JPH04209588A - 金属基板 - Google Patents
金属基板Info
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- JPH04209588A JPH04209588A JP40538290A JP40538290A JPH04209588A JP H04209588 A JPH04209588 A JP H04209588A JP 40538290 A JP40538290 A JP 40538290A JP 40538290 A JP40538290 A JP 40538290A JP H04209588 A JPH04209588 A JP H04209588A
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Landscapes
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- Surface Heating Bodies (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［０００１１
【産業上の利用分野］本発明は、金属基板に関され、特
に厚膜電気回路や電気ヒータ等、高強度或いは高耐熱性
を必要とする分野に用いるのに好適な金属基板に関する
。 ［０００２］ 【従来の技術】従来から、機械的衝撃及び熱が加わるよ
うな用途に、セラミック単体からなる基板に代えて機械
的強度や熱伝導性に優れた金属基板を用いることが提案
されている。この金属基板を電気回路用基板として使用
するために、金属からなる基材層の表面にガラス材から
なる絶縁層を形成したほうろう基板がある。 ［０００３］
に厚膜電気回路や電気ヒータ等、高強度或いは高耐熱性
を必要とする分野に用いるのに好適な金属基板に関する
。 ［０００２］ 【従来の技術】従来から、機械的衝撃及び熱が加わるよ
うな用途に、セラミック単体からなる基板に代えて機械
的強度や熱伝導性に優れた金属基板を用いることが提案
されている。この金属基板を電気回路用基板として使用
するために、金属からなる基材層の表面にガラス材から
なる絶縁層を形成したほうろう基板がある。 ［０００３］
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、はうろ
う基板にあっては、ガラスからなる絶縁層の強度、靭性
がセラミック単体からなる基板に比較して劣る問題があ
るばかりでなく、異なる種類の材料同士を接着しており
、かつ基材層と絶縁層との熱膨脹係数が異なることがら
両者間に所望の密着性を得ることができず、耐熱衝撃性
が比較的低い問題があった。また、上記密着性の問題か
ら金属基板として望まれる衝撃強度を得ることができな
かった。加えて、ガラス材の熱伝導性が比較的低いこと
から金属基板としては高い熱伝導性を得ることができな
かった。 ［０００４］一方、基材層と絶縁層との間の密着性を向
上するべく両者間に上記両者と密着性の良い金属酸化物
からなるバインダ層を形成することが考えられるが、例
えばバインダ層及び絶縁層を焼成により形成する場合、
焼成を複数回行うこととなり基材層の金属が焼鈍され、
基板形成後の室温強度が劣化する虞れがある。 ［０００５］このような従来技術の課題に鑑み、本発明
の主な目的は、放熱性が高く、基材層と絶縁層との間の
密着性、衝撃強度及び耐熱衝撃性が改善され、更に基板
形成後の室温強度が高い金属基板を提供することにある
。 ［０００６］
う基板にあっては、ガラスからなる絶縁層の強度、靭性
がセラミック単体からなる基板に比較して劣る問題があ
るばかりでなく、異なる種類の材料同士を接着しており
、かつ基材層と絶縁層との熱膨脹係数が異なることがら
両者間に所望の密着性を得ることができず、耐熱衝撃性
が比較的低い問題があった。また、上記密着性の問題か
ら金属基板として望まれる衝撃強度を得ることができな
かった。加えて、ガラス材の熱伝導性が比較的低いこと
から金属基板としては高い熱伝導性を得ることができな
かった。 ［０００４］一方、基材層と絶縁層との間の密着性を向
上するべく両者間に上記両者と密着性の良い金属酸化物
からなるバインダ層を形成することが考えられるが、例
えばバインダ層及び絶縁層を焼成により形成する場合、
焼成を複数回行うこととなり基材層の金属が焼鈍され、
基板形成後の室温強度が劣化する虞れがある。 ［０００５］このような従来技術の課題に鑑み、本発明
