JPH04207059A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04207059A JPH04207059A JP2340503A JP34050390A JPH04207059A JP H04207059 A JPH04207059 A JP H04207059A JP 2340503 A JP2340503 A JP 2340503A JP 34050390 A JP34050390 A JP 34050390A JP H04207059 A JPH04207059 A JP H04207059A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- lid
- heat
- package body
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
- H10W72/07554—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting changes in dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は放熱性に優れる半導体装置に関する。
（従来の技術）
近年半導体チップは益々高集積化し、発熱量も多いこと
から、これを搭載する半導体パッケージは放熱性に優れ
るものが要求される。
から、これを搭載する半導体パッケージは放熱性に優れ
るものが要求される。
このため従来のセラミック製の半導体パッケージは第２
図に示すようにヒートシンク１０上に半導体チップ１２
を搭載し、この半導体チップ１２と内部配線パターン間
をワイヤ１４で電気的に接続したのち、金属製、あるい
はセラミック製のリッド１６により気密に封止するよう
にしていた。
図に示すようにヒートシンク１０上に半導体チップ１２
を搭載し、この半導体チップ１２と内部配線パターン間
をワイヤ１４で電気的に接続したのち、金属製、あるい
はセラミック製のリッド１６により気密に封止するよう
にしていた。
（発明が解決しようとする課題）
上記の半導体装置によればヒートシンク１０を通じて半
導体チップ１２の下面側から放熱が図れる。
導体チップ１２の下面側から放熱が図れる。
しかしながら、前記したように半導体チンプ１２は高集
積化の一途を辿り、半導体チップ１２によっては上記の
ようにチップ下面側に放熱するだけでは放熱性が不充分
となる問題が生じるに至っている。特に半導体チップは
ジャンクションパターンがある上面での発熱量が大きい
が、前記のようにパッケージ内部はリッド１６により気
密に封じられているのみで内部には伝熱性に劣る空気層
が存在することから、リッド１６やパッケージ側壁を通
じての外部への放熱性には極めて不充分であった。
積化の一途を辿り、半導体チップ１２によっては上記の
ようにチップ下面側に放熱するだけでは放熱性が不充分
となる問題が生じるに至っている。特に半導体チップは
ジャンクションパターンがある上面での発熱量が大きい
が、前記のようにパッケージ内部はリッド１６により気
密に封じられているのみで内部には伝熱性に劣る空気層
が存在することから、リッド１６やパッケージ側壁を通
じての外部への放熱性には極めて不充分であった。
そこで本発明は上記問題点を解消すべくなされたもので
、その目的とするところは、集積度が高く、かつ発熱量
の大きな半導体チップを搭載したものにあって、その放
熱性にも優れる半導体装置を提供するにある。
、その目的とするところは、集積度が高く、かつ発熱量
の大きな半導体チップを搭載したものにあって、その放
熱性にも優れる半導体装置を提供するにある。
（課題を解決するための手段）
上記目的による本発明では、パッケージ本体に半導体チ
ップが収容され、リッドにより気密に封止されると共に
、半導体チップと外部接続用リードとが電気的に接続さ
れた半導体装置において、前記リッドは半導体チップの
熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する素材からなり、内
面に半導体チップ上面に近接するよう突出する突出部が
形成されると共に該突出部下面において絶縁性樹脂を介
して半導体チップの上面に接合されており、前記半導体
チップと電気的に接続される外部接続用リードは、イン
ナーリードが半導体チップに接続され、アウターリード
がパッケージ本体外部に導出されたＴＡＢテープよりな
り、該ＴＡＢテープはその中途部において、対向する前
記リッド端縁とパッケージ本体端縁間を封止する絶縁性
樹脂中に封止されていることを特徴としている。
ップが収容され、リッドにより気密に封止されると共に
、半導体チップと外部接続用リードとが電気的に接続さ
れた半導体装置において、前記リッドは半導体チップの
熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する素材からなり、内
面に半導体チップ上面に近接するよう突出する突出部が
形成されると共に該突出部下面において絶縁性樹脂を介
して半導体チップの上面に接合されており、前記半導体
チップと電気的に接続される外部接続用リードは、イン
ナーリードが半導体チップに接続され、アウターリード
がパッケージ本体外部に導出されたＴＡＢテープよりな
り、該ＴＡＢテープはその中途部において、対向する前
記リッド端縁とパッケージ本体端縁間を封止する絶縁性
樹脂中に封止されていることを特徴としている。
上記半導体装置においてパッケージ本体とリッドとで囲
まれる全空間内に絶縁性樹脂が充填されているのが好ま
しい。
まれる全空間内に絶縁性樹脂が充填されているのが好ま
しい。
またパッケージ本体はセラミック製にするとコスト的に
有利である。
有利である。
（作用）
ジャンクションパターンが存在して発熱量の大きい半導
体チップ上面側の熱を絶縁性樹脂を介してリッドに伝達
させ、リッドから直接外部に放熱できるので、放熱性に
極めて優れる。またリッドは熱膨張係数が半導体チップ
に近いものを使用しているので、半導体チップへの熱的
