JPH04207513A - Production of surface acoustic wave element - Google Patents
Production of surface acoustic wave elementInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、弾性表面波素子の製造方法に関する。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to a method of manufacturing a surface acoustic wave device.
[従来の技術]
従来の弾性表面波フィルタの構造を第4図に示す。図に
おいて、参照符号10は弾性表面波フィルタを示し、2
は人力電極、3は出力電極、5は圧電基板、7は基板端
面を示す。[Prior Art] The structure of a conventional surface acoustic wave filter is shown in FIG. In the figure, reference numeral 10 indicates a surface acoustic wave filter, and 2
3 is a manual electrode, 3 is an output electrode, 5 is a piezoelectric substrate, and 7 is an end surface of the substrate.
いま、入力電極2に電気信号を入力すると、圧電基板5
に励振波が発生し、この励振波が出力電極3に到達して
、出力電極3で再び電気信号に変換される。Now, when an electric signal is input to the input electrode 2, the piezoelectric substrate 5
An excitation wave is generated, this excitation wave reaches the output electrode 3, and is converted into an electric signal again at the output electrode 3.
この出力電極3に到達する励振波が所望の周波数特性を
持つように入力電極2および出力電極3が設計されてい
る。The input electrode 2 and the output electrode 3 are designed so that the excitation wave reaching the output electrode 3 has desired frequency characteristics.
この場合、所望の周波数特性を得るためには、所望の弾
性表面波S1以外の不要波の応答を抑圧する必要があり
、この不要波とは、基板端面7で反射して出力電極3に
到達する弾性表面波S2、人力電極2から圧電基板5の
内部に放射され、圧電基板5の裏面で反射して出力電極
3に到達するバルク波B1、および圧電基板5の厚さに
依存した共振周波数を持つ厚みすべり波共振による共振
波等がある。In this case, in order to obtain the desired frequency characteristics, it is necessary to suppress the response of unnecessary waves other than the desired surface acoustic wave S1, and these unnecessary waves are those that are reflected from the substrate end face 7 and reach the output electrode 3. surface acoustic wave S2, which is radiated from the human-powered electrode 2 into the piezoelectric substrate 5, is reflected on the back surface of the piezoelectric substrate 5, and reaches the output electrode 3; and a resonant frequency that depends on the thickness of the piezoelectric substrate 5. There are resonant waves caused by thickness-shear wave resonance, etc.
これらの不要波は第5図に示すように周波数特性を劣化
させる。すなわち、基板端面7で反射して出力電極3に
到達する弾性表面波S2により、通過帯域特性上にリプ
ルが発生しく第5図、a部)、圧電基板5の内部を伝搬
し出力電極3に到達するバルク波Blにより、高域側の
阻止域サイドローブレベルが大きくなる(第5図、b部
)。These unnecessary waves deteriorate the frequency characteristics as shown in FIG. That is, the surface acoustic wave S2 that is reflected from the substrate end face 7 and reaches the output electrode 3 causes ripples on the passband characteristics (FIG. 5, part a), propagates inside the piezoelectric substrate 5 and reaches the output electrode 3. Due to the arriving bulk wave Bl, the high-frequency side stopband sidelobe level increases (FIG. 5, part b).
さらに、厚みすべり波共振によって、低域側の阻止域サ
イドローブが周期的に大きくなるが、加えて、厚みすべ
り波共振の高次モードの共振周波数がフィルタの通過帯
域内に入る場合、この通過帯域にリプルが発生し、特性
を劣化させる(第5図、0部)。Furthermore, due to thickness-shear wave resonance, the low-frequency side stopband sidelobes become periodically large. Ripples occur in the band, deteriorating the characteristics (Fig. 5, part 0).
これらの中でも、通過帯域特性と通過帯域近傍の阻止域
特性はフィルタの性能を決定する重要な特性であり、こ
の特性を劣化させる不要波は充分に抑圧する必要がある
。Among these, the passband characteristics and the stopband characteristics near the passband are important characteristics that determine the performance of the filter, and it is necessary to sufficiently suppress unnecessary waves that degrade these characteristics.
