JPH04210473A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04210473A JPH04210473A JP2340154A JP34015490A JPH04210473A JP H04210473 A JPH04210473 A JP H04210473A JP 2340154 A JP2340154 A JP 2340154A JP 34015490 A JP34015490 A JP 34015490A JP H04210473 A JPH04210473 A JP H04210473A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit pattern
- carbon
- thin film
- ion beam
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置の製造方法に関し、
レチクルマスク回路パターンを構成するＣｒのスパッタ
速度よりもカーボンの堆積速度を速くすることができ、
不具合の穴等を確実に塞（ことができ、レチクルマスク
回路パターンの修正を確実に行うことができる半導体装
置の製造方法を提供することを目的とし、 Ｆ Ｉ Ｂ （Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）装
置を用い、堆積用元素含有ガスを導入しながらイオンビ
ーム照射して薄膜を処理する際、該イオンビーム照射を
時間的にＯＮ／ＯＦＦさせ時間分割で行うか、あるいは
該薄膜上で領域毎に分割させ領域分割で行う工程を含む
ように構成する。
速度よりもカーボンの堆積速度を速くすることができ、
不具合の穴等を確実に塞（ことができ、レチクルマスク
回路パターンの修正を確実に行うことができる半導体装
置の製造方法を提供することを目的とし、 Ｆ Ｉ Ｂ （Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）装
置を用い、堆積用元素含有ガスを導入しながらイオンビ
ーム照射して薄膜を処理する際、該イオンビーム照射を
時間的にＯＮ／ＯＦＦさせ時間分割で行うか、あるいは
該薄膜上で領域毎に分割させ領域分割で行う工程を含む
ように構成する。
本発明は、半導体製造に使用するレチクルマスクのＣｒ
等からなる回路パターンに生じた不具合の穴等を確実に
修正することができる半導体装置の製造方法に関する。
等からなる回路パターンに生じた不具合の穴等を確実に
修正することができる半導体装置の製造方法に関する。
レチクルマスクの回路パターンに生した不具合の穴等を
修正する方法には、ＦＩＢ装置が用いられ、カーボン含
有有機系ガスを導入ｊ−ながらイオンビームを照射して
行われる。この場合、レチクルマスク回路パターンを構
成するＣｒのスパッタ速度よりもカーボンの堆積速度を
速くすることができ、不具合の穴等を確実に塞ぐことが
でき、レチクルマスク回路パターンの修正を確実に行う
ことができる半導体装置の製造方法が要求されている。
修正する方法には、ＦＩＢ装置が用いられ、カーボン含
有有機系ガスを導入ｊ−ながらイオンビームを照射して
行われる。この場合、レチクルマスク回路パターンを構
成するＣｒのスパッタ速度よりもカーボンの堆積速度を
速くすることができ、不具合の穴等を確実に塞ぐことが
でき、レチクルマスク回路パターンの修正を確実に行う
ことができる半導体装置の製造方法が要求されている。
従来、半導体装置の製造方法においでは、石英基板上に
Ｃｒ等の回路パターンが形成されたレチクルマスクを用
い、ステッパで露光してウェーハ上にレチクルマスクの
回路パターンを転写する工程がある。
Ｃｒ等の回路パターンが形成されたレチクルマスクを用
い、ステッパで露光してウェーハ上にレチクルマスクの
回路パターンを転写する工程がある。
レチクルマスクの回路パターンは寸法等の精度が要求さ
れているが、回路パターン形成時にＣｒが所定通りスパ
ッタされていないことがあり、この際Ｃｒパターンに所
定のパターンとは異なる穴、欠は等が生じていることが
ある。これはＣｒが薄膜化、微細化される程顕著になる
傾向がある。
れているが、回路パターン形成時にＣｒが所定通りスパ
ッタされていないことがあり、この際Ｃｒパターンに所
定のパターンとは異なる穴、欠は等が生じていることが
ある。これはＣｒが薄膜化、微細化される程顕著になる
