JPH04207513A - 弾性表面波素子の製造方法 - Google Patents
弾性表面波素子の製造方法Info
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- JPH04207513A JPH04207513A JP33483490A JP33483490A JPH04207513A JP H04207513 A JPH04207513 A JP H04207513A JP 33483490 A JP33483490 A JP 33483490A JP 33483490 A JP33483490 A JP 33483490A JP H04207513 A JPH04207513 A JP H04207513A
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- Japan
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- surface acoustic
- acoustic wave
- mask
- piezoelectric substrate
- substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、弾性表面波素子の製造方法に関する。
[従来の技術]
従来の弾性表面波フィルタの構造を第4図に示す。図に
おいて、参照符号10は弾性表面波フィルタを示し、2
は人力電極、3は出力電極、5は圧電基板、7は基板端
面を示す。
おいて、参照符号10は弾性表面波フィルタを示し、2
は人力電極、3は出力電極、5は圧電基板、7は基板端
面を示す。
いま、入力電極2に電気信号を入力すると、圧電基板5
に励振波が発生し、この励振波が出力電極3に到達して
、出力電極3で再び電気信号に変換される。
に励振波が発生し、この励振波が出力電極3に到達して
、出力電極3で再び電気信号に変換される。
この出力電極3に到達する励振波が所望の周波数特性を
持つように入力電極2および出力電極3が設計されてい
る。
持つように入力電極2および出力電極3が設計されてい
る。
この場合、所望の周波数特性を得るためには、所望の弾
性表面波S1以外の不要波の応答を抑圧する必要があり
、この不要波とは、基板端面7で反射して出力電極3に
到達する弾性表面波S2、人力電極2から圧電基板5の
内部に放射され、圧電基板5の裏面で反射して出力電極
3に到達するバルク波B1、および圧電基板5の厚さに
依存した共振周波数を持つ厚みすべり波共振による共振
波等がある。
性表面波S1以外の不要波の応答を抑圧する必要があり
、この不要波とは、基板端面7で反射して出力電極3に
到達する弾性表面波S2、人力電極2から圧電基板5の
内部に放射され、圧電基板5の裏面で反射して出力電極
3に到達するバルク波B1、および圧電基板5の厚さに
依存した共振周波数を持つ厚みすべり波共振による共振
波等がある。
これらの不要波は第5図に示すように周波数特性を劣化
させる。すなわち、基板端面7で反射して出力電極3に
到達する弾性表面波S2により、通過帯域特性上にリプ
ルが発生しく第5図、a部)、圧電基板5の内部を伝搬
し出力電極3に到達するバルク波Blにより、高域側の
阻止域サイドローブレベルが大きくなる(第5図、b部
)。
させる。すなわち、基板端面7で反射して出力電極3に
到達する弾性表面波S2により、通過帯域特性上にリプ
ルが発生しく第5図、a部)、圧電基板5の内部を伝搬
し出力電極3に到達するバルク波Blにより、高域側の
阻止域サイドローブレベルが大きくなる(第5図、b部
)。
さらに、厚みすべり波共振によって、低域側の阻止域サ
イドローブが周期的に大きくなるが、加えて、厚みすべ
り波共振の高次モードの共振周波数がフィルタの通過帯
域内に入る場合、この通過帯域にリプルが発生し、特性
を劣化させる(第5図、0部)。
イドローブが周期的に大きくなるが、加えて、厚みすべ
り波共振の高次モードの共振周波数がフィルタの通過帯
域内に入る場合、この通過帯域にリプルが発生し、特性
を劣化させる(第5図、0部)。
これらの中でも、通過帯域特性と通過帯域近傍の阻止域
特性はフィルタの性能を決定する重要な特性であり、こ
の特性を劣化させる不要波は充分に抑圧する必要がある
。
特性はフィルタの性能を決定する重要な特性であり、こ
の特性を劣化させる不要波は充分に抑圧する必要がある
。
以上述べた不要波を抑圧するために、従来、第6図に示
すような表面波吸収物質の塗布および圧電基板の裏面に
溝部を画成する方法が行われている。
