JPH04206841A - 半導体装置用ワイヤボンダ装置 - Google Patents

半導体装置用ワイヤボンダ装置

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JPH04206841A
JPH04206841A JP2337480A JP33748090A JPH04206841A JP H04206841 A JPH04206841 A JP H04206841A JP 2337480 A JP2337480 A JP 2337480A JP 33748090 A JP33748090 A JP 33748090A JP H04206841 A JPH04206841 A JP H04206841A
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JP
Japan
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wire
bonding
metal thin
wire bonding
capillary chip
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Pending
Application number
JP2337480A
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English (en)
Inventor
Jiro Osedo
大施戸 治郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/01Manufacture or treatment
    • H10W70/05Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体素子をワイヤポンドする装置及び、
左記方式にてワイヤボンドされた半導体装置に関するも
のである。
〔従来の技術〕
第3図(a)〜(g)は、従来のワイヤポンド装置で、
半導体素子とリードフレームをワイヤボンドする状態の
工程側面図である。
図において(1)は半導体素子、(2)は半導体素子上
の電極、(3)はキャピラリーチップ、(4)はワイヤ
クランパー、(5)は金属細線、(6)は金属細線先端
に形成されたボール部、(7)はリードフレーム、(8
)は金属細線にボール形成させるための電気l・−チで
ある。
次に動作について説明する。第3図はワイヤポンド装置
の1ワイヤ分の動作工程を示すもので、第3図(a)〜
第3図(g)で1ワイヤ分の動作か終了する。
すなわち、第3図(alに示すように、半導体素子(1
)に配置された電極(2)上に、キャピラリーチップ(
3)が移動する。その中で金属細線(5)はその先端に
ボール(6)か形成されている。
次に、第3図(b)に示すようにキャピラリーチップ(
3)が下降しボール(6)を電極(2)にボンディング
する(1stボンド) 次に、第3図(C)、(cl)に示すように、半導体素
子(1)]二にボンディングを終了したキャピラリーチ
ップ(3)はリードフレーム(7)上へ移動し、金属細
線(5)を接合させる。(2ndボンl” ) 次に、第3図(e)、げ)に示すように、リードフレ−
八(7)にボンディングを終了したキャピラリーチップ
(3)は下降する、この時ある高さからワイヤクランパ
(4)か金属細線(5)をはさんだ状態でさらに」−昇
するため、リードフレーム(7)上のホンディング部よ
り金属細線(5)が切断される。
次に、第3図((至)に示すように、キャピラリーチッ
プ(3)先端より出た金属細線(5)の近くに電気1・
−チ(8)か接近し、電気スパークを起すことで、金属
細線(5)先端にボール(6)を形成させる。
〔発明か解決しようとする課題〕
従来のワイヤボンド装置は以」二のように構成されてい
るので、1ワイヤ毎に金属細線にボールを作らねばなら
ず、このため、ボールボンドする電極の大きさは少く共
ボールか形成された時の直径か必要な上、ボールを形成
する場合金属細線材質か金であれば大気中で可能である
が他の金属の場合は還元性雰囲気で酸化を防ぐだめの機
構か必要であるという問題点かあった。
この発明は上記のような問題を解消するためになされた
もので、ボールを形成する必要かなく、さらにX−Y全
方向に対してワイヤボン1−時の動作に制約かないワイ
ヤボンド装置を得ることを目的とする。
〔課題を解決するためる手段〕
この発明に係るワイヤボンド装置は、ワイヤポンド終了
した時点てキャピラリーから出た金属細線か横側に折れ
曲げるようにしたので、そのままの状態で1stのワイ
ヤポンドかできるようにしたものである。
〔作用〕
この発明におけるワイヤボンド装置は2ndポンドした
後のキャピラリーチップ及びワイヤクランパの動作方法
により、金属細線切断後の状態かキャピラリーチップに
対して横向きに折れる様に形成される。
〔実施例〕
