JPH0421065Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0421065Y2 JPH0421065Y2 JP1983186131U JP18613183U JPH0421065Y2 JP H0421065 Y2 JPH0421065 Y2 JP H0421065Y2 JP 1983186131 U JP1983186131 U JP 1983186131U JP 18613183 U JP18613183 U JP 18613183U JP H0421065 Y2 JPH0421065 Y2 JP H0421065Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferromagnetic
- pair
- current terminals
- same
- magnetoelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は磁気抵抗効果素子を使用した磁気検出
ヘツド等の磁界検出器、特にその基準抵抗の改良
に関する。
ヘツド等の磁界検出器、特にその基準抵抗の改良
に関する。
背景技術とその問題点
磁気抵抗効果素子から成る磁電変換素子を使用
した従来の磁気検出ヘツドを第１図に示す。同図
においてＭは例えば特開昭51−78647号公報、特
公昭56−1567号等に開示された磁電変換素子で、
ガラス等より成る基板１の表面に、ニツケルコバ
ルトのような磁気抵抗の異方性効果を有する強磁
性体Ａ，Ｂの薄膜が形成されている。この強磁性
体Ａ，Ｂは例えば櫛歯パターン状に強磁性材料を
蒸着するか又は全面に蒸着した後、エツチングし
て形成することができる。この強磁性体Ａ，Ｂは
主電流通路となる複数の直線部分２Ａ，２Ｂと、
これらを連結する屈曲部３Ａ，３Ｂとから夫夫構
成されており、上記直線部分２Ａ，２Ｂは互いに
略直交するように配されている。また直線部分２
Ａ，２Ｂの各端部４Ａ，４Ｂは接続されていて強
磁体Ａ，Ｂは直列接続となつている。上記接続部
に出力端子５が形成され、さらに直線部分２Ａ，
２Ｂの他端部６Ａ，６Ｂに夫々電流端子７Ａ，７
Ｂが形成されている。
した従来の磁気検出ヘツドを第１図に示す。同図
においてＭは例えば特開昭51−78647号公報、特
公昭56−1567号等に開示された磁電変換素子で、
ガラス等より成る基板１の表面に、ニツケルコバ
ルトのような磁気抵抗の異方性効果を有する強磁
性体Ａ，Ｂの薄膜が形成されている。この強磁性
体Ａ，Ｂは例えば櫛歯パターン状に強磁性材料を
蒸着するか又は全面に蒸着した後、エツチングし
て形成することができる。この強磁性体Ａ，Ｂは
主電流通路となる複数の直線部分２Ａ，２Ｂと、
これらを連結する屈曲部３Ａ，３Ｂとから夫夫構
成されており、上記直線部分２Ａ，２Ｂは互いに
略直交するように配されている。また直線部分２
Ａ，２Ｂの各端部４Ａ，４Ｂは接続されていて強
磁体Ａ，Ｂは直列接続となつている。上記接続部
に出力端子５が形成され、さらに直線部分２Ａ，
２Ｂの他端部６Ａ，６Ｂに夫々電流端子７Ａ，７
Ｂが形成されている。
強磁性体Ａ，Ｂを飽和磁化させるに充分な強さ
の磁界Ｈを、強磁性体Ａ，Ｂのなす平面におい
て、強磁性体Ａの直線部分２Ａの方向、即ち電流
方向に対して角度θを以つて加えると、強磁性体
Ａ，Ｂの各電気抵抗ρA，ρBが変化し、その変化は
角度θにより次式で表わされる。
の磁界Ｈを、強磁性体Ａ，Ｂのなす平面におい
て、強磁性体Ａの直線部分２Ａの方向、即ち電流
方向に対して角度θを以つて加えると、強磁性体
Ａ，Ｂの各電気抵抗ρA，ρBが変化し、その変化は
角度θにより次式で表わされる。
ρA＝ρ⊥sin2θ＋ρ〓cos2θ ……(1)
ρB＝ρ⊥cos2θ＋ρ〓sin2θ ……(2)
但し、ρ⊥は強磁性体Ａ，Ｂを電流と垂直方向
に飽和磁化したときの強性体Ａ，Ｂの電気抵抗、
ρ〓は同じく電流と平行方向に飽和磁化したときの
強磁性体Ａ，Ｂの電気抵抗である。
に飽和磁化したときの強性体Ａ，Ｂの電気抵抗、
ρ〓は同じく電流と平行方向に飽和磁化したときの
強磁性体Ａ，Ｂの電気抵抗である。
更にR1及びR2は基準抵抗、Ｅは直流電源、
AMPは差動増幅器（又は電圧比較器）で磁電変
換素子の電流端子７Ａ，７Ｂに電源Ｅを接続する
と共に強磁性体Ａ，Ｂと基準抵抗R1，R2とによ
りブリツジを組み、磁電変換素子の出力端子５及
び抵抗R1，R2の接続中点を差動増幅器AMPの入
力端子に夫々接続してある。
AMPは差動増幅器（又は電圧比較器）で磁電変
換素子の電流端子７Ａ，７Ｂに電源Ｅを接続する
と共に強磁性体Ａ，Ｂと基準抵抗R1，R2とによ
りブリツジを組み、磁電変換素子の出力端子５及
び抵抗R1，R2の接続中点を差動増幅器AMPの入
力端子に夫々接続してある。