傾向がある。
このレチクルマスクに生じる穴、欠は等の不具合を修正
する装置にはＦＩＢ装置が挙げられる。
する装置にはＦＩＢ装置が挙げられる。
ＦＩＢ装置は本来埋まっていないといけない穴等を寒く
ために、カーボン含有有機系ガスを導入しながらイオン
ビームを照射し、カーボンを堆積していくというもので
ある。
ために、カーボン含有有機系ガスを導入しながらイオン
ビームを照射し、カーボンを堆積していくというもので
ある。
特に、レチクルマスクのＣｒ厚が厚膜（３０００人程度
変度場合、レチクルマスクの回路パターンに生じた穴等
の不具合を効率良く修正することができるという利点が
ある。
変度場合、レチクルマスクの回路パターンに生じた穴等
の不具合を効率良く修正することができるという利点が
ある。
しかしながら、上記した従来の半導体装置の製造方法で
は、レチクルマスクのＣｒ厚が薄膜の場合（例えば６０
０人程変度高反射膜の場合）、Ｆ■Ｂ装置を用い、カー
ボン含有を機系ガスを導入しながらイオンビーム照射し
て不具合の穴等をカーボンで堆積して修正しようとする
と、カーボンの堆積速度よりもＣｒのスパッタ速度が速
くなり、見かけ上Ｃｒがエツチングされて穴が更に太き
（なってしまうという問題があった。
は、レチクルマスクのＣｒ厚が薄膜の場合（例えば６０
０人程変度高反射膜の場合）、Ｆ■Ｂ装置を用い、カー
ボン含有を機系ガスを導入しながらイオンビーム照射し
て不具合の穴等をカーボンで堆積して修正しようとする
と、カーボンの堆積速度よりもＣｒのスパッタ速度が速
くなり、見かけ上Ｃｒがエツチングされて穴が更に太き
（なってしまうという問題があった。
カーボンの堆積速度がＣｒのスパッタ速度よりも速くな
るのは、レチクルマスクのＣｒパターンが薄膜のため、
厚膜の場合よりもＣｒパターン表面で温度上昇すること
により生じているものと考えられる。
るのは、レチクルマスクのＣｒパターンが薄膜のため、
厚膜の場合よりもＣｒパターン表面で温度上昇すること
により生じているものと考えられる。
そこで、本発明では、レチクルマスク回路パターンを構
成するＣｒのスパッタ速度よりもカーボンの堆積速度を
速くすることができ、不具合の穴等を確実に塞ぐことが
でき、レチクルマスク回路パターンの修正を確実に行う
ことができる半導体装置の製造方法を提供することを目
的としている。
成するＣｒのスパッタ速度よりもカーボンの堆積速度を
速くすることができ、不具合の穴等を確実に塞ぐことが
でき、レチクルマスク回路パターンの修正を確実に行う
ことができる半導体装置の製造方法を提供することを目
的としている。
本発明による半導体装置の製造方法は上記目的達成のた
め、Ｆ Ｉ Ｂ （Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｊｏｎ Ｂｅａｍ
）装置を用い、堆積用元素含有ガスを導入しながらイオ
ンビーム照射して薄膜を処理する際、該イオンビーム照
射を時間的にＯＮ１０ Ｆ Ｆさせ時間分割で行うか、
あるいは該薄膜上で領域毎に分割させ領域分割で行う工
程を含むものである。
め、Ｆ Ｉ Ｂ （Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｊｏｎ Ｂｅａｍ
）装置を用い、堆積用元素含有ガスを導入しながらイオ
ンビーム照射して薄膜を処理する際、該イオンビーム照
射を時間的にＯＮ１０ Ｆ Ｆさせ時間分割で行うか、
あるいは該薄膜上で領域毎に分割させ領域分割で行う工
程を含むものである。
本発明では、第１図及び第２図に示すように、回路パタ
ーン２に生じた不具合の穴をカーボンを堆積して修正す
る際、イオンビーム照射を時間的に、ＯＮ／ＯＦＦさせ
時間分割で行うか、あるいは回路パターン２上で領域２
ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ毎に分割させ領域分割で行うよう
にしたため、従来の回路パターン領域全てを連続的に照
射する場合よりも回路パターン２表面の温度上昇を抑え
ることができる。
ーン２に生じた不具合の穴をカーボンを堆積して修正す
る際、イオンビーム照射を時間的に、ＯＮ／ＯＦＦさせ
時間分割で行うか、あるいは回路パターン２上で領域２
ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ毎に分割させ領域分割で行うよう
にしたため、従来の回路パターン領域全てを連続的に照
