JPS6127548A - 非接触式露光装置 - Google Patents
非接触式露光装置Info
- Publication number
- JPS6127548A JPS6127548A JP14810584A JP14810584A JPS6127548A JP S6127548 A JPS6127548 A JP S6127548A JP 14810584 A JP14810584 A JP 14810584A JP 14810584 A JP14810584 A JP 14810584A JP S6127548 A JPS6127548 A JP S6127548A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- master mask
- copying
- substrate
- image
- mask
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非接触式露光装置にかかり、半導体集積回路の
製造工程中に用いられるフォトマスクの露光装置に関す
るものである。
製造工程中に用いられるフォトマスクの露光装置に関す
るものである。
一般に、半導体集積回路の製造における写真蝕刻工程で
使用される選択露光用フォトマスクには、金属クロム、
酸化クロム、酸化鉄、シリコン酸化物等を使用したメタ
ルマスクと、ハロゲン化銀化金物を使用したエマルジ謬
ンマスクとがある。これらのマスクを製造するための一
方法として、１枚のマスターマスクから複数枚のコピー
マ侵りを得る露光方式がおる。この方式に用いられる露
光装置としては、現在マスターマスクとコピー用基板（
透明基板上に前記金属よりなる遮光膜を設け、その上に
フォトレジストを塗布したもの、または透明基板上にハ
ロゲン化銀化合物を塗布したもの）とを主面同志密着さ
せて露光するコンタクト露光装置が一般的である。しか
しこのコンタクト露光装置においては、マスクパターン
端からの光の回り込みによる解像力低下を防ぐことを目
的に、マスターマスクとコピー用基板とを強く密着させ
る必要がわる。この過密着のため、マスターマスクとコ
ピー用基板との引き離しか困難になりたり、引き離し時
二枚の基板間に発生する静電気の放電によりマスターマ
スクを損傷する等の欠点があった。加えて、現在主に用
いられるポジレジスト祉物理的衝撃に弱いという劣性を
有しており、マスターマスクにポジレジストを塗布した
コピー用基板を密着させる時、あるいは露光後引き離す
時に、このレジスト膜に部分的剥離が生じ、結果として
“完成したフォトマスクが不良となる等の欠点も一有し
ている。これらの欠点をカバーする露光方式として、非
接触式のプロジェクシ冒ン露光装置を用いる気運がある
。しかしこの露光装置は、詳しくは後述するが、光学系
が複雑であり、結果として装置が大型、高価格になると
いう致命的欠点を有し、それ故現在まで確固たる地位を
築くに至っていない。
使用される選択露光用フォトマスクには、金属クロム、
酸化クロム、酸化鉄、シリコン酸化物等を使用したメタ
ルマスクと、ハロゲン化銀化金物を使用したエマルジ謬
ンマスクとがある。これらのマスクを製造するための一
方法として、１枚のマスターマスクから複数枚のコピー
マ侵りを得る露光方式がおる。この方式に用いられる露
光装置としては、現在マスターマスクとコピー用基板（
透明基板上に前記金属よりなる遮光膜を設け、その上に
フォトレジストを塗布したもの、または透明基板上にハ
ロゲン化銀化合物を塗布したもの）とを主面同志密着さ
せて露光するコンタクト露光装置が一般的である。しか
しこのコンタクト露光装置においては、マスクパターン
端からの光の回り込みによる解像力低下を防ぐことを目
的に、マスターマスクとコピー用基板とを強く密着させ
る必要がわる。この過密着のため、マスターマスクとコ
ピー用基板との引き離しか困難になりたり、引き離し時
二枚の基板間に発生する静電気の放電によりマスターマ
スクを損傷する等の欠点があった。加えて、現在主に用
いられるポジレジスト祉物理的衝撃に弱いという劣性を
有しており、マスターマスクにポジレジストを塗布した
コピー用基板を密着させる時、あるいは露光後引き離す
時に、このレジスト膜に部分的剥離が生じ、結果として
“完成したフォトマスクが不良となる等の欠点も一有し
ている。これらの欠点をカバーする露光方式として、非
接触式のプロジェクシ冒ン露光装置を用いる気運がある
。しかしこの露光装置は、詳しくは後述するが、光学系
が複雑であり、結果として装置が大型、高価格になると
いう致命的欠点を有し、それ故現在まで確固たる地位を
築くに至っていない。
本発明は、前述した装置の不都合点に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、コンパクトかつ低
