JPH04204367A - ｐＨ応答膜の製造方法 - Google Patents
ｐＨ応答膜の製造方法Info
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- JPH04204367A JPH04204367A JP2339487A JP33948790A JPH04204367A JP H04204367 A JPH04204367 A JP H04204367A JP 2339487 A JP2339487 A JP 2339487A JP 33948790 A JP33948790 A JP 33948790A JP H04204367 A JPH04204367 A JP H04204367A
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- G—PHYSICS
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/28—Electrolytic cell components
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ｐＨ応答膜の製造方法、特に、五酸化タンタ
ルの薄膜よりなるｐＨ応答膜の製造方法に関する。
ルの薄膜よりなるｐＨ応答膜の製造方法に関する。
（従来の技術）
従来のｐＨ応答膜の製造方法として、例えば本願出願人
の昭和６３年１２月１０日付は特許出願「イオン選択性
ガラス電極の製造方法」 （特願昭６３−３１２７３６
号）に示されるように、金属アルコキシドを原料とし、
ゾル−ゲル法を用いるものがある。
の昭和６３年１２月１０日付は特許出願「イオン選択性
ガラス電極の製造方法」 （特願昭６３−３１２７３６
号）に示されるように、金属アルコキシドを原料とし、
ゾル−ゲル法を用いるものがある。
〔発明が解決しようとする課題］
しかしながら、この従来の方法は、安定な品質のｐＨ応
答膜を得ることができるといった優れた利点を有するも
のの、安定なコーティング溶液を作成することが困難で
あり、また、製造工程が複雑であり、コストが嵩むとい
った不都合な点があった。
答膜を得ることができるといった優れた利点を有するも
のの、安定なコーティング溶液を作成することが困難で
あり、また、製造工程が複雑であり、コストが嵩むとい
った不都合な点があった。
本発明は、上述の事柄に留意してなされたもので、その
目的とするところは、大掛かりな装置を用いることなく
均一な膜厚のｐＨ応答膜を容易、かつ、安価に製造する
ことができ、しかも、その膜厚を任意に設定することが
できるｐＨ応答膜の製造方法を提供することにある。
目的とするところは、大掛かりな装置を用いることなく
均一な膜厚のｐＨ応答膜を容易、かつ、安価に製造する
ことができ、しかも、その膜厚を任意に設定することが
できるｐＨ応答膜の製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明においては、次の２つ
の手段を採用している。
の手段を採用している。
第１の手段は、タンタルアルコキシドを主成分とするコ
ーティング溶液を、所定の速度で回転する電極基板の表
面上に滴下し、スピンコーティングにより、前記電極基
板上に所定の膜厚の五酸化タンタルのｉｉＷ！ｊからな
るｐＨ応答膜を形成するようにしている。
ーティング溶液を、所定の速度で回転する電極基板の表
面上に滴下し、スピンコーティングにより、前記電極基
板上に所定の膜厚の五酸化タンタルのｉｉＷ！ｊからな
るｐＨ応答膜を形成するようにしている。
第２の手段は、タンタルアルコキシドを主成分とするコ
ーティング溶液中に、電極基板を浸漬し、その後、これ
を所定の速度で引き上げることにより、前記電極基板上
に所定の膜厚の五酸化タンタルのＩＩＩからなるｐＨ応
答膜を形成するようにしている。
ーティング溶液中に、電極基板を浸漬し、その後、これ
を所定の速度で引き上げることにより、前記電極基板上
に所定の膜厚の五酸化タンタルのＩＩＩからなるｐＨ応
答膜を形成するようにしている。
上記第１の手段によれば、タンタルアルコキシドを主成
分とするコーティング溶液を、回転する電極基板に対し
て滴下するスピンコーチイングル乾燥−焼成の作業を適
宜繰り返すことにより、電極基板の表面上に所定の膜厚