射する場合よりも回路パターン２表面の温度上昇を抑え
ることができる。
従って、回路パターン２を構成するＣｒのスパッタ速度
よりもカーボンの堆積速度を速くすることができ、不具
合の穴を確実に寒くことができる。
よりもカーボンの堆積速度を速くすることができ、不具
合の穴を確実に寒くことができる。
・；実施例）
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明二二係る半導体装置の製造方法の一実施
例を説明する図である。第１図において、１は５ｉｎ２
等からなる基板、２は基板１上Ｑこ形成されたＣ「等か
らなり例えば２５１！ｍ角のＵｇＪ路パターンである。
例を説明する図である。第１図において、１は５ｉｎ２
等からなる基板、２は基板１上Ｑこ形成されたＣ「等か
らなり例えば２５１！ｍ角のＵｇＪ路パターンである。
次Ｃ二回路パターン２となるＣｒが所定通りスパッタさ
れずに所定パターンとは異なる不具合の穴等が回路パタ
ーン２に生じている場合の修正方法について説明する。
れずに所定パターンとは異なる不具合の穴等が回路パタ
ーン２に生じている場合の修正方法について説明する。
なお、ここでのＣｒ回路パターン２は膜厚６００人程変
度高反射膜等に用いられる薄膜の場合である。
度高反射膜等に用いられる薄膜の場合である。
本実施例では、ＦＩＢ装置を用い、カーボン含有有機系
ガス（ピレンガス等）を導入しながら回路パターン２上
で矢印への如くイオンビーム照射し、回路パターン２に
生じている不具合の穴内にカーボンを膜厚２５００人程
度堆積して修正する。なお、カーボン厚は光を遮蔽する
に足りる厚さであればよい。この時、イオンビー１、照
射を回路パターン１２上の領域で時間的にＯＮ／ＯＦＦ
させ時間分割で行・う。具体的にば、１′オン′ヒ゛−
ムＯＮ時間７分てイオンビーＪ、ＯＦＦ時間１分を１サ
イクルとして、３サイクル、１・−ズ量ｉ、２８ Ｘ
１０− ”ｃ／ｃｍ”、工ふルギー２０Ｋ ｅ ｖであ
る。
ガス（ピレンガス等）を導入しながら回路パターン２上
で矢印への如くイオンビーム照射し、回路パターン２に
生じている不具合の穴内にカーボンを膜厚２５００人程
度堆積して修正する。なお、カーボン厚は光を遮蔽する
に足りる厚さであればよい。この時、イオンビー１、照
射を回路パターン１２上の領域で時間的にＯＮ／ＯＦＦ
させ時間分割で行・う。具体的にば、１′オン′ヒ゛−
ムＯＮ時間７分てイオンビーＪ、ＯＦＦ時間１分を１サ
イクルとして、３サイクル、１・−ズ量ｉ、２８ Ｘ
１０− ”ｃ／ｃｍ”、工ふルギー２０Ｋ ｅ ｖであ
る。
このよ・）に、本実施例では、回路パターン２に生した
不具合の穴をカーホンを堆積して修正する際、イオンビ
ーム照射を時間的に○Ｎ１０ＦＦさせ時間分割で行うよ
うに１．たため、従来の時間分割ではなく回路パターン
全てを連続的に照射する場合よりも回路パターン２表面
の温度上昇を抑えることができる。
不具合の穴をカーホンを堆積して修正する際、イオンビ
ーム照射を時間的に○Ｎ１０ＦＦさせ時間分割で行うよ
うに１．たため、従来の時間分割ではなく回路パターン
全てを連続的に照射する場合よりも回路パターン２表面
の温度上昇を抑えることができる。
このため、回路パターン２を構成するＣｒのスバ、り速
度よりもカーボンの堆積速度を速くすることができ、不
具合の穴を確実に寒くことができる。従って、レチクル
マスク回路パターンの修正を確実に行うことができる。
度よりもカーボンの堆積速度を速くすることができ、不
具合の穴を確実に寒くことができる。従って、レチクル
マスク回路パターンの修正を確実に行うことができる。
なお、本実施例では、イオンビーム照射を時間的にＯＮ
／ＯＦＦさせ時間分割で行う場合について説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、第２図に示す
ように、イオンビーム照射を回路パターン２上で領域２
ａ、２ｂ、２（・、２ｄ毎に分割さ上領域分割で行う場
合であってもよい。ここでは回路パターン２を４゛っの
領域２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄに分割している場合である
。
／ＯＦＦさせ時間分割で行う場合について説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、第２図に示す
ように、イオンビーム照射を回路パターン２上で領域２