の主な目的は、放熱性が高く、基材層と絶縁層との間の
密着性、衝撃強度及び耐熱衝撃性が改善され、更に基板
形成後の室温強度が高い金属基板を提供することにある
。 ［０００６］
【課題を解決するための手段】このような目的は、本発
明によれば、耐熱合金からなる基材層と、前記基材層の
表面に焼成により形成された金属酸化層と、前記金属酸
化層の表面に焼成により形成され、かつガラス材にセラ
ミック粒子を分散してなる絶縁層とを有することを特徴
とする金属基板を提供することにより達成される。特に
、前記耐熱合金がＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ系耐熱合金からなる
と良く、また前記耐熱合金が７００℃の温度で５分間放
置した後に室温に冷却して７０ｋｇ／ｍｍ２以上の降伏
強度を有すると良い。 ［０００７］
明によれば、耐熱合金からなる基材層と、前記基材層の
表面に焼成により形成された金属酸化層と、前記金属酸
化層の表面に焼成により形成され、かつガラス材にセラ
ミック粒子を分散してなる絶縁層とを有することを特徴
とする金属基板を提供することにより達成される。特に
、前記耐熱合金がＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ系耐熱合金からなる
と良く、また前記耐熱合金が７００℃の温度で５分間放
置した後に室温に冷却して７０ｋｇ／ｍｍ２以上の降伏
強度を有すると良い。 ［０００７］
【作用】このようにすれば、ガラスよりも熱伝導性の高
いセラミック粒子の種類及び割合を調整して絶縁層に分
散させることにより基板に所望の表面特性を持たせるこ
とができ、例えば基材層の金属の熱膨脹係数に近い熱膨
脹係数を絶縁層に持たせ、温度変化時の密着性が向上す
ることができる。また、基材層と絶縁層との間に金属酸
化物層を設けることにより両者間の密着性が一層が向上
する。このとき基材層に耐熱合金を用いることで基材層
の焼鈍による強度の低下を減少できる。 ［０００８］
いセラミック粒子の種類及び割合を調整して絶縁層に分
散させることにより基板に所望の表面特性を持たせるこ
とができ、例えば基材層の金属の熱膨脹係数に近い熱膨
脹係数を絶縁層に持たせ、温度変化時の密着性が向上す
ることができる。また、基材層と絶縁層との間に金属酸
化物層を設けることにより両者間の密着性が一層が向上
する。このとき基材層に耐熱合金を用いることで基材層
の焼鈍による強度の低下を減少できる。 ［０００８］
【実施例】以下、本発明の好適実施例を添付の図面につ
いて詳しく説明する。 ［０００９］図１は本発明が適用された第１の実施例を
示す厚膜電気回路用基板の模式的斜視図であり、図２は
図１の側断面図である。これら図１及び図２に併せて示
すように、基板１は、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ系耐熱合金（イ
ンコロイ９０３．商品名：米国インコアロイ社製）から
なる金属基材層２と、この基板２の表面に形成されたδ
−Ａ１２Ｏ３からなる厚さ数μｍ以下の透明な金属酸化
物層３と、Ａｌ２Ｏ３であって良いセラミック粒子４ａ
が分散するガラスからなる厚さ２５７１ｍの絶縁層４と
を有され、この絶縁層４の表面に所望の配線パターン５
が形成されている。 ［００１０］実際に基板ｌを形成するには、まず、金属
基材層２の表面に金属アルコキシド溶液（アルミナクリ
アーゾル ５Ｈ−５，商品名二川研ファインケミカル株
式会社製）を塗布され、この基板１を室温〜２００℃程
度で乾燥させた後、大気中にて毎分２０℃の速度で昇温
させ６００℃にて１０分間保持され、その後毎分２０℃
の速度で冷却することにより金属酸化物層３を焼成して
いる。 ［００１１１次に、この金属酸化物層３の表面に、Ａｌ
２Ｏ３粒子と鉛ホウケイ酸系結晶化ガラス粉末とを１対
１の割合で有機溶剤からなるビヒクル中に均一に分散さ
せたペーストをスクリーン印刷を３回行うことにより塗
布され、乾燥させた後、大気中にて毎分約３５℃の速度
で昇温させて９１０℃にて１０分間保持され、その後毎
分３５℃の速度で冷却させることにより絶縁層４を焼成
している。 ［００１２］ここで、本実施例では金属酸化物層３を６
００℃で焼成したが、実際には６００℃〜１０００℃の
範囲で焼成して良い。また、絶縁層４も本実施例では９
１０℃にて焼成したが、８００℃〜１０００℃の範囲で
５分間〜３０分間焼成すれば良い。更に、本実施例では
絶縁層４の厚さを２５μｍとしたが、例えばスクリーン
印刷の回数を変えることにより数十μｍ−数百μｍの範
