JPH0419781A - 液晶表示デバイス用対向電極基板 - Google Patents
液晶表示デバイス用対向電極基板Info
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- JPH0419781A JPH0419781A JP2126033A JP12603390A JPH0419781A JP H0419781 A JPH0419781 A JP H0419781A JP 2126033 A JP2126033 A JP 2126033A JP 12603390 A JP12603390 A JP 12603390A JP H0419781 A JPH0419781 A JP H0419781A
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- crystal display
- conductive film
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、例えばＴＰＴ駆動液晶平面デイスプレィ用
カラーフィルタ等に用いる液晶表示デバイス用対向電極
基板に関するものである。
カラーフィルタ等に用いる液晶表示デバイス用対向電極
基板に関するものである。
［従来の技術］
第７図は、例えば特開昭５９−１０９８８号公報に示さ
れた従来の液晶表示デバイス用対向電極基板の断面図で
あり、図において、（１）はガラス等の基板、（２）は
着色層、（２１）は遮光膜、（５）は透明導電膜、（８
１）は絶縁膜、（７）は配向処理膜である。
れた従来の液晶表示デバイス用対向電極基板の断面図で
あり、図において、（１）はガラス等の基板、（２）は
着色層、（２１）は遮光膜、（５）は透明導電膜、（８
１）は絶縁膜、（７）は配向処理膜である。
即ち、ガラス基板（１）上に通常用いられるスクリーン
印刷法により着色層（２）が形成され、着色層（２）に
は、例えば顔料を分散したポリイミドなどが用いられる
６次に、この着色層（２）上に真空蒸着法などにより、
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）膜など
の透明導電膜（５）を形成し、この透明導電膜（５）上
にスパッタ法などにより、チン化シリコンなどの絶縁膜
（６１）を形成し、さらに、この絶縁膜（６１）上にア
クリル樹脂などの配向処理膜（７）を形成し液晶表示デ
バイス用対向電極基板を得る。
印刷法により着色層（２）が形成され、着色層（２）に
は、例えば顔料を分散したポリイミドなどが用いられる
６次に、この着色層（２）上に真空蒸着法などにより、
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）膜など
の透明導電膜（５）を形成し、この透明導電膜（５）上
にスパッタ法などにより、チン化シリコンなどの絶縁膜
（６１）を形成し、さらに、この絶縁膜（６１）上にア
クリル樹脂などの配向処理膜（７）を形成し液晶表示デ
バイス用対向電極基板を得る。
［発明が解決しようとする課題］
従来の液晶表示デバイス用対向電極基板は、上記のよう
に構成されているので、液晶デイスプレィの電圧印加用
電極は透明導電膜（５）のみである、透明導電膜（５）
の導電率は低いため、液晶デイスプレィの大型化に伴い
１面内電圧の不均一化が生じる。又、透明導電膜（５）
は透明度が高いものが必要であるが、透明性の向上と導
電率の向上は相反する膜質となり、従って透明性の向上
が困難となるなどの課題があった。
に構成されているので、液晶デイスプレィの電圧印加用
電極は透明導電膜（５）のみである、透明導電膜（５）
の導電率は低いため、液晶デイスプレィの大型化に伴い
１面内電圧の不均一化が生じる。又、透明導電膜（５）
は透明度が高いものが必要であるが、透明性の向上と導
電率の向上は相反する膜質となり、従って透明性の向上
が困難となるなどの課題があった。
この発明はかかる課題を解消するためになされたもので
、容易に液晶デイスプレィ内の印加電圧を均一化出来る
とともに、透明導電膜の透明性が向上し、液晶表示デバ
イスの表示特性が向上する液晶表示デバイス用対向電極
基板を得ることを目的とする。
、容易に液晶デイスプレィ内の印加電圧を均一化出来る
とともに、透明導電膜の透明性が向上し、液晶表示デバ
イスの表示特性が向上する液晶表示デバイス用対向電極
基板を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明の液晶表示デバイス用対向電極基板は基板、こ
の基板に設けた透明導電膜、並びにこの透明導電膜の上
記基板側および反対側の内の少なくとも一方に、上記透
明導電膜の導電率より大きい導電率であり、上記透明導
電膜と電気的に接続して設けた導電膜を備えたものであ
る。
の基板に設けた透明導電膜、並びにこの透明導電膜の上
記基板側および反対側の内の少なくとも一方に、上記透
明導電膜の導電率より大きい導電率であり、上記透明導
