JPH042009A - 導電性薄膜の製造方法 - Google Patents
導電性薄膜の製造方法Info
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- JPH042009A JPH042009A JP2100475A JP10047590A JPH042009A JP H042009 A JPH042009 A JP H042009A JP 2100475 A JP2100475 A JP 2100475A JP 10047590 A JP10047590 A JP 10047590A JP H042009 A JPH042009 A JP H042009A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は導電性薄膜の製造方法の改良に関するものであ
る。さらに詳しくいえば、本発明は、均質で大面積を有
し、かつ配向しｊ；単一相の導電性に優れた電荷移動錯
体から成る薄膜を容易に効率よく製造する方法に関する
ものである。
る。さらに詳しくいえば、本発明は、均質で大面積を有
し、かつ配向しｊ；単一相の導電性に優れた電荷移動錯
体から成る薄膜を容易に効率よく製造する方法に関する
ものである。
［従来の技術］
近年、電子供与体と電子受容体間の電荷移動力によって
２種の分子が結合した電荷移動錯体は、導電性や超伝導
性、あるいは電子ビームなどに対する感応性なとの特性
を有し、電子材料やレジスト材料なととしての応用が可
能であることから注目され、積極的な研究がなされてい
る。
２種の分子が結合した電荷移動錯体は、導電性や超伝導
性、あるいは電子ビームなどに対する感応性なとの特性
を有し、電子材料やレジスト材料なととしての応用が可
能であることから注目され、積極的な研究がなされてい
る。
導電性電荷移動錯体の製造方法としては、これまで種々
の方法、例えば（１）クロロベンゼンなとの溶媒中に、
電子供与体と電子受容体とを溶解し、その中に白金電極
を入れて１μＡ程度の電流を流して結晶を成長させる電
解結晶成長法、（２）容器内に仕切り板を設け、溶媒に
電子供与体を溶解させた溶液を一方の室に、溶媒に電子
受容体を溶解した溶液を他方の室に入れたのち、該仕切
り板を取り除いて、両者の拡散により結晶を得る拡散法
、（３）溶媒に電子供与体と電子受容体を少量溶かし、
該溶媒を徐々に蒸発させて結晶を生成させる徐冷法など
の結晶成長法、あるいは（４）電子供与体に気相、液相
又は固相でハロゲン元素を反応させる方法などが知られ
ている。
の方法、例えば（１）クロロベンゼンなとの溶媒中に、
電子供与体と電子受容体とを溶解し、その中に白金電極
を入れて１μＡ程度の電流を流して結晶を成長させる電
解結晶成長法、（２）容器内に仕切り板を設け、溶媒に
電子供与体を溶解させた溶液を一方の室に、溶媒に電子
受容体を溶解した溶液を他方の室に入れたのち、該仕切
り板を取り除いて、両者の拡散により結晶を得る拡散法
、（３）溶媒に電子供与体と電子受容体を少量溶かし、
該溶媒を徐々に蒸発させて結晶を生成させる徐冷法など
の結晶成長法、あるいは（４）電子供与体に気相、液相
又は固相でハロゲン元素を反応させる方法などが知られ
ている。
しかしながら、前おの（１）〜（３）の結晶成長法によ
って得られた導電性電荷移動錯体は、いずれも微結晶若
しくは針状の小さな結晶であり、しかももろいため、電
子デバイスなどに用いる場合、そのままでは使用しに〈
＜、薄膜化して使用することが望まれる。また、（４）
の電子供与体に気相、液相又は固相でハロゲン元素を反
応させることにより得られた導電性電荷移動錯体は、通
常粉末状である上、種々の組成の混合物であって電気伝
導度が低く、そのままでは電子デバイスなどに使用する
ことができず、精製を伴つｔ；薄膜化が必要である。
って得られた導電性電荷移動錯体は、いずれも微結晶若
しくは針状の小さな結晶であり、しかももろいため、電
子デバイスなどに用いる場合、そのままでは使用しに〈
＜、薄膜化して使用することが望まれる。また、（４）
の電子供与体に気相、液相又は固相でハロゲン元素を反
応させることにより得られた導電性電荷移動錯体は、通
常粉末状である上、種々の組成の混合物であって電気伝
導度が低く、そのままでは電子デバイスなどに使用する
