JPH04204502A - 光学反射膜及びその形成方法 - Google Patents
光学反射膜及びその形成方法Info
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- JPH04204502A JPH04204502A JP2330201A JP33020190A JPH04204502A JP H04204502 A JPH04204502 A JP H04204502A JP 2330201 A JP2330201 A JP 2330201A JP 33020190 A JP33020190 A JP 33020190A JP H04204502 A JPH04204502 A JP H04204502A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光学式情報ディスクや光学機器等における光学
反射膜およびその形成方法に関する。
反射膜およびその形成方法に関する。
光学式ビデオディスクなとの光学式情報ディスクは、た
とえばアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂等のプラス
チックス基板の面上に情報ピットを形成し、その上にア
ルミニウムまたはアルミニラム合金の光学反射膜を設け
てなるものである。
とえばアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂等のプラス
チックス基板の面上に情報ピットを形成し、その上にア
ルミニウムまたはアルミニラム合金の光学反射膜を設け
てなるものである。
中でも光学式ビデオディスクにおいては、基板用材料と
して光学特性やコスト等の点からアクリル樹脂、すなわ
ちＰＭＭＡ （ポリメチルメタクリレート樹脂）を使用
することが一般的てあり、また光学反射膜用材料として
反射率や耐久性及びコストなどの点から高純度のアルミ
ニウムを用いることが一般的となっている。
して光学特性やコスト等の点からアクリル樹脂、すなわ
ちＰＭＭＡ （ポリメチルメタクリレート樹脂）を使用
することが一般的てあり、また光学反射膜用材料として
反射率や耐久性及びコストなどの点から高純度のアルミ
ニウムを用いることが一般的となっている。
このようなＰＭＭＡ基板を用いたディスクは、温度や湿
度の変化に伴って反り等が発生し易いので、２枚のディ
スクを接着剤等で背中合わせに貼り合わせることによっ
て変形などの発生を抑制するようにしている。しかし貼
り合わせ時の接着剤の塗布に際して反射膜が剥離する恐
れがあり、また貼り合わせたディスクが上記のように温
度や湿度の変化に伴う繰り返し応力を受けていると反射
膜の剥離が起こる心配もある。
度の変化に伴って反り等が発生し易いので、２枚のディ
スクを接着剤等で背中合わせに貼り合わせることによっ
て変形などの発生を抑制するようにしている。しかし貼
り合わせ時の接着剤の塗布に際して反射膜が剥離する恐
れがあり、また貼り合わせたディスクが上記のように温
度や湿度の変化に伴う繰り返し応力を受けていると反射
膜の剥離が起こる心配もある。
そこで従来は、基板に対する密着性がよい膜か得られる
真空蒸着法を用いて成膜する方法か一般的に採用されて
いた。
真空蒸着法を用いて成膜する方法か一般的に採用されて
いた。
」１記のように、アルミニウム反射膜をＰＭＭＡ基板の
面に成膜するにあたって用いられている従来の真空蒸着
による方法は、バッチ式の装置となるために装置自体が
大型となって設備費用が嵩むという問題や運転条件の制
御が簡単てないという問題があった。
面に成膜するにあたって用いられている従来の真空蒸着
による方法は、バッチ式の装置となるために装置自体が
大型となって設備費用が嵩むという問題や運転条件の制
御が簡単てないという問題があった。
これに対してスパッタリングによる方法は、連続式の装
置とすることができるために装置が小型となり、運転条
件の制御が簡単であって品質管理か容易となる利点があ
る。しかしスパッタリング法によって形成した膜はＰＭ
ＭＡ基板との密着性が悪いという致命的な欠点があって
、品質管理上不利であっても基板に対する膜の密着性が
よい真空蒸着法を採用せざるを得なかった。
置とすることができるために装置が小型となり、運転条
件の制御が簡単であって品質管理か容易となる利点があ
る。しかしスパッタリング法によって形成した膜はＰＭ
ＭＡ基板との密着性が悪いという致命的な欠点があって
、品質管理上不利であっても基板に対する膜の密着性が
よい真空蒸着法を採用せざるを得なかった。
そこで本発明は、装置か小型で品質管理が容易なスパッ
タリング法によって密着性のよいアルミニウム反射膜を
得る手段を提供することを目的とした。
タリング法によって密着性のよいアルミニウム反射膜を
