JPH04211193A - 導電回路部材、導電回路部材の製造方法、導電性ペースト及び電子機器 - Google Patents
導電回路部材、導電回路部材の製造方法、導電性ペースト及び電子機器Info
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- JPH04211193A JPH04211193A JP5880891A JP5880891A JPH04211193A JP H04211193 A JPH04211193 A JP H04211193A JP 5880891 A JP5880891 A JP 5880891A JP 5880891 A JP5880891 A JP 5880891A JP H04211193 A JPH04211193 A JP H04211193A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[00011
【産業上の利用分野]本発明は、カメラ等の光学機器や
、事務機、音響製品、OA機器、家電製品、計器類及び
通信機などに用いられるプリント回路板に適する導電性
ペーストおよび導電回路部材に関する。 [0002] 【従来の技術】従来、絶縁基板上に導電回路を形成する
方法としては、同相−気相系では、蒸着法、イオンブレ
ーティング法、CVD法、スパッタ法等が用いられ、固
相一液相系では、めっき法、金属ソルダ法、金属−酸化
物ソルダー法等が用いられ、あるいは固相−固相系では
、直流電圧印加法、圧着高温加熱法等が用いられている
。 [0003]Lかしながら、従来の回路の形成方法には
、次のような欠点があった。 [0004]まず、回路の形成方法として、固相−気相
系では、蒸着法、スパッタ法等が挙げられるが、これら
の方法は全て真空装置が必要であり、装置自身が高価で
あるばかりか用いられる基板が限定され、コスト面への
影響および量産性の問題がある。さらに、回路の形成温
度が高温のため、耐熱性のある基板のみに適用され、限
界がある。 [00051次に、固相一液相系においては、めっき法
、あるいは金属ソルダ法、または金属−酸化物混合ソル
ダ法が挙げられる。 [0006]Lかしめっき法ではパターンとなるめっき
部のめっき厚として少なくとも18μm以上を必要とす
るため、成膜に長時間を要し、生産性に問題があり、コ
スト面に限界がある。また、ソルダ法においては、導電
ペースト性フィラーとして粒径10μm程度の銀粒子、
無定形カーボン、グラファイト粉等を用いて、フェノー
ル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂、アク
リル系樹脂等のバインダーに混合し、マスクを介してス
クリーン印刷して形成されている。しかしながら、この
印刷法は、まず、印刷パターンの解像度が非常に低く、
せいぜい150μmが限度でラップトツブコンピュータ
に代表される電子機器産業界における小型、軽量、薄型
化、あるいはカード化へと急速に展開する現状では、フ
ァイン化対応としては限界である。さらに、品質面での
トラブルも多く、再現性に欠けている。例えば、印刷膜
のにじみ、かすれ、欠落が生じたり、あるいはスクリー
ンマスクのパターンの目詰まり等が品質低下の原因とな
っている。 [0007]また、スキージの印圧、スキージスピード
の条件のバラツキによって膜厚が不均一となり、シャー
プ性がなく、やはり再現性が欠け、品質に大きな問題を
生じている。 [0008]さらには、印刷パターンの位置精度が悪い
ことと、また塗膜の硬化に150℃以上の高温を要し、
基板の反り、ねじれ、寸法不良の発生によって、次工程
への表面接続実装の歩留りが低下し、コスト面において
、やはり大きな問題があり、量産性に限界がある。 [0009]また、ペースト自身、有害な有機溶剤を含
有していることから、作業環境の汚染あるいは火災等の
危険性がある。
、事務機、音響製品、OA機器、家電製品、計器類及び
通信機などに用いられるプリント回路板に適する導電性
ペーストおよび導電回路部材に関する。 [0002] 【従来の技術】従来、絶縁基板上に導電回路を形成する
方法としては、同相−気相系では、蒸着法、イオンブレ
ーティング法、CVD法、スパッタ法等が用いられ、固
相一液相系では、めっき法、金属ソルダ法、金属−酸化
物ソルダー法等が用いられ、あるいは固相−固相系では
、直流電圧印加法、圧着高温加熱法等が用いられている
。 [0003]Lかしながら、従来の回路の形成方法には
、次のような欠点があった。 [0004]まず、回路の形成方法として、固相−気相
系では、蒸着法、スパッタ法等が挙げられるが、これら
の方法は全て真空装置が必要であり、装置自身が高価で
あるばかりか用いられる基板が限定され、コスト面への
影響および量産性の問題がある。さらに、回路の形成温
度が高温のため、耐熱性のある基板のみに適用され、限
界がある。 [00051次に、固相一液相系においては、めっき法
、あるいは金属ソルダ法、または金属−酸化物混合ソル
ダ法が挙げられる。 [0006]Lかしめっき法ではパターンとなるめっき
部のめっき厚として少なくとも18μm以上を必要とす
るため、成膜に長時間を要し、生産性に問題があり、コ
スト面に限界がある。また、ソルダ法においては、導電
ペースト性フィラーとして粒径10μm程度の銀粒子、
無定形カーボン、グラファイト粉等を用いて、フェノー
ル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂、アク
リル系樹脂等のバインダーに混合し、マスクを介してス
クリーン印刷して形成されている。しかしながら、この
印刷法は、まず、印刷パターンの解像度が非常に低く、
せいぜい150μmが限度でラップトツブコンピュータ
に代表される電子機器産業界における小型、軽量、薄型
化、あるいはカード化へと急速に展開する現状では、フ
ァイン化対応としては限界である。さらに、品質面での
トラブルも多く、再現性に欠けている。例えば、印刷膜
のにじみ、かすれ、欠落が生じたり、あるいはスクリー
ンマスクのパターンの目詰まり等が品質低下の原因とな
っている。 [0007]また、スキージの印圧、スキージスピード
の条件のバラツキによって膜厚が不均一となり、シャー
プ性がなく、やはり再現性が欠け、品質に大きな問題を
生じている。 [0008]さらには、印刷パターンの位置精度が悪い
ことと、また塗膜の硬化に150℃以上の高温を要し、
基板の反り、ねじれ、寸法不良の発生によって、次工程
への表面接続実装の歩留りが低下し、コスト面において
、やはり大きな問題があり、量産性に限界がある。 [0009]また、ペースト自身、有害な有機溶剤を含
有していることから、作業環境の汚染あるいは火災等の
危険性がある。
【0010】次に、固相−固相系では、−殻内には、高
融点金属法があるが、固相−気相法と同様に、高温で回
路が形成されるために、やはり高耐熱性基板、例えばセ
ラミック板等に限定され、やはり限界である。 [0011]
融点金属法があるが、固相−気相法と同様に、高温で回
路が形成されるために、やはり高耐熱性基板、例えばセ
ラミック板等に限定され、やはり限界である。 [0011]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の問題点を解決するためになされたものであり、回路部
材の薄膜化が可能で回路の基板に対する密着性が良く、
更に導電性の良好な導電回路部材を提供することを目的
とするものである。 [00121本発明は、極めて微細で且つ位置精度の良
好な回路パターンを有する導電回路部材の製造方法を提
供することを他の目的とする。 [0013]又、本発明は導電性が良好で且つファイン
パターンの回路形成に用いられる導電性ペーストを提供
することを更に他の目的とするものである。 [0014]又、本発明は小型、軽量で且つ導電回路の
欠陥の無い電子機器を提供することを他の目的とするも
のである。 [0015]
の問題点を解決するためになされたものであり、回路部
材の薄膜化が可能で回路の基板に対する密着性が良く、
更に導電性の良好な導電回路部材を提供することを目的
とするものである。 [00121本発明は、極めて微細で且つ位置精度の良
好な回路パターンを有する導電回路部材の製造方法を提
供することを他の目的とする。 [0013]又、本発明は導電性が良好で且つファイン
パターンの回路形成に用いられる導電性ペーストを提供
することを更に他の目的とするものである。 [0014]又、本発明は小型、軽量で且つ導電回路の
欠陥の無い電子機器を提供することを他の目的とするも
のである。 [0015]
【課題を解決するための手段】本発明の導電回路部材は
、絶縁基材上にパターン状に形成されてなる導電回路を
有する導電回路部材に於て、該回路が導電性粒子及び樹
脂を含有する電着塗膜からなることを特徴とするもので
ある。 [0016]また本発明の導電回路部材の製造方法は、
絶縁基材上にパターン状に形成される導電回路を有する
導電回路部材の製造方法に於て、該絶縁基材上に、電着
可能な樹脂及び導電性粒子を含有する導電性ペーストに
該絶縁基材を浸漬して電着を行い、該電着可能な樹脂及
び該導電性粒子を含有する電着膜を基材上に選択的に成
膜させて次いで加熱硬化処理を行うことを特徴とするも
のである。 [0017]また、本発明の導電性ペーストは、電着可
能な樹脂を3〜50重量%及び導電性粒子を4〜80重
量%含有することを特徴とするものである。 [00181更にまた、本発明の電子機器は、樹脂及び
導電性粒子を含有する電着塗膜を有する導電回路が、絶
縁基材上にパターン状に形成されてなる導電回路部材を
用いてなることを特徴とするものである。 [00191本発明によれば、電着によって回路パター
ン上にのみ樹脂及び導電性粒子が共析して電着膜が形成
されるため膜厚の均一で、且つ回路のにじみ、かすれ、
欠落等の欠陥のない優れた回路基板を得ることができ、
また、電着膜中には高密度に導電性粒子が析出するため
電気特性が一層向上すると共にフォトリソ工程によって
回路パターンを形成するため非常に微細な回路を有する
回路基板を得られる。 [00201更に、本発明は電気泳動によって樹脂及び
導電性粒子を析出させるためめっきと比較して低エネル
ギーで、且つ短時間で成膜可能なため微細なパターンを
