヘルツで、現像剤の帯電極性と逆極性で絶対値が６００
ボルト以上の第一電圧部と現像剤の帯電極性と同極性で
絶対値が１００ボルト以上の第二電圧部とからなり、第
一電圧部の第二電圧部に対するデユーティ比が３対２以
上で、該デユーティ比が１対１の場合よりもポテンシャ
ルの時間平均値が現像剤の帯電極性と逆極性に偏奇して
いる矩形波バイアスを用い、現像剤として、単位質量坐
りの電荷量が５μＣ／ｇ乃至２０μＣ／　ｇの現像剤を
用いることを特徴とするものである。

〔作用〕

上記の様に構成された本発明は、非磁性の現像剤層を、
間隙を保って対向された静電潜像担持体に向けて飛翔現
像する際に現像ローラーに印加する矩形波バイアスが、
第一電圧部の第二電圧部に対するデユーティ比が３対２
以上で、該デユーティ比が１対１の場合よりもポテンシ
ャルの時間平均値が、現像剤の帯電極性と逆極性、即ち
、静電潜像と同極性に帯電された一成分非磁性現像剤を
用いる請求項（１）の発明においては静電潜像と逆極性
、静電潜像と逆極性に帯電された一成分非磁性現像剤を
用いる請求項（２）記載の発明においては静電潜像と同
極性になり、これにより、静電潜像の電界の強度に応答
して非磁性現像剤層が飛翔するように作用するものであ
る。

〔実施例〕

この発明の一実施例を第１図乃至第４図に基ついて説明
する。

本実施例は、０７Ｍがマイナス８μＣ／ｇに帯電された
一成分非磁性現像剤を用いて（現像ローラー２表面の現
像剤付着量は１．０ｍｇ／ａ（）、画像部電位プラス５
００Ｖ、非画像部電位プラス５０■の静電潜像をポジ・
ポジ現像するものである。

第１図は本実施例の乾式現像方法を適用した現像装置の
概略構成図である。

静電潜像担持体である、ドラム状のセレン感光体１と、
−成分非磁性現像層を担持する現像剤担持体である現像
ローラー２と、現像ローラー２に圧接して当接部て現像
ローラー２と逆方向に回転する、現像剤供給部材である
スポンジローラー３と、現像ローラー２上に回当てで当
接している、現像剤の薄層形成部材であるウレタンゴム
ブレード４とを備えており、セレン感光体ｌは線速度１
５００ｍｍ／秒で矢印方向に回転駆動されており、現像
ローラー２はこのセレン感光体１との対向領域で線速度
が等しくなるように矢印方向に回転駆動されている。こ
こで、現像ローラー２は、アルミ素材の表面にフッ素系
樹脂が塗付されたものであり、セレン感光体１表面と１
００μｍの間隔で配置されている。ホッパー６に補給さ
れた現像剤はアジテータ−５によって撹拌され、スポン
ジ状の供給部材３に渡され、現像ローラー２との摩擦に
よって帯電され、現像ローラー２の表面に付着する。ウ
レタンゴムブレード４によって、現像ローラー２に付着
している現像剤は均一な現像剤層となって現像領域に搬
送される。現像剤層とセレン感光体１は非接触で対向し
ており、現像開始時にパルス電源８から矩形波バイアス
か現像ローラー２とスポンジローラー３に同時に印加さ
れる。

本実施例における矩形波バイアスは、周波数が１０００
ヘルツで、横軸に時間、縦軸に電圧を取った、第２図（
ｂ）に示す様に、第一電圧部であるプラス８００ボルト
の高電圧部ａと第２電圧部であるマイナス２００ボルト
の低電圧部すとからなり、高電圧部ａの低電圧部すに対
するデユーティ比が２対１で、該デユーティ比が１対１
（第２図（ａ）の矩形波バイアス）の場合よりもポテン
シャルの時間平均値（第２図中、ＶＰと表示する）がプ
ラス側に偏奇しているものである。同図中、ＶＤは静電
潜像の画像部電位、ＶＬは非画像部電位を示している。

本実施例によれば、第３図中、Ｂで示すＩ／Ｄ曲線のよ
うに、高電位部でも充分な濃度が得られ、又、ＩＤ、シ
ャープ性、階調性についての画像評価の結果を示す第４
図中、Ｂとして示すように、画像評価も良好であった。