得る手段を提供することを目的とした。
本発明の目的は、プラスチックス基板上に形成された炭
素含有物質と金属との複合物を含む金属性膜からなる光
学反射膜によって達成することができる。
素含有物質と金属との複合物を含む金属性膜からなる光
学反射膜によって達成することができる。
そしてかかる本発明の光学反射膜は、プラスチックス基
板の表面に対して炭素含有物質を含む不活性ガス雰囲気
中でプラズマ処理を行ないながら金属のスパッタリング
成膜を実施することによって、形成することができる。
板の表面に対して炭素含有物質を含む不活性ガス雰囲気
中でプラズマ処理を行ないながら金属のスパッタリング
成膜を実施することによって、形成することができる。
本発明において用いられるプラスチックス基板は特に限
定されるものではないが、光学式ディスクの光学反射膜
として利用するのであればＰＭＭＡやポリカーボネート
樹脂（ＰＣ）が好ましく、特にＰＭＭＡであるときは極
めて優れた効果が発揮される。
定されるものではないが、光学式ディスクの光学反射膜
として利用するのであればＰＭＭＡやポリカーボネート
樹脂（ＰＣ）が好ましく、特にＰＭＭＡであるときは極
めて優れた効果が発揮される。
また本発明において用いられる光学反射膜の材料として
は、アルミニウムまたはアルミニウム合金が好ましい。
は、アルミニウムまたはアルミニウム合金が好ましい。
反射率の点からは高純度のアルミニウムであることが好
ましいが、耐食性や密着性などの改善のためにアルミニ
ウム合金を適宜選択して使用することもてきる。
ましいが、耐食性や密着性などの改善のためにアルミニ
ウム合金を適宜選択して使用することもてきる。
このような本発明の光学反射膜は、前記のようなプラス
チックス基板の表面に対し、炭素含有物質のプラズマを
含む不活性ガス雰囲気中で、前記のような金属のスパッ
タリング成膜を実施することにより形成することができ
る。ここで不活性ガスとは周期律表第０族のガスであり
、たとえばヘリウムを含むアルゴンまたはアルゴンであ
ることが好ましいが、ネオン、クリプトン、キセノンな
どが含まれていても差し支えない。
チックス基板の表面に対し、炭素含有物質のプラズマを
含む不活性ガス雰囲気中で、前記のような金属のスパッ
タリング成膜を実施することにより形成することができ
る。ここで不活性ガスとは周期律表第０族のガスであり
、たとえばヘリウムを含むアルゴンまたはアルゴンであ
ることが好ましいが、ネオン、クリプトン、キセノンな
どが含まれていても差し支えない。
不活性ガス中に含まれる炭素含有物質としては、炭素と
水素との化合物である炭化水素類、炭素と酸素との化合
物である酸化炭素類、或いは炭素と水素と酸素との化合
物である含酸素有機化合物類など、更にはこれらの化合
物から生ずるラジカルなどの原子団等が用いられるか、
雰囲気１４月ごガス状で存在するものであることが必要
であり、たとえばメタン、エタン、二酸化炭素、メタノ
ール、エチルエーテル、アセトン等を挙げることができ
る。これらの炭素含有物質はスパッタリング成膜装置内
の雰囲気ガスを構成する不活性ガスとともに外部からそ
れぞれ単独に或いは混合ガスとして供給されたものであ
ってもよい。また場合によっては、ガス化し難い化合物
を高エネルギーによって分解させる際に発生するラジカ
ルやイオン、たとえばメチレン、メチルなどの活性化原
子団であってもよく、これらはプラスチックス基板の一
部をプラズマで衝撃することによって分解遊離するもの
であってもよい。
水素との化合物である炭化水素類、炭素と酸素との化合
物である酸化炭素類、或いは炭素と水素と酸素との化合
物である含酸素有機化合物類など、更にはこれらの化合
物から生ずるラジカルなどの原子団等が用いられるか、
雰囲気１４月ごガス状で存在するものであることが必要
であり、たとえばメタン、エタン、二酸化炭素、メタノ
ール、エチルエーテル、アセトン等を挙げることができ
る。これらの炭素含有物質はスパッタリング成膜装置内
の雰囲気ガスを構成する不活性ガスとともに外部からそ
れぞれ単独に或いは混合ガスとして供給されたものであ
ってもよい。また場合によっては、ガス化し難い化合物
を高エネルギーによって分解させる際に発生するラジカ
ルやイオン、たとえばメチレン、メチルなどの活性化原
子団であってもよく、これらはプラスチックス基板の一
部をプラズマで衝撃することによって分解遊離するもの
であってもよい。
本発明におけるプラズマ処理は、たとえば１０〜１０−
’Ｐａ程度の圧力の処理装置内で高電圧を印加すること
によりアルゴンなどの不活性ガスを励起し、これにより
発生したガスプラズマにプラスチックス基板の表面を暴
露することにより行なわれる。この場合、ガスプラズマ
のエネルギーが大き過ぎるときは基板の表面が分解によ
