JPH04199801A - 正特性サーミスタ素子の製造方法 - Google Patents

正特性サーミスタ素子の製造方法

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JPH04199801A
JPH04199801A JP2335766A JP33576690A JPH04199801A JP H04199801 A JPH04199801 A JP H04199801A JP 2335766 A JP2335766 A JP 2335766A JP 33576690 A JP33576690 A JP 33576690A JP H04199801 A JPH04199801 A JP H04199801A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
areas
electrode forming
chip
ptc
Prior art date
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Pending
Application number
JP2335766A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuichi Takaoka
高岡 祐一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、チップ型をした正特性サーミスタ素子の製造
方法に関する。
[背景技術] 第4図(a) (b) (c)に従来より実施されてい
る正特性(以下、PTCという。)サーミスタ素子の製
造方法を示す。第4図(a)に示すものは、直方体形状
に焼成されたPTCセラミックチップ51であって、こ
のチップ51の表面全面には第4図(b)に示すように
ニッケル(Ni)メツキ等によって全面電極52が形成
される。ついで、電極不要領域53を露出させるように
して全面電極52の一部をマスキング材料によって覆い
、全面電極52のマスキング材から露出した部分をサン
ドブラスト法によって研削し、第4図(C)に示すよう
に1、全面電極52を2つに分割して部分電極54を形
成している。さらに、この部分電極54の上に銀ペース
トを塗布及び焼き付けして正特性サーミスタ素子56の
外部電極55を形成している。
[発明が解決しようとする課題]−′ しかしながら、上記のようにして全面電極52をサンド
ブラストし、分割電極54を形成する方法では、全面電
極52t!−サンドブラストによって部分的に削除する
際、電極金′属だけでなく、′その下のPTCセラミッ
クチップ51も削り取られ、電極形成領域と電極不要領
域53との境界部でチップ表面に段差が生じている(第
4図(C)参照)。
このため、この段差部分に応力集中が発生し易く、この
部分でPTCサーミスタ素子56の機械的折れ強度が低
下するという欠点があった。
また、このPTCサーミスタ素子56をプリント配線基
板57の表面に実装した時、第5図に示すように、PT
Cセラミックチップ51がプリント配線基板57の表面
に接触せず、プリント配線基板57との間に空間58が
発生する。このためプリント配線基板57の熱や温度を
PTCサーミスタ素子56によって検出しにくくなり、
PTCサーミスタ素子56のセンサー能力が低下すると
いう問題があった。
本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなされたものであ
り、その目的とするところは、機械的折れ強度の低下や
センサー能力の低下を招くことなく、電極を形成するこ
とができる正特性サーミスタ素子の製造方法を提供する
ことにある。
[i1!題を解決するための手段コ 本発明の正特性サーミスタ素子の製造方法は、PTCセ
ラミックチップの少なくとも実装面及び実装面と対向す
る表面において電極不要領域の表面を電極形成領域の表
面よりも突出させておき、PTCセラミックチップの当
該表面の全面に全面電極を形成した後、電極不要領域に
おいて全面電極の一部を削除し、各電極形成領域に部分
電極を残すことを特徴としている。
口作用] 本発明にあっては、PTCセラミックチップの電極不要
領域の表面を電極形成領域の表面よりも突出させである
ので、電極不要領域において全面電極を削除してチップ
表面を露出させても、電極不要領域のチップ表面が部分
電極の部分よりも削り込まれることがなく、PTCサー
ミヌタ素子の機械的折れ強度の低下を防止することがで
きる。
また、PTCサーミスタ素子の実装面をほぼ均一な面と
することができるので、このPTCサーミスタ素子をプ
リント配線基板等に実装した時、チップ表面をプリント
配線基板等に接触ないし近接させることができ、PTC
サーミスタ素子のセンサー能力を高めることができる。
[実施例] 以下、本発明の実施例を添付図に基づいて詳述する。
第1図(a) (b) (c)は本発明の一実施例の製
造方法を示している。第1図(a)に示すものは、正温
度特性を示すセラミック類のPTCセラミックチップ1
であって、略長方体状に成形された焼成品であり、チッ
プ表面の部分電極を設ける必要のない領域(電極不要領
域)−の表面を部分電極の必要な領域(電極形成領域)
の表面よりも突出させ、電極不要領域に、突出部2を形
成しである。図示例では、PTCセラミックチップ1の
中央部に沿ってチップ表面の4面に帯状の突出部2を設
けであるが、この突出部2は用途等に応じて適当な形状
にしてもよい。また、突出部2の突出高さhは、部分電
極3の膜厚よりも大きくなっている。ついで、第1図(