以上述べた不要波を抑圧するために、従来、第6図に示
すような表面波吸収物質の塗布および圧電基板の裏面に
溝部を画成する方法が行われている。In order to suppress the above-mentioned unnecessary waves, a method of coating a surface wave absorbing material and defining grooves on the back surface of a piezoelectric substrate as shown in FIG. 6 has conventionally been used.
第6図において、参照符号6は不要表面波を抑圧するた
めの表面波吸収物質であり、8a乃至8hは厚みすべり
共振を抑圧するための溝である。In FIG. 6, reference numeral 6 is a surface wave absorbing material for suppressing unnecessary surface waves, and 8a to 8h are grooves for suppressing thickness shear resonance.
なお、第4図と同一構成要素は同一符号とする。Note that the same components as in FIG. 4 are given the same reference numerals.
この場合、基板端面7で反射した弾性表面波S2に関し
ては、圧電基板5の端面を斜めに切断する方法や、表面
波吸収物質6を配置する面積を大きくするなどの方法で
、比較的容易に抑圧することが可能である。In this case, the surface acoustic wave S2 reflected by the substrate end face 7 can be relatively easily treated by cutting the end face of the piezoelectric substrate 5 diagonally or by increasing the area where the surface wave absorbing material 6 is placed. It is possible to suppress it.
しかし、厚みすべり波共振を抑圧するには、圧電基板5
の裏面の溝8a乃至8hを深く形成するか、あるいは、
溝8a乃至8hの数を増加する等の方法が必要になり、
基板等を切断する場合に使用する切断装置を用いて溝8
a乃至8hを切り込む方法が用いられていた。However, in order to suppress thickness shear wave resonance, the piezoelectric substrate 5
The grooves 8a to 8h on the back side of the plate are formed deeply, or
A method such as increasing the number of grooves 8a to 8h is required,
Groove 8 is cut using a cutting device used when cutting substrates, etc.
A method of cutting from a to 8h was used.
この切lFr装置の概略図を第7図に示す。A schematic diagram of this cutting lFr device is shown in FIG.
図中、参照符号12は切断装置を示し、切断装置12は
圧電基板5を固定するステージ14、刃16、アーム1
8を有し、図示しないステージ14の駆動源、およびア
ーム18の駆動源から構成される。In the figure, reference numeral 12 indicates a cutting device, which includes a stage 14 for fixing the piezoelectric substrate 5, a blade 16, and an arm 1.
8, and includes a drive source for the stage 14 and a drive source for the arm 18 (not shown).
この場合、圧電基板5が固定されたステージ14が図示
しないステージ14の駆動源の付勢により第7図、矢印
X方向に変位して、刃16の下部に位置決めされる。次
いで、図示しないアーム18の駆動源の付勢によりアー
ム18が第7図、矢印2方向に変位して、圧電基板5は
高速で回転する刃16により切削され、圧電基板5の裏
面20に溝22が形成される。In this case, the stage 14 to which the piezoelectric substrate 5 is fixed is displaced in the direction of the arrow X in FIG. 7 by the urging of a drive source for the stage 14 (not shown), and is positioned below the blade 16. Next, the arm 18 is displaced in the direction of the arrow 2 in FIG. 7 by the urging force of the drive source for the arm 18 (not shown), and the piezoelectric substrate 5 is cut by the blade 16 rotating at high speed, and a groove is formed in the back surface 20 of the piezoelectric substrate 5. 22 is formed.