のｐＨ応答膜を形成することができる。
分とするコーティング溶液を、回転する電極基板に対し
て滴下するスピンコーチイングル乾燥−焼成の作業を適
宜繰り返すことにより、電極基板の表面上に所定の膜厚
のｐＨ応答膜を形成することができる。
また、上記第２の手段によれば、タンタルアルコキシド
を主成分とするコーティング溶液中に浸漬した状態の電
極基板を引き上げる速度を適宜選ぶことにより、電極基
板の表面上に所定の膜厚のｐＨ応答膜を形成することが
できる。
を主成分とするコーティング溶液中に浸漬した状態の電
極基板を引き上げる速度を適宜選ぶことにより、電極基
板の表面上に所定の膜厚のｐＨ応答膜を形成することが
できる。
［実施例〕
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
第１図〜第３図は本発明の第１実施例を示し、この実施
例においては、第１図に示すように、タンタルアルコキ
シド［Ｔａ −（ＯＲ）Ｓ ］としてペンタエトキシタ
ンタル（’ｌ” ａ （ＯＣ２Ｈｓ）ｓ ］を用い、こ
れを溶媒としての脱水処理したエチルアルコールに１０
ｗｔ％（ＴａｚＯｓ換算で５ｗｔ％）溶解させ、これに
、触媒としての酢酸および安定化剤としてのアセチルア
セトンを、タンタルエトキシのモル比でそれぞれ２倍に
相当する重量ずつ加えて（ステップＳ１）、十分に混合
し、湿気に触れないようにしてコーティング溶液とする
（ステップＳ２）。
例においては、第１図に示すように、タンタルアルコキ
シド［Ｔａ −（ＯＲ）Ｓ ］としてペンタエトキシタ
ンタル（’ｌ” ａ （ＯＣ２Ｈｓ）ｓ ］を用い、こ
れを溶媒としての脱水処理したエチルアルコールに１０
ｗｔ％（ＴａｚＯｓ換算で５ｗｔ％）溶解させ、これに
、触媒としての酢酸および安定化剤としてのアセチルア
セトンを、タンタルエトキシのモル比でそれぞれ２倍に
相当する重量ずつ加えて（ステップＳ１）、十分に混合
し、湿気に触れないようにしてコーティング溶液とする
（ステップＳ２）。
そして、このコーティング溶液を、第２図に示すような
装置を用いて、１１極基板１の表面に滴下するのである
。すなわち、電極基板１はシリコンウェハなどの基板の
裏面に金などの金属層を形成すると共に、表面の自然酸
化層を除去しておく。
装置を用いて、１１極基板１の表面に滴下するのである
。すなわち、電極基板１はシリコンウェハなどの基板の
裏面に金などの金属層を形成すると共に、表面の自然酸
化層を除去しておく。
このように形成された電極基板ｌを、図外のモータで回
転駆動される水平に保持された円［２上に表面を上にし
た状態で載置し、モータによって円＠２を例えば３００
０ ｒｐｎで３０秒間回転させ、その間に電極基板１の
上方から例えば１００〜２００μＰのコーティング溶液
３を滴下して、スピンコーティングにより薄膜化処理を
施す（ステップ３３）。
転駆動される水平に保持された円［２上に表面を上にし
た状態で載置し、モータによって円＠２を例えば３００
０ ｒｐｎで３０秒間回転させ、その間に電極基板１の
上方から例えば１００〜２００μＰのコーティング溶液
３を滴下して、スピンコーティングにより薄膜化処理を
施す（ステップ３３）。
その後、前記処理を施した電極基板１を１５０°Ｃで３
０分間乾燥しくステップＳ４）、さらに、５００℃で３
０分間熱処理（焼成）する（ステップＳ５）と、Ｔ ａ
ｚ Ｏ５Ｉｌｌ ４が電極基板１０表面に形成される
が、この薄膜４を６００〜６５０人にするには、前記ス
テップＳ３からステップＳ５の手順を適宜の回数だけ繰
り返すようにすればよい。
０分間乾燥しくステップＳ４）、さらに、５００℃で３
０分間熱処理（焼成）する（ステップＳ５）と、Ｔ ａ
ｚ Ｏ５Ｉｌｌ ４が電極基板１０表面に形成される
が、この薄膜４を６００〜６５０人にするには、前記ス
テップＳ３からステップＳ５の手順を適宜の回数だけ繰
り返すようにすればよい。
上記実施例によれば、薄膜４形成に用いるコーティング
溶液３は、ガラスやシリコン基板への濡れ性を考慮した
溶媒の選択や、溶液の粘度、温度、湿度を制御すること
により、再現性よ〈実施することができる。また、コー
ティング溶液３の主成分であるペンタエトキシタンタル
（タンタルアルコキシドの一種）は単一成分であるため
、加水分解条件を制御しやすく、そして、焼成条件も同
一で、均質な膜厚を薄膜を形成することができる。