有し、且つ優れた物性の導電回路部材を容易に製造でき
るものである。 [0021]以下、本発明の詳細な説明する。 [0022]図1(a)〜(e)は、本発明の導電回路
部材の製造方法の一例を示す工程図である。同図1にお
いて、絶縁基材1上に触媒処理を施し触媒層2を形成し
た後、その上に無電解めっきを施して無電解めっき層3
を形成する(図1(a)参照)。 [0023]次いで、その上に感光性樹脂4を被覆し、
パターンマスク8を介して光7を照射して露光しく図1
(b)参照)、現象して回路パターンに対応するレジス
トパターンを形成する(図1(C)参照)。 [0024]次いで、このレジストパターンを有する絶
縁基板を、電着可能な樹脂及び導電粒子を含有する導電
性ペースト中に浸漬し、電気泳動によって露出している
めっき層上に電着膜5を形成する(図1(d)参照)次
いで、この基板ごと加熱処理を行うことによって電着膜
5を硬化させた後、感光性樹脂4を剥離し、更に電着膜
5が形成されている部分以外のめっき層3をエツチング
除去することによって主として電着膜5からなる回路6
を有する。本発明の導電回路部材11を得ることができ
る(図1 (e)参照)。 [0025]本発明の回路は電着膜5によって形成され
、又、電着膜5は電着可能な樹脂と共に導電性粒子が高
密度に共析されてなるため、薄膜であっても導電性が良
好であり、又、回路の形成をフォトリソ工程を用いて行
うことができるため極めて微細且つ位置精度に優れた回
路を形成することができる。更に、従来のめっき法と異
なり電着工程を用いるため低電圧で成膜でき、且つ、均
一な厚さの回路を形成できるものである。 [0026]本発明に於て、電着膜に共析させる導電性
粒子としては、電着膜に導電性を付与できるものであれ
ば特に限定されないがセラミック粉体の表面に金属めっ
きした粉体(以下、金属化セラミック粉体と記す)や、
天然マイカ粉体の表面に金属めっきした粉体(以下、金
属化天然マイカ)は、電着膜を低温即ち90℃から10
0℃での加熱処理で完全に硬化させることができるため
特に好適に用いられる。これらの粉体を含有する電着膜
が低温で硬化する理由については明らかでないが、金属
化セラミックや金属化天然マイカの粉体は、表面がすぐ
に酸化されてしまう通常の金属粒子と異なり粒子表面が
ある程度活性化されたまま安定な状態で維持されるため
硬化時にその活性な表面が架橋点となり電着膜の硬化を
促進するためと考えられる。 [00271本発明に於て用いられる金属化天然マイカ
或は金属化セラミック粉体としては、セラミック粉体の
表面にAg、Ni、Cu、Au、Sn等で金属めっきを
施した粉体が用いられる。 [0028]そして、セラミック粉体及び天然マイカ粉
体の粒径は電着膜の導電性及び導電ペースト中での粉体
の分散性を考慮した場合、平均粒子径が0.1〜7μm
、好ましくは0. 5〜5μmの範囲が好ましい。 [0029]なお、セラミック粉体、天然マイカ粉体の
粒径は、遠心沈降式粒度分布測定器を用いて測定した値
である。この測定器として実際に用いたものは5ACP
3(島津製作所製)である。
、絶縁基材上にパターン状に形成されてなる導電回路を
有する導電回路部材に於て、該回路が導電性粒子及び樹
脂を含有する電着塗膜からなることを特徴とするもので
ある。 [0016]また本発明の導電回路部材の製造方法は、
絶縁基材上にパターン状に形成される導電回路を有する
導電回路部材の製造方法に於て、該絶縁基材上に、電着
可能な樹脂及び導電性粒子を含有する導電性ペーストに
該絶縁基材を浸漬して電着を行い、該電着可能な樹脂及
び該導電性粒子を含有する電着膜を基材上に選択的に成
膜させて次いで加熱硬化処理を行うことを特徴とするも
のである。 [0017]また、本発明の導電性ペーストは、電着可
能な樹脂を3〜50重量%及び導電性粒子を4〜80重
量%含有することを特徴とするものである。 [00181更にまた、本発明の電子機器は、樹脂及び
導電性粒子を含有する電着塗膜を有する導電回路が、絶
縁基材上にパターン状に形成されてなる導電回路部材を
用いてなることを特徴とするものである。 [00191本発明によれば、電着によって回路パター
ン上にのみ樹脂及び導電性粒子が共析して電着膜が形成
されるため膜厚の均一で、且つ回路のにじみ、かすれ、
欠落等の欠陥のない優れた回路基板を得ることができ、
また、電着膜中には高密度に導電性粒子が析出するため
電気特性が一層向上すると共にフォトリソ工程によって
回路パターンを形成するため非常に微細な回路を有する
回路基板を得られる。 [00201更に、本発明は電気泳動によって樹脂及び
導電性粒子を析出させるためめっきと比較して低エネル
ギーで、且つ短時間で成膜可能なため微細なパターンを
有し、且つ優れた物性の導電回路部材を容易に製造でき
るものである。 [0021]以下、本発明の詳細な説明する。 [0022]図1(a)〜(e)は、本発明の導電回路
部材の製造方法の一例を示す工程図である。同図1にお
いて、絶縁基材1上に触媒処理を施し触媒層2を形成し
た後、その上に無電解めっきを施して無電解めっき層3
を形成する(図1(a)参照)。 [0023]次いで、その上に感光性樹脂4を被覆し、
パターンマスク8を介して光7を照射して露光しく図1
(b)参照)、現象して回路パターンに対応するレジス
トパターンを形成する(図1(C)参照)。 [0024]次いで、このレジストパターンを有する絶
縁基板を、電着可能な樹脂及び導電粒子を含有する導電
性ペースト中に浸漬し、電気泳動によって露出している
めっき層上に電着膜5を形成する(図1(d)参照)次
いで、この基板ごと加熱処理を行うことによって電着膜
5を硬化させた後、感光性樹脂4を剥離し、更に電着膜
5が形成されている部分以外のめっき層3をエツチング
除去することによって主として電着膜5からなる回路6
を有する。本発明の導電回路部材11を得ることができ
る(図1 (e)参照)。 [0025]本発明の回路は電着膜5によって形成され
、又、電着膜5は電着可能な樹脂と共に導電性粒子が高
密度に共析されてなるため、薄膜であっても導電性が良
好であり、又、回路の形成をフォトリソ工程を用いて行
うことができるため極めて微細且つ位置精度に優れた回
路を形成することができる。更に、従来のめっき法と異
なり電着工程を用いるため低電圧で成膜でき、且つ、均
一な厚さの回路を形成できるものである。 [0026]本発明に於て、電着膜に共析させる導電性
粒子としては、電着膜に導電性を付与できるものであれ
ば特に限定されないがセラミック粉体の表面に金属めっ
きした粉体(以下、金属化セラミック粉体と記す)や、
天然マイカ粉体の表面に金属めっきした粉体(以下、金
属化天然マイカ)は、電着膜を低温即ち90℃から10
0℃での加熱処理で完全に硬化させることができるため
特に好適に用いられる。これらの粉体を含有する電着膜
が低温で硬化する理由については明らかでないが、金属
化セラミックや金属化天然マイカの粉体は、表面がすぐ
に酸化されてしまう通常の金属粒子と異なり粒子表面が
ある程度活性化されたまま安定な状態で維持されるため
硬化時にその活性な表面が架橋点となり電着膜の硬化を
促進するためと考えられる。 [00271本発明に於て用いられる金属化天然マイカ
或は金属化セラミック粉体としては、セラミック粉体の
表面にAg、Ni、Cu、Au、Sn等で金属めっきを
施した粉体が用いられる。 [0028]そして、セラミック粉体及び天然マイカ粉
体の粒径は電着膜の導電性及び導電ペースト中での粉体
の分散性を考慮した場合、平均粒子径が0.1〜7μm
、好ましくは0. 5〜5μmの範囲が好ましい。 [0029]なお、セラミック粉体、天然マイカ粉体の
粒径は、遠心沈降式粒度分布測定器を用いて測定した値
である。この測定器として実際に用いたものは5ACP
3(島津製作所製)である。
【0030】又、本発明に用いられるセラミックとして
は酸化アルミニウム、窒化チタン、窒化マンガン、窒化
タングステン、タングステンカーバイド、窒化ランタン
、硅酸アルミニウム、二硫化モリブデン、酸化チタン、
グラファイト、硅酸等が挙げられ、又天然マイカとして
はフロゴバイト、セリサイト、マスコバイト等が挙げら
れる。
は酸化アルミニウム、窒化チタン、窒化マンガン、窒化
タングステン、タングステンカーバイド、窒化ランタン
、硅酸アルミニウム、二硫化モリブデン、酸化チタン、
グラファイト、硅酸等が挙げられ、又天然マイカとして
はフロゴバイト、セリサイト、マスコバイト等が挙げら
れる。
【0031】次にセラミック粉体或は天然マイカ表面の
めっきはシールド性からニッケル、銅等を好適に用いる
ことができ、セラミック表面への形成方法としては無電
解めっきが好ましい。又粉体表面のめっき厚としては0
.05〜3μm、特に0.15〜2μmとした場合、良
好なシールド性と低温硬化時に良好な塗膜物性を得るこ
とができる。即ち3μmより厚くめっきを形成した場合
、表面特性が金属粒子と類似してしまい表面が極めて活
性なため空気中で酸化されて架橋に寄与する活性点が減
少し、低温焼付時の電着膜の硬化が不十分となり易い。 [00321次に本発明の導電回路部材の回路である電
着膜中の導電性粒子の含有量としては、導電性及び電着
膜の塗膜物性特に基材への密着性を考慮した場合通常2
0〜80重量%、特に20〜50重景%が重電しい。
めっきはシールド性からニッケル、銅等を好適に用いる
ことができ、セラミック表面への形成方法としては無電
解めっきが好ましい。又粉体表面のめっき厚としては0
.05〜3μm、特に0.15〜2μmとした場合、良
好なシールド性と低温硬化時に良好な塗膜物性を得るこ
とができる。即ち3μmより厚くめっきを形成した場合
、表面特性が金属粒子と類似してしまい表面が極めて活
性なため空気中で酸化されて架橋に寄与する活性点が減
少し、低温焼付時の電着膜の硬化が不十分となり易い。 [00321次に本発明の導電回路部材の回路である電
着膜中の導電性粒子の含有量としては、導電性及び電着
膜の塗膜物性特に基材への密着性を考慮した場合通常2
0〜80重量%、特に20〜50重景%が重電しい。
【0033]なお、金属化セラミック粉体はX線マイク
ロアナライザーにより同定でき、含有量は熱重量分析装
置、例えばパーキンエルマー社製、サーマル・アナリシ
ス、システム7シリーズ(商品名)等を用いて解析する