このような切削によって、圧電基板5の裏面20に溝2
2を形成する場合は、切削速度を上昇させると圧電基板
5にマイクロクラックが発生し、弾性表面波素子として
の信頼性を低下させる。さらに、圧電基板5の面積が大
きく、溝22の形成ピッチを密にする場合は、溝22の
切削に時間を多く必要とするという欠点があっまた、圧
電基板5の裏面20が鏡面の場合は、バルク波B1が反
射しやすいため、圧電基板5の裏面20を粗くするため
に、サンドブラストによりアルミナやシリコンカーバイ
トのような細かい粒を吹き付けることが行われる。この
方法では、吹き付ける粒の大きさを変えることにより圧
電基板5の裏面20の粗さを変えることができるが、あ
まり大きな凹凸を形成することは困難であった。このた
め、バルク波B1の周波数が高く、波長が短い場合には
有効であるが、周波数が低い場合には効果が期待できな
かった。Through such cutting, grooves 2 are formed on the back surface 20 of the piezoelectric substrate 5.
2, if the cutting speed is increased, microcracks will occur in the piezoelectric substrate 5, reducing its reliability as a surface acoustic wave element. Furthermore, if the piezoelectric substrate 5 has a large area and the grooves 22 are formed at a close pitch, there is a disadvantage that cutting the grooves 22 requires a lot of time. Since the bulk wave B1 is easily reflected, fine particles such as alumina or silicon carbide are sprayed by sandblasting to make the back surface 20 of the piezoelectric substrate 5 rough. In this method, the roughness of the back surface 20 of the piezoelectric substrate 5 can be changed by changing the size of the sprayed particles, but it is difficult to form very large irregularities. Therefore, although it is effective when the frequency of the bulk wave B1 is high and the wavelength is short, no effect could be expected when the frequency is low.
さらに、弾性表面波フィルタ10は3乃至4インチの1
iTa03またはL+NbO3等の圧電基板5に、フォ
トリソグラフィにより同一パターンを複数個形成して製
作されるが、通常弾性表面波フィルタ10の1個のチッ
プは小さく、また、パターン形成後にそれぞれのチップ
を切断する工程が必要となる。通常圧電基板5を切断す
るには第7図で示した切断装置が使用される。Furthermore, the surface acoustic wave filter 10 has a diameter of 3 to 4 inches.
It is manufactured by forming multiple identical patterns on a piezoelectric substrate 5 such as iTa03 or L+NbO3 by photolithography, but each chip of the surface acoustic wave filter 10 is usually small, and each chip is cut after pattern formation. A process is required. Normally, the cutting device shown in FIG. 7 is used to cut the piezoelectric substrate 5.
弾性表面波フィルタの中でもマルチストリップカプラ(
MSC)を使用するタイプのフィルタの例を第8図に示
す。Among surface acoustic wave filters, multi-strip couplers (
An example of a type of filter using MSC) is shown in FIG.
第8図において、参照符号30は圧電基板、32は弾性
表面波フィルタ、34は出力電極、36は人力電極、3
8はMSCを示す。In FIG. 8, reference numeral 30 is a piezoelectric substrate, 32 is a surface acoustic wave filter, 34 is an output electrode, 36 is a manual electrode, 3
8 indicates MSC.
この方法は良好な帯域外特性を実現できるが、入力電極
36と出力電極34は伝搬路を別にとるためチップ面積
が大きくなる欠点がある。Although this method can achieve good out-of-band characteristics, it has the disadvantage that the chip area becomes large because the input electrode 36 and the output electrode 34 have separate propagation paths.
この場合、第9図aで示すように配置された複数のチッ
プは、切断装置により切断されるが、第9図すで示すよ
うに配置すればチップ面積は小さくすることができる。In this case, a plurality of chips arranged as shown in FIG. 9a are cut by a cutting device, but if they are arranged as already shown in FIG. 9, the chip area can be reduced.
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上記の従来の技術では、第9図すで示す
ような形状に加工可能な切断装置がなく、チップを所望
の形状に切断することができないため、チップ面積を小
さくすることができないという問題がある。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the above-mentioned conventional technology, there is no cutting device capable of cutting the chip into the shape shown in FIG. 9, and the chip cannot be cut into the desired shape. There is a problem that the area cannot be reduced.