溶液３は、ガラスやシリコン基板への濡れ性を考慮した
溶媒の選択や、溶液の粘度、温度、湿度を制御すること
により、再現性よ〈実施することができる。また、コー
ティング溶液３の主成分であるペンタエトキシタンタル
（タンタルアルコキシドの一種）は単一成分であるため
、加水分解条件を制御しやすく、そして、焼成条件も同
一で、均質な膜厚を薄膜を形成することができる。
上述の方法によって製造された３ＷＡ４は、ピンホール
フリーの場合、１０ｍ〜１０９Ωの抵抗値を示し、第７
図に示すようなｐＨ応答特性を示す。
フリーの場合、１０ｍ〜１０９Ωの抵抗値を示し、第７
図に示すようなｐＨ応答特性を示す。
そして、この′ｇｌ膜４を、第３図（Ａ）、 （Ｂ）に
示すように、ポリエチレンテレフタレート基板をラミネ
ートしてなる基板５に、シリコーン系樹脂接着剤６によ
って封止することによって液体中に浸漬できるｐＨ測定
電極７に構成することができる。
示すように、ポリエチレンテレフタレート基板をラミネ
ートしてなる基板５に、シリコーン系樹脂接着剤６によ
って封止することによって液体中に浸漬できるｐＨ測定
電極７に構成することができる。
なお、図中、８はシリコン基板またはｌ５ＦＥＴ、９は
シリコン基板、１０はリード取り出し用導電部である。
シリコン基板、１０はリード取り出し用導電部である。
上記第１実施例では、タンタルアルコキシドとしてペン
タエトキシタンタルを用いていたが、これに代えて、ベ
ンターＸ−ブトキシタンタル（Ｘ＝＝ｉ、ｎ、Ｓｅｃ、
ｔでもよい）（Ｔａ （ＱＣ。
タエトキシタンタルを用いていたが、これに代えて、ベ
ンターＸ−ブトキシタンタル（Ｘ＝＝ｉ、ｎ、Ｓｅｃ、
ｔでもよい）（Ｔａ （ＱＣ。
Ｈ９）、を用いてもよい。
すなわち、第２実施例においては、ベンターＸ−ブトキ
シタンタルを、溶媒としてのエチルアルコールに２０ｗ
ｔ％（Ｔａｉｌｓ換算でｌＱｗｔ％）溶解させ、これに
、蟻酸、塩酸などの触媒と、マロン酸ジエチル、アセト
酢酸エチルなどの安定化剤を、アルコキシドのモル比で
それぞれ４倍１１倍に相当する重量ずつ加えて十分に混
合し、湿気に触れないようにしてコーティング溶液とし
、上記第１実施例と同様のコーティング処理を施すこと
により、薄膜を形成すようにしている。この場合、所定
の膜厚にするため、第１図に示したステ・ンブＳ３から
ステップＳ５の工程を繰り返し行うようにしてもよい。
シタンタルを、溶媒としてのエチルアルコールに２０ｗ
ｔ％（Ｔａｉｌｓ換算でｌＱｗｔ％）溶解させ、これに
、蟻酸、塩酸などの触媒と、マロン酸ジエチル、アセト
酢酸エチルなどの安定化剤を、アルコキシドのモル比で
それぞれ４倍１１倍に相当する重量ずつ加えて十分に混
合し、湿気に触れないようにしてコーティング溶液とし
、上記第１実施例と同様のコーティング処理を施すこと
により、薄膜を形成すようにしている。この場合、所定
の膜厚にするため、第１図に示したステ・ンブＳ３から
ステップＳ５の工程を繰り返し行うようにしてもよい。
この第２実施例に係る方法で製造された薄膜は前記第７
図に示すようなｐｔ（応答特性を示す、そして、この薄
膜は、ｌ５ＦＥＴのゲート酸化膜や分離ゲート型ｌ５Ｆ
ＥＴの応答膜に使用するこ”とができ、そのパッケージ
構造は、第４図に示す通りであり、１１は薄膜、１２．
１３は羊れぞれアルミニウムよりなるソース電極、ドレ
イン電極、１４は５ｉ０２層、１５はシリコン基板であ
る。
図に示すようなｐｔ（応答特性を示す、そして、この薄
膜は、ｌ５ＦＥＴのゲート酸化膜や分離ゲート型ｌ５Ｆ
ＥＴの応答膜に使用するこ”とができ、そのパッケージ
構造は、第４図に示す通りであり、１１は薄膜、１２．
１３は羊れぞれアルミニウムよりなるソース電極、ドレ
イン電極、１４は５ｉ０２層、１５はシリコン基板であ
る。
なお、この実施例において、ペンタ−Ｘ−ブトキシタン
タルに代えて、ベンターミープロポキシタンタルやペン
タ−ｎ−プロポキシタンタルを用いてもよい。
タルに代えて、ベンターミープロポキシタンタルやペン
タ−ｎ−プロポキシタンタルを用いてもよい。
上述の第１および第２実施例は何れもスピンコーティン
グによって薄膜４，１１を形成する方法であったが、゛
浸漬用き上げ法によっても薄膜を形成することができる
。
グによって薄膜４，１１を形成する方法であったが、゛
浸漬用き上げ法によっても薄膜を形成することができる
。
