JPH04201178A - ポリッシング装置とそのポリッシング方法 - Google Patents

ポリッシング装置とそのポリッシング方法

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JPH04201178A
JPH04201178A JP2329538A JP32953890A JPH04201178A JP H04201178 A JPH04201178 A JP H04201178A JP 2329538 A JP2329538 A JP 2329538A JP 32953890 A JP32953890 A JP 32953890A JP H04201178 A JPH04201178 A JP H04201178A
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JP
Japan
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polishing
workpiece
spindle shaft
rotary table
surface plate
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Kazuo Kobayashi
一雄 小林
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Shibayama Kikai Co Ltd
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、主として、シリコン半導体ウェハののワーク
のポリッシング装置とそのポリツシング方法に関するも
のである。
〔従来の技術とその問題点〕
一般にシリコン等の半導体ウェハは、先ず、シリコン結
晶体を一定の厚さにスライシングし、そのスライシング
したウェハを更に所望の厚さにするために研削加工を行
っている。
通常、研削加工はカップ型砥石によって粗研削、中研削
、仕上研削等に分けて行われており、特に、近年では、
半導体ウェハを自転させながら研削を行い、研削効率を
高めているが、昨今要求される半導体ウェハは高精度の
平坦精度と鏡面加工であり、従来のようなカップ型砥石
で研削するだけでは、半導体ウェハに研削によるダメー
ジが残り求められる平坦精度は不可能と成っている。
又、ポリッシング装置においても加工されるワークの外
周辺と中心辺との回転速度と加工する上方定盤の外周辺
と中心辺との回転速度の相違、つまり、ポリッシングさ
れている接触位置の周速度の相違から経時の使用では平
坦精度に問題をきたしており、更に、平面のみのポリッ
シングの場合にはコンパウンドの供給に問題があり、更
に、上方定盤に目詰りを起こしポリッシング加工の能率
が低下していた。
〔発明の目的〕
本発明は、前記の問題点に鑑みて成されたもので、半導
体ウェハへの高精度の平坦精度と鏡面加工を施すための
ポリッシング装置とそのポリッシング方法の提供であり
、加えて、半導体ウェハのポリッシング加工を長期間に
わたって高精度で行い、且つ、上方定盤の延命を計るこ
とができるポリッシング装置とそのポリッシング方法を
提供することを目的とするものである。
〔発明の構成〕
本発明の構成は、ワークをバキューム吸着させ −る下
方定盤を備えて自転する回転テーブルと、ワークをポリ
ッシュ加工する上方定盤を備えて自転するスピンドル軸
と、回転テーブルを水平方向に移動させる移動機構と、
スピンドル軸をスピンドル軸の軸心と回転テーブルの軸
心とを平行及び傾斜させて保持する保持機構とを備えた
構成である。
〔発明の作用〕
本発明の作用は、ワークをバキューム吸着させる下方定
盤を備えて自転する回転テーブルと、ワークをポリッシ
ュ加工する上方定盤を備えて自転するスピンドル軸と、
回転テニブルを水平方向に移動させる移動機構と、スピ
ンドル軸をスピンドル軸の軸心と回転テーブルの軸心と
を平行及び傾斜させて保持する保持機構とを備えたポリ
ッシング装置を用いて、保持機構でスピンドル軸を傾斜
させて上方定盤を下方定盤に対して非平行とし、ワーク
の外周側を俯角としワークの中心側を仰角として凸面に
ポリッシングする工程と、ワークの中心側を俯角としワ
ークの外周側を仰角として凹面にポリッシングする工程