電膜と電気的に接続して設けた導電膜を備えたものであ
る。
［作用］
この発明において、上記位置に導電膜を形成することに
より、電圧印加用の電極の低抵抗化を可能にするととも
に、透明導電膜の透明性を向上出来、液晶表示デバイス
の表示特性を良好に出来る。
より、電圧印加用の電極の低抵抗化を可能にするととも
に、透明導電膜の透明性を向上出来、液晶表示デバイス
の表示特性を良好に出来る。
［実施例コ
第１図はこの発明の一実施例の液晶表示デバイス用対向
電極基板の新面図であり、図において（１）はパイレッ
クスガラス等の基板、（２）は例えば印刷法などにより
形成された顔料を分散したポリイミドで形成された着色
層、（２１）は遮光膜、（３）は例えば印刷法により形
成された高純度なアクリル樹脂膜で形成された有機絶縁
膜、（４）は例えば写真製版法を用いて所望のパターン
に加工されたＣｒ膜で形成された導電膜、（５）は例え
ばスパッタ法により形成されたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−
Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）膜で形成された透明導電膜、（６
）は例えばスパッタ法により形成された酸化シリコン膜
で形成された無機絶縁膜、（７）は例えば転写法により
形成されたポリイミド膜で形成された配向処理膜である
。
電極基板の新面図であり、図において（１）はパイレッ
クスガラス等の基板、（２）は例えば印刷法などにより
形成された顔料を分散したポリイミドで形成された着色
層、（２１）は遮光膜、（３）は例えば印刷法により形
成された高純度なアクリル樹脂膜で形成された有機絶縁
膜、（４）は例えば写真製版法を用いて所望のパターン
に加工されたＣｒ膜で形成された導電膜、（５）は例え
ばスパッタ法により形成されたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−
Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）膜で形成された透明導電膜、（６
）は例えばスパッタ法により形成された酸化シリコン膜
で形成された無機絶縁膜、（７）は例えば転写法により
形成されたポリイミド膜で形成された配向処理膜である
。
以下、この発明の一実施例の液晶表示デバイス用対向電
極基板を製造する一例を上記図に基づき説明する。即ち
、パイレックスガラス基板（１）上に例えば印刷法によ
り厚さ０．５〜３μｍとなる様に黒色顔料を分散したポ
リイミド膜の遮光膜（２丁）を形成し、その後、赤、青
または緑色顔料を分散したポリイミド膜で形成された画
素表示部である着色層（２）を形成する。その後、着色
層（２）上に例えば、印刷法により厚さ０．５〜５μｍ
となる様高純度アクリル樹脂膜の有機絶縁膜（３）を形
成する。このアクリル樹脂膜（３）は着色層（２）中の
不純物抑制効果を高め、透明導電膜（５）のカバレージ
性を向上するため、厚膜化する方が望ましい、アクリル
樹脂膜（３）上に例えばスパッタ法により、厚さ０．０
５〜０．３μＩとなる様、Ｃｒ膜の導電膜（４）を形成
し、このＣｒ膜（４）を例えば写真製版法を用いて所望
のパターンに加工する。このパターンは、導電率向上に
はパターン中が広い方が良好であるが、液晶デイスプレ
ィの開口率の低下防止のため、遮光膜と同一パターンに
するのが望ましい。
極基板を製造する一例を上記図に基づき説明する。即ち
、パイレックスガラス基板（１）上に例えば印刷法によ
り厚さ０．５〜３μｍとなる様に黒色顔料を分散したポ
リイミド膜の遮光膜（２丁）を形成し、その後、赤、青
または緑色顔料を分散したポリイミド膜で形成された画
素表示部である着色層（２）を形成する。その後、着色
層（２）上に例えば、印刷法により厚さ０．５〜５μｍ
となる様高純度アクリル樹脂膜の有機絶縁膜（３）を形
成する。このアクリル樹脂膜（３）は着色層（２）中の
不純物抑制効果を高め、透明導電膜（５）のカバレージ
性を向上するため、厚膜化する方が望ましい、アクリル
樹脂膜（３）上に例えばスパッタ法により、厚さ０．０
５〜０．３μＩとなる様、Ｃｒ膜の導電膜（４）を形成
し、このＣｒ膜（４）を例えば写真製版法を用いて所望
のパターンに加工する。このパターンは、導電率向上に
はパターン中が広い方が良好であるが、液晶デイスプレ
ィの開口率の低下防止のため、遮光膜と同一パターンに
するのが望ましい。
次に、パターン加工されたＣｒ膜の導電膜（４）上に例
えばスパッタ法などにより厚さ０．０３〜０．３μ■と
なる様に透明導電膜であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉ
ｎ−Ｏｘｉｄｅ）膜（５）を形成し、このＩＴＯ膜（５
）上に例えばスパッタ法により厚さ０．０１〜１μｍと
なる様酸化シリコン膜の無機絶縁膜（６）を形成し、こ
の酸化シリコン膜（６）上に例えば転写法により厚さ０