コストという利点を有し、しかも前述したコンタクト露
光装置の欠点を解決した露光装置を提供することにある
。
のであり、その目的とするところは、コンパクトかつ低
コストという利点を有し、しかも前述したコンタクト露
光装置の欠点を解決した露光装置を提供することにある
。
すなわち本発明は、その光学系内に１対１結像特性を持
つファイバーレンズ系を有し、マスターマスクパターン
を密着させることなおレジスト層を有するコピー用基板
上に露光結像することを特徴とする非接触式露光装置に
関するものである。
つファイバーレンズ系を有し、マスターマスクパターン
を密着させることなおレジスト層を有するコピー用基板
上に露光結像することを特徴とする非接触式露光装置に
関するものである。
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は、コンタクト露光装置の欠点をカバーすること
を目的とした従来のプロジェク’／ｗｘン露光装置の光
学系である。
を目的とした従来のプロジェク’／ｗｘン露光装置の光
学系である。
図において、水銀ランプ１より発した光は、球面鏡２に
て集光され、球面鏡３、反射ミラー４、スリット５、反
射ミラー６、球面！ｉｆ！７、反射ミラー８、シャッタ
ー９、反射ミラー１０、球面鏡１１等よりなる第１の光
学系を介し、マスターマスク１２を照射する。続いてこ
のマスターマスク像を台形ミラー１３、凹面＠１４、凸
面鏡１５等よりなる第２の光学系を用いて、コピー用基
板１６上に投影、露光する。図より明らかな様に、この
装置は複雑な光学系及び光路を有することＫな抄、光の
エネルギー損失も大きい。結果として大型の筐体が必要
となり、高価格となる。
て集光され、球面鏡３、反射ミラー４、スリット５、反
射ミラー６、球面！ｉｆ！７、反射ミラー８、シャッタ
ー９、反射ミラー１０、球面鏡１１等よりなる第１の光
学系を介し、マスターマスク１２を照射する。続いてこ
のマスターマスク像を台形ミラー１３、凹面＠１４、凸
面鏡１５等よりなる第２の光学系を用いて、コピー用基
板１６上に投影、露光する。図より明らかな様に、この
装置は複雑な光学系及び光路を有することＫな抄、光の
エネルギー損失も大きい。結果として大型の筐体が必要
となり、高価格となる。
第２図は、本発明による非接触式露光装置の一実施例で
おる。図において、水銀ランプ２１より発せられた元は
凹面ｆ！ＩＭ２２によりシャッター２３を介して拡散板
２４上に集光される。ここで均一にされた光はコリメー
ク１ンレンズ２５により集光され、平行光束となる。こ
の平行光束によりマスターマスク２６を照明し、このマ
スターマスク像を１対１の結像特性を有する７アイノ（
−レンズ光学系であるファイバーレンズアレイ２７を介
して、コピー用基板２８上に結像する。コピー用基板上
に得られるパターン像は、マスターマスクツくターンと
同寸法を有する正立像となる。
おる。図において、水銀ランプ２１より発せられた元は
凹面ｆ！ＩＭ２２によりシャッター２３を介して拡散板
２４上に集光される。ここで均一にされた光はコリメー
ク１ンレンズ２５により集光され、平行光束となる。こ
の平行光束によりマスターマスク２６を照明し、このマ
スターマスク像を１対１の結像特性を有する７アイノ（
−レンズ光学系であるファイバーレンズアレイ２７を介
して、コピー用基板２８上に結像する。コピー用基板上
に得られるパターン像は、マスターマスクツくターンと
同寸法を有する正立像となる。
図に示した様に光学系は非常に単純でちゃ、光路も短い
ため光のエネルギー損失も小さい。
ため光のエネルギー損失も小さい。
以上述べたように１本発明による非接触式露光装置ハ、
ファバーレンズによる結像方式を用イルため、従来のコ
ンタクト露光装置で問題となっている過密着等に原因す
るマスターマスク破損、コピー用基板上のレジスト剥離
等の欠点を解決し、加えてプロジェクシ冒ン露光装置の
大型、高価格という欠点をもカバーし、結果としてマス
ターマスクの長寿命化、製作されるコピーマスクの大巾
な品質向上に貢献できるという点で画期的である。
ファバーレンズによる結像方式を用イルため、従来のコ
ンタクト露光装置で問題となっている過密着等に原因す
るマスターマスク破損、コピー用基板上のレジスト剥離
等の欠点を解決し、加えてプロジェクシ冒ン露光装置の
大型、高価格という欠点をもカバーし、結果としてマス
ターマスクの長寿命化、製作されるコピーマスクの大巾
な品質向上に貢献できるという点で画期的である。
第１図は、従来の典屋的なプロジエクシ叢ン露光装置の
光学系の概略図である。第２図は、本発明の一実施例で
ある露光装置の光学系を示す概略図である。 図において、 １・・・・・・水銀ランプ、２・・・・・・球面鏡、３