ことができず、精製を伴つｔ；薄膜化が必要である。
このような薄膜化の方法については、例えばテトラチア
フルバレンなどの電子供与体とノーロゲン元素とから成
る電荷移動錯体を真空蒸着法により薄膜化することが試
みられている（米国特許第４，３３８，３９２号明細書
、特開昭５６−２７１３９号公報）。しかしながら、こ
の方法によって製膜された薄膜は、配向性が悪くて電気
伝導度が例えば１０〜２０シ一メンス／ｃｍ程度と低い
という欠点を有している。これは、導電性電荷移動錯体
は異方的な電気伝導性（例えばσａ：σｂ：σｃ−１：
１００：１０００）を示すので、その微結晶が膜中にい
ろいろな方向で存在すると膜としての電気伝導度が低下
するためである。したがって、膜の電気伝導度を高める
ためには、高い電気伝導度を示す結晶軸が膜面に平行に
なるように配向させることが望まれる。
フルバレンなどの電子供与体とノーロゲン元素とから成
る電荷移動錯体を真空蒸着法により薄膜化することが試
みられている（米国特許第４，３３８，３９２号明細書
、特開昭５６−２７１３９号公報）。しかしながら、こ
の方法によって製膜された薄膜は、配向性が悪くて電気
伝導度が例えば１０〜２０シ一メンス／ｃｍ程度と低い
という欠点を有している。これは、導電性電荷移動錯体
は異方的な電気伝導性（例えばσａ：σｂ：σｃ−１：
１００：１０００）を示すので、その微結晶が膜中にい
ろいろな方向で存在すると膜としての電気伝導度が低下
するためである。したがって、膜の電気伝導度を高める
ためには、高い電気伝導度を示す結晶軸が膜面に平行に
なるように配向させることが望まれる。
他方、真空蒸着法によって、電子供与体と電子受容体と
を交互に蒸着し、界面付近に配向した電荷移動錯体の薄
膜を形成させる方法が提案されている（特開昭６１−２
０２４２０号公報）。しかしながら、この方法において
は、界面付近にしか配向した錯体の膜が形成されないた
め、不均質であり、膜全体としての電気伝導度が、例え
ば数シーメンス／ｃｍ程度であるように、高くならない
という欠点がある。
を交互に蒸着し、界面付近に配向した電荷移動錯体の薄
膜を形成させる方法が提案されている（特開昭６１−２
０２４２０号公報）。しかしながら、この方法において
は、界面付近にしか配向した錯体の膜が形成されないた
め、不均質であり、膜全体としての電気伝導度が、例え
ば数シーメンス／ｃｍ程度であるように、高くならない
という欠点がある。
そこで、本発明者らは、高い電気伝導度を有する配向し
た単一相から成る電荷移動錯体薄膜を製造する方法につ
いて研究を重ね、先に、該錯体を基板とポート間距離１
０ｃｍ以内に保持して真空蒸着を行うことにより、高い
配向性を有する導電性に優れた電荷移動錯体薄膜が得ら
れることを見い出した。
た単一相から成る電荷移動錯体薄膜を製造する方法につ
いて研究を重ね、先に、該錯体を基板とポート間距離１
０ｃｍ以内に保持して真空蒸着を行うことにより、高い
配向性を有する導電性に優れた電荷移動錯体薄膜が得ら
れることを見い出した。
しかしながら、この方法においては、基板とポート間の
距離が短すぎるため、該基板がポートの熱などの影響を
受け、蒸着条件を制御しにくい上、膜面積を大きくする
のに大がかりな装置を必要とし、必ずしも満足しうるも
のではなかった。
距離が短すぎるため、該基板がポートの熱などの影響を
受け、蒸着条件を制御しにくい上、膜面積を大きくする
のに大がかりな装置を必要とし、必ずしも満足しうるも
のではなかった。
［発明が解決しようとする課題〕
本発明は、このような事情のもとで、均質で大面積を有
し、かつ配向した単一相の導電性に優れた電荷移動錯体
から成る薄膜を、極めて容易に効率良く製造するための
方法を提供することを目的としてなされたものである。
し、かつ配向した単一相の導電性に優れた電荷移動錯体
から成る薄膜を、極めて容易に効率良く製造するための
方法を提供することを目的としてなされたものである。
［課題を解決するための手段］
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重
ねた結果、ハロゲン元素をアニオンとする電荷移動錯体
をハロゲン元素蒸気中において真空蒸着させて、基板上
に薄膜を形成させることにより、その目的を達成しうろ
ことを見い出し、この知見に基づいて本発明を完成する
に至った。