．０３〜０．１μＩとなる様配向処理膜であるポリイミ
ド膜（７）を形成して液晶表示デバイス用対向電極基板
を得る。
えばスパッタ法などにより厚さ０．０３〜０．３μ■と
なる様に透明導電膜であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉ
ｎ−Ｏｘｉｄｅ）膜（５）を形成し、このＩＴＯ膜（５
）上に例えばスパッタ法により厚さ０．０１〜１μｍと
なる様酸化シリコン膜の無機絶縁膜（６）を形成し、こ
の酸化シリコン膜（６）上に例えば転写法により厚さ０
．０３〜０．１μＩとなる様配向処理膜であるポリイミ
ド膜（７）を形成して液晶表示デバイス用対向電極基板
を得る。
なお、上記実施例では、ｙ！明明室電膜下に所望のパタ
ーンに加工された導電膜（４）を形成しているが、第２
図のこの発明の他の実施例の液晶表示デバイス用対向電
極基板の断面図のように透明導電膜（５）の上に導電膜
（４）を形成しても、また第３図のこの発明の他の実施
例の液晶表示デバイス用対向電極基板の断面図のように
透明導電膜（５）の上下に導電膜（４）を形成しても良
い。
ーンに加工された導電膜（４）を形成しているが、第２
図のこの発明の他の実施例の液晶表示デバイス用対向電
極基板の断面図のように透明導電膜（５）の上に導電膜
（４）を形成しても、また第３図のこの発明の他の実施
例の液晶表示デバイス用対向電極基板の断面図のように
透明導電膜（５）の上下に導電膜（４）を形成しても良
い。
なお、上記実施例では基板（１）にパイレックスガラス
基板を用いたが、低アルカリガラス基板等信のガラス基
板でも良く、着色層（２）に顔料分散したポリイミド膜
を用いたが、染色されたゼラチン膜等他の着色層でも良
く、特に４光部（２１）は酒肴法やその他の方法により
形成し、写真製版法などによりパターン加工されたＣ「
膜などの金属膜などでも良い。
基板を用いたが、低アルカリガラス基板等信のガラス基
板でも良く、着色層（２）に顔料分散したポリイミド膜
を用いたが、染色されたゼラチン膜等他の着色層でも良
く、特に４光部（２１）は酒肴法やその他の方法により
形成し、写真製版法などによりパターン加工されたＣ「
膜などの金属膜などでも良い。
また、導電膜（４）のパターンが遮光膜（２１）と同一
パターンに形成されている時には、第４図および第５図
のこの発明の他の実施例の液晶表示デバイス用対向電極
基板の断面図の様に５遮光膜（２１）は、形成しなくて
も良い。
パターンに形成されている時には、第４図および第５図
のこの発明の他の実施例の液晶表示デバイス用対向電極
基板の断面図の様に５遮光膜（２１）は、形成しなくて
も良い。
また、着色層（２）の形成方法に印刷法を用いたが、写
真製版法等の他の方法で形成しても良い、有機絶縁膜（
３）の形成方法に印刷法を用いたが、スピン塗布法など
でも良い、パターン加工された導電膜（４）にＣｒ膜を
用いたが、透明導電膜（５）であるＩＴＯよりも導電率
が大きければ、特にその材質を問わない、また、その形
成方法もスパッタ法を用いたが、真空蒸着法等、他の方
法でも良い、透明導電膜（５）にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）膜を用いたが、 ５ｎ０２、Ｉ
ｎ２Ｏ３等の他の透明導電膜などでも良く、その形成方
法にスパッタ法を用いたが、真空蒸着法等の他の方法で
も良い、無機絶縁膜（６）に酸化シリコンを用いたが、
千フ化シリコン等でも良く、その形成方法にスパッタ法
を用いたが、ＣＶＤ法など他の方法でも良く又、この絶
縁膜（６）は形成しなくても良い、配向処理膜（７）に
ポリイミド膜を用いたが、ポリビニールアルコール等の
膜でも良く、その形成方法に転写法を用いたが、通常の
写真製版等でも良い、又、配向処理膜（７）は真空蒸着
のうちの斜め蒸着を行なった酸化シリコン膜などでも良
い。
真製版法等の他の方法で形成しても良い、有機絶縁膜（
３）の形成方法に印刷法を用いたが、スピン塗布法など
でも良い、パターン加工された導電膜（４）にＣｒ膜を
用いたが、透明導電膜（５）であるＩＴＯよりも導電率
が大きければ、特にその材質を問わない、また、その形
成方法もスパッタ法を用いたが、真空蒸着法等、他の方
法でも良い、透明導電膜（５）にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）膜を用いたが、 ５ｎ０２、Ｉ
ｎ２Ｏ３等の他の透明導電膜などでも良く、その形成方
法にスパッタ法を用いたが、真空蒸着法等の他の方法で
も良い、無機絶縁膜（６）に酸化シリコンを用いたが、
千フ化シリコン等でも良く、その形成方法にスパッタ法
を用いたが、ＣＶＤ法など他の方法でも良く又、この絶
縁膜（６）は形成しなくても良い、配向処理膜（７）に
ポリイミド膜を用いたが、ポリビニールアルコール等の
膜でも良く、その形成方法に転写法を用いたが、通常の
写真製版等でも良い、又、配向処理膜（７）は真空蒸着
のうちの斜め蒸着を行なった酸化シリコン膜などでも良
い。