ことにより測定することができる。 [0034]また本発明に於て電着膜中に金属化セラミ
ック及び金属化天然マイカの両者を含有させてもよく、
その混合割合は、両者の総含有景が上記した電着膜中の
導電性粒子の含有量の範囲内であれば特に限定されない
がこの金属化セラミック粉体および金属化マイカ粉体の
混合割合は、金属化セラミック粉体1に対して金属化マ
イカ粉体1〜2.5(重量比)の範囲が好ましい。 [0035]更に本発明に於て電着膜中に金属化セラミ
ツク粉体及び/又は金属化マイカ粉体の他に平均粒子径
0.01μm〜5μmの超微粒金属粉体を添加してもよ
い。この場合、電着可能な樹脂中に含有される超微粒金
属粉体としては、特に制限はないが、例えばAg、 C
o、Cu、Fe、Mn、Ni、Pd、Sn、Te等が挙
げられる。超微粒金属粉体の粒径は、通常平均粒子径0
.01〜5μm1好ましくは0.02〜5μmの範囲が
望ましく、更には0.03〜0.08μmの範囲が好ま
しい。0.01μm未満では二次凝集作用が生じ、5μ
mを越えると沈降性の問題で好ましくない。 [0036]又この様な超微粒金属粉体は熱プラズマ蒸
発法で製造される。この超微粒金属粉体と、金属セラミ
ック及び/又は金属化天然マイカ粉体の混合割合は金属
化セラミック粉体及び/又は金属化天然マイカ1に対し
て超微粒金属粉体0.2〜3.0の範囲特に0. 3〜
2.5の範囲とした場合、図3に示す様に金属化セラミ
ック及び/又は金属化天然マイカ(31)間の空隙を超
微粒金属粉体32が充たし各粉体間の接触面積を増大さ
せるため導電性が一層向上する。しかし超微粒金属粉体
の混合割合をこれ以上増加させた場合、電着膜中の金属
化セラミック及び/又は金属化天然マイカの含有量が相
対的に低下して、粉体間の接触面積が減少して逆に導電
性が低下し、更に低温硬化時の塗膜物性が得られない。 更に又、導電回路として要求される導電性例えば比抵抗
(Ω・c m)の値として10−3のオーダー、好まし
くは10−5のオーダーを達成しようとした場合にはよ
り多くの超微粉金属粉体を含有させる必要があり電着可
能な樹脂に対する超微粒金属粉体の重量比が非常に大き
くなり基材への密着性等の塗膜物性が劣化する。 [0037]次に本発明に於て超微粒金属粉体を添加す
る場合、導電性ペースト中に加える際に表面を活性化(
例えば粉体表面の酸化膜の除去等)させておくことが好
ましく、或は超微粒金属粉体表面を界面活性剤等で処理
して保護しておくことも有効である。 [0038]本発明に於て電着可能な樹脂としては、従
来より電着塗料に用いられる樹脂を用いることができ、
例えばアニオン型電着塗料の場合、樹脂の析出に必要な
負の電荷と親水性を与えるためにカルボキシル基の様な
アニオン性官能基を有する、あるいは導入した樹脂もし
くはプレポリマーが好適に用いられ、又カチオン電着塗
料の場合、正の電荷と親水性を与えるためにアミノ基の
ようなカチオン性官能基を有するあるいは導入した樹脂
もしくはプレポリマーが好適に用いられる。 [0039]具体的には上記アニオン性官能基やカチオ
ン性官能基を有するアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
エステル樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル・メラミン樹
脂やアルキド樹脂あるいはこれらのプレポリマー更には
分子中の二重結合の反応によって硬化するタイプの樹脂
、具体的にはポリブタジェン系樹脂やα、β、エチレン
性不飽和化合物などを用いることができる。 【0040】また、電着塗装被膜の膜厚は7〜20μm
の範囲が好ましい。 [00411次に図1に示す本発明の回路部材の製造方
法について詳細に説明する。 [0042]本発明において、絶縁基材1には、樹脂材
料及び無機材料が用いられ、樹脂材料としては、例えば
ポリエステル系、アクリル系、ポリアミド系、フェノー
ル系、エポキシ系あるいはポリイミド系樹脂からなるフ
ィルム又は板を挙げることができる。また、無機材料と
しては、セラミック板が挙げられる。樹脂基材は、フレ
キシブルプリント回路、多層プリント回路基板等に、ま
た、セラミック板はハイブリットIC基板等に適してい
る。 [0043] このような絶縁基材上に、公知の方法を
用いて触媒処理し、次いで無電解めっきを施してめっき
層3を形成するが、この触媒処理以前に絶縁基材への密
着性の向上を図るため、適当な粗面化をすることが望ま
しい。その方法は、種々あるが、例えば苛性ソーダ、ク
ロム酸と硫酸との混液、もしくは有機溶媒による処理、
または、プラスト加工、液体ホーミング処理等が挙げら
れる。触媒処理としては例えば、パラジウム処理が挙げ
られる。 [00441無電解めっきとしては、金、銀、パラジウ
ム、ニッケル、銅、スズ、亜鉛等が挙げられるが、好ま
しくは導電性が高く電着膜6の密着性が良好で更にコス
トが安い銅が望ましく、またこのめっき層3は電着の際
の電極として機能するものであってその膜厚が0.1μ
m以上1μm以下が好ましい。1μmを越えて形成した
場合、成膜に長時間を要し、また後の剥離工程にも長い
時間を必要とする。 [0045]次いでこのめっき層3上に、公知の感光性
樹脂、望ましくはアスペクト比1.5以上のネガ型また
はポジ型の感光性樹脂からなるドライフィルム、液状レ
ジスト等を用いて被覆する。感光性樹脂4の厚みは、要
求される回路の密度、回路の導体厚等によって、適宜選
択される。回路パターンに対応するパターンの露光は、
一般的に知られているガラスマスクあるいはフィルムマ
スクを用いて実施できる。また、露光は平行光または散
乱光を有する露光機を用いて行う。このときの光量(m
J/cm2)及び平行光を用いるか散乱光を用いるかは
要求される回路の密度によって選択する。 [00461次に、現象に関しては、感光性樹脂に適用
される現像液を用いて実施する。現像液としては、例え
ば溶剤型感光性樹脂においてはトリエタン、水溶性感光
樹脂においては炭酸ソーダ液などが用いられる。 [0047]次に、上記の回路パターンに対応するレジ
ストパターンを形成した基材を導電性ペーストに浸漬し
て電着を行い露出しためっき層3上に電気泳動作用によ
って導電性の電着膜5を形成する。 [0048] この電着工程は、一般的に知られている
電着塗装法で行えばよく、例えばアニオン型電着塗装で
は被塗物即ち基材側を陽極としカチオン型電着塗装では
基材側を陰極として、又対極には例えばステンレス板を
用いて成膜を行う。この時の電解条件としては用いる導
電ペースト中の導電粒子の濃度、電着膜に求める特性(
導電性、塗膜物性)膜厚によって異なるが通常液温20
〜27℃、pH8,0〜9.5の範囲で印加電圧50〜
200■、処理時間1〜5分の間で成膜を行う。 [0049] このとき樹脂と導電性粒子が共に析出す
る理由は以下の様に考えられる。即ち電着可能な樹脂は
塗料中にて該樹脂に結合している官能基がイオン化して
おり直流電圧を被塗物と対極の間に印加することで樹脂
は被塗物へ引かれて析出する。そしてこの樹脂はペース
ト中では、導電性粒子の周囲に吸着しているため樹脂の
被塗物への移動に伴って導電性粒子も移動して被塗物上
で樹脂と共に析出するものである。 [00501次いで、電着膜を成膜した後、水洗し加熱
処理して電着膜を硬化させる。このときの硬化温度とし
ては、例えば導電性粒子として金属化セラミック粉体、
金属化天然マイカ或はその混合物を用いた場合オーブン
中で90℃〜100℃の低温で20〜180分硬化させ
ることで十分に硬化させることができる。又、通常の金
属粉体を用いた場合には120℃〜170℃で加熱処理
を行うことが望ましい。 [0051]その後、感光性樹脂に適用できる剥離液を
用いてめっき層3上の感光性樹脂を除去する。溶剤タイ
プの感光性樹脂においては、例えば塩化メチレンあるい
は専用剥離液を用いて剥離し、水溶性タイプの感光性樹
脂においては例えば苛性ソーダの1〜5wt%液で剥離
する。その後、露出しているめっき層3を、例えば、銅
の場合は、アンモニア性アルカリ銅液あるいは塩化第二
鉄液を用いて除去して、導電性電着膜によって回路6が
形成されてなる導電回路部材11を得ることができる。 [0052]上記した様に本発明の回路部材の製造方法
に因ればフォトリソ工程で回路パターンを作製するため
位置精度に優れ、且つ微細な、例えば1μm〜数10μ
mオーダーのピッチのパターンの回路基板の製造を容易
に製造することができる。 [0053]次に本発明の導電回路部材の製造に用いる
導電性ペーストについて説明する。 [0054]本発明の導電性ペーストとしては、導電性
粒子及び電着可能な樹脂をボールミルで24〜35時間
分散させその後脱塩水で希釈して固形分濃度が60〜9
0wt%に調整して得ることができる。 [0055]導電性ペースト中に於て導電性粒子の含有
量は4〜80wt%好ましくは7〜70wt%の範囲と
した場合、電着膜に所定の導電性を付与するに十分な導
電性粒子を共析させることができ、又ペースト中の導電
性粒子が沈降することもない。 [0056]又、導電性ペースト中に於て、電着可能な
樹脂の含有量は3〜50wt%特に5〜40wt%の範
囲では良好な塗膜物性の電着膜を成膜することができる
。 [0057]そして導電性ペースト中に分散させる導電
性粒子としては、電着膜に樹脂と共析させる粉体例えば
前記じた金属化セラミック粉体、金属化天然マイカ粉体
及びこれらの混合物、更には金属化セラミック粉体や金
属化天然マイカ粉体又はこれらの混合物に平均粒子径0
.01〜5μmの超微粒金属粉体を混合した粉体を用い
ることができる。 [00581図2(a)〜(e)は、本発明の導電回路
部材の製造方法の他の例を示す工程図である。同図2に
おいて、絶縁基材1上に公知の方法を用いて触媒処理を
施して触媒層2形成する(図2(a)参照)。 [00591次いで、その上に感光性樹脂4を被覆し、
パターンマスク8を介して光7を照射して露光しく図2
(b)参照)、現像して回路パターンに対応したレジス
トパターンを形成する(図2(c)参照)。 [0060]その後、レジストパターン上に無電解めっ
きを施して無電解めっき層3を形成し、さらにその上に
導電性ペースト5を用いて、電気泳動によって導電性ペ
ースト膜を形成する(図2(d)参照)。 [0061]次いで、回路パターン部以外の感光性樹脂