ねた結果、ハロゲン元素をアニオンとする電荷移動錯体
をハロゲン元素蒸気中において真空蒸着させて、基板上
に薄膜を形成させることにより、その目的を達成しうろ
ことを見い出し、この知見に基づいて本発明を完成する
に至った。
すなわち、本発明は、基板上に、ハロゲン元素をアニオ
ンとする電荷移動錯体を真空蒸着させて導電性薄膜を形
成させるに当たり、該真空蒸着をハロゲン元素蒸気中に
おいて行うことを特徴とする導電性薄膜の製造方法を提
供するものである。
ンとする電荷移動錯体を真空蒸着させて導電性薄膜を形
成させるに当たり、該真空蒸着をハロゲン元素蒸気中に
おいて行うことを特徴とする導電性薄膜の製造方法を提
供するものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明方法において用いられるハロゲン元素をアニオン
とする電荷移動錯体は、電子供与体とハロゲン元素から
成る゛電子受容体とを反応させることによって得られる
。該電子供与体としては、例えば一般式 ％式％（） （式中のＭ ｌ、Ｍ ！、Ｍ ３及びＭ６はそれぞれイ
オウ原子又はセレンやテルルなどのカルコゲン元素であ
り、それらは同一であってもよいし、たがいに異なって
いてもよく、Ｒ１，Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ水
素原子、チオアルキル基、エチレンジチオ基、メチレン
ジチオ基、アルキル基などであり、それらは同一であっ
てもよいし、たがいに異なっていてもよく、また、Ｒ１
とＲ２及びＲ３とＲ６はたがいに結合していてもよい、
） で表されるフルバレン骨格を有する化合物を用いること
ができる。このようなものとしては、例えばテトラチア
フルバレン（Ｔ Ｔ Ｆ ）、ジメチルテトラチアフル
バレン（ＤＭＴＴＦ）、テトラメチルテトラチアフルバ
レン（ＴＭＴＴＦ）、ヘキサメチレンテトラチアフルバ
レン（ＨＭＴＴＦ） 、ビスエチレンジチオテトラチア
フルバレン（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）などのテトラチアフル
バレン類、ジセレナジチアフルバレン（ＤＳＤＴＦ）
、ジメチルジセレナジチアフルバレン（ＤＭＤＳＤＴＦ
）、テトラメチルジセレナジチアフルバレン（ＴＭＤＳ
ＤＴＦ） 、ヘキサメチレンジセレナジチアフルバレン
（ＨＭＤＳＤＴＦ）などのジセレナジチアフルバレン類
、テトラセレナフルバレン（ＴＳＦ）、ジメチルテトラ
セレナフル／くレン（ＤＭＴＳＦ）、テトラメチルテト
ラセレナフルバレン（ＴＭＴＳＦ）、ヘキサメチレンテ
トラセレナフルバレン（ＨＭＴＳＦ）などのテトラセレ
ナフルバレン類などが挙げられる。
とする電荷移動錯体は、電子供与体とハロゲン元素から
成る゛電子受容体とを反応させることによって得られる
。該電子供与体としては、例えば一般式 ％式％（） （式中のＭ ｌ、Ｍ ！、Ｍ ３及びＭ６はそれぞれイ
オウ原子又はセレンやテルルなどのカルコゲン元素であ
り、それらは同一であってもよいし、たがいに異なって
いてもよく、Ｒ１，Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ水
素原子、チオアルキル基、エチレンジチオ基、メチレン
ジチオ基、アルキル基などであり、それらは同一であっ
てもよいし、たがいに異なっていてもよく、また、Ｒ１
とＲ２及びＲ３とＲ６はたがいに結合していてもよい、
） で表されるフルバレン骨格を有する化合物を用いること
ができる。このようなものとしては、例えばテトラチア
フルバレン（Ｔ Ｔ Ｆ ）、ジメチルテトラチアフル
バレン（ＤＭＴＴＦ）、テトラメチルテトラチアフルバ
レン（ＴＭＴＴＦ）、ヘキサメチレンテトラチアフルバ
レン（ＨＭＴＴＦ） 、ビスエチレンジチオテトラチア
フルバレン（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）などのテトラチアフル
バレン類、ジセレナジチアフルバレン（ＤＳＤＴＦ）
、ジメチルジセレナジチアフルバレン（ＤＭＤＳＤＴＦ
）、テトラメチルジセレナジチアフルバレン（ＴＭＤＳ
ＤＴＦ） 、ヘキサメチレンジセレナジチアフルバレン
（ＨＭＤＳＤＴＦ）などのジセレナジチアフルバレン類
、テトラセレナフルバレン（ＴＳＦ）、ジメチルテトラ