すなわち、第５図および第６図は本発明の第３実施例を
示し、この実施例においては、第５図に示すように、タ
ンタルアルコキシドとしてペンタメトキシタンタル（Ｔ
ａ （ＯＣＨｓ）ｓ）を用い、これを溶媒としての脱
水処理したエチルアルコールに５ｗｔ％溶解させ、これ
に、触媒としての酢酸および安定化剤としてのアセト酢
酸エチルを、タンタルメトキシのモル比でそれぞれ２倍
に相当する重量を加えて（ステップ５１１）、十分に混
合し、湿気に触れないようにしてコーティング溶液３と
する（ステップ５１２）。
示し、この実施例においては、第５図に示すように、タ
ンタルアルコキシドとしてペンタメトキシタンタル（Ｔ
ａ （ＯＣＨｓ）ｓ）を用い、これを溶媒としての脱
水処理したエチルアルコールに５ｗｔ％溶解させ、これ
に、触媒としての酢酸および安定化剤としてのアセト酢
酸エチルを、タンタルメトキシのモル比でそれぞれ２倍
に相当する重量を加えて（ステップ５１１）、十分に混
合し、湿気に触れないようにしてコーティング溶液３と
する（ステップ５１２）。
この溶液３を２０ｍ１、第２図に示すように、ビーカー
１６内に入れる。そして、コーティング溶液３内に電極
基板１を浸漬し、その後、０．１〜０．６ｍ／ｓｅｃの
速度で電極基板１を引き上げて、薄膜化処理を施す（ス
テップ５１３）。
１６内に入れる。そして、コーティング溶液３内に電極
基板１を浸漬し、その後、０．１〜０．６ｍ／ｓｅｃの
速度で電極基板１を引き上げて、薄膜化処理を施す（ス
テップ５１３）。
前記処理を施した電極基板１を１５０°Ｃで３０分間乾
燥しくステップ５１４）、さらに、５００℃で３０分間
熱処理する（ステップ５１５）と、所定の膜厚を有する
Ｔａｚ Ｏｓ薄膜が電極基板１の表面に形成される。
燥しくステップ５１４）、さらに、５００℃で３０分間
熱処理する（ステップ５１５）と、所定の膜厚を有する
Ｔａｚ Ｏｓ薄膜が電極基板１の表面に形成される。
このようにして製造された薄膜は、前記第７図に示すよ
うなｐＨ応答特性を示す。
うなｐＨ応答特性を示す。
以上説明したように、本願の第１発明は、タンタルアル
コキシドを主成分とする溶液を、所定の速度で回転する
電極基板の表面上に滴下し、スピンコーティングにより
、前記電極基板上に所定の膜厚の五酸化タンタルの薄膜
からなるｐＨ応答膜を形成するようにしたものであり、
また、第２発明は、前記溶液中に、電極基板を浸漬し、
その後、これを所定の速度で引き上げることにより、前
記電極基板上に所定の膜厚の五酸化タンタルの薄膜から
なるｐＨ応答膜を形成するようにしたものであるから、
次のような優れた効果を奏する。
コキシドを主成分とする溶液を、所定の速度で回転する
電極基板の表面上に滴下し、スピンコーティングにより
、前記電極基板上に所定の膜厚の五酸化タンタルの薄膜
からなるｐＨ応答膜を形成するようにしたものであり、
また、第２発明は、前記溶液中に、電極基板を浸漬し、
その後、これを所定の速度で引き上げることにより、前
記電極基板上に所定の膜厚の五酸化タンタルの薄膜から
なるｐＨ応答膜を形成するようにしたものであるから、
次のような優れた効果を奏する。
■ 均一な薄膜を瞬時に形成することができる。
■ 高価なコーティング溶液の使用量が少量でよい。
■ 膜厚の値を任意に代えることができ、超薄膜からμ
ｍ程度の厚膜の製造が簡単である。
ｍ程度の厚膜の製造が簡単である。
■ 大規模な装置が不要である。
従って、所望のｐＨ応答膜を安価に大量に製造すること
ができる。
ができる。
第１図〜第３図は本発明の第１実施例を示し、第１図は
ｐＨ応答膜の製造方法を示すフローチャート、第２図は
電極基板にスピンコーティングを施して′ＷｌｌｌＩを
形成している状態を示す図、第３図は前記製造方法によ
って製造されたｐＨ応答膜を組み込んだｐＨ測定電極の
一例を示す図で、同図（Ａ）は斜視図、同図（Ｂ）は断
面図である。 第４図は本発明の第２実施例に係る製造方法によって製
造されたｐＨ応答膜を組み込んだｐＨ測定電極の一例を
示す図で、同図（Ａ）は平面図、同図（Ｂ）は同図（Ａ
）のＡ−Ａ線断面図である。 第５図および第６図は本発明の第３実施例を示し、第５
図はｐＨ応答膜の製造方法を示すフローチャート、第６
図は電極基板を浸漬・引き上げることによって薄膜を形
成している状態を示す図である。 第７図は本発明方法によって製造されたＩｌｌのｐＨ応