4を剥離することにより導電回路部材を得ることができ
る(図2(e)参照)。 [0062] この図2に示す方法においては、図1に
示す各工程の条件を適用することができる。 [0063] この様に本発明は導電回路部材の製造に
電着塗装法を応用することによって耐熱性の低い絶縁基
材や薄い基材にも微細な回路を形成でき、例えば図4に
示す様な基材1上に電着膜5からなる回路6を有する回
路基板11にIC等の電子部品42が実装され、更にこ
の基板を筺体41に固定してなる薄型の電子機器43製
造することができる。なお44は電子部品の電極である
。 [0064]
ロアナライザーにより同定でき、含有量は熱重量分析装
置、例えばパーキンエルマー社製、サーマル・アナリシ
ス、システム7シリーズ(商品名)等を用いて解析する
ことにより測定することができる。 [0034]また本発明に於て電着膜中に金属化セラミ
ック及び金属化天然マイカの両者を含有させてもよく、
その混合割合は、両者の総含有景が上記した電着膜中の
導電性粒子の含有量の範囲内であれば特に限定されない
がこの金属化セラミック粉体および金属化マイカ粉体の
混合割合は、金属化セラミック粉体1に対して金属化マ
イカ粉体1〜2.5(重量比)の範囲が好ましい。 [0035]更に本発明に於て電着膜中に金属化セラミ
ツク粉体及び/又は金属化マイカ粉体の他に平均粒子径
0.01μm〜5μmの超微粒金属粉体を添加してもよ
い。この場合、電着可能な樹脂中に含有される超微粒金
属粉体としては、特に制限はないが、例えばAg、 C
o、Cu、Fe、Mn、Ni、Pd、Sn、Te等が挙
げられる。超微粒金属粉体の粒径は、通常平均粒子径0
.01〜5μm1好ましくは0.02〜5μmの範囲が
望ましく、更には0.03〜0.08μmの範囲が好ま
しい。0.01μm未満では二次凝集作用が生じ、5μ
mを越えると沈降性の問題で好ましくない。 [0036]又この様な超微粒金属粉体は熱プラズマ蒸
発法で製造される。この超微粒金属粉体と、金属セラミ
ック及び/又は金属化天然マイカ粉体の混合割合は金属
化セラミック粉体及び/又は金属化天然マイカ1に対し
て超微粒金属粉体0.2〜3.0の範囲特に0. 3〜
2.5の範囲とした場合、図3に示す様に金属化セラミ
ック及び/又は金属化天然マイカ(31)間の空隙を超
微粒金属粉体32が充たし各粉体間の接触面積を増大さ
せるため導電性が一層向上する。しかし超微粒金属粉体
の混合割合をこれ以上増加させた場合、電着膜中の金属
化セラミック及び/又は金属化天然マイカの含有量が相
対的に低下して、粉体間の接触面積が減少して逆に導電
性が低下し、更に低温硬化時の塗膜物性が得られない。 更に又、導電回路として要求される導電性例えば比抵抗
(Ω・c m)の値として10−3のオーダー、好まし
くは10−5のオーダーを達成しようとした場合にはよ
り多くの超微粉金属粉体を含有させる必要があり電着可
能な樹脂に対する超微粒金属粉体の重量比が非常に大き
くなり基材への密着性等の塗膜物性が劣化する。 [0037]次に本発明に於て超微粒金属粉体を添加す
る場合、導電性ペースト中に加える際に表面を活性化(
例えば粉体表面の酸化膜の除去等)させておくことが好
ましく、或は超微粒金属粉体表面を界面活性剤等で処理
して保護しておくことも有効である。 [0038]本発明に於て電着可能な樹脂としては、従
来より電着塗料に用いられる樹脂を用いることができ、
例えばアニオン型電着塗料の場合、樹脂の析出に必要な
負の電荷と親水性を与えるためにカルボキシル基の様な
アニオン性官能基を有する、あるいは導入した樹脂もし
くはプレポリマーが好適に用いられ、又カチオン電着塗
料の場合、正の電荷と親水性を与えるためにアミノ基の
ようなカチオン性官能基を有するあるいは導入した樹脂
もしくはプレポリマーが好適に用いられる。 [0039]具体的には上記アニオン性官能基やカチオ
ン性官能基を有するアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
エステル樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル・メラミン樹
脂やアルキド樹脂あるいはこれらのプレポリマー更には
分子中の二重結合の反応によって硬化するタイプの樹脂
、具体的にはポリブタジェン系樹脂やα、β、エチレン
性不飽和化合物などを用いることができる。 【0040】また、電着塗装被膜の膜厚は7〜20μm
の範囲が好ましい。 [00411次に図1に示す本発明の回路部材の製造方
法について詳細に説明する。 [0042]本発明において、絶縁基材1には、樹脂材
料及び無機材料が用いられ、樹脂材料としては、例えば
ポリエステル系、アクリル系、ポリアミド系、フェノー
ル系、エポキシ系あるいはポリイミド系樹脂からなるフ
ィルム又は板を挙げることができる。また、無機材料と
しては、セラミック板が挙げられる。樹脂基材は、フレ
キシブルプリント回路、多層プリント回路基板等に、ま
た、セラミック板はハイブリットIC基板等に適してい
る。 [0043] このような絶縁基材上に、公知の方法を
用いて触媒処理し、次いで無電解めっきを施してめっき
層3を形成するが、この触媒処理以前に絶縁基材への密
着性の向上を図るため、適当な粗面化をすることが望ま
しい。その方法は、種々あるが、例えば苛性ソーダ、ク
ロム酸と硫酸との混液、もしくは有機溶媒による処理、
または、プラスト加工、液体ホーミング処理等が挙げら
れる。触媒処理としては例えば、パラジウム処理が挙げ
られる。 [00441無電解めっきとしては、金、銀、パラジウ
ム、ニッケル、銅、スズ、亜鉛等が挙げられるが、好ま
しくは導電性が高く電着膜6の密着性が良好で更にコス
トが安い銅が望ましく、またこのめっき層3は電着の際
の電極として機能するものであってその膜厚が0.1μ
m以上1μm以下が好ましい。1μmを越えて形成した
場合、成膜に長時間を要し、また後の剥離工程にも長い
時間を必要とする。 [0045]次いでこのめっき層3上に、公知の感光性
樹脂、望ましくはアスペクト比1.5以上のネガ型また
はポジ型の感光性樹脂からなるドライフィルム、液状レ
ジスト等を用いて被覆する。感光性樹脂4の厚みは、要
求される回路の密度、回路の導体厚等によって、適宜選
択される。回路パターンに対応するパターンの露光は、
一般的に知られているガラスマスクあるいはフィルムマ
スクを用いて実施できる。また、露光は平行光または散
乱光を有する露光機を用いて行う。このときの光量(m
J/cm2)及び平行光を用いるか散乱光を用いるかは
要求される回路の密度によって選択する。 [00461次に、現象に関しては、感光性樹脂に適用
される現像液を用いて実施する。現像液としては、例え
ば溶剤型感光性樹脂においてはトリエタン、水溶性感光
樹脂においては炭酸ソーダ液などが用いられる。 [0047]次に、上記の回路パターンに対応するレジ
ストパターンを形成した基材を導電性ペーストに浸漬し
て電着を行い露出しためっき層3上に電気泳動作用によ
って導電性の電着膜5を形成する。 [0048] この電着工程は、一般的に知られている
電着塗装法で行えばよく、例えばアニオン型電着塗装で
は被塗物即ち基材側を陽極としカチオン型電着塗装では
基材側を陰極として、又対極には例えばステンレス板を
用いて成膜を行う。この時の電解条件としては用いる導
電ペースト中の導電粒子の濃度、電着膜に求める特性(
導電性、塗膜物性)膜厚によって異なるが通常液温20
〜27℃、pH8,0〜9.5の範囲で印加電圧50〜
200■、処理時間1〜5分の間で成膜を行う。 [0049] このとき樹脂と導電性粒子が共に析出す
る理由は以下の様に考えられる。即ち電着可能な樹脂は
塗料中にて該樹脂に結合している官能基がイオン化して
おり直流電圧を被塗物と対極の間に印加することで樹脂
は被塗物へ引かれて析出する。そしてこの樹脂はペース
ト中では、導電性粒子の周囲に吸着しているため樹脂の
被塗物への移動に伴って導電性粒子も移動して被塗物上
で樹脂と共に析出するものである。 [00501次いで、電着膜を成膜した後、水洗し加熱
処理して電着膜を硬化させる。このときの硬化温度とし
ては、例えば導電性粒子として金属化セラミック粉体、
金属化天然マイカ或はその混合物を用いた場合オーブン
中で90℃〜100℃の低温で20〜180分硬化させ
ることで十分に硬化させることができる。又、通常の金
属粉体を用いた場合には120℃〜170℃で加熱処理
を行うことが望ましい。 [0051]その後、感光性樹脂に適用できる剥離液を
用いてめっき層3上の感光性樹脂を除去する。溶剤タイ
プの感光性樹脂においては、例えば塩化メチレンあるい
は専用剥離液を用いて剥離し、水溶性タイプの感光性樹
脂においては例えば苛性ソーダの1〜5wt%液で剥離
する。その後、露出しているめっき層3を、例えば、銅
の場合は、アンモニア性アルカリ銅液あるいは塩化第二
鉄液を用いて除去して、導電性電着膜によって回路6が
形成されてなる導電回路部材11を得ることができる。 [0052]上記した様に本発明の回路部材の製造方法
に因ればフォトリソ工程で回路パターンを作製するため
位置精度に優れ、且つ微細な、例えば1μm〜数10μ
mオーダーのピッチのパターンの回路基板の製造を容易
に製造することができる。 [0053]次に本発明の導電回路部材の製造に用いる
導電性ペーストについて説明する。 [0054]本発明の導電性ペーストとしては、導電性
粒子及び電着可能な樹脂をボールミルで24〜35時間
分散させその後脱塩水で希釈して固形分濃度が60〜9
0wt%に調整して得ることができる。 [0055]導電性ペースト中に於て導電性粒子の含有
量は4〜80wt%好ましくは7〜70wt%の範囲と
した場合、電着膜に所定の導電性を付与するに十分な導
電性粒子を共析させることができ、又ペースト中の導電
性粒子が沈降することもない。 [0056]又、導電性ペースト中に於て、電着可能な
樹脂の含有量は3〜50wt%特に5〜40wt%の範
囲では良好な塗膜物性の電着膜を成膜することができる
。 [0057]そして導電性ペースト中に分散させる導電
性粒子としては、電着膜に樹脂と共析させる粉体例えば
前記じた金属化セラミック粉体、金属化天然マイカ粉体
及びこれらの混合物、更には金属化セラミック粉体や金