セレナフル／くレン（ＤＭＴＳＦ）、テトラメチルテト
ラセレナフルバレン（ＴＭＴＳＦ）、ヘキサメチレンテ
トラセレナフルバレン（ＨＭＴＳＦ）などのテトラセレ
ナフルバレン類などが挙げられる。
また、これらのフルバレン骨格を有する化合物以外の電
子供与体としては、例えばテトラチアナフタレン、テト
ラチアテトラセン、テトラセレナテトラセン（ＴＳＴ）
、ペリレン、ジチオビラン、テトラメチルフェニレンジ
アミンなどが挙げられる。
子供与体としては、例えばテトラチアナフタレン、テト
ラチアテトラセン、テトラセレナテトラセン（ＴＳＴ）
、ペリレン、ジチオビラン、テトラメチルフェニレンジ
アミンなどが挙げられる。
一方、ハロゲン元素から成る電子受容体としては、例え
ば！、、Ｂｒ、、ＣＵ、及びこれらの混合物などが挙げ
られる。
ば！、、Ｂｒ、、ＣＵ、及びこれらの混合物などが挙げ
られる。
前記の電子供与体と電子受容体との反応方法については
特に制限はなく、従来公知の方法、例えば電解結晶成長
法、拡散法、徐冷法などの結晶成長法、あるいは電子供
与体に気相、液相又は固相でハロゲン元素を反応させる
方法などを用いることができる。
特に制限はなく、従来公知の方法、例えば電解結晶成長
法、拡散法、徐冷法などの結晶成長法、あるいは電子供
与体に気相、液相又は固相でハロゲン元素を反応させる
方法などを用いることができる。
このようにして得られた導電性電荷移動錯体の具体例と
しては、（Ｔ Ｔ Ｆ ） Ｉ Ｏ−７！、（ＴＴＦ）
Ｂｒｏｏｏ、 （ＴＴＦ）ＣＩ！、 （ＴＴＦ） １
．、（ＴＭＴＴＦ）、Ｉ、 （ＴＭＴＴＦ）、Ｂｒ。
しては、（Ｔ Ｔ Ｆ ） Ｉ Ｏ−７！、（ＴＴＦ）
Ｂｒｏｏｏ、 （ＴＴＦ）ＣＩ！、 （ＴＴＦ） １
．、（ＴＭＴＴＦ）、Ｉ、 （ＴＭＴＴＦ）、Ｂｒ。
（ＴＭＴＴＦ）ａＣｌ １ （ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）２１
、ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）ｚＢ ｒ、（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）
２ＣＬ （ＢＥＤＴ ＴＴＦ）ｚ Ｉ ｓ、（Ｂ
ＥＤＴ−ＴＴＦ）ｚＢｒ３、（Ｂ Ｅ Ｄ Ｔ −Ｔ
Ｔ Ｆ ）３Ｃ！ ｓなどが挙げられる。
、ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）ｚＢ ｒ、（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）
２ＣＬ （ＢＥＤＴ ＴＴＦ）ｚ Ｉ ｓ、（Ｂ
ＥＤＴ−ＴＴＦ）ｚＢｒ３、（Ｂ Ｅ Ｄ Ｔ −Ｔ
Ｔ Ｆ ）３Ｃ！ ｓなどが挙げられる。
本発明に、おいて用いられる基板については特に制限は
なく、従来薄膜の形成に慣用されているもの、例えばガ
ラス、塩化ナトリウム、塩化カリウム、酸化マグネシウ
ム、ヨウ化カリウム、石英、買置、セラミックス、プラ
スチックス、あるいは金、銀、アルミニウム、銅などの
金属などから成る基板の中から任意のものを選択して用
いることができる。
なく、従来薄膜の形成に慣用されているもの、例えばガ
ラス、塩化ナトリウム、塩化カリウム、酸化マグネシウ
ム、ヨウ化カリウム、石英、買置、セラミックス、プラ
スチックス、あるいは金、銀、アルミニウム、銅などの
金属などから成る基板の中から任意のものを選択して用
いることができる。
本発明においては、これらの基板上に、前記の導電性電
荷移動錯体を真空蒸着させて、その薄膜を形成させるが
、その際、ハロゲン元素蒸気を存在させることが必要で
ある。この／１０ゲン元素蒸気が存在しないと本発明の
効果が十分に発揮されない。また真空度は１０’Ｐａ（
パスカル）以下、好ましくは１０−”Ｐａ以下が有利で
ある。この真空度が１０２Ｐａを超えると電荷移動錯体
の酸化や分解が起こるおそれがあり好ましくない。該電
荷移動錯体の加熱は、その温度が通常昇華点近傍に達す
るように行われるが、該錯体の種類によって加熱温度は
適宜選ばれる。基板の温度は通常、−２７０〜３００℃
の範囲、好ましくは、０〜２００ ’Ｃ！の範囲で選ば
れる。
荷移動錯体を真空蒸着させて、その薄膜を形成させるが
、その際、ハロゲン元素蒸気を存在させることが必要で