ストレスを軽減できる。
体チップ上面側の熱を絶縁性樹脂を介してリッドに伝達
させ、リッドから直接外部に放熱できるので、放熱性に
極めて優れる。またリッドは熱膨張係数が半導体チップ
に近いものを使用しているので、半導体チップへの熱的
ストレスを軽減できる。
（実施例）
以下本発明の好適な実施例と添付図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
第１図は半導体装置２０の断面図を示す。
図において２２はセラミック製のパッケージ本体であり
、半導体チップ２４収納用の凹部２６を有する。半導体
チップ２４は該凹部２６内に絶縁性樹脂２８により接着
されて収容されている。
、半導体チップ２４収納用の凹部２６を有する。半導体
チップ２４は該凹部２６内に絶縁性樹脂２８により接着
されて収容されている。
３０はＴ Ａ Ｂ （Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープ（外部接続用リード）であり、
インナート３２がバンブ３６によって半導体チップ２４
に接続され、アウターリード３４がパッケージ本体２２
外部に導出されている。
Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープ（外部接続用リード）であり、
インナート３２がバンブ３６によって半導体チップ２４
に接続され、アウターリード３４がパッケージ本体２２
外部に導出されている。
３８はリッドであり、放熱性に優れ、かつ半導体チップ
２４の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する素材、例え
ばＭｏ材、Ｗ材、ＡｆＮ材、ＳｉＣ材、Ｃｕ−Ｗ材など
から成る。
２４の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する素材、例え
ばＭｏ材、Ｗ材、ＡｆＮ材、ＳｉＣ材、Ｃｕ−Ｗ材など
から成る。
半導体チップ２４上面に対向するリッド３８の内面には
下面が半導体チップ２４上面に近接するよう突出する突
出部４０が形成されている。リッド３８はその突出部４
０下面において絶縁性樹脂２８により半導体チップ２４
上面に接合されると共に、その下面周縁部も絶縁性樹脂
２８によりパッケージ本体２２の周縁上面に封止される
。また上記のＴＡＢテープ３０もその中途部が絶縁性樹
脂２８中に封止・固定されている。
下面が半導体チップ２４上面に近接するよう突出する突
出部４０が形成されている。リッド３８はその突出部４
０下面において絶縁性樹脂２８により半導体チップ２４
上面に接合されると共に、その下面周縁部も絶縁性樹脂
２８によりパッケージ本体２２の周縁上面に封止される
。また上記のＴＡＢテープ３０もその中途部が絶縁性樹
脂２８中に封止・固定されている。
４２はリッド３８上面に固定された放熱フィンである。
絶縁性樹脂２８は耐熱性に優れるポリイミド樹脂が好適
である。また絶縁性樹脂２８はパッケージ本体２２とリ
ッド３８との間の空隙を全て満たすように充填されるの
がよい。
である。また絶縁性樹脂２８はパッケージ本体２２とリ
ッド３８との間の空隙を全て満たすように充填されるの
がよい。
パッケージ本体２２は、Ａ！、Ｃｕ、ＡｌＮなど放熱性
に優れる素材のもので形成するのが有効であり、さらに
リッド３８に用いたのと同様に、熱膨張係数が半導体チ
ップ２４に近い素材のものを用いれば半導体チップ２４
への熱的ストレスが軽減できて好適である。
に優れる素材のもので形成するのが有効であり、さらに
リッド３８に用いたのと同様に、熱膨張係数が半導体チ
ップ２４に近い素材のものを用いれば半導体チップ２４
への熱的ストレスが軽減できて好適である。
上記の半導体装置２０の製造法には特に限定されないが
、例えば半導体チップ２４にＴＡＢテープ３０を通常工
程によりボンディングし、しかる後半導体チップ２４と
ＴＡＢテープ３０を両側から挟んで絶縁性樹脂２８によ
りパッケージ本体２２とリッド３８とを接着するように
するのがよい。
、例えば半導体チップ２４にＴＡＢテープ３０を通常工
程によりボンディングし、しかる後半導体チップ２４と
ＴＡＢテープ３０を両側から挟んで絶縁性樹脂２８によ
りパッケージ本体２２とリッド３８とを接着するように
するのがよい。
上記のように形成されているので、半導体チップ２４下
面側から絶縁性樹脂２８パツケージ本体２２を通じて放
熱させることができるだけでなく、ジャンクションパタ
ーンがあり発熱量の大きい半導体チップ２４上面から絶
縁性樹脂２８を介してリッド３８から直接放熱させるこ
とができるので、放熱性に極めて優れる。
面側から絶縁性樹脂２８パツケージ本体２２を通じて放
熱させることができるだけでなく、ジャンクションパタ
ーンがあり発熱量の大きい半導体チップ２４上面から絶
縁性樹脂２８を介してリッド３８から直接放熱させるこ
とができるので、放熱性に極めて優れる。
また外部接続用リードにＴＡＢテープ３０を用いるよう
にしているので、高集積度の半導体チップ２４に対処で
き、その際の高発熱量に対応できるのであり、またパッ
ケージ本体２２も内部配線パターンを必要としないので
構造が簡易で、薄形で安価な半導体装置を提供しうる。
にしているので、高集積度の半導体チップ２４に対処で
き、その際の高発熱量に対応できるのであり、またパッ
ケージ本体２２も内部配線パターンを必要としないので
構造が簡易で、薄形で安価な半導体装置を提供しうる。
なお、半導体チップ２４はその発熱量の大きい上面側が
リッド３８の突出部４０に接合されていればよく、半導
体チップ２４下面側は必ずしもパッケージ本体２２に接
合されていなくてもよく、パッケージ本体２２内底面と
の間に空隙が存在していてもよい。この場合にも発熱量
の大きな半導体チップ２４上面側からの放熱が図れるの
で特に支障はない。
リッド３８の突出部４０に接合されていればよく、半導
体チップ２４下面側は必ずしもパッケージ本体２２に接
合されていなくてもよく、パッケージ本体２２内底面と
の間に空隙が存在していてもよい。この場合にも発熱量
の大きな半導体チップ２４上面側からの放熱が図れるの