属化天然マイカ粉体又はこれらの混合物に平均粒子径0
.01〜5μmの超微粒金属粉体を混合した粉体を用い
ることができる。 [00581図2(a)〜(e)は、本発明の導電回路
部材の製造方法の他の例を示す工程図である。同図2に
おいて、絶縁基材1上に公知の方法を用いて触媒処理を
施して触媒層2形成する(図2(a)参照)。 [00591次いで、その上に感光性樹脂4を被覆し、
パターンマスク8を介して光7を照射して露光しく図2
(b)参照)、現像して回路パターンに対応したレジス
トパターンを形成する(図2(c)参照)。 [0060]その後、レジストパターン上に無電解めっ
きを施して無電解めっき層3を形成し、さらにその上に
導電性ペースト5を用いて、電気泳動によって導電性ペ
ースト膜を形成する(図2(d)参照)。 [0061]次いで、回路パターン部以外の感光性樹脂
4を剥離することにより導電回路部材を得ることができ
る(図2(e)参照)。 [0062] この図2に示す方法においては、図1に
示す各工程の条件を適用することができる。 [0063] この様に本発明は導電回路部材の製造に
電着塗装法を応用することによって耐熱性の低い絶縁基
材や薄い基材にも微細な回路を形成でき、例えば図4に
示す様な基材1上に電着膜5からなる回路6を有する回
路基板11にIC等の電子部品42が実装され、更にこ
の基板を筺体41に固定してなる薄型の電子機器43製
造することができる。なお44は電子部品の電極である
。 [0064]
【実施例】以下、本発明を実施例に従って、より具体的
に説明するが、本発明は係る実施例のみに限定されるも
のではない。 [0065]実施例1−1 厚さ50μmのPET (ポリエチレンテレフタレート
)フィルムを、50g/lの苛性ソーダで、60℃、5
分間処理した。次いで、30g/lの無水クロム酸と、
100g/lの硫酸混液で、50℃、5分間処理した後
、触媒液(商品名H3−101B、日立化成社製)に2
分間浸漬し、触媒処理した。次に、無電解銅めっき液(
奥野製薬社製)を用いて、pH13,0、浴温70℃に
て5分間めっきし、0.2μmの厚さの銅めっき層を施
した。 [0066]その後、70μm厚の感光性ドライフィル
ム(ヘキスト社製)を用いて、ラミネーター(旭化成社
製)によって被覆した後、パターンマスクとしてフィル
ムマスクを用いて120mJ/cm2の露光量で露光し
、炭酸ナトリウムLog/lでスプレー現像し、めっき
層露出部の幅40μm、感光層被覆部の幅50μmの回
路パターンに対応するパターンを形成した。 [0067]次に、脱塩水25wt%、メラミン・アク
リル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニー化
成社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表
面にニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体7
0wt%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極と
し、対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴
温23℃、pH8,5の条件で、170Vで3分間通電
し、その後水洗し、95℃±1℃の0オーブンで90分
間硬化した。 [0068] このときの、膜厚は25μm、金属化セ
ラミック粉体の濃度は50wt%であった。次いで、苛
性ソーダ50g/lに、40℃、5分間浸漬し、感光性
樹脂を剥離した。次いで、アンモニア性アルカリ銅液を
用いて、50℃、7分間で露出部の銅めっき被膜を除去
し、ファインプリント回路基板を得た。 [0069] この基板の性能を確認するため、比抵抗
、表面抵抗、密着性について、それぞれ初期値と環境試
験後の値を測定した。その結果を表1に示す。 [00701又、比較例1として、従来の有機溶剤型導
電ペーストを用いた印刷形成の回路部材を用いて測定し
た値を示す。又、この回路間のピッチを100μm、回
路幅を100μmとした。なお密着性についてはJIS
K5400の基盤目試験に準拠して100個のます目を
作成しセロハンテープで剥離テストをした後のます目の
状態を観察した。 [0071]又比抵抗及び表面抵抗の測定に用いた測定
器は超絶線抵抗測定器(商品名HP4329A;横河・
ヒユーレットパラカード(株)製)を用いた。その結果
を表1−1に示す。 [0072]
に説明するが、本発明は係る実施例のみに限定されるも
のではない。 [0065]実施例1−1 厚さ50μmのPET (ポリエチレンテレフタレート
)フィルムを、50g/lの苛性ソーダで、60℃、5
分間処理した。次いで、30g/lの無水クロム酸と、
100g/lの硫酸混液で、50℃、5分間処理した後
、触媒液(商品名H3−101B、日立化成社製)に2
分間浸漬し、触媒処理した。次に、無電解銅めっき液(
奥野製薬社製)を用いて、pH13,0、浴温70℃に
て5分間めっきし、0.2μmの厚さの銅めっき層を施
した。 [0066]その後、70μm厚の感光性ドライフィル
ム(ヘキスト社製)を用いて、ラミネーター(旭化成社
製)によって被覆した後、パターンマスクとしてフィル
ムマスクを用いて120mJ/cm2の露光量で露光し
、炭酸ナトリウムLog/lでスプレー現像し、めっき
層露出部の幅40μm、感光層被覆部の幅50μmの回
路パターンに対応するパターンを形成した。 [0067]次に、脱塩水25wt%、メラミン・アク
リル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニー化
成社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表
面にニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体7
0wt%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極と
し、対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴
温23℃、pH8,5の条件で、170Vで3分間通電
し、その後水洗し、95℃±1℃の0オーブンで90分
間硬化した。 [0068] このときの、膜厚は25μm、金属化セ
ラミック粉体の濃度は50wt%であった。次いで、苛
性ソーダ50g/lに、40℃、5分間浸漬し、感光性
樹脂を剥離した。次いで、アンモニア性アルカリ銅液を
用いて、50℃、7分間で露出部の銅めっき被膜を除去
し、ファインプリント回路基板を得た。 [0069] この基板の性能を確認するため、比抵抗
、表面抵抗、密着性について、それぞれ初期値と環境試
験後の値を測定した。その結果を表1に示す。 [00701又、比較例1として、従来の有機溶剤型導
電ペーストを用いた印刷形成の回路部材を用いて測定し
た値を示す。又、この回路間のピッチを100μm、回
路幅を100μmとした。なお密着性についてはJIS
K5400の基盤目試験に準拠して100個のます目を
作成しセロハンテープで剥離テストをした後のます目の
状態を観察した。 [0071]又比抵抗及び表面抵抗の測定に用いた測定
器は超絶線抵抗測定器(商品名HP4329A;横河・
ヒユーレットパラカード(株)製)を用いた。その結果
を表1−1に示す。 [0072]
【表1】
表1−1
[0073]本発明の回路基板の特性を評価した結果、
表1−1に示す様に、従来の回路基板と比較して著しい
向上があり、再現性も十分あることが認められた。 [0074]又、比較例1の回路は部分的に印刷膜に、
にじみが生じ100μmの回路ピッチでは回路間に短絡
が生じており100μmよりも微細なピッチのパターン
は印刷法での作製は困難であった。 [0075]実施例1−2 厚さ0.4ミリのアルミナセラミック板を用いて、表面
を破損しない程度にブラスト加工した。次いで、30g
/lの無水クロム酸と、100g/lの硫酸混液で、5
0℃、5分間処理した後、触媒液(商品名H8−101
B、日立化成社製)に2分間浸漬し、触媒処理した。次
に、無電解銅めっき液(奥野製薬社製)を用いて、pH
13,0、浴温70℃にて3分間めっきし、0.1μm
の厚さの銅めっきを施した。 [0076]その後、3.5μm厚の感光性ドライフィ
ルム(ヘキスト社製)を用いて、ラミネーター(旭化成
社製)によって被覆した後、パターンマスクとしてフィ
ルムマスクを用いて100mJ/cm2の露光量で露光
し、炭酸ナトリウムLog/lでスプレー現像し、めっ
き層露出部の幅30μm、感光層被覆部の幅40μmの
回路パターンに対応するレジストパターンを形成した。 [0077]次に、脱塩水55wt%、メラミン・アク
リル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニー化
成社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表
面にニッケルめっきを0.5μmの厚さに施した粉体4
0wt%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極と
し、対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴
温23℃、pH8,5の条件で、180Vで3分間通電
し、その後水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分間
硬化した。このときの、膜厚は30μm、金属化セラミ
ック粉体の濃度は60wt%であった。次いで、苛性ソ
ーダ50g/lに、40℃、5分間浸漬し、感光性樹脂
を剥離した。 [0078]次いで、アンモニア性アルカリ銅液を用い
て、50℃、7分間で露出部の銅めっき被膜を除去し、
ファインプリント回路基板を得た。 [0079] この回路基板について、実施例1−1と
同様の方法で特性の評価した。 [00801その結果を表1−2に示す。 [00811実施例1−3 厚さ18μmのポリイミドフィルムを、50g/lの苛
性ソーダで、60℃、5分間処理した。次いで、30g
/lの無水クロム酸と、100g/lの硫酸混液で、5