ある。この／１０ゲン元素蒸気が存在しないと本発明の
効果が十分に発揮されない。また真空度は１０’Ｐａ（
パスカル）以下、好ましくは１０−”Ｐａ以下が有利で
ある。この真空度が１０２Ｐａを超えると電荷移動錯体
の酸化や分解が起こるおそれがあり好ましくない。該電
荷移動錯体の加熱は、その温度が通常昇華点近傍に達す
るように行われるが、該錯体の種類によって加熱温度は
適宜選ばれる。基板の温度は通常、−２７０〜３００℃
の範囲、好ましくは、０〜２００ ’Ｃ！の範囲で選ば
れる。
次に、本発明の導電性薄膜の好適な製造方法の１例を添
付図面に従って説明する。第１図は電荷移動錯体から成
る薄膜を製造するための真空蒸着装置の１例の概略図で
あって、チェンバー１内にるつぼ２．２′、基板３、膜
厚計４、ハロゲンガス導入管５が設置され、さらにるつ
ぼ２と基板３との間にシャッター６が設けられている。
付図面に従って説明する。第１図は電荷移動錯体から成
る薄膜を製造するための真空蒸着装置の１例の概略図で
あって、チェンバー１内にるつぼ２．２′、基板３、膜
厚計４、ハロゲンガス導入管５が設置され、さらにるつ
ぼ２と基板３との間にシャッター６が設けられている。
るつぼ２と基板３との距離については特に制限はないが
、４０ｃｒｎ以下が好ましい。まず、るつぼ２の中へ所
要の電荷移動錯体を入れ、排気弁７を介してチェンバー
内を真空度１０’Ｐａ以下、好ましくは１Ｏ−３Ｐａ以
下に減圧したのち、るつぼ２を該電荷移動錯体の昇華点
近傍まで加熱し、該錯体が昇華し始めると同時にガス状
ハロゲン元素をガス導入管５からチェンバー内に導入す
る。なお、ノ１０ゲン元素としてヨウ素を用いる場合に
は、ヨウ素をるつぼ２′に入れて二元蒸着の形式でチェ
ンバー内にヨウ素ガスを存在させてもよい。また、チェ
ンバー１内の減圧はあらかじめアルゴンなどの不活性ガ
スで置換したのち、行ってもよい。蒸着膜の膜厚の調整
は、水晶振動子膜厚計４でモニターしながら、シャッタ
ー６の開閉によって行われる。この方法によると膜厚を
数十μｍ程度まで厚くすることができる。また、膜の大
きさは基板とるつぼ間距離によって制御することができ
るし、基板をローラーなどで横方向に動かすことで、さ
らに大きな面積を有する膜を形成させることができる。
、４０ｃｒｎ以下が好ましい。まず、るつぼ２の中へ所
要の電荷移動錯体を入れ、排気弁７を介してチェンバー
内を真空度１０’Ｐａ以下、好ましくは１Ｏ−３Ｐａ以
下に減圧したのち、るつぼ２を該電荷移動錯体の昇華点
近傍まで加熱し、該錯体が昇華し始めると同時にガス状
ハロゲン元素をガス導入管５からチェンバー内に導入す
る。なお、ノ１０ゲン元素としてヨウ素を用いる場合に
は、ヨウ素をるつぼ２′に入れて二元蒸着の形式でチェ
ンバー内にヨウ素ガスを存在させてもよい。また、チェ
ンバー１内の減圧はあらかじめアルゴンなどの不活性ガ
スで置換したのち、行ってもよい。蒸着膜の膜厚の調整
は、水晶振動子膜厚計４でモニターしながら、シャッタ
ー６の開閉によって行われる。この方法によると膜厚を
数十μｍ程度まで厚くすることができる。また、膜の大
きさは基板とるつぼ間距離によって制御することができ
るし、基板をローラーなどで横方向に動かすことで、さ
らに大きな面積を有する膜を形成させることができる。
このようにして得られた電荷移動錯体薄膜は大面積を有
する上、基板面に対して高電気伝導度方向が平行になる
ように配向し、かつ単一相から成っており、その電気伝
導度は、通常２０シ一メンス／ｃｍ以上と極めて高いも
のである。
する上、基板面に対して高電気伝導度方向が平行になる
ように配向し、かつ単一相から成っており、その電気伝
導度は、通常２０シ一メンス／ｃｍ以上と極めて高いも
のである。
［実施例］
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
なお、薄膜の電気抵抗は、膜から巾２ ｍｍ、長さ５ｍ
ｍの部分を切り出し、直流４端子法により測定しｔ；。
ｍの部分を切り出し、直流４端子法により測定しｔ；。
実施例Ｉ
ＢＥＤＴ−ＴＴＦ２５Ｉ＋＋９をビーカーに入れ、これ
にヨウ素２５ｍｇを固体のまま加えて密封し、室温で１
日間放置して反応させ、ＢＥＤＴ−ＴＴＦヨウ素錯体を
作製した。
にヨウ素２５ｍｇを固体のまま加えて密封し、室温で１
日間放置して反応させ、ＢＥＤＴ−ＴＴＦヨウ素錯体を
