JPH0419917A - 化合物超電導線材の製造方法 - Google Patents
化合物超電導線材の製造方法Info
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- JPH0419917A JPH0419917A JP2119857A JP11985790A JPH0419917A JP H0419917 A JPH0419917 A JP H0419917A JP 2119857 A JP2119857 A JP 2119857A JP 11985790 A JP11985790 A JP 11985790A JP H0419917 A JPH0419917 A JP H0419917A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Wire Processing (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は化合物超電導線材の製造方法に係り、特に高臨
界磁界、高臨界電流密度を有するＮｂａＡ犯及びＮｂａ
（ＡＱ、Ｇｅ）の製造方法に関するものである。
界磁界、高臨界電流密度を有するＮｂａＡ犯及びＮｂａ
（ＡＱ、Ｇｅ）の製造方法に関するものである。
Ｎｂ５ＡＱ及びＮｂａ（ＡＬ、Ｇｅ）等のＡ１５型化合
物は非常に硬くて脆いため線材に直接加工することは不
可能である。従って構成元素から成る複合体を作製して
、減面加工し長尺化した後、拡散熱処理を施してＡ１５
型化合物を得る方法がとられる。例えばＮｂとＡＱの薄
板をＣｕ芯に巻き付けて、これを多数本Ｃｕ母材中に埋
め込んで複合加工した後、拡散熱処理する方法、たとえ
ばジェリーロール法や、ＮｂとＡＱの粉末をＣｕパイプ
に充填し、上記方法と同様に複合加工した後、拡散熱処
理する方法等がある。
物は非常に硬くて脆いため線材に直接加工することは不
可能である。従って構成元素から成る複合体を作製して
、減面加工し長尺化した後、拡散熱処理を施してＡ１５
型化合物を得る方法がとられる。例えばＮｂとＡＱの薄
板をＣｕ芯に巻き付けて、これを多数本Ｃｕ母材中に埋
め込んで複合加工した後、拡散熱処理する方法、たとえ
ばジェリーロール法や、ＮｂとＡＱの粉末をＣｕパイプ
に充填し、上記方法と同様に複合加工した後、拡散熱処
理する方法等がある。
ジェリーロール法は、（Ｓ、Ｃｅｒｅｓａｒａ、ｅｔａ
ｌ ：Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｐｒｏｐｅｒ
ｔｉｅｓ ｏｆ Ｎｂ５Ａ Ω ｆｏｒｍｅｄａ
ｔ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｌｏｗｅｒ ｔｈａｎ
１０００℃、 ５ｔｈ Ｉｎｔ。
ｌ ：Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｐｒｏｐｅｒ
ｔｉｅｓ ｏｆ Ｎｂ５Ａ Ω ｆｏｒｍｅｄａ
ｔ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｌｏｗｅｒ ｔｈａｎ
１０００℃、 ５ｔｈ Ｉｎｔ。
Ｃｏｎｆ、Ｍａｇｎｅｔ、Ｔｅｃｈ、、ｐ６８５（１９
７５） ）に記載されている。
７５） ）に記載されている。
後者の方法は、アブライズド フイジツクスレターズ
３７．１１．１９８１年 第１０４４頁 ［Ｃ，Ｔｉｅ
ｍｅ、ｅｔａｌ、： Ｉｍｐｒｏｖｅｄ ｈｉｇｈ
ｆｉｅｌｄｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ Ｎｂ−
Ａｎ ｐｏｗｄｅｒ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙｐｒｏｃ
ｅｓｓｅｄ ５ｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｊ、ｎｇ ｗｉ
ｒｅ、 Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ。
３７．１１．１９８１年 第１０４４頁 ［Ｃ，Ｔｉｅ
ｍｅ、ｅｔａｌ、： Ｉｍｐｒｏｖｅｄ ｈｉｇｈ
ｆｉｅｌｄｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ Ｎｂ−
Ａｎ ｐｏｗｄｅｒ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙｐｒｏｃ
ｅｓｓｅｄ ５ｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｊ、ｎｇ ｗｉ
ｒｅ、 Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ。
Ｌｅｔｔ、４４，２６０． （１９８４））に記載され
ている。
ている。
またＮｂとＡＱの融液を急冷することによって過飽和固
溶体等の準安定相を作製して熱処理し、微細な結晶粒を
析出させる方法（析出法） ＣＭ、Ｈｏｎｇ、＊ｅｔａ
１．： Ｄｉｒｅｃｔ ５ｏｌｉｄ−ｓｔａｔｅ
ｐｒｅｃｉｐｉｔａｔｉｏｎ −ｐｒｏｃｅｓｓｅｄ
Ａ１５ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｍａｔｅ
ｒｉａｌ、Ａｐｐｌ。
溶体等の準安定相を作製して熱処理し、微細な結晶粒を
析出させる方法（析出法） ＣＭ、Ｈｏｎｇ、＊ｅｔａ
１．： Ｄｉｒｅｃｔ ５ｏｌｉｄ−ｓｔａｔｅ
ｐｒｅｃｉｐｉｔａｔｉｏｎ −ｐｒｏｃｅｓｓｅｄ
Ａ１５ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｍａｔｅ
ｒｉａｌ、Ａｐｐｌ。
Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ−，３７，１１，（１９８１）ｐ、
１０４４）があり、高臨界温度と高臨界磁界の特性を有
する化合物が作製できる。この過飽和固溶体は体心立方
構造で変形性に富む性質をもつ。
１０４４）があり、高臨界温度と高臨界磁界の特性を有
する化合物が作製できる。この過飽和固溶体は体心立方
構造で変形性に富む性質をもつ。
しかし、高臨界温度と高臨界磁界を有するＮｂａＡＱ及
びＮｂ５（Ａｎ、Ｇｅ）等の化合物超電導体は、平衡状
態的にその組成が３：１の化学量論組成をとるのは１９
００ ’Ｃ付近の高温域だけであり、低温では同組成が
ＡＱ過剰となるため臨界温度と臨界磁界が低下する。従
って、上記のＡＱとＮｂを拡散させる方法を用いると、
高臨界温度と高臨界磁界を得るためには高温熱処理が必
要となり、結果として化合物の結晶粒が粗大化し高臨界
電流密度が得られない。また逆に低温熱処理を施すと結
晶粒を微細化できるが、組成が化学量論組成から太きく
ずれて臨界温度と臨界磁界が低くなる。
びＮｂ５（Ａｎ、Ｇｅ）等の化合物超電導体は、平衡状
態的にその組成が３：１の化学量論組成をとるのは１９
００ ’Ｃ付近の高温域だけであり、低温では同組成が
ＡＱ過剰となるため臨界温度と臨界磁界が低下する。従
って、上記のＡＱとＮｂを拡散させる方法を用いると、
高臨界温度と高臨界磁界を得るためには高温熱処理が必
要となり、結果として化合物の結晶粒が粗大化し高臨界
電流密度が得られない。また逆に低温熱処理を施すと結
晶粒を微細化できるが、組成が化学量論組成から太きく
ずれて臨界温度と臨界磁界が低くなる。
析出法は化学量論組成に近い組成でしかも微細な結晶粒