0℃、5分間処理した後、触媒液(商品名H8−101
B、日立化成社製)に2分間浸漬し、触媒処理した。次
に、無電解銅めっき液(奥野製薬社製)を用いて、pH
13,0、浴温70℃にて3分間めっきし、0.1μm
の厚さの銅めっきを施した。 [0082]その後、50μm厚の感光性ドライフィル
ム(ヘキスト社製)を用いて、ラミネーター(旭化成社
製)によって被覆した後、パターンマスクとしてフィル
ムマスクを用いて90mJ/cm2の露光量で露光し、
炭酸ナトリウム10g/lでスプレー現像し、めっき層
露出部の幅35μm、感光層被覆部の幅50μmのパタ
ーンを形成した。 [0083]次に、脱塩水15wt%、メラミン・アク
リル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニー化
成社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表
面にニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体8
0wt%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極と
し、対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴
温23℃、pH8,5の条件で、170■で3分間通電
し、その後水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分間
硬化した。このときの、膜厚は25μm、金属化セラミ
ック粉体の濃度は50wt%であった。次いで、苛性ソ
ーダ50g/lに、40℃、5分間浸漬し、感光性樹脂
を剥離した。次いで、アンモニア性アルカリ銅液を用い
て、50℃、7分間で露出部の銅めっき被膜を除去し、
ファインプリント回路基板を得た。 [0084] この回路基板について、実施例1−1と
同様の方法で特性を評価した。 [0085]実施例1−4 厚さ0.8mmのベリリアセラミック板を用いて、表面
を破損しない程度にブラスト加工した。次いで、30g
/lの無水クロム酸と、100g/lの硫酸混液で、5
0℃、5分間処理した後、触媒液(商品名H8−101
B、日立化成社製)に2分間浸漬し、触媒処理した。次
に、無電解銅めっき液(奥野製薬社製)を用いて、pH
13,0、浴温70℃にて5分間めっきし、0.2μm
の厚さの銅めっきを施した。 [0086]その後、ネガ型レジスト(商品名0MR8
3、東京応化社製)450cpを用いて、スピンナーに
て10μm厚に形成した。次に、パターンマスクとして
ガラスクロムマスクを介して、平行光の露光機にて80
m J / c m”の露光量で露光し、OMR−8
3専用現像液を用いて1分間現像し、めっき層露出部の
幅25μm、感光層被覆部の幅30μmのパターンを形
成した。 [00871次に、脱塩水67wt%、メラミン・アク
リル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニー化
成社製)3wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表
面にニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体3
0wt%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極と
し、対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴
温23℃、pH8,5の条件で、120Vで3分間通電
し、その後水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分間
硬化した。このときの、膜厚は18μm、金属化セラミ
ック粉体の濃度は30wt%であった。ついで、OMR
専用の剥離液で、40℃、5分間浸漬し、感光性樹脂を
剥離した。 [0088]次いで、アンモニア性アルカリ銅液を用い
て、50℃、7分間で露出部の銅めっき被膜を除去し、
ファインプリント回路基板を得た。 [0089] この回路基板について、実施例1と同様
の方法で特性を評価した。 [00901実施例1−5 厚さ50μmのPET (ポリエチレンテレフタレート
)フィルムを、50g/lの苛性ソーダで、60℃、5
分間処理した。次いで、30g/lの無水クロム酸と、
100g/lの硫酸混液で、50℃、5分間処理した後
、触媒液(商品名H8−101B、日立化成社製)に2
分間浸漬し、触媒処理した。 (00911その後、70μm厚の感光性ドライフィル
ム(ヘキスト社製)を用いて、ラミネーター(旭化成社
製)によって被覆した後、パターンマスクとしてフィル
ムマスクを用いて120mJ/cm2の露光量で露光し
、炭酸ナトリウム10g/lでスプレー現像し、めっき
層露出部幅40μm、感光層被覆部幅50μmのパター
ンを形成した。 [00921次に、無電解銅めっき液(奥野製薬社製)
を用いて、pH13,0、浴温70℃にて2分間めっき
し、0.1μmの厚さの銅めっきを施した。 [0093]次に、脱塩水15wt%メラミン・アクリ
ル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニー化成
社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表面
にニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体80
wt%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極とし
、対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴温
23℃、pH8,5の条件で、170Vで3分間通電し
、その後水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分間硬
化した。このときの、膜厚は25μm、金属化セラミッ
ク粉体の濃度は20wt%であった。次いで、苛性ソー
ダ50g/lに、40℃、5分間浸漬し、感光性樹脂を
剥離した。次いで、10%塩酸を用いて、50℃、7分
間で露出部の触媒のパラジウム被膜を除去し、ファイン
プリント回路基板を得た。 [0094] この回路基板について、実施例1−1と
同様の方法で特性を評価した。 [0095]実施例1−6 実施例1−1に於て導電性粒子として平均粒径5μmの
酸化チタンの表面に銅を厚さ2μmにめっきした粉体を
用いた他は実施例1−1と同様にして粉体濃度50wt
%の電着膜を有する回路基板を作成し評価した。 [0096]実施例1−7 実施例1−1に於て導電性粒子として平均粒径0.5μ
mの酸化チタンに厚さ2μmの銅めっきを施した粉体を
用いた他は実施例1−1と同様にして粉体濃度55wt
%の電着膜を有する回路基板を作成し評価した。 [0097]実施例1−8 実施例1−1の導電ペーストを用いて電解条件として7
0■で3分間型着を行ない硬化後の電着膜中の金属化セ
ラミックの濃度を25wt%とした回路基板を作製し評
価した。 [0098]実施例1−9 実施例1−1の導電ペーストを用いて電解条件として(
180)Vで4分電着を行ない、硬化後の電着膜中の金
属化セラミック粉体の濃度を75wt%とした回路基板
を作製し、評価した。 [0099]実施例1−10 導電性粒子として平均粒径1μmのアルミナ表面にニッ
ケルめっきを0.06μmの厚さに施した粉体を用いて
170■で3分電着を行なった以外は実施例1−1と同
様にして電着膜中の粉体濃度を50wt%とした回路基
板を作製した。
表1−1に示す様に、従来の回路基板と比較して著しい
向上があり、再現性も十分あることが認められた。 [0074]又、比較例1の回路は部分的に印刷膜に、
にじみが生じ100μmの回路ピッチでは回路間に短絡
が生じており100μmよりも微細なピッチのパターン
は印刷法での作製は困難であった。 [0075]実施例1−2 厚さ0.4ミリのアルミナセラミック板を用いて、表面
を破損しない程度にブラスト加工した。次いで、30g
/lの無水クロム酸と、100g/lの硫酸混液で、5
0℃、5分間処理した後、触媒液(商品名H8−101
B、日立化成社製)に2分間浸漬し、触媒処理した。次
に、無電解銅めっき液(奥野製薬社製)を用いて、pH
13,0、浴温70℃にて3分間めっきし、0.1μm
の厚さの銅めっきを施した。 [0076]その後、3.5μm厚の感光性ドライフィ
ルム(ヘキスト社製)を用いて、ラミネーター(旭化成
社製)によって被覆した後、パターンマスクとしてフィ
ルムマスクを用いて100mJ/cm2の露光量で露光
し、炭酸ナトリウムLog/lでスプレー現像し、めっ
き層露出部の幅30μm、感光層被覆部の幅40μmの
回路パターンに対応するレジストパターンを形成した。 [0077]次に、脱塩水55wt%、メラミン・アク
リル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニー化
成社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表
面にニッケルめっきを0.5μmの厚さに施した粉体4
0wt%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極と
し、対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴
温23℃、pH8,5の条件で、180Vで3分間通電
し、その後水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分間
硬化した。このときの、膜厚は30μm、金属化セラミ
ック粉体の濃度は60wt%であった。次いで、苛性ソ
ーダ50g/lに、40℃、5分間浸漬し、感光性樹脂
を剥離した。 [0078]次いで、アンモニア性アルカリ銅液を用い
て、50℃、7分間で露出部の銅めっき被膜を除去し、
ファインプリント回路基板を得た。 [0079] この回路基板について、実施例1−1と