で特に支障はない。
以上、本発明の好適な実施例について種々述べて来たが
、本発明は上述の実施例に限定されるのではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲で多くの改変を施し得るのはも
ちろんである。
、本発明は上述の実施例に限定されるのではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲で多くの改変を施し得るのはも
ちろんである。
（発明の効果）
以上のように本発明に係る半導体装置によれば、ジャン
クションパターンが存在して発熱量の大きい半導体チッ
プ上面側の熱を絶縁性樹脂を介してリッドに伝達させ、
リッドから直接外部に放熱できるので、放熱性に極めて
優れる。またリッドは熱膨張係数が半導体チップに近い
ものを使用しているので、半導体チップへの熱的ストレ
スを軽減できる。さらに、外部接続用リードにＴＡＢテ
ープを用いることから、集積度の高い半導体チップに対
処できると共に、パッケージ本体も内部配線パターンを
必要としないので構造が簡易で薄形となり、安価な半導
体装置を提供しうる。
クションパターンが存在して発熱量の大きい半導体チッ
プ上面側の熱を絶縁性樹脂を介してリッドに伝達させ、
リッドから直接外部に放熱できるので、放熱性に極めて
優れる。またリッドは熱膨張係数が半導体チップに近い
ものを使用しているので、半導体チップへの熱的ストレ
スを軽減できる。さらに、外部接続用リードにＴＡＢテ
ープを用いることから、集積度の高い半導体チップに対
処できると共に、パッケージ本体も内部配線パターンを
必要としないので構造が簡易で薄形となり、安価な半導
体装置を提供しうる。
第１図は半導体装置の一例を示す断面図、第２図は従来
のセラミック半導体装置の断面図を示す。 ２２・・・パッケージ本体、 ２４・・・半導体チップ
、 ２８・・・絶縁性樹脂、 ３０・・・ＴＡＢテープ、 ３８・・・リッド。 第 １ 図 第２図
のセラミック半導体装置の断面図を示す。 ２２・・・パッケージ本体、 ２４・・・半導体チップ
、 ２８・・・絶縁性樹脂、 ３０・・・ＴＡＢテープ、 ３８・・・リッド。 第 １ 図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、パッケージ本体に半導体チップが収容され、リッド
により気密に封止されると共に、半導体チップと外部接
続用リードとが電気的に接続された半導体装置において
、 前記リッドは半導体チップの熱膨張係数に 近い熱膨張係数を有する素材からなり、内面に半導体チ
ップ上面に近接するよう突出する突出部が形成されると
共に該突出部下面において絶縁性樹脂を介して半導体チ
ップの上面に接合されており、前記半導体チップと電気
的に接続される外部接続用リードは、インナーリードが
半導体チップに接続され、アウターリードがパッケージ
本体外部に導出されたＴＡＢテープよりなり、該ＴＡＢ
テープはその中途部において、対向する前記リッド端縁
とパッケージ本体端縁間を封止する絶縁性樹脂中に封止
されていることを特徴とする半導体装置。 ２、パッケージ本体とリッドとで囲われる全空間内に絶
縁性樹脂が充填されていることを特徴とする請求項１記
載の半導体装置。 ３、パッケージ本体がセラミック製であることを特徴と
する請求項１または２記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2340503A JPH04207059A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2340503A JPH04207059A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04207059A true JPH04207059A (ja) | 1992-07-29 |
Family
ID=18337594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2340503A Pending JPH04207059A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04207059A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2725833A1 (fr) * | 1994-07-20 | 1996-04-19 | Nec Corp | Structure d'etancheite pour un emballage porteur de bande et son procede de fabrication |
| JP2006186057A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2012227532A (ja) * | 2009-06-30 | 2012-11-15 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2340503A patent/JPH04207059A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2725833A1 (fr) * | 1994-07-20 | 1996-04-19 | Nec Corp | Structure d'etancheite pour un emballage porteur de bande et son procede de fabrication |
| JP2006186057A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2012227532A (ja) * | 2009-06-30 | 2012-11-15 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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