JPS63128348A - マスク修正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はマスク修正技術、特に半導体装置の製造工程で
使用されるマスクのパターン修正に適用して有効な技術
に関するものである。

〔従来の技術〕

マスクのパターン修正に適用して有効な技術としては、
特開昭５７−１１８２４７号公報を例示することができ
る。

ところで、半導体装置の製造工程においては、種々のマ
スクを用いたりソグラフィ技術により、シリコン単結晶
などからなる半導体ウェハ上に微細な回路素子や配線な
どのパターン転写を行うため、このマスクにおけるパタ
ーンの精度が半導体装置の良否に大きな影響を及ぼすこ
とになる。

上記マスクは、通常、石英ガラスなどからなる透明基板
上にクロムなどの遮光性物質を被着し、電子ビーム描画
法やエツチングなどによって所定のパターンを形成する
ことにより製造される。

ところが、このようにして形成されたパターンには、そ
の一部に欠けやピンホールなどの欠陥部が生じることが
ある。また、上記クロムなどのパターン構成物質は、石
英ガラスに対してさほど強固な密着力を有してはいない
ため、マスクの使用中にパターンの一部に同様の欠陥部
が生じることもある。

そこで、このような欠陥部を修正する方法として、欠陥
個所にホトレジストを塗布して再度露光を行った後、ク
ロムなどをスパッタリングするりフトオフ法、熱やレー
ザーを用いたＣＶＤ法あるいは収束イオンビーム法など
が採用されている。

例えば、前記特開昭５７−１１８２４７号公報に開示さ
れた修正方法は、クロムからなるパターン上に銀−チタ
ン含有錯体層を塗布形成し、その上方から欠陥部にレー
ザーを照射して錯体構成金属（銀−チタン）を析出させ
ることにより、欠けやピンホールを塞ぐというものであ
る。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが本発明者は、上述した従来の修正方法には下記
のような問題のあることを見出した。

すなわちこれらの修正方法は、いずれも欠陥部以外の個
所をホトレジストなどでマスクした後、欠陥部にクロム
などのパターン構成物質を被着ささせる方法であるため
、修正作業に熟練を要し、しかも長時間を要するという
問題がある。

また、ホトレジスト塗布によってマスク表面が汚染され
たり、修正作業中に正常なパターンの一部が欠けてしま
うなど、新たな欠陥部を作ってしまう虞れもある。さら
に、サブミクロン単位の極めて微細なパターンを有する
超ＬＳＩ製造用マスクなどの場合には、これらの方法で
上記欠陥部を修正するのは極めて困難である。

本発明の目的は、信頼性の高いマスク修正技術を提供す
ることにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔問題点を解決するための手段〕

不順において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。

すなわち、透明基板の表面に所定のパターンが形成され
た第１のマスクと、前記第１のマスクのパターン欠陥部
に対応する個所に、その欠陥部を補う補助パターンを形
成してなる第２のマスクとを重ね合わせることにより、
前記第１のマスクにあけるパターン欠陥部の修正を行う
ものである。

〔作用〕

上記した手段によれば、第１のマスクにおけるパターン
の欠陥部を補う補助パターンが第２のマスクの対応個所
に形成されていることから、前記欠陥部を直接修正しな
くとも、これらのマスクを重ね合わせて使用すれば、欠
陥部が被転写物に転写されないため、間接的に欠陥部の
修正が達成される。

〔実施例〕

第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例であるマスク
修正方法を工程順に示すマスクの斜視図である。

本実施例で使用するマスクは、例えば紫外線を光源とす
る露光によって、シリコンなどの半導体ウェハ（以下、
単にウェハという）上に所定のパターンを転写するため
のマスクである。

このマスクは、第１図（ａ）に示すように、例えば石英
ガラスからなる透明基板３ａの上にクロムなどの遮光性
物質を全面被着してホトレジストを塗布した後、電子ビ
ーム描画法などによって所定のパターン４を描画し、次
いで不要個所の遮光性物質やホトレジストをエツチング
により除去したものである。