同様の方法で特性の評価した。 [00801その結果を表1−2に示す。 [00811実施例1−3 厚さ18μmのポリイミドフィルムを、50g/lの苛
性ソーダで、60℃、5分間処理した。次いで、30g
/lの無水クロム酸と、100g/lの硫酸混液で、5
0℃、5分間処理した後、触媒液(商品名H8−101
B、日立化成社製)に2分間浸漬し、触媒処理した。次
に、無電解銅めっき液(奥野製薬社製)を用いて、pH
13,0、浴温70℃にて3分間めっきし、0.1μm
の厚さの銅めっきを施した。 [0082]その後、50μm厚の感光性ドライフィル
ム(ヘキスト社製)を用いて、ラミネーター(旭化成社
製)によって被覆した後、パターンマスクとしてフィル
ムマスクを用いて90mJ/cm2の露光量で露光し、
炭酸ナトリウム10g/lでスプレー現像し、めっき層
露出部の幅35μm、感光層被覆部の幅50μmのパタ
ーンを形成した。 [0083]次に、脱塩水15wt%、メラミン・アク
リル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニー化
成社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表
面にニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体8
0wt%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極と
し、対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴
温23℃、pH8,5の条件で、170■で3分間通電
し、その後水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分間
硬化した。このときの、膜厚は25μm、金属化セラミ
ック粉体の濃度は50wt%であった。次いで、苛性ソ
ーダ50g/lに、40℃、5分間浸漬し、感光性樹脂
を剥離した。次いで、アンモニア性アルカリ銅液を用い
て、50℃、7分間で露出部の銅めっき被膜を除去し、
ファインプリント回路基板を得た。 [0084] この回路基板について、実施例1−1と
同様の方法で特性を評価した。 [0085]実施例1−4 厚さ0.8mmのベリリアセラミック板を用いて、表面
を破損しない程度にブラスト加工した。次いで、30g
/lの無水クロム酸と、100g/lの硫酸混液で、5
0℃、5分間処理した後、触媒液(商品名H8−101
B、日立化成社製)に2分間浸漬し、触媒処理した。次
に、無電解銅めっき液(奥野製薬社製)を用いて、pH
13,0、浴温70℃にて5分間めっきし、0.2μm
の厚さの銅めっきを施した。 [0086]その後、ネガ型レジスト(商品名0MR8
3、東京応化社製)450cpを用いて、スピンナーに
て10μm厚に形成した。次に、パターンマスクとして
ガラスクロムマスクを介して、平行光の露光機にて80
m J / c m”の露光量で露光し、OMR−8
3専用現像液を用いて1分間現像し、めっき層露出部の
幅25μm、感光層被覆部の幅30μmのパターンを形
成した。 [00871次に、脱塩水67wt%、メラミン・アク
リル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニー化
成社製)3wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表
面にニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体3
0wt%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極と
し、対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴
温23℃、pH8,5の条件で、120Vで3分間通電
し、その後水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分間
硬化した。このときの、膜厚は18μm、金属化セラミ
ック粉体の濃度は30wt%であった。ついで、OMR
専用の剥離液で、40℃、5分間浸漬し、感光性樹脂を
剥離した。 [0088]次いで、アンモニア性アルカリ銅液を用い
て、50℃、7分間で露出部の銅めっき被膜を除去し、
ファインプリント回路基板を得た。 [0089] この回路基板について、実施例1と同様
の方法で特性を評価した。 [00901実施例1−5 厚さ50μmのPET (ポリエチレンテレフタレート
)フィルムを、50g/lの苛性ソーダで、60℃、5
分間処理した。次いで、30g/lの無水クロム酸と、
100g/lの硫酸混液で、50℃、5分間処理した後
、触媒液(商品名H8−101B、日立化成社製)に2
分間浸漬し、触媒処理した。 (00911その後、70μm厚の感光性ドライフィル
ム(ヘキスト社製)を用いて、ラミネーター(旭化成社
製)によって被覆した後、パターンマスクとしてフィル
ムマスクを用いて120mJ/cm2の露光量で露光し
、炭酸ナトリウム10g/lでスプレー現像し、めっき
層露出部幅40μm、感光層被覆部幅50μmのパター
ンを形成した。 [00921次に、無電解銅めっき液(奥野製薬社製)
を用いて、pH13,0、浴温70℃にて2分間めっき
し、0.1μmの厚さの銅めっきを施した。 [0093]次に、脱塩水15wt%メラミン・アクリ
ル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニー化成
社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表面
にニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体80
wt%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極とし
、対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴温
23℃、pH8,5の条件で、170Vで3分間通電し
、その後水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分間硬
化した。このときの、膜厚は25μm、金属化セラミッ
ク粉体の濃度は20wt%であった。次いで、苛性ソー
ダ50g/lに、40℃、5分間浸漬し、感光性樹脂を
剥離した。次いで、10%塩酸を用いて、50℃、7分
間で露出部の触媒のパラジウム被膜を除去し、ファイン
プリント回路基板を得た。 [0094] この回路基板について、実施例1−1と
同様の方法で特性を評価した。 [0095]実施例1−6 実施例1−1に於て導電性粒子として平均粒径5μmの
酸化チタンの表面に銅を厚さ2μmにめっきした粉体を
用いた他は実施例1−1と同様にして粉体濃度50wt
%の電着膜を有する回路基板を作成し評価した。 [0096]実施例1−7 実施例1−1に於て導電性粒子として平均粒径0.5μ
mの酸化チタンに厚さ2μmの銅めっきを施した粉体を
用いた他は実施例1−1と同様にして粉体濃度55wt
%の電着膜を有する回路基板を作成し評価した。 [0097]実施例1−8 実施例1−1の導電ペーストを用いて電解条件として7
0■で3分間型着を行ない硬化後の電着膜中の金属化セ
ラミックの濃度を25wt%とした回路基板を作製し評
価した。 [0098]実施例1−9 実施例1−1の導電ペーストを用いて電解条件として(
180)Vで4分電着を行ない、硬化後の電着膜中の金
属化セラミック粉体の濃度を75wt%とした回路基板
を作製し、評価した。 [0099]実施例1−10 導電性粒子として平均粒径1μmのアルミナ表面にニッ
ケルめっきを0.06μmの厚さに施した粉体を用いて
170■で3分電着を行なった以外は実施例1−1と同
様にして電着膜中の粉体濃度を50wt%とした回路基
板を作製した。
【0100】実施例1−11
実施例1−1で作製したレジストパターン付き基材を、
脱塩水20wt%、平均粒子径1μmのアルミナ表面に
無電解金めっきを0. 2μmの厚さに施した粉体、5
0wt%及びメラミン・アクリル系樹脂30wt%(商
品名ハニーブライトC−IL;ハニー化成(株)製)を
分散した導電性ペースト中で、実施例1−1と同様にし
て、粉体濃度40wt%の電着膜を有するファインプリ
ント回路基板を得た。 [01011参考例1 参考例として、脱塩水25wt%、メラミン・アクリル
系樹脂(商品名;ハニーブライトC−IL、ハニー化成
(株)製)5wt%平均粒子径1.0μmのアルミナ表
面にニッケルめっきを0.2μmに施した粉体を70w
t%分散した導電性ペーストを用いて、実施例1−1の
基材に50Vで2分電着を行なって、硬化後の電着膜中
の金属化セラミックの濃度を15wt%とした回路基板
を作成した。 [0102]参考例2 脱塩水25wt%、メラミン−アクリル系樹脂(商品名
、ハニーブライトC−IL、ハニー化成(株)製)5w
t%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表面にニッケル
めっきを0. 2μmに施した粉体を70wt%を分散
した導電ペーストを用いて実施例1−1の基材に200
■で2分間型着を行なって硬化後の電着膜中の金属化セ
ラミックの濃度を85wt%とした回路基板を作製した
。 [0103]参考例3 実施例1−1に於て、アルミナ粉体の表面の銅めっき層
を0.02μmとした以外は実施例1−1と同様にして
粉体濃度50wt%の電着膜を有する回路基板を作成し
た。 [0104]参考例4 導電性粒子として平均粒径0.07μmのアルミナ表面
にニッケルめっきを0. 2μmの厚さに施した粉体を
用いた以外は実施例1−1と同様にして粉体濃度50w
t%の電着膜を有する回路基板を作製した。 [0105]参考例5 導電性粒子として平均粒径8μmのアルミナ表面にニッ
ケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体を用いた以
外は実施例1−1と同様にして粉体濃度50wt%の電
着膜を有する回路基板を作製した。 [0106]上記実施例1−2〜1−11及び参考例1
〜5の回路基板について実施例1−1と同様にして評価
