JPH04204946A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH04204946A JPH04204946A JP2339327A JP33932790A JPH04204946A JP H04204946 A JPH04204946 A JP H04204946A JP 2339327 A JP2339327 A JP 2339327A JP 33932790 A JP33932790 A JP 33932790A JP H04204946 A JPH04204946 A JP H04204946A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- light
- transfer member
- projection
- glass mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は露光装置に関し、特に電子デバイスの製造工程
のフォトプロセスなどで用いられる露光装置に関する。
のフォトプロセスなどで用いられる露光装置に関する。
（従来の技術）
近時、密着ラインセンサ、サーマルヘッド、ＬＣＤなど
の電子デバイスは、益々高密度化・高精密化しているが
、このような高密度化・高精細化した電子デバイスの製
造工程ではフォトプロセスか重要なポイントとなってい
る。
の電子デバイスは、益々高密度化・高精密化しているが
、このような高密度化・高精細化した電子デバイスの製
造工程ではフォトプロセスか重要なポイントとなってい
る。
このフォトプロセスでは、ガラスマスクの投影パターン
を電子デバイスの表面に被着された転写部材に転写する
か、転写する際の光学的方式として種々のものか考えら
れている。
を電子デバイスの表面に被着された転写部材に転写する
か、転写する際の光学的方式として種々のものか考えら
れている。
例えば、ガラスマスクと転写部材とを密着した状態で平
行光線を照射するコンタクト方式、ガラスマスクと転写
部材を離間して配設するプロキシミティ方式、およびガ
ラスマスクと転写部材との間にレンズを配設して投影す
るようにしたプロジェクション方式なとかある。このプ
ロジェクション方式には、ミラーを利用した反射投影方
式やステージを移動させて繰り返し露光を行う縮小投影
方式（スッテプアンドレピート）かある。
行光線を照射するコンタクト方式、ガラスマスクと転写
部材を離間して配設するプロキシミティ方式、およびガ
ラスマスクと転写部材との間にレンズを配設して投影す
るようにしたプロジェクション方式なとかある。このプ
ロジェクション方式には、ミラーを利用した反射投影方
式やステージを移動させて繰り返し露光を行う縮小投影
方式（スッテプアンドレピート）かある。
一方、最近は、電子デバイスのパターンの最小線幅は数
μｍ〜１０μｍ程度であるか、極めて広い領域に露光す
る必要のあるものか急速に増加してきた。
μｍ〜１０μｍ程度であるか、極めて広い領域に露光す
る必要のあるものか急速に増加してきた。
これに対応するために、縮小レンズ（プロジェクション
レンズ）の倍率を１＝１とし、レンズの口径も大きくし
、さらにステッパと組み合わせる方式や非常に大型のミ
ラープロジェクション方式で一括露光するようにしたも
のか考案されている。
レンズ）の倍率を１＝１とし、レンズの口径も大きくし
、さらにステッパと組み合わせる方式や非常に大型のミ
ラープロジェクション方式で一括露光するようにしたも
のか考案されている。
（発明か解決しようとする問題点）
ところか、倍率か１．１のプロジェクションレンズやミ
ラーレンズは、非常に大きくなり、重量か増す。このよ
うなものをしっかり支えるため（ゴは枠組みも当然しっ
かりしたものか必要となり、精密装置数の防振台も必要
で、装置か非常に高価になりかちである。
ラーレンズは、非常に大きくなり、重量か増す。このよ
うなものをしっかり支えるため（ゴは枠組みも当然しっ
かりしたものか必要となり、精密装置数の防振台も必要
で、装置か非常に高価になりかちである。
また、ステッパーと組み合わせる場合は、画面継ぎか発
生し、ＬＣＤ、密着ラインセンサなとのパターンか高精
細化していった場合に問題となる。
生し、ＬＣＤ、密着ラインセンサなとのパターンか高精
細化していった場合に問題となる。
すなわち、従来のＬＳＩなとでは、画面継ぎか端部とな
るめに特に問題にはならないか、ＬＣＤ、密着ラインセ
ンサなとては画面継ぎか中央付近に位置することになり
問題となる。また、スッテパータイプでは、２ショット
以上の露光を行うため一括露光に比へてスループットか
小さくなるという問題かある。
るめに特に問題にはならないか、ＬＣＤ、密着ラインセ
ンサなとては画面継ぎか中央付近に位置することになり
問題となる。また、スッテパータイプでは、２ショット
以上の露光を行うため一括露光に比へてスループットか
小さくなるという問題かある。
なお、プロミキシタイプの露光装置は、ガラスマスクと
転写部材との間に、一定の狭いギャップを設けて一括露
光するもので価格的には非常に安くなるか、転写部材か
大面積化すると、転写部材のソリ、ウネリ、非平行など