囲で任意に設定して良い。加えて、本実施例ではセラミ
ック（Ａｌ２Ｏ２）粒子と鉛ホウケイ酸系結晶化ガラス
粉末とを１対１の割合で混ぜたが、実際には所望の基板
表面特性に応じた割合として良い。 ［００１３］このようにして形成した金属基板１につい
＊＊て、強度、耐熱性、絶縁耐圧及び絶縁層の熱伝導性
の試験を行い、その結果を表１に示す。また、基材層と
絶縁層との密着性、耐熱衝撃性を従来のほうろう基板と
比較した結果及び放熱性を従来のセラミック基板、はう
ろう基板と比較した結果を表２に示す。本発明に基づく
金属基板は、表１に於ける衝撃強度に於て実際には従来
のほうろう基板に比較して２倍以上であった。また、表
２に良く示すように、本発明に基づく金属基板は、従来
のセラミック基板及びほうろう基板に比較して特に放熱
性に於て優れていることがわかる。 ［００１４］ 表１ ［００１５］ 表２ ［００１６］更に、表３に基材層に通常のフェライト系
ステンレス（ＳＵＳ４３０）を用いた場合と、耐熱合金
（インコロイ９０３）を用いた場合の基板形成後の降伏
強度及び引張強度を比較した結果を示す。 ［００１７］ ［００１８１表３に示すように、通常のフェライト系ス
テンレスを基材層２に用いた場合、上述の複数回の焼成
作業により焼鈍され、その後の室温強度が低下すること
が考えられるが、耐熱合金を用いることによりその問題
が解消されている。 ［００１９］尚、本実施例では、金属アルコキシド溶液
としてアルミニウムアルコキシド溶液を塗布したが、チ
タンアルコキシド溶液を用いればＴｉＯ２からなる金属
酸化層が形成される。また、本実施例ではセラミック粒
子としてＡｌ２Ｏ３粒子を用いたが、実際にはそれ以外
にＭｇＯ、Ｂｅｄ、 Ｓ ｉ３Ｎ４、ＳｉＣ，ＡＩＮ等
、様々なセラミック材料を用いることができる。この場
合１例えばＳｉ３Ｎ４等を用いれば耐摩耗性の高い基板
が得られ、ＡＩＮ、ＢｅＯ等を用いれば熱伝導性の高い
基板が得られる。このセラミック粒子の種類、混合する
割合を変化させることにより所望に応じた基板表面の特
性を得ることができると共に基材層との密着性などを改
善することができる。更に、本実施例では金属アルコキ
シドを焼成して金属酸化物層を得たが、ＰＶＤ法、ＣＶ
Ｄ法、イオンスパッタリング法、陽極酸化法等により金
属酸化物層を形成しても良い。 ［００２０１図３は第２の実施例を示す図１と同様な模
式的斜視図であり、本発明を発熱回路を有する電気ヒー
タ用基板１１に適用している。本実施例に於ても第１の
実施例と同様に金属基材層１２の表面に金属酸化物層１
３が形成され、その表面にセラミック粒子が分散された
ガラスからなる絶縁層１４が形成されている。そして、
この絶縁層の表面に発熱回路１５がパターン形成されて
いる。それ以外の構成は第１の実施例と同様である。 ［００２１］
いて詳しく説明する。 ［０００９］図１は本発明が適用された第１の実施例を
示す厚膜電気回路用基板の模式的斜視図であり、図２は
図１の側断面図である。これら図１及び図２に併せて示
すように、基板１は、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ系耐熱合金（イ
ンコロイ９０３．商品名：米国インコアロイ社製）から
なる金属基材層２と、この基板２の表面に形成されたδ
−Ａ１２Ｏ３からなる厚さ数μｍ以下の透明な金属酸化
物層３と、Ａｌ２Ｏ３であって良いセラミック粒子４ａ
が分散するガラスからなる厚さ２５７１ｍの絶縁層４と
を有され、この絶縁層４の表面に所望の配線パターン５
が形成されている。 ［００１０］実際に基板ｌを形成するには、まず、金属
基材層２の表面に金属アルコキシド溶液（アルミナクリ
アーゾル ５Ｈ−５，商品名二川研ファインケミカル株
式会社製）を塗布され、この基板１を室温〜２００℃程
度で乾燥させた後、大気中にて毎分２０℃の速度で昇温
させ６００℃にて１０分間保持され、その後毎分２０℃
の速度で冷却することにより金属酸化物層３を焼成して
いる。 ［００１１１次に、この金属酸化物層３の表面に、Ａｌ
２Ｏ３粒子と鉛ホウケイ酸系結晶化ガラス粉末とを１対
１の割合で有機溶剤からなるビヒクル中に均一に分散さ
せたペーストをスクリーン印刷を３回行うことにより塗
布され、乾燥させた後、大気中にて毎分約３５℃の速度
で昇温させて９１０℃にて１０分間保持され、その後毎
分３５℃の速度で冷却させることにより絶縁層４を焼成
している。 ［００１２］ここで、本実施例では金属酸化物層３を６
００℃で焼成したが、実際には６００℃〜１０００℃の