が得られる特徴を有するが、高融点金属Ｎｂを融点が低
いＡＱと共に溶解させるためＡＱの蒸発に伴う組成変動
が大きく、しかも大量の溶融体を急冷させることが困難
で急冷過程で少なからずＡ１５型化合物が析出し加工性
を低下させるという問題点があった。
が得られる特徴を有するが、高融点金属Ｎｂを融点が低
いＡＱと共に溶解させるためＡＱの蒸発に伴う組成変動
が大きく、しかも大量の溶融体を急冷させることが困難
で急冷過程で少なからずＡ１５型化合物が析出し加工性
を低下させるという問題点があった。
本発明の目的は、上記したＮｂ５ＡＱ及びＮｂａ（ＡＱ
、Ｇｅ）等の製造方法における問題点を解決し、化合物
超電導体の組成を化学量論組成しこ近づけて高臨界温度
と高臨界磁界を有し、かつ結晶粒が微細で高臨界電流密
度を有する化合物超電導体が安定化金属中に微細に分布
する超電導線材の製造方法を提供することにある。
、Ｇｅ）等の製造方法における問題点を解決し、化合物
超電導体の組成を化学量論組成しこ近づけて高臨界温度
と高臨界磁界を有し、かつ結晶粒が微細で高臨界電流密
度を有する化合物超電導体が安定化金属中に微細に分布
する超電導線材の製造方法を提供することにある。
前記目的を達成するために本発明では化合物超電導体の
製造方法において、延伸性を有する過飽和固溶体から成
る膜をプラズマ溶射法によって金属基板上に形成し、該
過飽和固溶体膜を安定化金属と共に減面伸線加工して長
尺線材とし、析出熱処理を施して膜内に化合物超電導体
を析出させることを見出した。
製造方法において、延伸性を有する過飽和固溶体から成
る膜をプラズマ溶射法によって金属基板上に形成し、該
過飽和固溶体膜を安定化金属と共に減面伸線加工して長
尺線材とし、析出熱処理を施して膜内に化合物超電導体
を析出させることを見出した。
これによって、安定化金属と高性能な化合物超電導体が
微細に分布する超電導線材を得た。
微細に分布する超電導線材を得た。
以下にその詳細を説明する。ＮｂとＡｆｆあるいはＮｂ
と（ＡＱ、Ｇｅ）等から成る金属粉末をプラズマ溶射法
で溶融させ成膜すると入熱条件によって異なるもののプ
ラズマジェット中の温度は７０００℃以上に達し、高融
点金属ＮｂはＡＱと共に瞬時に溶融して基板上に衝突し
急冷される。
と（ＡＱ、Ｇｅ）等から成る金属粉末をプラズマ溶射法
で溶融させ成膜すると入熱条件によって異なるもののプ
ラズマジェット中の温度は７０００℃以上に達し、高融
点金属ＮｂはＡＱと共に瞬時に溶融して基板上に衝突し
急冷される。
プラズマ溶射を行う雰囲気を減圧アルゴン雰囲気にする
と酸素分圧が低くなり、ＮｂとＡＱの酸化が抑制される
と共にプラズマ炎の長さが長くなり粒子溶融が促進され
る。さらに、粒子が基板に衝突するスピードが速く冷却
速度も早くなり、ＮｂとＡＱ過飽和固溶体が得られやす
くなる。また、プラズマガスをＡ ｒ ＋ Ｈｚガスに
するとプラズマ炎の温度が高くなり粒子溶融が促進され
ると共に、ＮｂやＡＱの酸化がさらに抑制される。なお
、溶射に伴うアルミニウムの損失は１ｗｔ％以下である
。溶射に供する金属粉末はニオブ、アルミニウム、ゲル
マニウム等から成る混合金属粉末の他、これらいったん
溶解し粉砕した合金粉末を用いることもできる。ニオブ
とアルミニウム、ゲルマニウム等の溶融体を急冷する方
法で過飽和固溶体を得るためにはＮｂとＡＱあるいはＡ
Ｑと（Ａ Ｑ 。
と酸素分圧が低くなり、ＮｂとＡＱの酸化が抑制される
と共にプラズマ炎の長さが長くなり粒子溶融が促進され
る。さらに、粒子が基板に衝突するスピードが速く冷却
速度も早くなり、ＮｂとＡＱ過飽和固溶体が得られやす
くなる。また、プラズマガスをＡ ｒ ＋ Ｈｚガスに
するとプラズマ炎の温度が高くなり粒子溶融が促進され
ると共に、ＮｂやＡＱの酸化がさらに抑制される。なお