・・・・・・球面鏡、４・・・・・・反射ミラー、５・
・・・・・スリット、６・・・・・・反射ミラー、７・
・・・・・球面鏡、８・・・・・・反射ミラー、９・・
・・・・シャッター、１０・・・・・・反射ミラー、１
１・・・・・・球面鏡、１２・・・・・・マスターマス
ク、１３・・・・・・台形ミラー、１４・・・・・・凹
面鏡、１５・・・・・・凸面鏡、１６・・・・・・コピ
ー用基板、２１・・・・・・水銀ランプ、２２°°“・
・・凹面鏡、２３・・・・・・シャッター、２４・・・
・・・ｍ散板、２ｓ・−・・・コリメーションレンズ、
２６・・・・・・育スターマス／、２７・・・・・・フ
ァイバーレンズアレイ、２８・−・・・コピー用基板。 第１図 −：’１７１−
光学系の概略図である。第２図は、本発明の一実施例で
ある露光装置の光学系を示す概略図である。 図において、 １・・・・・・水銀ランプ、２・・・・・・球面鏡、３
・・・・・・球面鏡、４・・・・・・反射ミラー、５・
・・・・・スリット、６・・・・・・反射ミラー、７・
・・・・・球面鏡、８・・・・・・反射ミラー、９・・
・・・・シャッター、１０・・・・・・反射ミラー、１
１・・・・・・球面鏡、１２・・・・・・マスターマス
ク、１３・・・・・・台形ミラー、１４・・・・・・凹
面鏡、１５・・・・・・凸面鏡、１６・・・・・・コピ
ー用基板、２１・・・・・・水銀ランプ、２２°°“・
・・凹面鏡、２３・・・・・・シャッター、２４・・・
・・・ｍ散板、２ｓ・−・・・コリメーションレンズ、
２６・・・・・・育スターマス／、２７・・・・・・フ
ァイバーレンズアレイ、２８・−・・・コピー用基板。 第１図 −：’１７１−
Claims (1)
- その光学系内に１対１結像特性を持つファイバーレン
ズ系を有し、マスターマスクパターンを密着させること
なくレジスト層を有するコピー用基板上に露光結像する
ことを特徴とする非接触式露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14810584A JPS6127548A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 非接触式露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14810584A JPS6127548A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 非接触式露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6127548A true JPS6127548A (ja) | 1986-02-07 |
Family
ID=15445353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14810584A Pending JPS6127548A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 非接触式露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6127548A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04271355A (ja) * | 1991-02-27 | 1992-09-28 | Ii & S:Kk | フィーチャアライナ |
| JPH05870U (ja) * | 1991-06-25 | 1993-01-08 | 皓耀 施 | 錠装置 |
| EP0670052A4 (en) * | 1992-11-17 | 1995-10-25 | Brook John | LENS ARRANGEMENT FOR PHOTOLITOGRAPHY. |
-
1984
- 1984-07-17 JP JP14810584A patent/JPS6127548A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04271355A (ja) * | 1991-02-27 | 1992-09-28 | Ii & S:Kk | フィーチャアライナ |
| JPH05870U (ja) * | 1991-06-25 | 1993-01-08 | 皓耀 施 | 錠装置 |
| EP0670052A4 (en) * | 1992-11-17 | 1995-10-25 | Brook John | LENS ARRANGEMENT FOR PHOTOLITOGRAPHY. |
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