り粗化して平滑な光学反射膜が生成しないことがあり、
またガスプラズマのエネルギーが小さ過ぎるときは平滑
な光学反射膜か生成するものの密着性が不足するから、
プラズマの励起電圧と電流とを実際の装置、被処理基板
の利質や大きさ、雰囲気ガスの組成などに応じて適宜調
整することか望ましい。
’Ｐａ程度の圧力の処理装置内で高電圧を印加すること
によりアルゴンなどの不活性ガスを励起し、これにより
発生したガスプラズマにプラスチックス基板の表面を暴
露することにより行なわれる。この場合、ガスプラズマ
のエネルギーが大き過ぎるときは基板の表面が分解によ
り粗化して平滑な光学反射膜が生成しないことがあり、
またガスプラズマのエネルギーが小さ過ぎるときは平滑
な光学反射膜か生成するものの密着性が不足するから、
プラズマの励起電圧と電流とを実際の装置、被処理基板
の利質や大きさ、雰囲気ガスの組成などに応じて適宜調
整することか望ましい。
このような本発明の方法に従ってプラスチックス基板の
表面上にアルミニウム等の金属をスパッタリングするこ
とにより形成された薄膜は、雰囲気ガス中に含まれる炭
素含有物質と金属との複合物を含んでいる。かかる複合
物を含む薄膜はプラスチックス基板に対して良好な密着
性を持っているから、この薄膜をそのまま光学反射膜と
して利用してもよく、或いはこの薄膜の」二に更にアル
ミニウム等の金属をスパッタリングするなどして光学反
射膜を形成してもよい。
表面上にアルミニウム等の金属をスパッタリングするこ
とにより形成された薄膜は、雰囲気ガス中に含まれる炭
素含有物質と金属との複合物を含んでいる。かかる複合
物を含む薄膜はプラスチックス基板に対して良好な密着
性を持っているから、この薄膜をそのまま光学反射膜と
して利用してもよく、或いはこの薄膜の」二に更にアル
ミニウム等の金属をスパッタリングするなどして光学反
射膜を形成してもよい。
本発明の方法によれは、プラスチックス基板に損傷を与
えることなく良好な反射率を持つ光学反射膜を高能率で
形成することかできる。こうして得られた光学反射膜は
、プラスチックス基板、特にＰＭＭＡ基板に対して優れ
た密着性を示すものである。
えることなく良好な反射率を持つ光学反射膜を高能率で
形成することかできる。こうして得られた光学反射膜は
、プラスチックス基板、特にＰＭＭＡ基板に対して優れ
た密着性を示すものである。
直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ ｍｍのＰＭＭＡ基板（Ｍ
）又はＰＣ基板（Ｃ’）をＤＣスパッタ装置の中に取り
付け、装置内を一旦１Ｏ−３Ｐａまて排気したのち不活
性ガスとしてアルゴンまたはアルゴンとヘリウムとをそ
れぞれ所定の流量で供給し、また炭素含有物質としてメ
タンを所定の流量で供給しなから装置内の圧力をＩＰａ
程度に維持し、ＰＭＭＡ基板の面に高電圧の印加による
プラズマを接触させなから印加電力を調整してアルミニ
ウムのスパッタリング成膜を行ない、厚さ約６００人の
アルミニウム反射膜を形成した。
）又はＰＣ基板（Ｃ’）をＤＣスパッタ装置の中に取り
付け、装置内を一旦１Ｏ−３Ｐａまて排気したのち不活
性ガスとしてアルゴンまたはアルゴンとヘリウムとをそ
れぞれ所定の流量で供給し、また炭素含有物質としてメ
タンを所定の流量で供給しなから装置内の圧力をＩＰａ
程度に維持し、ＰＭＭＡ基板の面に高電圧の印加による
プラズマを接触させなから印加電力を調整してアルミニ
ウムのスパッタリング成膜を行ない、厚さ約６００人の
アルミニウム反射膜を形成した。
このときのアルゴン、ヘリウム及びメタンの供給量（標
準状態ガスｃｃ／＋ｎ１ｎ） 、印加電力（ｋＷ）及び
雰囲気内に含まれる質量Ｍ／ｅ ： １２． １４゜１
５の成分を質量スペクトル分析して、その相対含有量を
それぞれ第１表に示した。この第１表において、質量Ｍ
／ｅの１２はＣイオンであり、質量Ｍ／ｅの１４はＮイ
オン又はＣＨ２イオン、また質量Ｍ／ｅの１５はＮＨイ
オン又はＣＨ，ｌイオンである。なおイオンの相対含有
量は、実験番号１の質量Ｍ／ｅカ月４であるイオンの含
有量を基準とした値である。
準状態ガスｃｃ／＋ｎ１ｎ） 、印加電力（ｋＷ）及び
雰囲気内に含まれる質量Ｍ／ｅ ： １２． １４゜１
５の成分を質量スペクトル分析して、その相対含有量を
それぞれ第１表に示した。この第１表において、質量Ｍ
／ｅの１２はＣイオンであり、質量Ｍ／ｅの１４はＮイ
オン又はＣＨ２イオン、また質量Ｍ／ｅの１５はＮＨイ
オン又はＣＨ，ｌイオンである。なおイオンの相対含有
量は、実験番号１の質量Ｍ／ｅカ月４であるイオンの含
有量を基準とした値である。
第 １ 表
１” ＭＩＯ−５０，０１１
２Ｍ５１００− ５ ７３３
３ Ｍ５１００−３ ４ ｌｌ
４Ｃ５１００−５２１２
５Ｍ５−５５１６６２ｏｖ