すような表面波吸収物質の塗布および圧電基板の裏面に
溝部を画成する方法が行われている。
第6図において、参照符号6は不要表面波を抑圧するた
めの表面波吸収物質であり、8a乃至8hは厚みすべり
共振を抑圧するための溝である。
めの表面波吸収物質であり、8a乃至8hは厚みすべり
共振を抑圧するための溝である。
なお、第4図と同一構成要素は同一符号とする。
この場合、基板端面7で反射した弾性表面波S2に関し
ては、圧電基板5の端面を斜めに切断する方法や、表面
波吸収物質6を配置する面積を大きくするなどの方法で
、比較的容易に抑圧することが可能である。
ては、圧電基板5の端面を斜めに切断する方法や、表面
波吸収物質6を配置する面積を大きくするなどの方法で
、比較的容易に抑圧することが可能である。
しかし、厚みすべり波共振を抑圧するには、圧電基板5
の裏面の溝8a乃至8hを深く形成するか、あるいは、
溝8a乃至8hの数を増加する等の方法が必要になり、
基板等を切断する場合に使用する切断装置を用いて溝8
a乃至8hを切り込む方法が用いられていた。
の裏面の溝8a乃至8hを深く形成するか、あるいは、
溝8a乃至8hの数を増加する等の方法が必要になり、
基板等を切断する場合に使用する切断装置を用いて溝8
a乃至8hを切り込む方法が用いられていた。
この切lFr装置の概略図を第7図に示す。
図中、参照符号12は切断装置を示し、切断装置12は
圧電基板5を固定するステージ14、刃16、アーム1
8を有し、図示しないステージ14の駆動源、およびア
ーム18の駆動源から構成される。
圧電基板5を固定するステージ14、刃16、アーム1
8を有し、図示しないステージ14の駆動源、およびア
ーム18の駆動源から構成される。
この場合、圧電基板5が固定されたステージ14が図示
しないステージ14の駆動源の付勢により第7図、矢印
X方向に変位して、刃16の下部に位置決めされる。次
いで、図示しないアーム18の駆動源の付勢によりアー
ム18が第7図、矢印2方向に変位して、圧電基板5は
高速で回転する刃16により切削され、圧電基板5の裏
面20に溝22が形成される。
しないステージ14の駆動源の付勢により第7図、矢印
X方向に変位して、刃16の下部に位置決めされる。次
いで、図示しないアーム18の駆動源の付勢によりアー
ム18が第7図、矢印2方向に変位して、圧電基板5は
高速で回転する刃16により切削され、圧電基板5の裏
面20に溝22が形成される。
このような切削によって、圧電基板5の裏面20に溝2
2を形成する場合は、切削速度を上昇させると圧電基板
5にマイクロクラックが発生し、弾性表面波素子として
の信頼性を低下させる。さらに、圧電基板5の面積が大
きく、溝22の形成ピッチを密にする場合は、溝22の
切削に時間を多く必要とするという欠点があっまた、圧
電基板5の裏面20が鏡面の場合は、バルク波B1が反
射しやすいため、圧電基板5の裏面20を粗くするため
に、サンドブラストによりアルミナやシリコンカーバイ
トのような細かい粒を吹き付けることが行われる。この
方法では、吹き付ける粒の大きさを変えることにより圧
電基板5の裏面20の粗さを変えることができるが、あ
まり大きな凹凸を形成することは困難であった。このた
め、バルク波B1の周波数が高く、波長が短い場合には
有効であるが、周波数が低い場合には効果が期待できな
かった。
2を形成する場合は、切削速度を上昇させると圧電基板
5にマイクロクラックが発生し、弾性表面波素子として
の信頼性を低下させる。さらに、圧電基板5の面積が大
きく、溝22の形成ピッチを密にする場合は、溝22の
切削に時間を多く必要とするという欠点があっまた、圧
電基板5の裏面20が鏡面の場合は、バルク波B1が反
射しやすいため、圧電基板5の裏面20を粗くするため
に、サンドブラストによりアルミナやシリコンカーバイ
トのような細かい粒を吹き付けることが行われる。この
方法では、吹き付ける粒の大きさを変えることにより圧
電基板5の裏面20の粗さを変えることができるが、あ
まり大きな凹凸を形成することは困難であった。このた
め、バルク波B1の周波数が高く、波長が短い場合には
有効であるが、周波数が低い場合には効果が期待できな
かった。
さらに、弾性表面波フィルタ10は3乃至4インチの1
iTa03またはL+NbO3等の圧電基板5に、フォ
トリソグラフィにより同一パターンを複数個形成して製
作されるが、通常弾性表面波フィルタ10の1個のチッ
プは小さく、また、パターン形成後にそれぞれのチップ
を切断する工程が必要となる。通常圧電基板5を切断す
るには第7図で示した切断装置が使用される。
iTa03またはL+NbO3等の圧電基板5に、フォ
