JPH0419797Y2 - - Google Patents
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- JPH0419797Y2 JPH0419797Y2 JP1985173609U JP17360985U JPH0419797Y2 JP H0419797 Y2 JPH0419797 Y2 JP H0419797Y2 JP 1985173609 U JP1985173609 U JP 1985173609U JP 17360985 U JP17360985 U JP 17360985U JP H0419797 Y2 JPH0419797 Y2 JP H0419797Y2
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- wire bonding
- wire
- angle
- bonding surface
- capillary
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/931—Shapes of bond pads
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案はワイヤボンデイングの高信頼性を実現
し得る構造の半導体装置に関する。
し得る構造の半導体装置に関する。
この考案は、チツプの基準面に対してワイヤボ
ンデイング面の角度がばらつきをもつて配される
半導体装置において、予めばらつきの角度だけワ
イヤボンデイング面のチツプ側を高くするように
傾けてキヤピラリーの先端部のチツプ側が常に接
触するようにすることにより、ボンデイング作業
の信頼性を向上させたものである。
ンデイング面の角度がばらつきをもつて配される
半導体装置において、予めばらつきの角度だけワ
イヤボンデイング面のチツプ側を高くするように
傾けてキヤピラリーの先端部のチツプ側が常に接
触するようにすることにより、ボンデイング作業
の信頼性を向上させたものである。
一般に、半導体装置の組み立て工程において
は、チツプ上のボンデイングパツド部と外部リー
ド線の端子間を金等の金属細線によつて結線する
ワイヤボンデイング行われている。
は、チツプ上のボンデイングパツド部と外部リー
ド線の端子間を金等の金属細線によつて結線する
ワイヤボンデイング行われている。
この半導体装置の組み立て工程におけるワイヤ
ボンデイングは、ワイヤを連続的に供給するキヤ
ピラリーが、例えばボンデイングパツド部から外
部リード線の端子に移動することによつて行われ
ている。
ボンデイングは、ワイヤを連続的に供給するキヤ
ピラリーが、例えばボンデイングパツド部から外
部リード線の端子に移動することによつて行われ
ている。
たとえば先ず、加熱溶融によつて球状になつた
ワイヤをキヤピラリーの先端部を押し当てること
によつてボンデイングパツド部の基準面に圧着す
る。次に、ワイヤを押し出しつつキヤピラリーの
先端部が移動して、該先端部が外部リード線のワ
イヤボンデイング面に当接する。このときワイヤ
が上記キヤピラリーの先端部によつて押しつけら
れて上記ワイヤボンデイング面に接続することに
なる。
ワイヤをキヤピラリーの先端部を押し当てること
によつてボンデイングパツド部の基準面に圧着す
る。次に、ワイヤを押し出しつつキヤピラリーの
先端部が移動して、該先端部が外部リード線のワ
イヤボンデイング面に当接する。このときワイヤ
が上記キヤピラリーの先端部によつて押しつけら
れて上記ワイヤボンデイング面に接続することに
なる。
上述のようなワイヤボンデイングを行う半導体
装置は、チツプのボンデイングパツド部の基準面
と外部リード線のワイヤボンデイング面が同一の
方向を有する面になるように形成されている。即
ち、キヤピラリーの上下方向の移動に対して垂直
な面となるように上記基準面と上記ワイヤボンデ
イング面は形成されている。
装置は、チツプのボンデイングパツド部の基準面
と外部リード線のワイヤボンデイング面が同一の
方向を有する面になるように形成されている。即
ち、キヤピラリーの上下方向の移動に対して垂直
な面となるように上記基準面と上記ワイヤボンデ
イング面は形成されている。
然しながら、リード線の取り付け精度によつて
は、上記外部リード線のワイヤボンデイング面の
向きに誤差が生ずる。たとえば、第５図に示すよ
うに、チツプ５１のボンデイングパツド部の基準
面５２からの結線を行う場合において、ワイヤ５