と、保持機構でスピンドル軸を垂直保持させて上方定盤
と下方定盤とを平行としてワークを平面にポリッシング
する工程とを具備したものである。
〔実施例〕
本発明の実施例を図面によって詳述する。
第1図は本発明の実施例のポリッシング装置の平面加工
時の説明図であり、第2図は凸面加工時の説明図であり
、第3図は凹面加工時の説明図である。
本発明は、主として、シリコン半導体ウェハののワーク
Wのポリッシング装置とそのポリッシング方法に関する
ものであり、前記ワークWをバキューム吸着させる下方
定盤1を上面に備えて自転する回転テーブル2と、前記
ワークWの上面をポリッシュ加工する上方定盤3を下端
に備えて自転するスピンドル軸4と、前記回転テーブル
2を水平方向に移動させる移動機構5と、前記スピンド
ル軸4を該スピンドル軸4の軸心と前記回転テーブル2
の軸心とを平行に保持及び傾斜させて保持する保持機構
6とを備えたポリッシング装置であり、加えて、半導体
ウェハ等のワークWをポリッシュ加工するポリッシング
方法であり、前記ワークWをバキューム吸着させる下方
定盤1を上面に備えて自転する回転テーブル2と、前記
ワークWの上面をポリッシュ加工する上方定盤3を下端
に備えて自転するスピンドル軸4と、前記回転テープル
2を水平方向に移動させる移動機構5と、前記スピンド
ル軸4を該スピンドル軸4の軸心と前記回転テーブル2
の軸心とを平行に保持及び傾斜させて保持する保持機構
6とを備えたポリッシング装置を用いて、前記保持機構
6でスピンドル軸4を傾斜させることによって前記上方
定盤3を回転テーブル2の下方定盤1に対して非平行と
し、ワークWの外周側を俯角としワークWの中心側を仰
角として凸面にポリッシングする工程と、ワークWの中
心側を俯角としワークWの外周側を仰角として凹面にポ
リッシングする工程と、前記保持機構6でスピンドル軸
4を垂直保持させてスピンドル軸4の上方定盤3と回転
テーブル2の下方定盤1とを平行としてワークWの上面
を平面にポリッシングする工程とを具備したポリッシン
グ方法である。
即ち、本発明は、シリコン等の半導体ウェハを所望の厚
さにするために研削加工を行っている多軸の研削盤の最
終工程、又は、ポリッシング専用装置において、研削後
の半導体ウェハの加工によるダメージを完全に取り去り
高精度の平坦加工、鏡面加工を施すものである。
本発明のポリッシング装置の回転テーブル2は立設状態
で形設されており、該回転テーブル2の上面には半導体
ウェハ等のワークWをバキューム吸着させるチャック等
の下方定盤1を備えると共に、電動機から駆動源を得て
機械的に接続され自転しているものである。
そして、回転テーブル2を水平方向に移動させる移動機
構5を設けたものであり、移動機構5は例えば一方にレ
ールを形設し、該レールと摺動する摺動溝を他方に形設
し、夫々を嵌合させ摺動できる構造で良いものである。
前記スピンドル軸4は、上方から垂下させた状態で配設
し、上方に趣動源となる電動機を備え自転すると共に、
下端へはポリッシュ加工する上方定盤3を備えたもので
あり、該上方定盤3の研磨面は綿布、天然人造皮革、フ
ェルト等からなるものである。
そして、スピンドル軸4を坦持するポリッシング装置の
側壁と、該スピンドル軸4の側壁との間へ該スピンドル
軸4の軸心と前記回転テーブル2の軸心とを平行に保持
及び傾斜させて保持する保持機構6とを備えたものであ
り、該保持機構6は夫々の側壁の何れか一方側へ半球面
状の突呂物を形成して、該突出物を嵌入させる凹陥部を
形成し、合着させると共に、その周域へ少なくとも3本
のボルトを貫設させて、該ボルトを夫々回動させる構造
である。
前記回転テーブル2の下方定盤1に半導体ウェハ等のワ
ークWを載置し、ワークWをバキューム吸着させると共
に、回転テーブル2を自転させるものであり、綿布、天
然人造皮革、フェルト等からなる研磨面へアルミナ、酸
化鉄、酸化クロム等のコンパウンドを加えて、上方定盤
3を下端に備えたスピンドル軸4を自転させると共に上
方から降下させてワークW上面のポリッシングをするも
のである。
次いで、前記ポリッシング装置を用いて、保持機構6で
スピンドル軸4を傾斜させることによって、上方定盤3
と回転テーブル2へ備えた下方定盤1とは非平行となる
ものであり、その際、回転テーブル2の移動装置で移動