本発明は、この種の問題を解決するものであり、圧電基
板に所望のパターンを形成するための金属等のマスクと
、シリコンカーバイト等ノ小さい粒を吹き付けるための
サンドブラスト等を使用して、圧電基板裏面に短時間で
凹凸を形成し、さらにチップを所望の形状に切断可能と
した。これにより安価で高性能な弾性表面波素子を製造
する弾性表面波素子の製造方法を提供することを目的と
する。The present invention solves this kind of problem by using a mask made of metal or the like to form a desired pattern on a piezoelectric substrate, and a method such as sandblasting to spray small particles such as silicon carbide. It is possible to form irregularities on the back surface of a piezoelectric substrate in a short time, and furthermore, it is possible to cut the chip into a desired shape. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a surface acoustic wave device, thereby manufacturing a surface acoustic wave device at low cost and with high performance.
[課題を解決するための手段]
上記の課題を解決するた約に、本発明は、弾性表面波を
利用することにより、所定の周波数を有する信号を取り
出す弾性表面波素子において、所望形状のパターンを有
するマスクで基板をマスキングし、微細な粒子を前記マ
スクに吹き付けることにより、前記基板を所望の電極指
形状に加工することを特徴とする。[Means for Solving the Problems] In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a surface acoustic wave element that extracts a signal having a predetermined frequency by utilizing surface acoustic waves. The method is characterized in that the substrate is processed into a desired electrode finger shape by masking the substrate with a mask having a mask and spraying fine particles onto the mask.
[作用コ
上記の本発明に係る弾性表面波素子の製造方法では、所
望形状のパターンを有するマスクで基板をマスキングし
、シリコンカーバイト等の微細な粒子を前記マスクに吹
き付けることにより、前記基板を所望の電極指形状に加
工することができるという効果を有する。[Function] In the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention described above, a substrate is masked with a mask having a pattern of a desired shape, and fine particles such as silicon carbide are sprayed onto the mask to mask the substrate. This has the effect that it can be processed into a desired electrode finger shape.
[実施例]
本発明に係る弾性表面波素子の製造方法について、これ
を実施する装置との関係で好適な実施例を挙げ、添付の
図面を参照しながら以下詳細に説明する。[Example] The method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings, by giving preferred examples in relation to the apparatus for implementing the method.
第1図は第1の実施例を示す。図中、参照符号40は弾
性表面波フィルタの圧電基板を示し、42は金属等のマ
スク、44はサンドブラスト、46はマスク42に設け
られたスリットである。FIG. 1 shows a first embodiment. In the figure, reference numeral 40 indicates a piezoelectric substrate of a surface acoustic wave filter, 42 a mask made of metal or the like, 44 sandblasting, and 46 a slit provided in the mask 42.
本実施例に係る弾性表面波素子の製造方法を実施するた
めの装置は基本的には以上のように構成されるものであ
り、次に、第1図乃至第3図を参照しながら、その作用
並びに効果について説明する。The apparatus for carrying out the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to this example is basically configured as described above. The action and effect will be explained.
先ず、圧電基板40に対してマスク42を合わせ、サン
ドブラスト44により微細なシリコンカーバイトの粒子
をマスク42方向から全面に吹き付けると、マスク42
によってカバーされた部分を除いてスリット46部分の
圧電基板40は削り取られる。First, the mask 42 is aligned with the piezoelectric substrate 40, and fine silicon carbide particles are sprayed onto the entire surface from the direction of the mask 42 by sandblasting 44.
The piezoelectric substrate 40 in the slit 46 portion is scraped off except for the portion covered by the slit 46 .