３はキヤピラリーの先端部５４に引き出されて、
外部リード線のワイヤボンデイング部５５のワイ
ヤボンデイング面５６に接続されるが、このワイ
ヤボンデイング面５６が取り付け誤差を有して、
第５図に示すように上記基準面５２に対して角度
θeだけ傾斜をもつて取り付けられることがある。
そして、このようにワイヤボンデイング面５６が
角度θeだけ傾斜をもつて取り付けられた場合に
は、キヤピラリーの先端部５４が上記ワイヤボン
デイング面５６に当接せず、キヤピラリーの先端
部５４による切断ができなくなり、当該ワイヤボ
ンデイング面５６へのワイヤ５３の接続等が不能
になつたり、不良が生じたりする。
は、上記外部リード線のワイヤボンデイング面の
向きに誤差が生ずる。たとえば、第５図に示すよ
うに、チツプ５１のボンデイングパツド部の基準
面５２からの結線を行う場合において、ワイヤ５
３はキヤピラリーの先端部５４に引き出されて、
外部リード線のワイヤボンデイング部５５のワイ
ヤボンデイング面５６に接続されるが、このワイ
ヤボンデイング面５６が取り付け誤差を有して、
第５図に示すように上記基準面５２に対して角度
θeだけ傾斜をもつて取り付けられることがある。
そして、このようにワイヤボンデイング面５６が
角度θeだけ傾斜をもつて取り付けられた場合に
は、キヤピラリーの先端部５４が上記ワイヤボン
デイング面５６に当接せず、キヤピラリーの先端
部５４による切断ができなくなり、当該ワイヤボ
ンデイング面５６へのワイヤ５３の接続等が不能
になつたり、不良が生じたりする。
そこで、本考案は上述の問題点に鑑み、ワイヤ
ボンデイングの不良等の弊害を除去し、ボンデイ
ングの高信頼性を実現する半導体装置の開示を目
的とする。
ボンデイングの不良等の弊害を除去し、ボンデイ
ングの高信頼性を実現する半導体装置の開示を目
的とする。
本考案は、半導体チツプの基準面に対して所定
の角度のばらつきを有するリードのワイヤボンデ
イング面が、キヤピラリーの先端部のチツプ側が
該ワイヤボンデイング面と接触するように上記基
準面に対して上記ばらつきの角度以上の傾斜をも
つて配設されてなる半導体装置により上述の問題
点を解決する。
の角度のばらつきを有するリードのワイヤボンデ
イング面が、キヤピラリーの先端部のチツプ側が
該ワイヤボンデイング面と接触するように上記基
準面に対して上記ばらつきの角度以上の傾斜をも
つて配設されてなる半導体装置により上述の問題
点を解決する。
チツプの基準面に対して所定角度のばらつきを
有するリードのワイヤボンデイング面を、予めキ
ヤピラリー先端部のチツプ側が接触するような方
向に傾けておく。そして、この予め傾けておく角
度を上記ばらつきの角度以上の角度とすれば、確
実にばらつきを補償して、有効な結線が可能とな
る。
有するリードのワイヤボンデイング面を、予めキ
ヤピラリー先端部のチツプ側が接触するような方
向に傾けておく。そして、この予め傾けておく角
度を上記ばらつきの角度以上の角度とすれば、確
実にばらつきを補償して、有効な結線が可能とな
る。
本考案の好適な実施例を図面を参照しながら説
明する。
明する。
本実施例の半導体装置は、当該半導体装置のチ
ツプのボンデイングパツド部の基準面とリードの
ワイヤボンデイング面をキヤピラリーを用いた結
線を行うに好適な半導体装置であり、予めばらつ
きの角度を補償する角度をもつて上記リードのワ
イヤボンデイング面が取り付けられているため、
確実な結線を行うことができる。
ツプのボンデイングパツド部の基準面とリードの
ワイヤボンデイング面をキヤピラリーを用いた結
線を行うに好適な半導体装置であり、予めばらつ
きの角度を補償する角度をもつて上記リードのワ
イヤボンデイング面が取り付けられているため、
確実な結線を行うことができる。
先ず、第１図に示すように、本実施例の半導体
装置は、レーザーダイオードの例であつて、半導
体チツプであるレーザーダイオードのチツプ１
は、基台４上に固定されている。このレーザーダ
イオードのチツプ１の基準面２には、ワイヤ３の
一端が加熱溶融から圧着されて圧着部５として接
続されている。ワイヤ３は、キヤピラリーの先端
部６の移動に伴つて配され、このキヤピラリーの
先端部６の圧着動作によつてリード線のワイヤボ
ンデイング部７のワイヤボンデイング面８に接続
されるような機構になつている。
装置は、レーザーダイオードの例であつて、半導
体チツプであるレーザーダイオードのチツプ１
は、基台４上に固定されている。このレーザーダ
イオードのチツプ１の基準面２には、ワイヤ３の