トリソグラフィにより同一パターンを複数個形成して製
作されるが、通常弾性表面波フィルタ10の1個のチッ
プは小さく、また、パターン形成後にそれぞれのチップ
を切断する工程が必要となる。通常圧電基板5を切断す
るには第7図で示した切断装置が使用される。
弾性表面波フィルタの中でもマルチストリップカプラ(
MSC)を使用するタイプのフィルタの例を第8図に示
す。
MSC)を使用するタイプのフィルタの例を第8図に示
す。
第8図において、参照符号30は圧電基板、32は弾性
表面波フィルタ、34は出力電極、36は人力電極、3
8はMSCを示す。
表面波フィルタ、34は出力電極、36は人力電極、3
8はMSCを示す。
この方法は良好な帯域外特性を実現できるが、入力電極
36と出力電極34は伝搬路を別にとるためチップ面積
が大きくなる欠点がある。
36と出力電極34は伝搬路を別にとるためチップ面積
が大きくなる欠点がある。
この場合、第9図aで示すように配置された複数のチッ
プは、切断装置により切断されるが、第9図すで示すよ
うに配置すればチップ面積は小さくすることができる。
プは、切断装置により切断されるが、第9図すで示すよ
うに配置すればチップ面積は小さくすることができる。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上記の従来の技術では、第9図すで示す
ような形状に加工可能な切断装置がなく、チップを所望
の形状に切断することができないため、チップ面積を小
さくすることができないという問題がある。
ような形状に加工可能な切断装置がなく、チップを所望
の形状に切断することができないため、チップ面積を小
さくすることができないという問題がある。
本発明は、この種の問題を解決するものであり、圧電基
板に所望のパターンを形成するための金属等のマスクと
、シリコンカーバイト等ノ小さい粒を吹き付けるための
サンドブラスト等を使用して、圧電基板裏面に短時間で
凹凸を形成し、さらにチップを所望の形状に切断可能と
した。これにより安価で高性能な弾性表面波素子を製造
する弾性表面波素子の製造方法を提供することを目的と
する。
板に所望のパターンを形成するための金属等のマスクと
、シリコンカーバイト等ノ小さい粒を吹き付けるための
サンドブラスト等を使用して、圧電基板裏面に短時間で
凹凸を形成し、さらにチップを所望の形状に切断可能と
した。これにより安価で高性能な弾性表面波素子を製造
する弾性表面波素子の製造方法を提供することを目的と
する。
[課題を解決するための手段]
上記の課題を解決するた約に、本発明は、弾性表面波を
利用することにより、所定の周波数を有する信号を取り
出す弾性表面波素子において、所望形状のパターンを有
するマスクで基板をマスキングし、微細な粒子を前記マ
スクに吹き付けることにより、前記基板を所望の電極指
形状に加工することを特徴とする。
利用することにより、所定の周波数を有する信号を取り
出す弾性表面波素子において、所望形状のパターンを有
するマスクで基板をマスキングし、微細な粒子を前記マ
スクに吹き付けることにより、前記基板を所望の電極指
形状に加工することを特徴とする。
[作用コ
上記の本発明に係る弾性表面波素子の製造方法では、所
望形状のパターンを有するマスクで基板をマスキングし
、シリコンカーバイト等の微細な粒子を前記マスクに吹
き付けることにより、前記基板を所望の電極指形状に加
工することができるという効果を有する。
望形状のパターンを有するマスクで基板をマスキングし
、シリコンカーバイト等の微細な粒子を前記マスクに吹
き付けることにより、前記基板を所望の電極指形状に加
工することができるという効果を有する。
[実施例]
本発明に係る弾性表面波素子の製造方法について、これ
を実施する装置との関係で好適な実施例を挙げ、添付の
図面を参照しながら以下詳細に説明する。
を実施する装置との関係で好適な実施例を挙げ、添付の
図面を参照しながら以下詳細に説明する。
第1図は第1の実施例を示す。図中、参照符号40は弾
性表面波フィルタの圧電基板を示し、42は金属等のマ
スク、44はサンドブラスト、46はマスク42に設け
られたスリットである。
性表面波フィルタの圧電基板を示し、42は金属等のマ
スク、44はサンドブラスト、46はマスク42に設け
られたスリットである。
本実施例に係る弾性表面波素子の製造方法を実施するた
めの装置は基本的には以上のように構成されるものであ
り、次に、第1図乃至第3図を参照しながら、その作用
並びに効果について説明する。
めの装置は基本的には以上のように構成されるものであ
り、次に、第1図乃至第3図を参照しながら、その作用