のためガラスマスクと転写部材との間隔は３０μｍ程度
までしか狭められず、解像度は７μｍ程度か限界である
と言われている。また量産時は、スループットをあげ、
ギャップ間にゴミ（パーティクル）のかみ込みを防ぐ必
要から、さらにギャップ間隔を広げる必要かあり、解像
度は２０μｍ以上に落ちてしまうのか通常である。
転写部材との間に、一定の狭いギャップを設けて一括露
光するもので価格的には非常に安くなるか、転写部材か
大面積化すると、転写部材のソリ、ウネリ、非平行など
のためガラスマスクと転写部材との間隔は３０μｍ程度
までしか狭められず、解像度は７μｍ程度か限界である
と言われている。また量産時は、スループットをあげ、
ギャップ間にゴミ（パーティクル）のかみ込みを防ぐ必
要から、さらにギャップ間隔を広げる必要かあり、解像
度は２０μｍ以上に落ちてしまうのか通常である。
さらに、コンタクト方式は、ガラスマスクを消耗品と考
えなければならず、生産装置としては問題が多すぎる。
えなければならず、生産装置としては問題が多すぎる。
本発明はこのような従来装置の問題点に鑑みて発明され
たものであり、安価、軽量、且つ大面積化が可能なプロ
ジェクションレンズを備えた露光装置を提供することを
目的とするものである。
たものであり、安価、軽量、且つ大面積化が可能なプロ
ジェクションレンズを備えた露光装置を提供することを
目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明によれば、投影パターンか形成されたガラスマス
クと、このガラスマスクの投影パターンにそって光源の
光が照射される転写部材との間にプロジェクションレン
ズを配設して成る露光装置において、前記プロジェクシ
ョンレンズを倍率か１：１で半径方向に屈折率分布を有
する多数のロッドレンズの集合体で構成したことを特徴
とする露光装置か提供され、そのことにより上記目的か
達成される。
クと、このガラスマスクの投影パターンにそって光源の
光が照射される転写部材との間にプロジェクションレン
ズを配設して成る露光装置において、前記プロジェクシ
ョンレンズを倍率か１：１で半径方向に屈折率分布を有
する多数のロッドレンズの集合体で構成したことを特徴
とする露光装置か提供され、そのことにより上記目的か
達成される。
（作用）
上記のように構成することにより、プロジェクション方
式をそのまま利用しながら、プロジェクションレンズの
重量を軽減させることができ、防振台の簡略化を図って
装置全体を低コスト化することかできる。
式をそのまま利用しながら、プロジェクションレンズの
重量を軽減させることができ、防振台の簡略化を図って
装置全体を低コスト化することかできる。
また、プロキシミティータイプの露光装置のガラスマス
クと転写部材との間に、上述のロッドレンズ集合体を挿
入することによってガラスマスクと転写部材との間のギ
ャップを大きく取ることかでき、ゴミのかみ込みやレジ
ストの付着によるガラスマスクの汚染かなくなる。
クと転写部材との間に、上述のロッドレンズ集合体を挿
入することによってガラスマスクと転写部材との間のギ
ャップを大きく取ることかでき、ゴミのかみ込みやレジ
ストの付着によるガラスマスクの汚染かなくなる。
さらに、焦点深度は±５０μｍ以上にすることができる
ため、基板のソリ、ウネリ、凹凸、傾きなどがあっても
１００μｍ以内なら解像度は落ちないようにすることか
可能である。
ため、基板のソリ、ウネリ、凹凸、傾きなどがあっても
１００μｍ以内なら解像度は落ちないようにすることか
可能である。
（実施例）
以下、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
第１図は、本発明に係る露光装置の一実施例を示す概略
構成図であり、１は光源、２はコンデンサレンズ、３は
ガラスマスク、４はプロジェクションレンズ、５は転写
部材である。
構成図であり、１は光源、２はコンデンサレンズ、３は
ガラスマスク、４はプロジェクションレンズ、５は転写
部材である。
前記光源１としては、例えば波長３５０〜４５０ｎｍの
光が用いられる。
光が用いられる。
前記コンデンサレンズ２は、光源の光を平行光線に変え
るために設けられる。
るために設けられる。
前記ガラスマスク３としては、例えば５ｐｐｍ以下の低
熱膨張係数を持ち、平面の凹凸は２〜５μｍ以下のガラ
ス基板や石英基板が用いられ、しチクルの図面を例えば
ｌ／１０に縮小しながらレピートしたのちに現像して形
成され投影パターン３ａか形成されている。この投影パ
ターン３ａは、例えはエマルジョン超微粒子のりツブマ
ン乳剤で形成したり、低反射クロム膜なとて形成するか
、いずれにしても感光波長に対して著しく遮断性のある
ものでなければならない。
熱膨張係数を持ち、平面の凹凸は２〜５μｍ以下のガラ
ス基板や石英基板が用いられ、しチクルの図面を例えば
ｌ／１０に縮小しながらレピートしたのちに現像して形
成され投影パターン３ａか形成されている。この投影パ
ターン３ａは、例えはエマルジョン超微粒子のりツブマ
ン乳剤で形成したり、低反射クロム膜なとて形成するか
、いずれにしても感光波長に対して著しく遮断性のある