一端が加熱溶融から圧着されて圧着部５として接
続されている。ワイヤ３は、キヤピラリーの先端
部６の移動に伴つて配され、このキヤピラリーの
先端部６の圧着動作によつてリード線のワイヤボ
ンデイング部７のワイヤボンデイング面８に接続
されるような機構になつている。
ここで、このようにキヤピラリーの先端部６の
圧着動作によつてワイヤ３が接続されるリード線
のワイヤボンデイング面８の角度について説明す
ると、このワイヤボンデイング面８の角度は、上
記チツプ１の基準面２から、当該チツプ１に近い
方の側が、上記キヤピラリーの位置に近くなるよ
うな傾斜をもつて形成されている。即ち、ワイヤ
ボンデイング面８は、キヤピラリーの先端部６を
当該ワイヤボンデイング面８に対して接近させて
いつた場合に、上記先端部６のチツプ側６ｃが最
初に接触するような方向に傾けられて配設されて
いる。このため、上記キヤピラリーの先端部６を
リード線のワイヤボンデイング面８に接触させた
場合には、ワイヤ３の切断とワイヤ３の該ワイヤ
ボンデイング面８への接続は確実に行われること
になる。
圧着動作によつてワイヤ３が接続されるリード線
のワイヤボンデイング面８の角度について説明す
ると、このワイヤボンデイング面８の角度は、上
記チツプ１の基準面２から、当該チツプ１に近い
方の側が、上記キヤピラリーの位置に近くなるよ
うな傾斜をもつて形成されている。即ち、ワイヤ
ボンデイング面８は、キヤピラリーの先端部６を
当該ワイヤボンデイング面８に対して接近させて
いつた場合に、上記先端部６のチツプ側６ｃが最
初に接触するような方向に傾けられて配設されて
いる。このため、上記キヤピラリーの先端部６を
リード線のワイヤボンデイング面８に接触させた
場合には、ワイヤ３の切断とワイヤ３の該ワイヤ
ボンデイング面８への接続は確実に行われること
になる。
そして、このようなワイヤ３が、上記キヤピラ
リーの圧着動作によつて固定されるワイヤボンデ
イング面８の角度は、取り付け誤差による角度の
ばらつきを補償するように、予めチツプ１の基準
面２に対してばらつき角度θeだけ傾斜をもつて取
り付けられている。即ち、ばらつきの角度θeだけ
上記ワイヤボンデイング面８のチツプ側８ｃが持
ち上がるような角度になつており、例えば、組み
立てにおいてばらつきが生じた場合であつても、
上記ワイヤボンデイング面８のチツプ側８ｃが持
ち上がるような角度が維持され、若しくは基準面
２とワイヤボンデイング面８が同一の方向をもつ
た面になる。従つて、ばらつきをもつて取り付け
られた場合でも、確実に上記リード線のワイヤボ
ンデイング面８と上記キヤピラリーの先端部６の
チツプ側６ｃが当接することになり、このため結
線の不良等を確実に除去することが可能となる。
リーの圧着動作によつて固定されるワイヤボンデ
イング面８の角度は、取り付け誤差による角度の
ばらつきを補償するように、予めチツプ１の基準
面２に対してばらつき角度θeだけ傾斜をもつて取
り付けられている。即ち、ばらつきの角度θeだけ
上記ワイヤボンデイング面８のチツプ側８ｃが持
ち上がるような角度になつており、例えば、組み
立てにおいてばらつきが生じた場合であつても、
上記ワイヤボンデイング面８のチツプ側８ｃが持
ち上がるような角度が維持され、若しくは基準面
２とワイヤボンデイング面８が同一の方向をもつ
た面になる。従つて、ばらつきをもつて取り付け
られた場合でも、確実に上記リード線のワイヤボ
ンデイング面８と上記キヤピラリーの先端部６の
チツプ側６ｃが当接することになり、このため結
線の不良等を確実に除去することが可能となる。
尚、上記ワイヤボンデイング面８の角度は上記
ばらつきの角度θe以上の角度であれば良く、この
場合にも同様に、結線の不良等の弊害を除去し得
る。
ばらつきの角度θe以上の角度であれば良く、この
場合にも同様に、結線の不良等の弊害を除去し得
る。
このようなレーザーダイオードは、例えば、第
２図に示すような構造であつて、基台２４に取り
付けられたチツプ２１の基準面２２と、リード線
２５のワイヤボンデイング部２６のワイヤボンデ
イング面２７が、ワイヤ２３によつて結線されて
いる。上記リード線２５のワイヤボンデイング面
２７は、上述のようにばらつきの角度θeで、ワイ
ヤボンデイング面２７のチツプ側が、第２図中ｚ
方向で示すチツプ２１の基準面２２の法線方向に
持ち上げられたような角度で取り付けられてい
る。このため、確実にキヤピラリーの先端部のチ
ツプ側は、上記ワイヤボンデイング面２７と当接
し、その圧着動作によつてワイヤ２３は、当該ワ