ここで、第３図、第４図においては、比較のため、上記
デユーティ比が１対１である場合をＡとして示している
。

又、本実施例と上記デユーティ比が３対１である点での
み異なる第２図（Ｃ）に示す矩形波バイアスを用いた現
像でも、第３図、第４図中、それぞれＣとしＣ示すよう
に、高電位部でも充分な濃度が得られ、画像評価も良好
であった。

更に、セレノ感光体１と現像ローラー２上の現像剤層と
の間隔、矩形波バイアス、現像剤の０７Ｍ等を異ならせ
て実験を行ったところ、セレン感光体１と現像ローラー
２上の現像剤層との間隔が３０μｍ乃至２５０μｍで、
矩形波バイアスが周波数３００ヘルツ乃至１５００ヘル
ツで、０．　５乃至２．５ミリ秒間のプラス６００ボル
ト以上の高電圧部とＯ，ｌ乃至０．９ミリ秒間のマイナ
ス１００ボルト以下の低電圧部とからなり、高電圧部の
低電圧部に対するデユーティ比が３対２以上で、該デュ
ーティ比が１対１の場合よりもポテンシャルの時間平均
値がプラスに偏奇しており、０７Ｍがマイナス５μＣ／
ｇ乃至マイナス２０μＣ／ｇの現像剤を現像ローラー２
表面に０．３ｍｇＺ酬乃至２．０ｍｇ／ａ＋を付着させ
たものでは、同様に、高電位部でも充分な濃度が得られ
、画像評価も良好であった。

次に、本発明の第２実施例を説明する。

この実施例は、Ｑ　／　Ｍかマイナス８μＣ／ｇに帯電
された一成分非磁性現像剤を用いて（現像ローラー２表
面の現像剤付着量は１．０ｍｇ／ａ（）、線速度１２０
ｍｍ／秒で回転駆動されるドラム状の有機感光体上に担
持されている、画像部電位マイナス１５０Ｖ、非画像部
電位マイナス７００■の静電潜像をネガ・ポジ現像（静
電潜像の極性と同極性の現像剤で現像する、所謂、反転
現像）するものである。

本実施例の乾式現像方法を適用した現像装置は、現像ロ
ーラー２として、アルミ素材の表面に微細な凹部を多数
設けて、これにフッ素系樹脂を封入したものを用い、矩
形波バイアスとして、第一電圧部である０、８ミリ秒間
のプラス２００ボルトの高電圧部と第二電圧部である０
、４ミリ８′闇のマイナス１２００ボルトの低電圧部と
からなるものを用いるもので、これ以外の点は上記第１
実施例と同じ構成である。この実施例においても、第５
図に示すＩ／Ｄ曲線の様に高電位部でも充分な濃度が得
られ、又、ライン部の鮮明な解像度の良い画像が得られ
た。

又、有機感光体１と現像ローラー２上の現像剤層との間
隔、矩形波バイアス、現像剤の０７Ｍ等を異ならせて実
験を行ったところ、有機感光体１と現像ローラー２上の
現像剤層との間隔が３０μｍ乃至２５０μｍで、矩形波
バイアスが周波数３００ヘルツ乃至１５００ヘルツで、
０．５乃至２゜５ミリ秒間のマイナス１００ボルト以上
の高電圧部と０．１乃至０．９ミリ秒間のマイナス７０
０ボルト以下の低電圧部とからなり、高電圧部の低電圧
部に対するデユーティ比が３対２以上で、該デューティ
比が１対１の場合よりもポテンシャルの時間平均値かプ
ラスに偏奇しており、０７Ｍかマイナス５μＣ／ｇ乃至
マイナス２０μＣ／ｇの現像剤を現像ローラー２表面に
０．３ｍｇ／ａｄ乃至２．０ｍｇ／ゴ付着させたもので
は、同様に、高電位部でも充分な濃度が得られ、画像評
価も良好であった。

次に、本発明の第３実施例を説明する。

この実施例は、０７Ｍがプラス１２μＣ／ｇに帯電され
た一成分非磁性現像剤を用いて（現像ローラー２表面の
現像剤付着量は１．○ｍｇ／７）、線速度１２０ｍｍ／
秒で回転駆動されるドラム状の有機感光体上に担持され
ている、画像部電位マイナス７００Ｖ、非画像部電位マ
イナス１５０Ｖの静電潜像をポジ・ポジ現像するもので
ある。