ものでなければならない。
前記プロジェクションレンズ４としては、第２図に示す
ように、半径方向に屈折率分布を有して光か曲げられる
ようにしたロッドレンズ４ａか用いられ、多数のロッド
レンズ４ａ同志を規則正しく精密に配列してレンズ間隙
にフレアーを防止するだめの黒色のシリコーン樹脂４ｂ
などを充填してそれぞれ接着させ、周囲をレンズの熱膨
張係数とほぼ同じ特性を持つガラス布基材エポキシ樹脂
黒色積層板４ｃなどて固定して形成される。ロッドレン
ズ集合体の面積は、転写部材に相応した所望の面積とす
ればよい。各ロッドレンズ体４ａとして、ｇ線（４３６
ｎｍ）付近の光で解像力が５〜３０μｍ程度、焦点深度
か±２０〜５０μｍ程度、且つ明るさムラか±５％程度
のものか好適に用いられる。このようなロッドレンズは
、現在日本板硝子株式会社からＳＬΔ９シリーズとして
販売されている。
ように、半径方向に屈折率分布を有して光か曲げられる
ようにしたロッドレンズ４ａか用いられ、多数のロッド
レンズ４ａ同志を規則正しく精密に配列してレンズ間隙
にフレアーを防止するだめの黒色のシリコーン樹脂４ｂ
などを充填してそれぞれ接着させ、周囲をレンズの熱膨
張係数とほぼ同じ特性を持つガラス布基材エポキシ樹脂
黒色積層板４ｃなどて固定して形成される。ロッドレン
ズ集合体の面積は、転写部材に相応した所望の面積とす
ればよい。各ロッドレンズ体４ａとして、ｇ線（４３６
ｎｍ）付近の光で解像力が５〜３０μｍ程度、焦点深度
か±２０〜５０μｍ程度、且つ明るさムラか±５％程度
のものか好適に用いられる。このようなロッドレンズは
、現在日本板硝子株式会社からＳＬΔ９シリーズとして
販売されている。
前記転写部材５は、例えは密着ライセンサ用の基板、Ｌ
ＣＤ用基板、サーマルヘッド用基板などから随意選択さ
れる。このような電子デバイスの基板は、ガラス、セラ
ミック、バルク半導体なとか用いられ、基板のほぼ全面
に例えばアルミニウムなどの金属薄膜を被着して、この
金属薄膜上に光に反応する解像度か高くかつ容易に除去
できる感光材（レジスト）か塗布しである。このレジス
トとしては、ネガ型として用いる場合はポリイソプレン
を主成分としたものか用いられ、ポジ型として用いる場
合は、キノンジアトとノホラック樹脂を組み合わせたも
のか用いられる。
ＣＤ用基板、サーマルヘッド用基板などから随意選択さ
れる。このような電子デバイスの基板は、ガラス、セラ
ミック、バルク半導体なとか用いられ、基板のほぼ全面
に例えばアルミニウムなどの金属薄膜を被着して、この
金属薄膜上に光に反応する解像度か高くかつ容易に除去
できる感光材（レジスト）か塗布しである。このレジス
トとしては、ネガ型として用いる場合はポリイソプレン
を主成分としたものか用いられ、ポジ型として用いる場
合は、キノンジアトとノホラック樹脂を組み合わせたも
のか用いられる。
本発明に係る露光装置では、光源１から照射された光は
、コンデンサレンズ２て平行光線とされてガラスマスク
３に照射され、ガラスマスク３の投影パターンに応じた
光かプロジェクションレンズ４を通過して転写部材に照
射される。
、コンデンサレンズ２て平行光線とされてガラスマスク
３に照射され、ガラスマスク３の投影パターンに応じた
光かプロジェクションレンズ４を通過して転写部材に照
射される。
（発明の効果）
以上のように、本発明に係る露光装置によれば、プロジ
ェクションレンズを倍率がに１で半径方向に屈折率分布
を有する多数のロッドレンズの集合体で構成したことか
ら、プロジェクション方式のそのまま利用しながら、プ
ロジェクションレンズの重量を軽減させることかでき、
枠組構造材や防振台の簡略化を図って装置全体を低コス
ト化することができる。
ェクションレンズを倍率がに１で半径方向に屈折率分布
を有する多数のロッドレンズの集合体で構成したことか
ら、プロジェクション方式のそのまま利用しながら、プ
ロジェクションレンズの重量を軽減させることかでき、
枠組構造材や防振台の簡略化を図って装置全体を低コス
ト化することができる。
また、プロキシミティータイプの露光装置のガラスマス
クと転写部材との間に、上述のロッドレンズ集合体を挿
入するとことによってガラスマスクと転写部材との間の
ギャップを大きく取ることができ、ゴミのかみ込みやレ
ジストの付着によるガラスマスクの汚染かなくなる。
クと転写部材との間に、上述のロッドレンズ集合体を挿
入するとことによってガラスマスクと転写部材との間の
ギャップを大きく取ることができ、ゴミのかみ込みやレ
ジストの付着によるガラスマスクの汚染かなくなる。
さらに、焦点深度は±５０μｍ以上にすることかできる
ため、基板のソリ、ウネリ、凹凸、傾きなどがあっても
１００μｍ以内なら解像度は落ちない。
ため、基板のソリ、ウネリ、凹凸、傾きなどがあっても
１００μｍ以内なら解像度は落ちない。
もって、密着型イメージセンサ、サーマルへ・ンド、Ｌ
ＣＤなどの大面積な電子デバイス面を一度に精密に露光
させる露光装置として最適である。
ＣＤなどの大面積な電子デバイス面を一度に精密に露光
させる露光装置として最適である。
第１図は本発明に係る露光装置の一実施例を示す概略構
成図、第２図はプロジェクションレンズの拡大図である