上記磁電変換素子にバイアス磁界を加え、図示
していない磁気スケールとの相対移動に応じてブ
リツジ回路からの出力電圧が増幅器AMPに与え
られる。
していない磁気スケールとの相対移動に応じてブ
リツジ回路からの出力電圧が増幅器AMPに与え
られる。
而して従来のヘツドに於て上記基準抵抗は通常
の抵抗体が用いられ、磁電変換素子の基板の外部
に設置されるので、スペースをとり、製造工数が
かかる問題があつた。また磁電変換素子と基準抵
抗とは異なる素材から成るため温度ドリフトの影
響が大きく、しかもこれを小さくしようとする
と、基準抵抗のコストが高くなる欠点があつた。
の抵抗体が用いられ、磁電変換素子の基板の外部
に設置されるので、スペースをとり、製造工数が
かかる問題があつた。また磁電変換素子と基準抵
抗とは異なる素材から成るため温度ドリフトの影
響が大きく、しかもこれを小さくしようとする
と、基準抵抗のコストが高くなる欠点があつた。
考案の目的
本考案の目的は磁電変換素子の強磁性体と同一
の素材及びパターンを有し、同じ基板上に形成さ
れた基準抵抗を用いることにより温度ドリフトの
抑制、コストダウン及びスペースの節約を計るこ
とにある。
の素材及びパターンを有し、同じ基板上に形成さ
れた基準抵抗を用いることにより温度ドリフトの
抑制、コストダウン及びスペースの節約を計るこ
とにある。
考案の概要
本考案は上記目的を達成するため、磁電変換素
子と同じ基板上に設けられた同一の素材及びパタ
ーンを有する強磁性体から成る少くとも一対の基
準抵抗を用いて磁気検出ヘツドを構成したことを
特徴とする。
子と同じ基板上に設けられた同一の素材及びパタ
ーンを有する強磁性体から成る少くとも一対の基
準抵抗を用いて磁気検出ヘツドを構成したことを
特徴とする。
実施例
以下図面に示す実施例を参照して本考案を説明
すると、第２図においてR1′及びR2′は磁電変換
素子Ｍの基板１上に設けられた基準抵抗で、該素
子と同一のパターンを有する強磁性体A1，B1，
A2，B2から成り、両者は波長λ（記録波長又は読
取波長）離れて配置されていて、夫々の電流端子
７Ａ，７B1，７A2，７B2は図示の如く接続され
ている。
すると、第２図においてR1′及びR2′は磁電変換
素子Ｍの基板１上に設けられた基準抵抗で、該素
子と同一のパターンを有する強磁性体A1，B1，
A2，B2から成り、両者は波長λ（記録波長又は読
取波長）離れて配置されていて、夫々の電流端子
７Ａ，７B1，７A2，７B2は図示の如く接続され
ている。
さて、上記強磁性体A1，B1の電流端子７A1，
７B1から見た抵抗ρA1＋ρB1は前記(1)及び(2)式か
ら明らかな如く ρA1＋ρB1＝ρ⊥（sin2θ＋cos2θ）＋ρ11（sin2θ
＋
cos2θ） ＝ρ⊥＋ρ11である。
７B1から見た抵抗ρA1＋ρB1は前記(1)及び(2)式か
ら明らかな如く ρA1＋ρB1＝ρ⊥（sin2θ＋cos2θ）＋ρ11（sin2θ
＋
cos2θ） ＝ρ⊥＋ρ11である。
同様に上記強磁性体から波長λの整数倍離して
配置した強磁性体A2，B2の電流端子７A2，７B2
から見た抵抗ρA2＋ρB2もρA2＋ρB2＝ρ⊥＋ρ11とな
る。
配置した強磁性体A2，B2の電流端子７A2，７B2
から見た抵抗ρA2＋ρB2もρA2＋ρB2＝ρ⊥＋ρ11とな
る。
このように強磁性体A1，B1又はA2，B2から成
る電気抵抗R1′（ρ⊥＋ρ）又はR2′（ρ⊥＋ρ）
は、理論的には磁界の方向角度θに関係なく一定
となるのであるが、磁気スケールの検出ヘツドに
用いたときには、微視的に見るとＡパターンとＢ
パターンとでは若干ではあるが磁界の加わり方が
異なる場合が生じ、上記電気抵抗R1′，R2′が一
定ではなくなることがある。
る電気抵抗R1′（ρ⊥＋ρ）又はR2′（ρ⊥＋ρ）
は、理論的には磁界の方向角度θに関係なく一定
となるのであるが、磁気スケールの検出ヘツドに
用いたときには、微視的に見るとＡパターンとＢ
パターンとでは若干ではあるが磁界の加わり方が
異なる場合が生じ、上記電気抵抗R1′，R2′が一
定ではなくなることがある。
そこで、第２図のように強磁性体A1，B1及び
A2，B2を磁気記録波長λに対しnλ（ｎ＝整数）
の間隔を設け配置することにより、基準抵抗とし
ての電気抵抗R1′及びR2′が変化した場合でも、
その変化量はR1′及びR2′で同じになる。これに
より、温度による変化もR1′及びR2′で同じにな
るので、R1′及びR2′の接続点は常に一定の電圧
レベルを維持することができる。
A2，B2を磁気記録波長λに対しnλ（ｎ＝整数）
の間隔を設け配置することにより、基準抵抗とし
ての電気抵抗R1′及びR2′が変化した場合でも、
その変化量はR1′及びR2′で同じになる。これに
より、温度による変化もR1′及びR2′で同じにな
るので、R1′及びR2′の接続点は常に一定の電圧