、溶射に伴うアルミニウムの損失は１ｗｔ％以下である
。溶射に供する金属粉末はニオブ、アルミニウム、ゲル
マニウム等から成る混合金属粉末の他、これらいったん
溶解し粉砕した合金粉末を用いることもできる。ニオブ
とアルミニウム、ゲルマニウム等の溶融体を急冷する方
法で過飽和固溶体を得るためにはＮｂとＡＱあるいはＡ
Ｑと（Ａ Ｑ 。
Ｇｅ）等の組成比が熱平衡的に限定される。例えば、Ｎ
ｂとＡＱあるいはＮｂと（ＡＭ、Ｇｅ）ではＮｂが７４
−８１ａｔ％、ＡＱあるいは（Ａ Ｑ 。
ｂとＡＱあるいはＮｂと（ＡＭ、Ｇｅ）ではＮｂが７４
−８１ａｔ％、ＡＱあるいは（Ａ Ｑ 。
Ｇｅ）が１９〜２６ａｔ％が好ましい。この組成範囲よ
りもＡＱが少ないと過飽和固溶体は得られやすくなるが
、熱処理によって析出するＮｂａＡ ｎの体積比は低く
なる。逆にこの組成範囲よりもＡＲが多いと過飽和固溶
体から成る単一相は得られず、硬くて脆いＮｂａＡＲ相
が部分的に直接生成し、伸線加工性を低下させる。上記
組成範囲で得られた過飽和固溶体膜は体心立方構造で伸
延性を有する。この膜が形成された基板を多層構造とな
るように銅等の安定化金属に巻付けてさらに銅等の安定
性金属のパイプ内に挿入して、減面加圧すると安定化金
属で覆われた過飽和固溶体の細線を得ることができる。
りもＡＱが少ないと過飽和固溶体は得られやすくなるが
、熱処理によって析出するＮｂａＡ ｎの体積比は低く
なる。逆にこの組成範囲よりもＡＲが多いと過飽和固溶
体から成る単一相は得られず、硬くて脆いＮｂａＡＲ相
が部分的に直接生成し、伸線加工性を低下させる。上記
組成範囲で得られた過飽和固溶体膜は体心立方構造で伸
延性を有する。この膜が形成された基板を多層構造とな
るように銅等の安定化金属に巻付けてさらに銅等の安定
性金属のパイプ内に挿入して、減面加圧すると安定化金
属で覆われた過飽和固溶体の細線を得ることができる。
この時、減面加工された多層構造から成る線材をさらに
数本束ねて銅等の安定化金属のパイプ内に挿入して減面
加工すると多芯構造を有する線材を得ることができる。
数本束ねて銅等の安定化金属のパイプ内に挿入して減面
加工すると多芯構造を有する線材を得ることができる。
このＮｂとＡＱの過飽和固溶体は６００〜９００ ℃の
熱処理をするとＡ１５相のＮｂａＡＲが析呂するため、
線材は超電導性を有するようになる。析出法によって得
られたＮｂ５ＡΩ は組成が化学量論組成で高臨界温度
を有し、しかも結晶粒が非常に微細なために高臨界電流
密度を有する。さらに安定化金属と超電導体が交互に微
細に分布した構造となっているため超電導電流を通電し
た際に超電導状態の安定化が保持しやすい。
熱処理をするとＡ１５相のＮｂａＡＲが析呂するため、
線材は超電導性を有するようになる。析出法によって得
られたＮｂ５ＡΩ は組成が化学量論組成で高臨界温度
を有し、しかも結晶粒が非常に微細なために高臨界電流
密度を有する。さらに安定化金属と超電導体が交互に微
細に分布した構造となっているため超電導電流を通電し
た際に超電導状態の安定化が保持しやすい。
以下に本実施例をあげ詳細に説明する。
実施例１゜
４８〜２００メツシユのニオブ及びアルミニウム粉末を
所定の割合で配合し、メノウ製ボールミル容器内で高純
度アルゴンガスと共に密封し、約５時間混合、粉砕する
。得られた粉末を減圧雰囲気中溶射装置を用いて大きさ
３００Ｘ３００Ｘ２■のニオブ基板上に溶射した。減圧
雰囲気中溶射の条件は出カニ３４ｋＷ、雰囲気圧カニ
５０Ｔｏｒｒ。
所定の割合で配合し、メノウ製ボールミル容器内で高純
度アルゴンガスと共に密封し、約５時間混合、粉砕する
。得られた粉末を減圧雰囲気中溶射装置を用いて大きさ
３００Ｘ３００Ｘ２■のニオブ基板上に溶射した。減圧