すなわち、タイミングソーによって切削加工したとき得
られる圧電基板40の溝と同等の溝を形成することがで
き、マスク42の形状がそのまま圧電基板40に転写さ
れるが、圧電基板40が微細なシリコンカーバイトの粒
子にょってエツチングされる溝の深さは、粒子を吹き付
ける時間によって決定することができるので、圧電基板
40の裏面の凹凸形成または基板の切断に、この方法を
用いることが可能である。That is, it is possible to form grooves equivalent to the grooves of the piezoelectric substrate 40 obtained when cutting with a timing saw, and the shape of the mask 42 is directly transferred to the piezoelectric substrate 40, but the piezoelectric substrate 40 is Since the depth of the groove etched by the particles of the cutting tool can be determined by the time during which the particles are sprayed, this method can be used to form irregularities on the back surface of the piezoelectric substrate 40 or to cut the substrate. .
次に、マスクの孔おの形状を変えた第2の実施例を第2
図に示す。Next, a second example in which the shape of the hole of the mask is changed is shown in the second example.
As shown in the figure.
第Z図aで示すように複数個の円形形状からなる孔部4
8を配設したマスク50を使用して、マスク50と圧電
基板52の裏面との間に空隙を設けると、形成される凹
凸の輪郭がぼやけて第2図すに示すような断面の凹部5
4が形成される。このような凹部54は、厚みが変化し
て′7)ることから、−層、厚みすべり波共振による共
振波の抑圧に効果がある。As shown in Figure Z a, the hole 4 consists of a plurality of circular shapes.
When a gap is provided between the mask 50 and the back surface of the piezoelectric substrate 52 using the mask 50 having the piezoelectric substrate 50 disposed therein, the outline of the formed unevenness becomes blurred, resulting in a concave portion 5 having a cross section as shown in FIG.
4 is formed. Since such a recess 54 has a varying thickness, it is effective in suppressing resonant waves due to thickness shear wave resonance.
また、第3図aて示すような孔部56を有するマスク5
8を使用して完全切断を行えば、第3図すに示すように
、MSCを使用した素子60のチップ面積を小さくする
ことができる。In addition, a mask 5 having a hole 56 as shown in FIG.
If complete cutting is performed using the MSC 8, the chip area of the element 60 using the MSC can be reduced, as shown in FIG.
口発明の効果2
以上のように、本発明に係る弾性表面波素子の製造方法
では、次のような効果乃至利点を有する。Effect 2 of the Invention As described above, the surface acoustic wave device manufacturing method according to the present invention has the following effects and advantages.
金属等のマスクと、シリコンカーバイト等の小さい粒を
吹き付けるサンドブラスト等の装置を使用して、弾性表
面波フィルタの圧電基板を加工する二とにより、チップ
裏面に溝または産みが変化するような凹凸を短時間で形
成することができ、安価に厚みすべり波共振やバルク波
スプリアスの少ない弾性表面波素子を製造できるという
効果がある。さらに、チップを所望の形状に切断するこ
とができ、小型で高性能、且つ安価な弾性表面波素子を
提供できる利点がある。Processing the piezoelectric substrate of the surface acoustic wave filter using a metal mask and a device such as sandblasting that sprays small particles such as silicon carbide creates grooves or irregularities that change the texture on the back of the chip. can be formed in a short time, and a surface acoustic wave element with less thickness shear wave resonance and bulk wave spurious can be manufactured at low cost. Furthermore, there is an advantage that the chip can be cut into a desired shape, and a small, high-performance, and inexpensive surface acoustic wave element can be provided.