６Ｃ５−５５１７６２ｏｖ
７Ｍ６−４５１４５０ｏｖ
８ Ｍ ５５０５５２２６６ｏｖ
＊ ： 対照例
ｏｖ： 含有量か多送きて測定不能を意味する。
しかし、実験番号ｌ（比較例）においては質量Ｍ／ｅの
１２すなわちＣイオンが殆ど存在しないので、質量Ｍ／
ｅの１４や１５は装置内に残留した空気に基づくＮイオ
ンやＮＨイオンであってＣＨ２イオンやＣＨ，３イオン
ではない。これは実験番号５〜８のように雰囲気中にメ
タンが存在するときは質量Ｍ／ｅの１４や１５の成分が
顕著に増加することからもわかる。
１２すなわちＣイオンが殆ど存在しないので、質量Ｍ／
ｅの１４や１５は装置内に残留した空気に基づくＮイオ
ンやＮＨイオンであってＣＨ２イオンやＣＨ，３イオン
ではない。これは実験番号５〜８のように雰囲気中にメ
タンが存在するときは質量Ｍ／ｅの１４や１５の成分が
顕著に増加することからもわかる。
そして実験番号２〜４のように、雰囲気中にヘリウムか
存在するときに著しく増加する質量Ｍ／ｅの１２は基板
にプラズマが接触することにより発生する炭素含有物質
に基づくＣイオンであり、それとともに増加する質量Ｍ
／ｅの１４や１５はそれぞれＣＨ２イオンやＣＨ，イオ
ンであることがわかる。
存在するときに著しく増加する質量Ｍ／ｅの１２は基板
にプラズマが接触することにより発生する炭素含有物質
に基づくＣイオンであり、それとともに増加する質量Ｍ
／ｅの１４や１５はそれぞれＣＨ２イオンやＣＨ，イオ
ンであることがわかる。
更にまたこのような処理による基板の表面の損傷度合を
５（損傷なし）から１までの５段階で、また得られた光
学反射膜の基板への密着力を粘着テープを用いた剥離試
験によって調べて５（優）から１までの５段階でそれぞ
れ評価した結果と、光学反射膜の反射率（％）とを第２
表に合わせて示した。
５（損傷なし）から１までの５段階で、また得られた光
学反射膜の基板への密着力を粘着テープを用いた剥離試
験によって調べて５（優）から１までの５段階でそれぞ
れ評価した結果と、光学反射膜の反射率（％）とを第２
表に合わせて示した。
第 ２ 表
ＰＭ ４ １ ８３
２Ｍ４ ４ ７９
３Ｍ４ ４ ７６
４Ｃ４５８］
５Ｍ４ ４ ７７
６Ｃ５４７７
７Ｍ４ ４ ７７
８Ｍ ４４７５
なお、このようにして得た本発明による光学反射膜の組
成を電子線回折法を利用して調へたところ、アルミニウ
ムに対して炭素含有物質か結合した複合物が生成してい
ることがわかった。
成を電子線回折法を利用して調へたところ、アルミニウ
ムに対して炭素含有物質か結合した複合物が生成してい
ることがわかった。
本発明によれば、従来の方法では密着力が小さくて使用
に耐えない光学反射膜しか得られなかったスパッタリン
グ法によって、基板を傷めることなく密着力の高い光学
反射膜を高能率でＰＭＭＡ基板の表面上に形成すること
ができる。そして、かかる新規な方法によって得た光学
反射膜は炭素含有物質と金属との複合物を含む金属膜で
あり、反射率の低下も少ないので、光学的情報ディスク
に利用するに好適のものである。
に耐えない光学反射膜しか得られなかったスパッタリン
グ法によって、基板を傷めることなく密着力の高い光学
反射膜を高能率でＰＭＭＡ基板の表面上に形成すること
ができる。そして、かかる新規な方法によって得た光学
反射膜は炭素含有物質と金属との複合物を含む金属膜で
あり、反射率の低下も少ないので、光学的情報ディスク
に利用するに好適のものである。
特許出願人 東芝イーエムアイ株式会社同 株
式会社徳田製作所 ）・ 一１只−
式会社徳田製作所 ）・ 一１只−
Claims (9)
- （１）プラスチックス基板上に形成された炭素含有物質
と金属との複合物を含む金属性膜からなる光学反射膜。 - （２）プラスチックスがアクリル樹脂である特許請求の
範囲第１項記載の光学反射膜。 - （３）金属性膜が炭素含有物質と金属との複合物を含む
層と金属層との積層体である特許請求の範囲第１項また
は第２項記載の光学反射膜。 - （４）金属がアルミニウムまたはアルミニウム合金であ
る特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれかに記載の
光学反射膜。 - （５）プラスチックス基板の表面に対して炭素含有物質
を含む不活性ガス雰囲気中でプラズマ処理を行ないなが
ら金属のスパッタリング成膜を実施することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の光学反射膜の形成方法。 - （６）プラスチックスがアクリル樹脂である特許請求の
範囲第５項記載の光学反射膜の形成方法。 - （７）炭素含有物質が炭化水素化合物または炭素酸化物
である特許請求の範囲第５項または第６項記載の光学反