b)に示すように、PTCセラミックチップ1の6面金
面に無電解メツキによってNiメツキ等を施して全面電
極4を設け、必要に応じて電極形成領域をマスキングし
、サンドブラストやラップ等の研磨方法によって突出部
2の上の全面電極4を削除し、第1図(c)に示すよう
に、電極不要領域においてチップ表面を露出させると共
に電極形成領域に残された電極によって部分電極3を形
成する。また、電極不要領域のチップ表面と部分電極表
面とは、はぼ面一となる。この後、ハンダ付は性を良好
にするため、部分電極3の上にAgもしくはAg合金か
らなる電極ペーストを塗布焼付けし、あるいは電解メツ
キして追加電極5を形成する。
したかって、PTCセラミックチップ1には削り過ぎに
よる薄肉部分が生じず、機械的折れ強度の低下を防止す
ることができる。このため、ハンダ付は時のヒートスト
レスによるクラックの発生もなくなり、素子の信頼性も
向上する。
また、このPTCサーミスタ素子6をプリント配線基板
7の表面に実装すると、第2図に示すように、PTCセ
ラミックチップlの下面に空間が生じず、プリント配線
基板7の表面に密着するので、プリント配線基板7の熱
がPTCセラミックチップ1に伝わり易く、PTCサー
ミスタ素子6のセンサー能力を高めることができる。ま
た、PTCサーミスタ素子6の表面に凹凸がなく、平坦
であるため、チッププレーサ−によりPTCサーミスタ
素千6をプリント配線基板7に装着させ易くなり、素子
実装時の工程不良を削減できる。
第3図に示すものは、本発明の別な実施例の製造方法に
よって製造されたPTCサーミスタ素子8の断面図であ
る。これは、略直方体状をしたPTCセラミックチップ
1の上面及び下面のみにおいて電極不要領域に突出部2
を設けておき、PTCセラミックチップ1の上表面及び
下表面の全面に無電解Niメツキ等によって全面電極(
図示を省略する。)を設けた後、電極不要領域の電極を
除去して上下表面の電極形成領域に部分電極3を設け、
ついで部分電極3の表面及びPTCセラミックチップ1
の両端面にAgないしAg合金によって追加電極5を形
成したものである。
従って、この実施例は、親基板(図示せず)の上面及び
下面の全面に全面電極を形成しておき、全面電極形成後
に親基板を各PTCセラミックチップにカットする場合
に適している。
[発明の効果コ 本発明よれば、電極不要領域におけるPTCセラミック
チップの削り込みがなくなるので、チップの傷が少なく
なり、素子の機械的強度が高まる。
また、これによりハンダ付は時のヒートストレスによる
クラックの発生もなくなり、素子の信頼性が向上する。
さらに、素子の実装面に段差がなくなるので、素子をプ
リント配線基板に密着させて取付けることができ、PT
Cサーミスタ素子のセンサー能力が向上する。また、表
面に凹凸がないので、チッププレーサ−による素子の装
着も確実かつ容易に行なえる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a) (b) (c)は本発明の一実施例にお
けるPTCサーミスタ素子の製造方法を示す断面図、第
2図は同上の方法によって製造された素子をプリント配
線基板上に実装した状態を示す断面図、第3図は本発明
の別な実施例を示す断面図、第4図(a) (b) (
c)は従来の製造方法を示す断面図、第5図は同上の方
法によって製造された素子をプリント配線基板上に実装
した状態を示す断面図である。 1・・・PTCセラミックチップ 2・・・突出部 3・・・部分電極 4・・・全面電極 特許出願人 株式会社 村田製作所 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)PTCセラミックチップの少なくとも実装面及び
    実装面と対向する表面において電極不要領域の表面を電
    極形成領域の表面よりも突出させておき、PTCセラミ
    ックチップの当該表面の全面に全面電極を形成した後、
    電極不要領域において全面電極の一部を削除し、各電極
    形成領域に部分電極を残すことを特徴とする正特性サー
    ミスタ素子の製造方法。
JP2335766A 1990-11-29 1990-11-29 正特性サーミスタ素子の製造方法 Pending JPH04199801A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014082303A (ja) * 2012-10-16 2014-05-08 Koa Corp 多連チップ抵抗器の製造方法
WO2016098556A1 (ja) * 2014-12-15 2016-06-23 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法および電子部品

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JPWO2016098556A1 (ja) * 2014-12-15 2017-09-14 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法および電子部品
US10074465B2 (en) 2014-12-15 2018-09-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing electronic component, and electronic component

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