第1図は本発明に係る弾性表面波素子の製造方法の一実
施例を示す斜視説明図、
第2図は本発明に係る弾性表面波素子の製造方法に使用
するマスクの第2の実施例と、このマスクを使用して製
造された弾性表面波素子の一部縦断面図、
第3図は本発明に係る弾性表面波素子の製造方法に使用
するマスクの第3の実施例と、このマスクを使用して切
断された弾性表面波素子の説明図、
第4図は従来例における弾性表面波フィルタの動作を説
明する図、
第5図は従来例における弾性表面波フィルタの周波数特
性を表す図、
第6図は従来例における不要波を抑圧するための方法が
施された弾性表面波フィルタの説明図、
第7図は従来例における弾性表面波素子の加工説明図、
第8図は従来例におけるMSCを用いた弾性表面波フィ
ルタを表す図、
第9図a、bは従来例におけるMSCを用いた弾性表面
波フィルタのパターン配置を表す図である。
40・・・圧電基板
42・・・マスク
44・・・サンドブラスト
46・・・スリット
48・・・孔部
50・・・マスク
52・・・圧電基板
54・・・凹部
56・・・孔部
58・・・マスク
60・・・素子
特許出願人 日本無線株式会社
出願人代理人 弁理士 千葉 剛宏IGI
FIG、2a F IG、2bFIG、9
bFIG. 1 is a perspective explanatory view showing one embodiment of the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention, and FIG. 2 is a second embodiment of a mask used in the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention. and a partial vertical cross-sectional view of a surface acoustic wave device manufactured using this mask. FIG. An explanatory diagram of a surface acoustic wave element cut using a mask, Figure 4 is a diagram explaining the operation of a conventional surface acoustic wave filter, and Figure 5 shows the frequency characteristics of a conventional surface acoustic wave filter. Figure 6 is an explanatory diagram of a conventional surface acoustic wave filter to which a method for suppressing unnecessary waves has been applied, Figure 7 is an explanatory diagram of processing of a surface acoustic wave element in a conventional example, and Figure 8 is an explanatory diagram of a conventional surface acoustic wave filter. FIGS. 9A and 9B are diagrams showing the pattern arrangement of a surface acoustic wave filter using MSC in a conventional example. FIGS. 40 Piezoelectric substrate 42 Mask 44 Sandblasting 46 Slit 48 Hole 50 Mask 52 Piezoelectric substrate 54 Recess 56 Hole 58 ...Mask 60... Device patent applicant Japan Radio Co., Ltd. Applicant agent Patent attorney Takehiro Chiba IGI FIG, 2a F IG, 2b FIG, 9
b
Claims (3)
を有する信号を取り出す弾性表面波素子において、所望
形状のパターンを有するマスクで基板をマスキングし、
微細な粒子を前記マスクに吹き付けることにより、前記
基板を所望の電極指形状に加工することを特徴とする弾
性表面波素子の製造方法。(1) In a surface acoustic wave element that uses surface acoustic waves to extract a signal having a predetermined frequency, masking the substrate with a mask having a pattern of a desired shape,
A method of manufacturing a surface acoustic wave device, comprising processing the substrate into a desired electrode finger shape by spraying fine particles onto the mask.
ることを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。(2) The method of manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 1, further comprising forming irregularities in a shape defined by a mask on the back surface of the substrate.
基板に対して微小距離離間して位置決めされ、粒子を吹
き付けられることを特徴とする弾性表面波素子の製造方
法。(3) A method for manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 1 or 2, characterized in that the mask is positioned at a very small distance from the substrate and particles are sprayed onto the mask.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33483490A JPH04207513A (en) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | Production of surface acoustic wave element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33483490A JPH04207513A (en) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | Production of surface acoustic wave element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04207513A true JPH04207513A (en) | 1992-07-29 |
Family
ID=18281744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33483490A Pending JPH04207513A (en) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | Production of surface acoustic wave element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04207513A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030085819A (en) * | 2002-05-02 | 2003-11-07 | 주식회사 에스세라 | Method of producing a package substrate for smd type resonator |
| WO2026075154A1 (en) * | 2024-10-04 | 2026-04-09 | 京セラ株式会社 | Elastic wave device, demultiplexer, and communication device |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33483490A patent/JPH04207513A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20030085819A (en) * | 2002-05-02 | 2003-11-07 | 주식회사 에스세라 | Method of producing a package substrate for smd type resonator |
| WO2026075154A1 (en) * | 2024-10-04 | 2026-04-09 | 京セラ株式会社 | Elastic wave device, demultiplexer, and communication device |
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