射膜の形成方法。 - （８）不活性ガスがヘリウムを含むアルゴンまたはアル
ゴンである特許請求の範囲第５項乃至第７項のいずれか
に記載の光学反射膜の形成方法。 - （９）金属がアルミニウムまたはアルミニウム合金であ
る特許請求の範囲第５項乃至第８項のいずれかに記載の
光学反射膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2330201A JPH04204502A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 光学反射膜及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2330201A JPH04204502A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 光学反射膜及びその形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04204502A true JPH04204502A (ja) | 1992-07-24 |
| JPH0541961B2 JPH0541961B2 (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18229969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2330201A Granted JPH04204502A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 光学反射膜及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04204502A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107428130A (zh) * | 2015-03-31 | 2017-12-01 | 丰田合成株式会社 | 装饰产品及生产装饰产品的方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5221283A (en) * | 1975-08-13 | 1977-02-17 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Constituting element of works for clock parts etc. |
| JPH01180967A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-18 | Hitachi Cable Ltd | プラスチック表面への金属膜形成方法 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2330201A patent/JPH04204502A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5221283A (en) * | 1975-08-13 | 1977-02-17 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Constituting element of works for clock parts etc. |
| JPH01180967A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-18 | Hitachi Cable Ltd | プラスチック表面への金属膜形成方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107428130A (zh) * | 2015-03-31 | 2017-12-01 | 丰田合成株式会社 | 装饰产品及生产装饰产品的方法 |
| US10259197B2 (en) | 2015-03-31 | 2019-04-16 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Decorative product and method of manufacturing decorative product |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0541961B2 (ja) | 1993-06-25 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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