答特性を示す図である。 １・・・電極基板、３・・・溶液、４，１１・・・薄膜
。
ｐＨ応答膜の製造方法を示すフローチャート、第２図は
電極基板にスピンコーティングを施して′ＷｌｌｌＩを
形成している状態を示す図、第３図は前記製造方法によ
って製造されたｐＨ応答膜を組み込んだｐＨ測定電極の
一例を示す図で、同図（Ａ）は斜視図、同図（Ｂ）は断
面図である。 第４図は本発明の第２実施例に係る製造方法によって製
造されたｐＨ応答膜を組み込んだｐＨ測定電極の一例を
示す図で、同図（Ａ）は平面図、同図（Ｂ）は同図（Ａ
）のＡ−Ａ線断面図である。 第５図および第６図は本発明の第３実施例を示し、第５
図はｐＨ応答膜の製造方法を示すフローチャート、第６
図は電極基板を浸漬・引き上げることによって薄膜を形
成している状態を示す図である。 第７図は本発明方法によって製造されたＩｌｌのｐＨ応
答特性を示す図である。 １・・・電極基板、３・・・溶液、４，１１・・・薄膜
。
Claims (2)
- （１）タンタルアルコキシドを主成分とするコーティン
グ溶液を、所定の速度で回転する電極基板の表面上に滴
下し、スピンコーティングにより、前記電極基板上に所
定の膜厚の五酸化タンタルの薄膜からなるｐＨ応答膜を
形成するようにしたことを特徴とするｐＨ応答膜の製造
方法。 - （２）タンタルアルコキシドを主成分とするコーティン
グ溶液中に、電極基板を浸漬し、その後、これを所定の
速度で引き上げることにより、前記電極基板上に所定の
膜厚の五酸化タンタルの薄膜からなるｐＨ応答膜を形成
するようにしたことを特徴とするｐＨ応答膜の製造方法
。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2339487A JPH04204367A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | ｐＨ応答膜の製造方法 |
| KR1019910019518A KR960003197B1 (ko) | 1990-11-30 | 1991-11-04 | pH 응답막의 제조방법 |
| EP91120517A EP0493684B1 (en) | 1990-11-30 | 1991-11-29 | Method of producing pH-responsive membrane |
| DE69116539T DE69116539T2 (de) | 1990-11-30 | 1991-11-29 | Verfahren zum Herstellen einer pH-empfindlichen Membran |
| US08/273,635 US5468514A (en) | 1990-11-30 | 1994-07-12 | Method of producing a pH-responsive membrane |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2339487A JPH04204367A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | ｐＨ応答膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04204367A true JPH04204367A (ja) | 1992-07-24 |
Family
ID=18327932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2339487A Pending JPH04204367A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | ｐＨ応答膜の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0493684B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04204367A (ja) |
| KR (1) | KR960003197B1 (ja) |