イヤボンデイング面２７に接続されて、切断され
ることになる。
２図に示すような構造であつて、基台２４に取り
付けられたチツプ２１の基準面２２と、リード線
２５のワイヤボンデイング部２６のワイヤボンデ
イング面２７が、ワイヤ２３によつて結線されて
いる。上記リード線２５のワイヤボンデイング面
２７は、上述のようにばらつきの角度θeで、ワイ
ヤボンデイング面２７のチツプ側が、第２図中ｚ
方向で示すチツプ２１の基準面２２の法線方向に
持ち上げられたような角度で取り付けられてい
る。このため、確実にキヤピラリーの先端部のチ
ツプ側は、上記ワイヤボンデイング面２７と当接
し、その圧着動作によつてワイヤ２３は、当該ワ
イヤボンデイング面２７に接続されて、切断され
ることになる。
このような確実なボンデイングを可能とするワ
イヤボンデイング面２７を有してなる半導体装置
は、単一のワイヤボンデイング面２７を有するも
のに限定されず、例えば、第２図中、一点鎖線で
示すような他のワイヤボンデイング面２８を有す
る構造であつても良い。また、このようなワイヤ
ボンデイング面の数は、１つや２つに限定され
ず、更に複数のものであつても良く。更に、リー
ド線２５の取り付け方向等には限定されない。
イヤボンデイング面２７を有してなる半導体装置
は、単一のワイヤボンデイング面２７を有するも
のに限定されず、例えば、第２図中、一点鎖線で
示すような他のワイヤボンデイング面２８を有す
る構造であつても良い。また、このようなワイヤ
ボンデイング面の数は、１つや２つに限定され
ず、更に複数のものであつても良く。更に、リー
ド線２５の取り付け方向等には限定されない。
また、このような接続不良等による弊害を防止
してキヤピラリーによるワイヤボンデイングの効
率を向上させた構造のレーザーダイオードは、確
実な結線によつて、作業を迅速に進めることがで
き、このため自動化に適した構造のレーザーダイ
オードとなつている。
してキヤピラリーによるワイヤボンデイングの効
率を向上させた構造のレーザーダイオードは、確
実な結線によつて、作業を迅速に進めることがで
き、このため自動化に適した構造のレーザーダイ
オードとなつている。
ここで、このようなレーザーダイオードの構造
の一例を第３図及び第４図に示す。
の一例を第３図及び第４図に示す。
先ず、第３図に示すレーザーダイオードは、１
つの基台３１に取り付けられたチツプ３２の基準
面３２ａと、１つのリード線３３のワイヤボンデ
イング面３３ａを結線する構造のレーザーダイオ
ードである。この場合において、上記ワイヤボン
デイング面３３ａの取り付け角度θe1は、ばらつ
きの角度を補償するような角度であり、この角度
θe1は2.5度になつている。即ち、角度θe1以内のば
らつきが生じた場合には、確実な結線が可能であ
つて、ワイヤの接続不良等の問題は生じない。
つの基台３１に取り付けられたチツプ３２の基準
面３２ａと、１つのリード線３３のワイヤボンデ
イング面３３ａを結線する構造のレーザーダイオ
ードである。この場合において、上記ワイヤボン
デイング面３３ａの取り付け角度θe1は、ばらつ
きの角度を補償するような角度であり、この角度
θe1は2.5度になつている。即ち、角度θe1以内のば
らつきが生じた場合には、確実な結線が可能であ
つて、ワイヤの接続不良等の問題は生じない。
また、第４図に示すレーザーダイオードは、１
つの基台４１に取り付けられたチツプ４２の基準
面４２ａと、２つのリード線４３，４４の２つの
ワイヤボンデイング面４３ａ，４４ａを結線する
構造のレーザーダイオードである。この場合にお
いて、上記２つのリード線４３，４４は、断面略
ハ字状になるように取り付けられ、それぞればら
つきの角度を補償するような構造になつている。
上記ワイヤボンデイング３４ａの基準面４２ａに
対する角度は、θe2であり、また、上記ワイヤボ
ンデイング４４ａの基準面４２ａに対する角度
は、角度θe3であつて、例えば、これら角度θe2及
び角度θe3は2.5度程度にそれぞれ設定されて配設
されている。このため、これら角度θe2及び角度
θe3以内のばらつきが生じた場合であつても、確
実にばらつきを補償して確実なボンデイングを実
現することができる。
つの基台４１に取り付けられたチツプ４２の基準
面４２ａと、２つのリード線４３，４４の２つの
ワイヤボンデイング面４３ａ，４４ａを結線する
構造のレーザーダイオードである。この場合にお
いて、上記２つのリード線４３，４４は、断面略
ハ字状になるように取り付けられ、それぞればら