並びに効果について説明する。
先ず、圧電基板40に対してマスク42を合わせ、サン
ドブラスト44により微細なシリコンカーバイトの粒子
をマスク42方向から全面に吹き付けると、マスク42
によってカバーされた部分を除いてスリット46部分の
圧電基板40は削り取られる。
ドブラスト44により微細なシリコンカーバイトの粒子
をマスク42方向から全面に吹き付けると、マスク42
によってカバーされた部分を除いてスリット46部分の
圧電基板40は削り取られる。
すなわち、タイミングソーによって切削加工したとき得
られる圧電基板40の溝と同等の溝を形成することがで
き、マスク42の形状がそのまま圧電基板40に転写さ
れるが、圧電基板40が微細なシリコンカーバイトの粒
子にょってエツチングされる溝の深さは、粒子を吹き付
ける時間によって決定することができるので、圧電基板
40の裏面の凹凸形成または基板の切断に、この方法を
用いることが可能である。
られる圧電基板40の溝と同等の溝を形成することがで
き、マスク42の形状がそのまま圧電基板40に転写さ
れるが、圧電基板40が微細なシリコンカーバイトの粒
子にょってエツチングされる溝の深さは、粒子を吹き付
ける時間によって決定することができるので、圧電基板
40の裏面の凹凸形成または基板の切断に、この方法を
用いることが可能である。
次に、マスクの孔おの形状を変えた第2の実施例を第2
図に示す。
図に示す。
第Z図aで示すように複数個の円形形状からなる孔部4
8を配設したマスク50を使用して、マスク50と圧電
基板52の裏面との間に空隙を設けると、形成される凹
凸の輪郭がぼやけて第2図すに示すような断面の凹部5
4が形成される。このような凹部54は、厚みが変化し
て′7)ることから、−層、厚みすべり波共振による共
振波の抑圧に効果がある。
8を配設したマスク50を使用して、マスク50と圧電
基板52の裏面との間に空隙を設けると、形成される凹
凸の輪郭がぼやけて第2図すに示すような断面の凹部5
4が形成される。このような凹部54は、厚みが変化し
て′7)ることから、−層、厚みすべり波共振による共
振波の抑圧に効果がある。
また、第3図aて示すような孔部56を有するマスク5
8を使用して完全切断を行えば、第3図すに示すように
、MSCを使用した素子60のチップ面積を小さくする
ことができる。
8を使用して完全切断を行えば、第3図すに示すように
、MSCを使用した素子60のチップ面積を小さくする
ことができる。
口発明の効果2
以上のように、本発明に係る弾性表面波素子の製造方法
では、次のような効果乃至利点を有する。
では、次のような効果乃至利点を有する。
金属等のマスクと、シリコンカーバイト等の小さい粒を
吹き付けるサンドブラスト等の装置を使用して、弾性表
面波フィルタの圧電基板を加工する二とにより、チップ
裏面に溝または産みが変化するような凹凸を短時間で形
成することができ、安価に厚みすべり波共振やバルク波
スプリアスの少ない弾性表面波素子を製造できるという
効果がある。さらに、チップを所望の形状に切断するこ
とができ、小型で高性能、且つ安価な弾性表面波素子を
提供できる利点がある。
吹き付けるサンドブラスト等の装置を使用して、弾性表
面波フィルタの圧電基板を加工する二とにより、チップ
裏面に溝または産みが変化するような凹凸を短時間で形
成することができ、安価に厚みすべり波共振やバルク波
スプリアスの少ない弾性表面波素子を製造できるという
効果がある。さらに、チップを所望の形状に切断するこ
とができ、小型で高性能、且つ安価な弾性表面波素子を
提供できる利点がある。
第1図は本発明に係る弾性表面波素子の製造方法の一実
施例を示す斜視説明図、 第2図は本発明に係る弾性表面波素子の製造方法に使用
するマスクの第2の実施例と、このマスクを使用して製
造された弾性表面波素子の一部縦断面図、 第3図は本発明に係る弾性表面波素子の製造方法に使用
するマスクの第3の実施例と、このマスクを使用して切
断された弾性表面波素子の説明図、 第4図は従来例における弾性表面波フィルタの動作を説
明する図、 第5図は従来例における弾性表面波フィルタの周波数特
性を表す図、 第6図は従来例における不要波を抑圧するための方法が
施された弾性表面波フィルタの説明図、 第7図は従来例における弾性表面波素子の加工説明図、 第8図は従来例におけるMSCを用いた弾性表面波フィ
ルタを表す図、 第9図a、bは従来例におけるMSCを用いた弾性表面