雰囲気中溶射の条件は出カニ３４ｋＷ、雰囲気圧カニ
５０Ｔｏｒｒ。
プラズマガス：アルゴンガス９５％十水素５１％。
プラズマ電流：８００Ａである。なおニオブ基板上にニ
オブ−アルミニウムを均一に溶射するために、溶射ノズ
ル先端を３５０Ｘ３５０ａｎの範囲で繰返し移動させた
。このような溶射による粉末の溶融、急冷によって厚さ
１００μｍのニオブ−アルミニウムの過飽和固溶体膜が
得られた。得られたニオブ−アルミニウム膜を得するニ
オブ基板を銅芯に巻き付けて、さらに銅パイプ内に挿入
し直径０．５ｍｍまで減面加工した。得られた細線を９
００℃で５時間熱処理し、線材内部にＮｂ５Ａ Ｑを微
細に析呂させた。表１にニオブとアルミニウム粉末の混
合比と線材の超電導特性の関係を示す。
オブ−アルミニウムを均一に溶射するために、溶射ノズ
ル先端を３５０Ｘ３５０ａｎの範囲で繰返し移動させた
。このような溶射による粉末の溶融、急冷によって厚さ
１００μｍのニオブ−アルミニウムの過飽和固溶体膜が
得られた。得られたニオブ−アルミニウム膜を得するニ
オブ基板を銅芯に巻き付けて、さらに銅パイプ内に挿入
し直径０．５ｍｍまで減面加工した。得られた細線を９
００℃で５時間熱処理し、線材内部にＮｂ５Ａ Ｑを微
細に析呂させた。表１にニオブとアルミニウム粉末の混
合比と線材の超電導特性の関係を示す。
ニオブとアルミニウム粉末の混合比が７３ ： ２７の
場合、過飽和固溶体膜内に１〜２ＶＯＱ％のＮｂ５ＡＱ
が直接生成し、加工性が若干低下した。
場合、過飽和固溶体膜内に１〜２ＶＯＱ％のＮｂ５ＡＱ
が直接生成し、加工性が若干低下した。
ニオブとアルミニウム粉末の混合比が７６ ： ２６の
時、最も高い臨界温度１７．８Ｋ が得られた。
時、最も高い臨界温度１７．８Ｋ が得られた。
またこの線材の液体ヘリウム温度における臨界電流密度
は２０Ｔの磁界中において２００Ａ／ｎｎ＋２であった
。
は２０Ｔの磁界中において２００Ａ／ｎｎ＋２であった
。
表 １
実施例２゜
４８〜２００メツシユのニオブ及びアルミニウム、ゲル
マニウムを原子比で７４：２１：５の割合で取り、メノ
ウ製ボールミル容器内で高純度アルゴンガスと共に密封
し、約５時間混合、粉砕する。得られた粉末を減圧雰囲
気中溶射装置を用いて大きさ３００Ｘ３００Ｘ２ｎｎの
タンタル基板上に溶射した。減圧雰囲気中溶射の条件は
出カニ３４ｋＷ、雰囲気圧カニ ５０Ｔｏｒｒ、プラズ
マガス：アルゴンガス９５％十水素５％、プラズマ電流
：８００Ａである。なおタンタル基板上にニオブ−アル
ミニウムを均一に溶射するために、溶射ノズル先端を３
５０Ｘ３５０ｍの範囲で繰返し移動させた。このような
溶射による粉末の溶融、急冷によって厚さ１００μｍの
ニオブ−アルミニウムーゲルマニウムの過飽和固溶体膜
が得られた。得られたニオブ−アルミニウムーゲルマニ
ウム膜を有するタンタル基板を銅芯に巻き付けて、さら
に銅パイプ内に挿入し直径０．５ｍまで減面加工した。
マニウムを原子比で７４：２１：５の割合で取り、メノ
ウ製ボールミル容器内で高純度アルゴンガスと共に密封
し、約５時間混合、粉砕する。得られた粉末を減圧雰囲
気中溶射装置を用いて大きさ３００Ｘ３００Ｘ２ｎｎの
タンタル基板上に溶射した。減圧雰囲気中溶射の条件は
出カニ３４ｋＷ、雰囲気圧カニ ５０Ｔｏｒｒ、プラズ
マガス：アルゴンガス９５％十水素５％、プラズマ電流
：８００Ａである。なおタンタル基板上にニオブ−アル
ミニウムを均一に溶射するために、溶射ノズル先端を３
５０Ｘ３５０ｍの範囲で繰返し移動させた。このような
溶射による粉末の溶融、急冷によって厚さ１００μｍの
ニオブ−アルミニウムーゲルマニウムの過飽和固溶体膜
が得られた。得られたニオブ−アルミニウムーゲルマニ
ウム膜を有するタンタル基板を銅芯に巻き付けて、さら