させて位置合わせをし、下方定盤1ヘバキユ一ム吸着さ
せた半導体ウェハ等のワークWの外周側を俯角としワー
クWの中心側を仰角として、回転テーブル2とスピンド
ル軸4を夫々回転させてポリッシングすると凸面に加工
されるものであり、逆に、ワークWの中心側を俯角とし
ワークWの外周側を仰角としてポリッシングすると凹面
にポリッシングされるものであり、凸面及び凹面のポリ
ッシングでは平面ポリッシングに対して加工面積が少な
く、僅かに傾斜させた空隙部にコンパウンドが充填蓄え
られているものである。
そして、前記スピンドル軸4の保持機構6で、該スピン
ドル軸4を垂直保持させると、スピンドル軸4の軸心と
回転テーブル2の軸心とは平行となり、従って、スピン
ドル軸4の下端の上方定盤3と回転テーブル2の下方定
盤1とも平行となり、ワークWの上面に平面ポリッシン
グができるものである。
本発明のポリッシング装置とそのポリッシング方法では
、一定量に設定されたポリッシング量を迅速に、高精度
に、且つ、上方室!!3の延命を計ったもので、先ず、
スピンドル軸4の保持装置で傾斜させて凹面加工を施し
、その後、回転テーブル2の移動装置でワークWと上方
定盤3との位置合わせをして凸面加工をし、その後、前
記保持機構6で平行にして平面加工をするものである。
〔発明の効果〕
本発明のポリッシング装置そのポリッシング方法は、ワ
ークを一旦凸面又は凹面にポリッシングした後に、平面
ポリッシングするようにしているので、経時にわたって
のポリッシングの上方定盤の目詰りを防止し、長期間に
わたり安定したポリッシング加工を維持できる共に、ワ
ークの加工部位へのコンパウンドの供給を十分に行うこ
とができることができ、その結果、加工精度を長期間安
定して維持でき、更に、上方定盤の延命を計るものであ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例のポリッシング装置の平面加工
時の説明図である。第2図は凸面加工時の説明図である
。第3図は凹面加工時の説明図である。 W−ワーク。 1−下方定盤、2一回転テーブル、3−上方定盤、4−
スピンドル軸、5−移動機構、6−保持機構。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体ウェハ等のワークをポリッシュ加工するポ
    リッシング装置において、 前記ワークをバキューム吸着させる下方定盤を上面に備
    えて自転する回転テーブルと、前記ワークの上面をポリ
    ッシュ加工する上方定盤を下端に備えて自転するスピン
    ドル軸と、前記回転テーブルを水平方向に移動させる移
    動機構と、前記スピンドル軸を該スピンドル軸の軸心と
    前記回転テーブルの軸心とを平行に保持及び傾斜させて
    保持する保持機構とを備えたことを特徴とするポリッシ
    ング装置。
  2. (2)半導体ウェハ等のワークをポリッシュ加工するポ
    リッシング方法であり、前記ワークをバキューム吸着さ
    せる下方定盤を上面に備えて自転する回転テーブルと、
    前記ワークの上面をポリッシュ加工する上方定盤を下端
    に備えて自転するスピンドル軸と、前記回転テーブルを
    水平方向に移動させる移動機構と、前記スピンドル軸を
    該スピンドル軸の軸心と前記回転テーブルの軸心とを平
    行に保持及び傾斜させて保持する保持機構とを備えたポ
    リッシング装置を用いて、 前記保持機構でスピンドル軸を傾斜させることによって
    前記上方定盤を回転テーブルの下方定盤に対して非平行
    とし、ワークの外周側を俯角としワークの中心側を仰角
    として凸面にポリッシングする工程と、ワークの中心側
    を俯角としワークの外周側を仰角として凹面にポリッシ
    ングする工程と、前記保持機構でスピンドル軸を垂直保
    持させてスピンドル軸の上方定盤と回転テーブルの下方
    定盤とを平行としてワークの上面を平面にポリッシング
    する工程とを具備したことを特徴とするポリッシング方
    法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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