作製した。
第１図に示す装置を用い、前記ＢＥＤＴ−ＴＴＦヨウ素
錯体５０ｍｇをるつぼ２に、ヨウ素（純正化学社製）５
０ｍｇをるつぼ２′に入れ、各るつぼから上方２０ｃｍ
離れた位置にｌＯｃｍＸｌｏｃｍのガラス基板を保持し
た。チェンバー内の真空度が１Ｏ−３Ｐｉになるまで真
空排気したのち、基板温度を７０℃に保持し、るつぼ２
を２００℃、るつぼ２′を１００℃まで加熱して両原料
を同時に昇華させ、ガラス基板上に製膜した。この膜の
大きさは均質な部分が７ｃｍＸ７ｃｍであり、また膜厚
を膜厚計（ナノスコープ）によって測定したところ、２
００ ｎｍであった。
錯体５０ｍｇをるつぼ２に、ヨウ素（純正化学社製）５
０ｍｇをるつぼ２′に入れ、各るつぼから上方２０ｃｍ
離れた位置にｌＯｃｍＸｌｏｃｍのガラス基板を保持し
た。チェンバー内の真空度が１Ｏ−３Ｐｉになるまで真
空排気したのち、基板温度を７０℃に保持し、るつぼ２
を２００℃、るつぼ２′を１００℃まで加熱して両原料
を同時に昇華させ、ガラス基板上に製膜した。この膜の
大きさは均質な部分が７ｃｍＸ７ｃｍであり、また膜厚
を膜厚計（ナノスコープ）によって測定したところ、２
００ ｎｍであった。
この膜についてＸ線回折を行った。第２図にそのＸ線回
折チャートを示す。その結果、線膜は、その結晶構造か
に、ＢｅｎｄｅｒらｒＭｏｌ。
折チャートを示す。その結果、線膜は、その結晶構造か
に、ＢｅｎｄｅｒらｒＭｏｌ。
Ｃｒｙｓ ｔ、Ｌｉｑ、ｃｒｙｓｔ、１０７ （’８４
）４５」によって報告されたσｆｉ（ＢＥＤＴ−Ｔ Ｔ
Ｆ’）２１ ｓの（ｏｏＢ反射に一致すること＆こよ
り、結晶のａｂ面を基板に平行に配向した単一相の膜で
あることが分かった。
）４５」によって報告されたσｆｉ（ＢＥＤＴ−Ｔ Ｔ
Ｆ’）２１ ｓの（ｏｏＢ反射に一致すること＆こよ
り、結晶のａｂ面を基板に平行に配向した単一相の膜で
あることが分かった。
この膜の室温における膜面内の電気伝導度は２０Ｓ／Ｃ
ｍであった。
ｍであった。
実施例２
電解結晶成長法により作製した（ＴＭＴＴＦ）２１１０
ｍ９をるつぼ２に、ヨウ素２０講９をるつぼ２″に入れ
、実施例１と同様にして基板上に導電性薄膜を形成させ
た。
ｍ９をるつぼ２に、ヨウ素２０講９をるつぼ２″に入れ
、実施例１と同様にして基板上に導電性薄膜を形成させ
た。
この膜は、Ｘ線回折結果により単一相で高配向の均質な
膜であることが分かった。また、大きさは１０ ｃｍ
Ｘ １０ Ｃｍｓ厚さは５００ ｎ ｍ ｓ電気伝導度
は室温で５０５／ｃｍであった。
膜であることが分かった。また、大きさは１０ ｃｍ
Ｘ １０ Ｃｍｓ厚さは５００ ｎ ｍ ｓ電気伝導度
は室温で５０５／ｃｍであった。
比較例１
実施例２において、真空蒸着時にヨウ素を用いなかった
こと以外は、実施例２と同様にして寅施したところ、蒸
着膜は原料錯体が分解してＴＭＴＴＦのみから成る膜と
なった。そのため、この膜の電気伝導度は１０−’Ｓ／
ｃｍ以下となった。
こと以外は、実施例２と同様にして寅施したところ、蒸
着膜は原料錯体が分解してＴＭＴＴＦのみから成る膜と
なった。そのため、この膜の電気伝導度は１０−’Ｓ／
ｃｍ以下となった。
［発明の効果］
本発明によると、ハロゲン元素をアニオンとする電荷移
動錯体を真空蒸着させて、基板上に導電性薄膜を形成さ
せる際に、ハロゲン元素蒸気を存在させることにより、
均質で大面積を有し、かつ配向した単一相の導電性に優
れた薄膜を容易に効率よく製造することができる。該導
電性薄膜は電子分野におけるデバイスなどに好適に用い
られる。
動錯体を真空蒸着させて、基板上に導電性薄膜を形成さ
せる際に、ハロゲン元素蒸気を存在させることにより、
均質で大面積を有し、かつ配向した単一相の導電性に優
れた薄膜を容易に効率よく製造することができる。該導
電性薄膜は電子分野におけるデバイスなどに好適に用い
られる。
第１図は本発明方法を実施するための真空蒸者装置の１
例の概略図であって、図中の符号１はチェンバー ２．
２″はるつぼ、３は基板、４は膜圧針、５はハロゲンガ
ス導入管、６はシャッター ７は排気弁である。 第２図は本発明方法により得られた（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ
）２Ｉ３から成る導電性薄膜の１例のＸ線回折チャート