波フィルタのパターン配置を表す図である。 40・・・圧電基板 42・・・マスク 44・・・サンドブラスト 46・・・スリット 48・・・孔部 50・・・マスク 52・・・圧電基板 54・・・凹部 56・・・孔部 58・・・マスク 60・・・素子 特許出願人 日本無線株式会社 出願人代理人 弁理士 千葉 剛宏IGI FIG、2a F IG、2bFIG、9
b
施例を示す斜視説明図、 第2図は本発明に係る弾性表面波素子の製造方法に使用
するマスクの第2の実施例と、このマスクを使用して製
造された弾性表面波素子の一部縦断面図、 第3図は本発明に係る弾性表面波素子の製造方法に使用
するマスクの第3の実施例と、このマスクを使用して切
断された弾性表面波素子の説明図、 第4図は従来例における弾性表面波フィルタの動作を説
明する図、 第5図は従来例における弾性表面波フィルタの周波数特
性を表す図、 第6図は従来例における不要波を抑圧するための方法が
施された弾性表面波フィルタの説明図、 第7図は従来例における弾性表面波素子の加工説明図、 第8図は従来例におけるMSCを用いた弾性表面波フィ
ルタを表す図、 第9図a、bは従来例におけるMSCを用いた弾性表面
波フィルタのパターン配置を表す図である。 40・・・圧電基板 42・・・マスク 44・・・サンドブラスト 46・・・スリット 48・・・孔部 50・・・マスク 52・・・圧電基板 54・・・凹部 56・・・孔部 58・・・マスク 60・・・素子 特許出願人 日本無線株式会社 出願人代理人 弁理士 千葉 剛宏IGI FIG、2a F IG、2bFIG、9
b
Claims (3)
- (1)弾性表面波を利用することにより、所定の周波数
を有する信号を取り出す弾性表面波素子において、所望
形状のパターンを有するマスクで基板をマスキングし、
微細な粒子を前記マスクに吹き付けることにより、前記
基板を所望の電極指形状に加工することを特徴とする弾
性表面波素子の製造方法。 - (2)請求項1記載の方法において、 基板裏面にマスクにより画成された形状の凹凸を形成す
ることを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。 - (3)請求項1または2記載の方法において、マスクは
基板に対して微小距離離間して位置決めされ、粒子を吹
き付けられることを特徴とする弾性表面波素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33483490A JPH04207513A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33483490A JPH04207513A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04207513A true JPH04207513A (ja) | 1992-07-29 |
Family
ID=18281744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33483490A Pending JPH04207513A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04207513A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030085819A (ko) * | 2002-05-02 | 2003-11-07 | 주식회사 에스세라 | 표면실장형 압전공진기의 패키지기판 제조방법 |
| WO2026075154A1 (ja) * | 2024-10-04 | 2026-04-09 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置、分波器及び通信装置 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33483490A patent/JPH04207513A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030085819A (ko) * | 2002-05-02 | 2003-11-07 | 주식회사 에스세라 | 표면실장형 압전공진기의 패키지기판 제조방법 |
| WO2026075154A1 (ja) * | 2024-10-04 | 2026-04-09 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置、分波器及び通信装置 |
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