つきの角度を補償するような構造になつている。
上記ワイヤボンデイング３４ａの基準面４２ａに
対する角度は、θe2であり、また、上記ワイヤボ
ンデイング４４ａの基準面４２ａに対する角度
は、角度θe3であつて、例えば、これら角度θe2及
び角度θe3は2.5度程度にそれぞれ設定されて配設
されている。このため、これら角度θe2及び角度
θe3以内のばらつきが生じた場合であつても、確
実にばらつきを補償して確実なボンデイングを実
現することができる。
尚、上述の実施例において、半導体装置として
レーザーダイオードについて説明したが、これに
限定されず、他の半導体装置等においても適用す
ることができる。
レーザーダイオードについて説明したが、これに
限定されず、他の半導体装置等においても適用す
ることができる。
本考案の半導体装置は、そのワイヤボンデイン
グ面が、キヤピラリーの先端部のチツプ側が該ワ
イヤボンデイング面と接触するように傾斜をもつ
て配設され、更に、チツプの基準面に対して予め
ばらつきを補償するような角度をもつて形成され
ているため、ボンデイングの不良や不能などの弊
害を有効に防止し、且つ確実な結線を実現するこ
とができる。
グ面が、キヤピラリーの先端部のチツプ側が該ワ
イヤボンデイング面と接触するように傾斜をもつ
て配設され、更に、チツプの基準面に対して予め
ばらつきを補償するような角度をもつて形成され
ているため、ボンデイングの不良や不能などの弊
害を有効に防止し、且つ確実な結線を実現するこ
とができる。
第１図は本考案の半導体装置の要部拡大断面
図、第２図は本考案の半導体装置の一例を示す斜
視図、第３図及び第４図は本考案の半導体装置に
かかるワイヤボンデイング面と基準面の関係を示
すそれぞれ模式図、第５図は従来の半導体装置を
示す要部拡大断面図である。 １……チツプ、２……基準面、３……ワイヤ、
４……基台、６……キヤピラリーの先端部、６ｃ
……キヤピラリーの先端部のチツプ側、７……ワ
イヤボンデイング部、８……ワイヤボンデイング
面、８ｃ……ワイヤボンデイング面のチツプ側。
図、第２図は本考案の半導体装置の一例を示す斜
視図、第３図及び第４図は本考案の半導体装置に
かかるワイヤボンデイング面と基準面の関係を示
すそれぞれ模式図、第５図は従来の半導体装置を
示す要部拡大断面図である。 １……チツプ、２……基準面、３……ワイヤ、
４……基台、６……キヤピラリーの先端部、６ｃ
……キヤピラリーの先端部のチツプ側、７……ワ
イヤボンデイング部、８……ワイヤボンデイング
面、８ｃ……ワイヤボンデイング面のチツプ側。
Claims (1)
- 半導体チツプの基準面に対して所定角度のばら
つきを有するリードのワイヤボンデイング面が、
キヤピラリーの先端部のチツプ側が該ワイヤボン
デイング面と接触するように上記基準面に対して
上記ばらつきの角度以上の傾斜をもつて配設され
てなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985173609U JPH0419797Y2 (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985173609U JPH0419797Y2 (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6282734U JPS6282734U (ja) | 1987-05-27 |
| JPH0419797Y2 true JPH0419797Y2 (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=31111228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985173609U Expired JPH0419797Y2 (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0419797Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-11-13 JP JP1985173609U patent/JPH0419797Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6282734U (ja) | 1987-05-27 |
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