である。 代 理 人 弁理士久保田藤部 １ ／ ａ ｒ ｂ
例の概略図であって、図中の符号１はチェンバー ２．
２″はるつぼ、３は基板、４は膜圧針、５はハロゲンガ
ス導入管、６はシャッター ７は排気弁である。 第２図は本発明方法により得られた（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ
）２Ｉ３から成る導電性薄膜の１例のＸ線回折チャート
である。 代 理 人 弁理士久保田藤部 １ ／ ａ ｒ ｂ
Claims (1)
- １ 基板上に、ハロゲン元素をアニオンとする電荷移動
錯体を真空蒸着させて導電性薄膜を形成させるに当たり
、該真空蒸着をハロゲン元素蒸気中において行うことを
特徴とする導電性薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2100475A JPH042009A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 導電性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2100475A JPH042009A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 導電性薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH042009A true JPH042009A (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14274941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2100475A Pending JPH042009A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 導電性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH042009A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6249202B1 (en) | 1998-12-28 | 2001-06-19 | Sumida Corporation | Inductance element |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59200675A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | 株式会社バンダイ | ゲ−ム装置 |
| JPS59184887U (ja) * | 1983-05-27 | 1984-12-08 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 携帯電子将棋ゲ−ム器 |
| JPS6437986A (en) * | 1987-08-05 | 1989-02-08 | Takara Co Ltd | Pocket type game computer |
-
1990
- 1990-04-18 JP JP2100475A patent/JPH042009A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59200675A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | 株式会社バンダイ | ゲ−ム装置 |
| JPS59184887U (ja) * | 1983-05-27 | 1984-12-08 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 携帯電子将棋ゲ−ム器 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6249202B1 (en) | 1998-12-28 | 2001-06-19 | Sumida Corporation | Inductance element |
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