本実施例の乾式現像方法を適用した現像装置は、現像ロ
ーラー２として、アルミ芯金の表面にフッ素系樹脂を塗
布したものを用い、矩形波バイアスとして、第一電圧部
である０、８ミリ秒間のマイナス１２００ボルトの低電
圧部と第二電圧部である０、４ミリ秒間のプラス４００
ボルトの高電圧部とからなるものを用いるもので、これ
以外の点は上記第１実施例と同じ構成である。この実施
例においても、第６図に示す工／Ｄ曲線の様に高電位部
でも充分な濃度が得られ、又、ライン部の鮮明な解像度
の良い画像が得られた。

又、有機感光体１と現像ローラー２上の現像剤層との間
隔、矩形波バイアス、現像剤の０７Ｍ等を異ならせて実
験を行ったところ、有機感光体１と現像ローラー２上の
現像剤層との間隔が３０μｍ乃至２５０μｍで、矩形波
バイアスが周波数３００ヘルツ乃至１５００ヘルツで、
０．５乃至２゜５ミリ秒間のマイナス６００ボルト以下
の低電圧部と０．１乃至０．９ミリ抄間のプラス１００
ボルト以上の高電圧部とからなり、低電圧部の高電圧部
に対するデユーティ比が３対２以上で、該デユーティ比
が１対１の場合よりもポテンシャルの時間平均値かマイ
ナスに偏奇しており、０７Ｍかプラス５μＣ／ｇ乃至マ
イナス２０μＣ／ｇの現像剤を現像ローラー２表面に０
．３ｍｇ／ａ＋を乃至２．０ｍｇ／ａ＋を付着させたも
のでは、同様に、高電位部でも充分な濃度か得られ、画
像評価も良好であった。

更に、このプラス帯電の現像剤を用いて、ネガ・ポジ現
像を行ったところ、有機感光体１と現像ローラー２上の
現像剤層との間隔が３０μｍ乃至２５０μｍで、矩形波
バイアスが周波数３００ヘルツ乃至１５００ヘルツで、
０．５乃至２．５ミリ秒間のマイナス１００ボルト以下
の低電圧部と０１乃至０．９ミリ秒間のプラス７００ボ
ルト以上の高電圧部とからなり、低電圧部の高電圧部に
対するデユーティ比が３対２以上で、該デユーティ比が
１対１の場合よりもポテンシャルの時間平均値がマイナ
スに偏奇しており、Ｑ　／　Ｍかプラス５μＣ／ｇ乃至
マイナス２０μＣ／ｇの現像剤を現像ローラー２表面に
ｏ、３ｍｇ／ａ＋を乃至２．０ｍｇ／ａｄ付着させたも
のでは、同様に、高電位部でも充分な濃度が得られ、画
像評価も良好であった。

以上の各実施例によれば、現像剤層と静電潜像担持体の
間隙が３０μｍ乃至２５０μｍの範囲で好ましくは６０
μｍ乃至１４０μｍの範囲てあれば、安定的にライン部
の鮮明な解像度の優れた画像か得られ、更にベタ部も均
一で充分な画像濃度を達成できる。

又、現像ローラー上の単位面積当り現像剤質量が０．３
ｍｇ／ａｍ２乃至２．○ｍｇ／ａｎ”の範囲で好ましく
は０．７ｍｇ／ａｎ”乃至１．５ｍｇ／唾゛の範囲であ
れば現像ローラーと静電潜像担持体が線速度が等しく動
作しても充分な画像濃度を達成でき、更に画像の後端部
に現像剤溜りの無い均一な濃度が得られ、更に現像装置
の駆動トルクが小さくできる。

更に、現像保持ローラーは表面に比抵抗が１０°乃至１
０゛°Ω・１、好ましくは１０゛乃至１０゛′Ω・何の
範囲で厚みが５ｍｍ以下の抵抗層、例えばフッ素系樹脂
等を被覆すれば、現像ローラーと静電潜像担持体の間隙
が狭いわりに矩形波バイアスの振幅か大きいときく例え
ば、間隙１００μｍで、振幅が１０００Ｖを越えるよう
にとき）にも、現像ローラーと静電潜像担持体の間隙に
放電が起きる恐れをなくすことが出来、非磁性の現像剤
層に充分な飛翔のエネルギーを与えながら更に静電潜像
に忠実な画像が得られる。