範囲で焼成して良い。また、絶縁層４も本実施例では９
１０℃にて焼成したが、８００℃〜１０００℃の範囲で
５分間〜３０分間焼成すれば良い。更に、本実施例では
絶縁層４の厚さを２５μｍとしたが、例えばスクリーン
印刷の回数を変えることにより数十μｍ−数百μｍの範
囲で任意に設定して良い。加えて、本実施例ではセラミ
ック（Ａｌ２Ｏ２）粒子と鉛ホウケイ酸系結晶化ガラス
粉末とを１対１の割合で混ぜたが、実際には所望の基板
表面特性に応じた割合として良い。 ［００１３］このようにして形成した金属基板１につい
＊＊て、強度、耐熱性、絶縁耐圧及び絶縁層の熱伝導性
の試験を行い、その結果を表１に示す。また、基材層と
絶縁層との密着性、耐熱衝撃性を従来のほうろう基板と
比較した結果及び放熱性を従来のセラミック基板、はう
ろう基板と比較した結果を表２に示す。本発明に基づく
金属基板は、表１に於ける衝撃強度に於て実際には従来
のほうろう基板に比較して２倍以上であった。また、表
２に良く示すように、本発明に基づく金属基板は、従来
のセラミック基板及びほうろう基板に比較して特に放熱
性に於て優れていることがわかる。 ［００１４］ 表１ ［００１５］ 表２ ［００１６］更に、表３に基材層に通常のフェライト系
ステンレス（ＳＵＳ４３０）を用いた場合と、耐熱合金
（インコロイ９０３）を用いた場合の基板形成後の降伏
強度及び引張強度を比較した結果を示す。 ［００１７］ ［００１８１表３に示すように、通常のフェライト系ス
テンレスを基材層２に用いた場合、上述の複数回の焼成
作業により焼鈍され、その後の室温強度が低下すること
が考えられるが、耐熱合金を用いることによりその問題
が解消されている。 ［００１９］尚、本実施例では、金属アルコキシド溶液
としてアルミニウムアルコキシド溶液を塗布したが、チ
タンアルコキシド溶液を用いればＴｉＯ２からなる金属
酸化層が形成される。また、本実施例ではセラミック粒
子としてＡｌ２Ｏ３粒子を用いたが、実際にはそれ以外
にＭｇＯ、Ｂｅｄ、 Ｓ ｉ３Ｎ４、ＳｉＣ，ＡＩＮ等
、様々なセラミック材料を用いることができる。この場
合１例えばＳｉ３Ｎ４等を用いれば耐摩耗性の高い基板
が得られ、ＡＩＮ、ＢｅＯ等を用いれば熱伝導性の高い
基板が得られる。このセラミック粒子の種類、混合する
割合を変化させることにより所望に応じた基板表面の特
性を得ることができると共に基材層との密着性などを改
善することができる。更に、本実施例では金属アルコキ
シドを焼成して金属酸化物層を得たが、ＰＶＤ法、ＣＶ
Ｄ法、イオンスパッタリング法、陽極酸化法等により金
属酸化物層を形成しても良い。 ［００２０１図３は第２の実施例を示す図１と同様な模
式的斜視図であり、本発明を発熱回路を有する電気ヒー
タ用基板１１に適用している。本実施例に於ても第１の
実施例と同様に金属基材層１２の表面に金属酸化物層１
３が形成され、その表面にセラミック粒子が分散された
ガラスからなる絶縁層１４が形成されている。そして、
この絶縁層の表面に発熱回路１５がパターン形成されて
いる。それ以外の構成は第１の実施例と同様である。 ［００２１］
【発明の効果】このように本発明によれば、絶縁層にセ
ラミック粒子を分散させたガラスを用いることにより、
放熱性が向上され、分散するセラミック粒子を選択する
ことにより基板に所望の表面特性を持たせることができ
ることから、基材層の金属の熱膨脹係数に近い熱膨脹係
数を絶縁層に持たせることができ、温度変化時の密着性
が向上する。また、上記基材層と絶縁層との間に金属酸
化物層を介在させることにより両者間の密着性が一層向
上され、衝撃強度、耐熱衝撃性が向上する。このとき基
材層に耐熱合金を用いることにより、基材層が焼鈍によ
る強度の低下を減少できることから、基板形成後の室温
強度が向上する。以上のことから本発明の効果は極めて
大である。
ラミック粒子を分散させたガラスを用いることにより、
放熱性が向上され、分散するセラミック粒子を選択する
ことにより基板に所望の表面特性を持たせることができ
ることから、基材層の金属の熱膨脹係数に近い熱膨脹係
数を絶縁層に持たせることができ、温度変化時の密着性
が向上する。また、上記基材層と絶縁層との間に金属酸
化物層を介在させることにより両者間の密着性が一層向
上され、衝撃強度、耐熱衝撃性が向上する。このとき基
材層に耐熱合金を用いることにより、基材層が焼鈍によ
る強度の低下を減少できることから、基板形成後の室温
強度が向上する。以上のことから本発明の効果は極めて
大である。
【図１】本発明が適用された第１の実施例を示す厚膜電