に銅パイプ内に挿入し直径０．５ｍまで減面加工した。
得られた細線を８５０°Ｃで７時間熱処理し、線材内部
にＮｂａ（ＡＱ、Ｇｅ）を微細に析出させた。この化合
物超伝導線材の臨界温度は２０．４にであった。また液
体ヘリウム温度における臨界電流密度は２０Ｔの磁界中
において２４ＯＡ／ｌｌｌ１２であった。
にＮｂａ（ＡＱ、Ｇｅ）を微細に析出させた。この化合
物超伝導線材の臨界温度は２０．４にであった。また液
体ヘリウム温度における臨界電流密度は２０Ｔの磁界中
において２４ＯＡ／ｌｌｌ１２であった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、化合物超電導体を構成する２種以上の金属元素から
成る粉末をプラズマジェット中に供給して、金属基板上
に溶融、衝突させ、１０＾４℃／ｓｅｃ以上の冷却速度
で急冷し、基板表面上に過飽和固溶体膜を形成させた後
、熱処理を施すことによって、膜内に前記化合物超電導
体を析出させたことを特徴とする化合物超電導線材の製
造方法。 ２、請求項１において、前記過飽和固溶体膜を有する基
板を多層に巻き付け、これを延伸して細線化した後、熱
処理を施すことによつて、細線内に前記化合物超電導体
を析出させたことを特徴とする化合物超電導線材の製造
方法。 ３、請求項１において、前記２種以上の金属元素がニオ
ブ、アルミニウムとゲルマニウムとガリウムの少なくと
も１つから成り、前記過飽和固溶体皮膜におけるニオブ
とアルミニウム、ゲルマニウム、ガリウムの少なくとも
１つとの割合がニオブ７４〜８１ａｔ％、アルミニウム
とゲルマニウムとガリウム１９〜２６ａｔ％から成るこ
とを特徴とする化合物超電導線材の製造方法。 ４、請求項１において、前記プラズマジェットによる過
飽和固溶体の形成を減圧アルゴン雰囲気中で行い、プラ
ズマガスをアルゴン９５〜８０Ｖｏｌ．％、水素５〜２
０Ｖｏｌ．％としたことを特徴とする化合物超電導線材
の製造方法。 ５、請求項１において、前記基板がタンタル、ニオブ、
銅、アルミニウムから選ばれた材料からなることを特徴
とする化合物超電導線材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2119857A JPH0419917A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 化合物超電導線材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2119857A JPH0419917A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 化合物超電導線材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0419917A true JPH0419917A (ja) | 1992-01-23 |
Family
ID=14771995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2119857A Pending JPH0419917A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 化合物超電導線材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0419917A (ja) |
-
1990
- 1990-05-11 JP JP2119857A patent/JPH0419917A/ja active Pending
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