レベルを維持することができる。
この基準抵抗として用いる強磁性体は磁電変換
素子Ｍと同一の基板上に同様のパターンを以て形
成することができる。
素子Ｍと同一の基板上に同様のパターンを以て形
成することができる。
また、１対の強磁性磁気抵抗体の配置構成とし
ては、例えば電流端子７B1，7A2を一体に形成す
る等種々の変形が可能である。
ては、例えば電流端子７B1，7A2を一体に形成す
る等種々の変形が可能である。
考案の効果
以上説明した所から明らかな如く本考案によれ
ば、同一基板上において同一素材で、しかも同様
のパターン及びプロセスを以て形成することがで
きるので、下記のような優れた作用効果が得られ
る。
ば、同一基板上において同一素材で、しかも同様
のパターン及びプロセスを以て形成することがで
きるので、下記のような優れた作用効果が得られ
る。
(イ) 磁電変換素子の基板外部に基準抵抗を設けな
くてよいので、コスト低下を計り得る。
くてよいので、コスト低下を計り得る。
(ロ) 従来のものに比べて基準抵抗の設置スペース
を節約できる。
を節約できる。
(ハ) ヘツド製造の工数が低減する。
(ニ) 磁電変換素子と基準抵抗の特性が基本的に同
一になるため、温度、磁気抵抗効果、雑音、電
圧等の変化の影響が両者で同一となるから、こ
れらは無視することができ経時変化に強い磁気
検出ヘツドが得られる。
一になるため、温度、磁気抵抗効果、雑音、電
圧等の変化の影響が両者で同一となるから、こ
れらは無視することができ経時変化に強い磁気
検出ヘツドが得られる。
(ホ) ヘツド変換時にその都度調整する必要がなく
なる。
なる。
(ヘ) 基板はそれ程大型とする必要がなく、ヘツド
の小型化、一体化に有効である。
の小型化、一体化に有効である。
第１図は従来の磁電変換素子を用いた磁気検出
ヘツドの回路図、第２図は本考案の一実施例を示
す略線図。 Ａ，Ｂ，A1，A2，B1，B2……強磁性体、Ｍ…
…磁電変換素子、１……基板、AMP……差動増
幅器。
ヘツドの回路図、第２図は本考案の一実施例を示
す略線図。 Ａ，Ｂ，A1，A2，B1，B2……強磁性体、Ｍ…
…磁電変換素子、１……基板、AMP……差動増
幅器。
Claims (1)
- 強磁性磁気抵抗効果を有する１対の電流端子と
出力端子とを備えた３端子型磁電変換素子と、該
素子と同じ基板上に基準抵抗として該素子と同一
の素材及び同一のパターンから成る少なくとも１
対の３端子型強磁性磁気抵抗体を磁気記録波長λ
に対しnλ（ｎ＝１，２，３…）の間隔で設け、該
１対の強磁性磁気抵抗体と前記磁電変換素子との
電流端子をブリツジに接続し、該ブリツジに電源
を与え、該１対の強磁性磁気抵抗体の電流端子の
接続点と前記磁電変換素子の出力端子との差動出
力を取り出すように構成したことを特徴とする磁
気検出ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18613183U JPS6093913U (ja) | 1983-12-01 | 1983-12-01 | 磁気検出ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18613183U JPS6093913U (ja) | 1983-12-01 | 1983-12-01 | 磁気検出ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6093913U JPS6093913U (ja) | 1985-06-26 |
| JPH0421065Y2 true JPH0421065Y2 (ja) | 1992-05-14 |
Family
ID=30402115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18613183U Granted JPS6093913U (ja) | 1983-12-01 | 1983-12-01 | 磁気検出ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6093913U (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6012579B2 (ja) * | 1980-07-18 | 1985-04-02 | 株式会社日立製作所 | 回転検出装置 |
-
1983
- 1983-12-01 JP JP18613183U patent/JPS6093913U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6093913U (ja) | 1985-06-26 |
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