気回路用基板の模式的斜視図である。
気回路用基板の模式的斜視図である。
【図２】図１の要部側断面図である。
【図３】本発明が適用された第２の実施例を示す電気ヒ
ータ用基板の模式的斜視図である。
ータ用基板の模式的斜視図である。
１ 基板
２ 基材層
３ 金属酸化物層
４ 絶縁層
４ａ セラミック粒子
５ 配線パターン
１１ 基板
１２ 基材層
１３ 金属酸化物層
１４ 絶縁層
１５ 配線パターン
（７２）発明者
Claims (3)
- 【請求項１】耐熱合金からなる基材層と、前記基材層の
表面に焼成により形成された金属酸化層と、前記金属酸
化層の表面に焼成により形成され、かつガラス材にセラ
ミツク粒子を分散してなる絶縁層とを有することを特徴
とする金属基板。 - 【請求項２】前記耐熱合金がＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ系耐熱合
金からなることを特徴とする請求項１に記載の金属基板
。 - 【請求項３】前記耐熱合金が７００℃の温度で５分間放
置した後に室温に冷却して７０ｋｇ／ｍｍ＾２以上の降
伏強度を有することを特徴とする請求項１若しくは請求
項２に記載の金属基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40538290A JPH04209588A (ja) | 1990-12-05 | 1990-12-05 | 金属基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40538290A JPH04209588A (ja) | 1990-12-05 | 1990-12-05 | 金属基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04209588A true JPH04209588A (ja) | 1992-07-30 |
Family
ID=18514986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40538290A Pending JPH04209588A (ja) | 1990-12-05 | 1990-12-05 | 金属基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04209588A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009069333A1 (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-04 | Ibiden Co., Ltd. | 排気管 |
| WO2009069332A1 (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-04 | Ibiden Co., Ltd. | 排気管 |
| CN106851871A (zh) * | 2017-01-13 | 2017-06-13 | 杭州格拉思康科技有限公司 | 层状陶瓷电热元件 |
-
1990
- 1990-12-05 JP JP40538290A patent/JPH04209588A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009069333A1 (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-04 | Ibiden Co., Ltd. | 排気管 |
| WO2009069332A1 (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-04 | Ibiden Co., Ltd. | 排気管 |
| US8201584B2 (en) | 2007-11-28 | 2012-06-19 | Ibiden Co., Ltd. | Exhaust pipe |
| US8844576B2 (en) | 2007-11-28 | 2014-09-30 | Ibiden Co., Ltd. | Exhaust pipe |
| CN106851871A (zh) * | 2017-01-13 | 2017-06-13 | 杭州格拉思康科技有限公司 | 层状陶瓷电热元件 |
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