ａ、２ｂ、２（・、２ｄ毎に分割さ上領域分割で行う場
合であってもよい。ここでは回路パターン２を４゛っの
領域２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄに分割している場合である
。
具体的な条件は、各領域２ａ、２ｂ、２（５，２ｄのイ
オンビームＯＮ時間、ドーズ量０．４ Ｘ １Ｏ−２ｃ
／ｃｍ２、エネルギー２０ＫｅＶである。
オンビームＯＮ時間、ドーズ量０．４ Ｘ １Ｏ−２ｃ
／ｃｍ２、エネルギー２０ＫｅＶである。
この実施例でも、従来の回路パターン領域全てを連続的
に照射する場合よりも回路パターン２表面の温度上昇を
抑えることができるため、上記実施例と同様の効果を得
ることができる。
に照射する場合よりも回路パターン２表面の温度上昇を
抑えることができるため、上記実施例と同様の効果を得
ることができる。
本発明によれば、レチクルマスク回路パターンを構成す
るＣｒのスパッタ速度よりもカーボンの堆積速度を速く
することができ、不具合の穴等を確実に寒くことができ
、レチクルマスク回路パターンの修正を確実に行うこと
ができるという効果がある。
るＣｒのスパッタ速度よりもカーボンの堆積速度を速く
することができ、不具合の穴等を確実に寒くことができ
、レチクルマスク回路パターンの修正を確実に行うこと
ができるという効果がある。
第１図は一実施例の修正方法を説明する図、第２図は他
の実施例の修正方法を説明する図である。 １・・・・・・基板、 ２・・・・・・回路パターン、 ２ａ、２ｂ、２ｃ、２ ｄ −＝−・・領域。 １：基板 ２：回路パターン ２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ：領域 一実施例の修正方法を説明する図 第１図 他の実施例の修正方法を説明する図 第２図
の実施例の修正方法を説明する図である。 １・・・・・・基板、 ２・・・・・・回路パターン、 ２ａ、２ｂ、２ｃ、２ ｄ −＝−・・領域。 １：基板 ２：回路パターン ２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ：領域 一実施例の修正方法を説明する図 第１図 他の実施例の修正方法を説明する図 第２図
Claims (2)
- （１）ＦＩＢ（ＦｏｃｕｓｅｄＩｏｎＢｅａｍ）装置を
用い、堆積用元素含有ガスを導入しながらイオンビーム
照射して薄膜を処理する際、 該イオンビーム照射を時間的にＯＮ／ＯＦＦさせ時間分
割で行うか、あるいは該薄膜上で領域毎に分割させ領域
分割で行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - （２）前記薄膜がレチクルマスクの回路パターンである
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2340154A JPH04210473A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2340154A JPH04210473A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04210473A true JPH04210473A (ja) | 1992-07-31 |
Family
ID=18334247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2340154A Pending JPH04210473A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04210473A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002356769A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2340154A patent/JPH04210473A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002356769A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
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