| DE (1) | DE69116539T2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55146034A (en) * | 1979-05-02 | 1980-11-14 | Olympus Optical Co Ltd | Manufacture for field effect type semiconductor sensor |
| JPS562547A (en) * | 1979-06-21 | 1981-01-12 | Olympus Optical Co Ltd | Electric field effect semiconductor ion sensor |
| JPS6079257A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-07 | Shimadzu Corp | 電界効果型イオン選択性電極 |
| JPS63193053A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-10 | Toshiba Corp | 高温用ｐＨ測定装置 |
| JPH02157647A (ja) * | 1988-12-10 | 1990-06-18 | Horiba Ltd | イオン選択性ガラス電極の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4795543A (en) * | 1987-05-26 | 1989-01-03 | Transducer Research, Inc. | Spin coating of electrolytes |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2339487A patent/JPH04204367A/ja active Pending
-
1991
- 1991-11-04 KR KR1019910019518A patent/KR960003197B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1991-11-29 DE DE69116539T patent/DE69116539T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-11-29 EP EP91120517A patent/EP0493684B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55146034A (en) * | 1979-05-02 | 1980-11-14 | Olympus Optical Co Ltd | Manufacture for field effect type semiconductor sensor |
| JPS562547A (en) * | 1979-06-21 | 1981-01-12 | Olympus Optical Co Ltd | Electric field effect semiconductor ion sensor |
| JPS6079257A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-07 | Shimadzu Corp | 電界効果型イオン選択性電極 |
| JPS63193053A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-10 | Toshiba Corp | 高温用ｐＨ測定装置 |
| JPH02157647A (ja) * | 1988-12-10 | 1990-06-18 | Horiba Ltd | イオン選択性ガラス電極の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0493684B1 (en) | 1996-01-17 |
| KR920010283A (ko) | 1992-06-26 |
| DE69116539T2 (de) | 1996-09-12 |
| KR960003197B1 (ko) | 1996-03-06 |
| EP0493684A1 (en) | 1992-07-08 |
| DE69116539D1 (de) | 1996-02-29 |
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