以下この発明の一実施例を図について説明する。
第1図において、(1)は半導体素子、(2)は半導体
素子上の電極、(3)はキャピラリーチップ、(4)は
ワイヤクランパ、(5)は金属細線、(7)はリードフ
レームである。
次に動作について説明する。第1図はこの本発明のワイ
ヤボンド装置によるIワイヤ分の動作工程を示すもので
、第1図(a、j〜第1図(f+で1ワイヤ分の動作が
終了する。
すなわち、第1図(a)に示すように、半導体素子(1
)に配置された電極(2)に、キャピラリーチップ(3
)が移動するその中で金属細線(5)は、その先端か折
り曲げられている。
次に、第1図Tblに示すように、キャピラリーチップ
(3)が下降し、折り曲げられた金属細線(5)を電極
(2)にホンディングする。(1,3tボンド)次に、
第1回(C)、(dlに示すように、半導体素子(1)
上にボンディングを終了したキャピラリーチップ(3)
はリードフレーム(7)上に移動し、金属細線(5)を
接合する。(2ndボンl”) 次に、第1図(e)に示すように、2ndボンド終了後
、キャピラリーチップ(3)は少くとも金属細線(5)
の線径以上(1)上昇した状態で、ボンディングして来
た方向とは逆方向に移動する。
次に、第1図げ)に示すように、ワイヤクランパ(4)
か金属細線(5)をつかみ、上を持ち上げる事により、
2ndボンドされた位置より金属細線(5)が切断され
、ワイヤポンドが完了する。
上記実施例では、キャピラリーチップ(3)か2ndボ
ンド後に移動した後、ワイヤクランパ(4)が閉じて、
上昇する様に示したが、2ndボンド後キヤピラリーチ
ツプ(3)が移動中にワイヤクランパ(4)か閉じて金
属細線(5)を切断しても良い。
また、第2図に示す様に、金属細線(3)切断後、金属
細線折り曲げバー(9)を設置することで、キャピラリ
ーチップ(3)又は、折り曲げバー(9)を移動させて
、金属細線を折り曲げても良い。
さらに半導体素子とリードフレームとのボンディング順
はどぢらか先でも良い。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、ワイヤボンド装置にボ
ールを作る機構か不要な」二、ワイヤポンドのルーピン
グもX−Yの移動も任意の方向へ移動が可能である。又
、ボールを作る必要がないため、銅やアルミ等の安価な
材料でワイヤボンドか可能となる。
さらに、ボールを生成しない状態でワイヤポンドするた
め半導体素子上の電極の大きさを小さくすることかてき
る等の効果かある。
【図面の簡単な説明】
第1図(al〜げ)は発明の一実施例によるワイヤボン
ド装置の工程図。 第2図(a)、(b)はこの発明の他の実施例によるワ
イヤボンド装置の部分工程図 第3図(a)〜(g)は従来のワイヤボンド装置の工程
図である。 図において、(1)は半導体素子、(2)は電極、(3
)はギヤピラリ−デツプ、(4)はワイヤクランパ、(
5)は金属細線、(7)はり−トフレーム、(9)は折
り曲げバーである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代  理  人   大  岩  増  雄第1−図 第2図 4こ導体素子 癲 ヤヤビラリヂップ 2イヤクランバー ナ属細線 第3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  ワイヤボンダ装置において、ウェッジワイヤボンドを
    する際、ボンディング方向のX−Y軸に対して、全方向
    にワイヤボンド可能なワイヤボンダ及び上記ワイヤボン
    ドを実施できるようにした半導体装置用ワイヤボンダ装
    置。
JP2337480A 1990-11-30 1990-11-30 半導体装置用ワイヤボンダ装置 Pending JPH04206841A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100309129B1 (ko) * 1995-12-01 2001-12-17 박종섭 와이어본딩장치및그를이용한본딩방법
US6564989B2 (en) 2000-08-22 2003-05-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Wire bonding method and wire bonding apparatus
US7918378B1 (en) * 2010-08-06 2011-04-05 National Semiconductor Corporation Wire bonding deflector for a wire bonder
US20140138426A1 (en) * 2011-05-17 2014-05-22 Shinkawa Ltd. Wire bonding apparatus and bonding method

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