なお、上記各実施例においては、像担持体としてドラム
状の感光体を用でいるが、これに替え、ベルト状の感光
体を用いても良い。又、現像ローラー２にはマグネット
が不要なため低コストのローラーが使用でき、例えばア
ルミの芯金にサンドブラストをかけたものへフッ素系の
樹脂を塗布したもの、又は導電性のゴム層を持ったもの
でも良い。現像副供給部材３としてはスポンジ状部材の
他、ブラシ状部材でも良い。又、現像剤層形成部材とし
てはウレタンゴムの他、他のゴム種類のづムや金属の弾
性部材でも良い。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、非磁性の現像剤層を
、間隙を保って対向された静電潜像担持体に向けて飛翔
現像する際に現像ローラーに印加する矩形波バイアスが
、第一電圧部の第二電圧部に対するデユーティ比が３対
２以上で、該デユーティ比が１対１の場合よりもポテン
シャルの時間平均値が、現像剤の帯電極性と逆極性、即
ち、静電潜像と同極性に帯電された一成分非磁性現像剤
を用いる請求項（１）の発明においては静電潜像と逆極
性、静電潜像と逆極性に帯電された一成分非磁性現像剤
を用いる請求項（２）記載の発明においては静電潜像と
同極性になり、これにより、静電潜像の電界の強度に応
答して非磁性現像剤層か飛翔するので、高画質の画像を
得ることが出来、且つ、前記矩形波バイアスの周波数が
３００ヘルツ乃至１５００ヘルツの範囲で好ましくは５
００ヘルツ乃至１２００ヘルツの範囲であるので、滑ら
かな画像が得られるという優れた効果がある。

又、非磁性の一成分現像剤を用いるので、簡便な構成で
カラー化も容易な低コストの乾式現像装置を提供するこ
とが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は、本発明の一実施例を説明するため
の図面であり、第１図は本実施例にかかる乾式現像方法
を適用した現像装置の概略構成図、第２図（ａ）乃至（
Ｃ）はデユーティ−比が異なる矩形波バイアスの波形図
であり、それぞれ１対１．２対１．３対１のものを示し
、第３図は第２図（ａ）乃至（Ｃ）の各矩形波バイアス
を用いた場合のＩＤ直線を示す特性図、第４図は第２図
（ａ）乃至（ｃ）の各矩形波バイアスを用いた場合の画
像評価結果を示す表である。第５図、第６図は、それぞ
れ本発明の第２実施例、第３実施例におけるＩＤ曲線を
示す特性図である。第７図乃至第９図は、従来技術を説
明するための図面てあり、第７図及び第８図は従来の現
像バイアスの波形図、第９図は従来の現像方法によるＩ
Ｄ曲線を示す特性図である。第１０図及び第１１図は、
従来の現像方法における現像バイアスを非磁性−成分現
像剤を用いた現像に用いた場合のＩＤ曲線を示す特性図
である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）静電潜像担持体に現像剤担持体上の静電潜像と同
   極性に帯電された一成分非磁性現像剤を近接させ、該現
   像剤担持体に矩形波バイアスを印加して静電潜像を可視
   像化する乾式現像方法において、該矩形波バイアスとし
   て、周波数が３００ヘルツ乃至１５００ヘルツで、現像
   剤の帯電極性と同極性で絶対値が１００ボルト以下か又
   は現像剤の帯電極性と逆極性の第一電圧部と現像剤の帯
   電極性と同極性で絶対値が７００ボルト以上の第二電圧
   部とからなり、第一電圧部の第二電圧部に対するデュー
   ティ比が３対２以上で、該デューティ比が１対１の場合
   よりもポテンシャルの時間平均値が現像剤の帯電極性と
   逆極性に偏奇している矩形波バイアスを用い、現像剤と
   して、単位質量当りの電荷量が５μＣ／ｇ乃至２０μＣ
   ／ｇの現像剤を用いることを特徴とする乾式現像方法。
2. （２）静電潜像担持体に現像剤担持体上の静電潜像と逆
   極性に帯電された一成分非磁性現像剤を近接させ、該現
   像剤担持体に矩形波バイアスを印加して静電潜像を可視
   像化する乾式現像方法において、該矩形波バイアスとし
   て、周波数が３００ヘルツ乃至１５００ヘルツで、現像
   剤の帯電極性と逆極性で絶対値が６００ボルト以上の第
   一電圧部と現像剤の帯電極性と同極性で絶対値が１００
   ボルト以上の第二電圧部とからなり、第一電圧部の第二
   電圧部に対するデューティ比が３対２以上で、該デュー
   ティ比が１対１の場合よりもポテンシャルの時間平均値
   が現像剤の帯電極性と逆極性に偏奇している矩形波バイ
   アスを用い、現像剤として、単位質量当りの電荷量が５
   μＣ／ｇ乃至２０μＣ／ｇの現像剤を用いることを特徴
   とする乾式現像方法。