。 １、光源 ２、コンデンサレンズ３、ガラス
マスク ４、プロジェクションレンズ ５、転写部材
成図、第２図はプロジェクションレンズの拡大図である
。 １、光源 ２、コンデンサレンズ３、ガラス
マスク ４、プロジェクションレンズ ５、転写部材
Claims (1)
- 投影パターンが形成されたガラスマスクと、このガラス
マスクの投影パターンにそって光源の光が照射される転
写部材との間にプロジェクションレンズを配設して成る
露光装置において、前記プロジェクションレンズを倍率
が１：１で半径方向に屈折率分布を有する多数のロッド
レンズの集合体で構成したことを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2339327A JPH04204946A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2339327A JPH04204946A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04204946A true JPH04204946A (ja) | 1992-07-27 |
Family
ID=18326407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2339327A Pending JPH04204946A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04204946A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001222003A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成方法およびカラーフィルタ |
| US6351305B1 (en) | 1993-06-30 | 2002-02-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method for transferring pattern onto a substrate |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2339327A patent/JPH04204946A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6351305B1 (en) | 1993-06-30 | 2002-02-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method for transferring pattern onto a substrate |
| US6480262B1 (en) | 1993-06-30 | 2002-11-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus for illuminating a mask, method of manufacturing and using same, and field stop used therein |
| US6509954B1 (en) | 1993-06-30 | 2003-01-21 | Nikon Corporation | Aperture stop having central aperture region defined by a circular ARC and peripheral region with decreased width, and exposure apparatus and method |
| US6556278B1 (en) | 1993-06-30 | 2003-04-29 | Nikon Corporation | Exposure/imaging apparatus and method in which imaging characteristics of a projection optical system are adjusted |
| US6795169B2 (en) | 1993-06-30 | 2004-09-21 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
| US7023527B2 (en) | 1993-06-30 | 2006-04-04 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
| US7088425B2 (en) | 1993-06-30 | 2006-08-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
| JP2001222003A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成方法およびカラーフィルタ |
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