そのほか第５図のこの発明の他の実施例の液晶表示デバ
イス用対向電極基板の断面図のように遮光膜（２１）を
導電膜のＣｒ膜（４）で形成しても良い、但しこの場合
Ｃｒ膜（４）と透明導電膜（５）を接触させるために有
機絶縁膜（３）をパターニングする必要がある。
イス用対向電極基板の断面図のように遮光膜（２１）を
導電膜のＣｒ膜（４）で形成しても良い、但しこの場合
Ｃｒ膜（４）と透明導電膜（５）を接触させるために有
機絶縁膜（３）をパターニングする必要がある。
［発明の効果］
以上説明した通り、この発明は基板、この基板に設けた
透明導電膜、並びにこの透明導電膜の上記基板側および
反対側の内の少なくとも一方に、上記透明導電膜の導電
率より大きい導電率であり、上記透明導電膜と電気的に
接続して設けた導電膜を備えたものを用いることにより
、容易に液晶デイスプレィ内の印加電圧を均一化出来る
とともに、透明導電膜の透明性が向上し、液晶表示デバ
イスの表示特性が向上する液晶表示デバイス用対向電極
基板を得ることができる。
透明導電膜、並びにこの透明導電膜の上記基板側および
反対側の内の少なくとも一方に、上記透明導電膜の導電
率より大きい導電率であり、上記透明導電膜と電気的に
接続して設けた導電膜を備えたものを用いることにより
、容易に液晶デイスプレィ内の印加電圧を均一化出来る
とともに、透明導電膜の透明性が向上し、液晶表示デバ
イスの表示特性が向上する液晶表示デバイス用対向電極
基板を得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例の液晶表示デバイス用対向
電極基板の断面図、第２図〜第６図はこの発明の他の実
施例の液晶表示デバイス用対向電極基板の断面図、第７
図は従来の液晶表示デバイス用対向電極基板の断面図で
ある。 図において、（１）は基板、（４）は導電膜、（５）は
透明導電膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
電極基板の断面図、第２図〜第６図はこの発明の他の実
施例の液晶表示デバイス用対向電極基板の断面図、第７
図は従来の液晶表示デバイス用対向電極基板の断面図で
ある。 図において、（１）は基板、（４）は導電膜、（５）は
透明導電膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 基板、この基板に設けた透明導電膜、並びにこの透明導
電膜の上記基板側および反対側の内の少なくとも一方に
、上記透明導電膜の導電率より大きい導電率であり、上
記透明導電膜と電気的に接続して設けた導電膜を備えた
液晶表示デバイス用対向電極基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2126033A JPH0419781A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 液晶表示デバイス用対向電極基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2126033A JPH0419781A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 液晶表示デバイス用対向電極基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0419781A true JPH0419781A (ja) | 1992-01-23 |
Family
ID=14925024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2126033A Pending JPH0419781A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 液晶表示デバイス用対向電極基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0419781A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6215077B1 (en) | 1997-03-28 | 2001-04-10 | Fuji Electric Co., Ltd. | Thin-film laminate type conductor |
-
1990
- 1990-05-15 JP JP2126033A patent/JPH0419781A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6215077B1 (en) | 1997-03-28 | 2001-04-10 | Fuji Electric Co., Ltd. | Thin-film laminate type conductor |
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