ところが、例えば上記ホトレジスト中に存在したピンホ
ールなどが原因でこのマスク１のパターン４の一部に欠
陥部６が生じた場合、このマスク１を使用してウェハ上
にパターン転写を行うと、上記欠陥部６もウェハ上に転
写されてしまう。

そこで、まず上記欠陥部６の位置と面積とを測定した後
、第１図（ｂ）に示すように、別途透明基板３ｂを用意
し、上記測定値に基いて欠陥部６の位　　、置に対応す
る個所に補助パターン５を形成してなる補助マスク２を
製造する。

上記補助マスク２を製造するには、透明基板３ｂの上に
クロムなどの遮光性物質を被着してホトレジストを塗布
した後、電子ビーム描画法などによって補助パターン５
を描画し、次いで不要個所の遮光性物質やホトレジスト
をエツチングにより除去すればよい。この補助マスク２
に形成される補助パターン５の面積は、欠陥部６の面積
より幾分大きめとすることが好ましい。

次に、ウェハ上に前記マスク１のパターン４を転写する
際には、第１図（Ｃ）に示すように、このマスク１と上
記補助マスク２とを重ね合わせて使用すればよい。すな
わち、これら二枚のマスク１．２を、その各々に形成さ
れたアライメントマーク７ａ、７ｂ同士が一致するよう
に重ね合わせることにより、上記欠陥部６と補助パター
ン５とが重なり合って紫外線などが欠陥部５を透過する
のが防止されるため、ウェハ上に欠陥のないパターンを
転写することが可能となる。

このように、本実施例においては以下の効果を得ること
ができる。

（１）、マスク１のパターン４の一部に生じた欠陥部６
を補う補助パターン４を補助マスク２の対応個所に形成
し、これら二枚のマスク１．２を重ね合わせて使用する
ことにより、光源からの紫外線などが欠陥部６を透過す
るのが妨げられるため、前記欠陥部６を直接修正しなく
とも、ウェハ上に欠陥のないパターンを転写することが
できる。

〔２）、欠陥部６を直接修正するものではないため、修
正作業中にマスク１の表面が汚染されたり、正常なパタ
ーンの一部が欠けてしまうなど、新たな欠陥部を作る虞
れはない。

（３）、前記（１）、（２）により、マスク修正作業の
信頼性が著しく向上し、歩留りの高い半導体装置が得ら
れる。また、サブミクロン単位の極めて微細なパターン
上に生じた欠陥部の修正も容易に行うことができる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。

例えば、縮小露光を行う際に使用するマスク、すなわち
レチクルに適用できるのは勿論、Ｘ線やイオンビームを
照射源としてリングラフィを行う際に使用するマスクに
適用することもできる。

以上の説明では、主として本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野である半導体ウェハ用マ
スクのパターン修正技術に適用した場合について説明し
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、一般に
、照射源と、この照射源に対して非透過性の物質を用い
てパターン形成した原版とにより、被転写物に所定のパ
ターン転写を行う際のパターン修正技術として広く適用
することができる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。

すなわち、透明基板の表面に所定のパターンが形成され
た第１のマスクと、この第１のマスクのパターン欠陥部
に対応する個所に、その欠陥部を補う補助パターンを形
成してなる第２のマスクとを重ね合わせることにより、
前記欠陥部を直接修正しなくとも、欠陥部が被転写物に
転写されないため、信頼性の高いマスク修正技術を提供
することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例であるマスク
修正方法を工程順に示すマスクの斜視図である。 １・・・マスク、２・・・補助マスク、３ａ。 ３ｂ・・・透明基板、４・・・パターン、５・・・補助
パターン、６・・・欠陥部、７ａ、７ｂ・・・アライメ
ントマーク。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、透明基板の表面に遮光性物質を被着することにより
   形成されるパターンの欠陥部を修正する方法であって、
   前記透明基板の表面に所定のパターンを形成してなる第
   １のマスクと、前記第１のマスクのパターン欠陥部に対
   応する個所に、その欠陥部を補う補助パターンを形成し
   てなる第２のマスクとを重ね合わせることを特徴とする
   マスク修正方法。 ２、前記マスクが半導体ウェハ上に所定のパターンを転
   写するためのマスクであることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載のマスク修正方法。