した。その結果について表1−2に示す。 [0107]
脱塩水20wt%、平均粒子径1μmのアルミナ表面に
無電解金めっきを0. 2μmの厚さに施した粉体、5
0wt%及びメラミン・アクリル系樹脂30wt%(商
品名ハニーブライトC−IL;ハニー化成(株)製)を
分散した導電性ペースト中で、実施例1−1と同様にし
て、粉体濃度40wt%の電着膜を有するファインプリ
ント回路基板を得た。 [01011参考例1 参考例として、脱塩水25wt%、メラミン・アクリル
系樹脂(商品名;ハニーブライトC−IL、ハニー化成
(株)製)5wt%平均粒子径1.0μmのアルミナ表
面にニッケルめっきを0.2μmに施した粉体を70w
t%分散した導電性ペーストを用いて、実施例1−1の
基材に50Vで2分電着を行なって、硬化後の電着膜中
の金属化セラミックの濃度を15wt%とした回路基板
を作成した。 [0102]参考例2 脱塩水25wt%、メラミン−アクリル系樹脂(商品名
、ハニーブライトC−IL、ハニー化成(株)製)5w
t%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表面にニッケル
めっきを0. 2μmに施した粉体を70wt%を分散
した導電ペーストを用いて実施例1−1の基材に200
■で2分間型着を行なって硬化後の電着膜中の金属化セ
ラミックの濃度を85wt%とした回路基板を作製した
。 [0103]参考例3 実施例1−1に於て、アルミナ粉体の表面の銅めっき層
を0.02μmとした以外は実施例1−1と同様にして
粉体濃度50wt%の電着膜を有する回路基板を作成し
た。 [0104]参考例4 導電性粒子として平均粒径0.07μmのアルミナ表面
にニッケルめっきを0. 2μmの厚さに施した粉体を
用いた以外は実施例1−1と同様にして粉体濃度50w
t%の電着膜を有する回路基板を作製した。 [0105]参考例5 導電性粒子として平均粒径8μmのアルミナ表面にニッ
ケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体を用いた以
外は実施例1−1と同様にして粉体濃度50wt%の電
着膜を有する回路基板を作製した。 [0106]上記実施例1−2〜1−11及び参考例1
〜5の回路基板について実施例1−1と同様にして評価
した。その結果について表1−2に示す。 [0107]
【表2】
表1
2
[0108]前記表1−2に示すように本発明によれば
、回路基板の物性に著しい向上があり、再現性も十分あ
るものが得られた。 [0109]又、耐久試験後の結果についても実施例1
1と同様の結果が得られた。
、回路基板の物性に著しい向上があり、再現性も十分あ
るものが得られた。 [0109]又、耐久試験後の結果についても実施例1
1と同様の結果が得られた。
【0110】実施例2−1
実施例1−1で作成したレジストパターンを有する基材
を脱塩水35wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品
名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%
、平均粒子径0.03μmの銅粉体30wt%、平均粒
子径1.0μmのアルミナ表面にニッケルめっきを0.
2μmの厚さに施した粉体30wt%を分散した導電性
ペースト中で、基板を陽極とし、対極としてステンレス
板(0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8,5の条
件で170■で3分間通電し、その後水洗し、95℃±
1℃のオーブンで90分間硬化した。このときの、膜厚
は25μm、粉体混合物の濃度は50wt%であった。 次いで、苛性ソーダ50g/lに、40℃、5分間浸漬
し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニア性アル
カリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の銅めっき
被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0111] この回路基板について実施例1−1と同
様にして評価した。 [0112]実施例2−2 実施例1−2で作成したレジストパターンを有する基板
を脱塩水25wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品
名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%
、平均粒子径0.03μmのニッケル粉体40wt%、
平均粒子径1,0μmのアルミナ表面にニッケルめっき
を0.5μmの厚さに施した粉体30wt%を分散した
導電性ペースト中で、基板を陽極とし、対極としてステ
ンレス板(0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8,
5の条件で、180■で3分間通電し、その後水洗し、
95℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。このとき
の、膜厚は30μm、粉体混合物の濃度は60wt%で
あった。次いで、苛性ソーダ50g/lに、40℃、5
分間浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニ
ア性アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の
銅めっき被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得
た。 [0113]実施例2−3 実施例1−3に於て作成したレジストパターン付き基材
に、脱塩水35wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商
品名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt
%、平均粒子径0.03μmの銅粉体30wt%、平均
粒子径1.0μmのアルミナ表面にニッケルめっきを0
.2μmの厚さに施した粉体を30wt%を分散した導
電性ペースト中で陽極とし、対極としてステンレス板(
0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8,5の条件で
、170Vで3分間通電し、その後水洗し95℃±1℃
のオーブンで90分間硬化した。このときの、膜厚は2
5μm、粉体混合物の濃度は50wt%であった。次い
で、苛性ソーダ50g/lに40℃、5分間浸漬し、感
光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニア性アルカリ銅
液を用いて、50℃、7分間で露出部の銅めっき被膜を
除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0114]実施例2−4 実施例1−4で作成したレジストパターン付基材に対し
て、脱塩水27wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商
品名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社製)3wt
%、平均粒子径0.07μmの銀粉体50wt%、平均
粒子径1.0μmのアルミナ表面にニッケルめっきを0
.2μmの厚さに施した粉体20wt%を分散した導電
性ペースト中で、基板を陽極とし、対極としてステンレ
ス板(0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8,5の
条件で、120Vで3分間通電し、その後水洗し、95
℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。このときの、
膜厚は18μm、粉体混合物の濃度は30wt%であっ
た。次いで、OMR専用の剥離液で、40℃、5分間浸
漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニア性ア
ルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の銅めっ
き被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0115]実施例2−5 実施例1−5で用いたレジストパターン付基材を脱塩水
35wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品名ハニー
ブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%、平均粒
子径0.03μmの銅粉体30wt%、平均粒子径1゜
0μmのアルミナ表面にニッケルめっきを0.2μmの
厚さに施した粉体30wt%を分散した導電性ペースト
に浸漬して、基材側を陽極とし、対極としてステンレス
板’ (0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8,
5の条件で、170■で3分間通電し、その後水洗し、
95℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。このとき
の、膜厚は25μm、粉体混合物の濃度は50wt%で
あった。次いで、苛性ソーダ50g/lに、40℃、5
分間浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、10%塩
酸を用いて、50℃、7分間で露出部の触媒のパラジウ
ム被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0116]上記実施例2−1〜2−5で得た、回路基
板について実施例1−1と同様にして評価した。その結
果を表2に示す。 [0117]
を脱塩水35wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品
名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%
、平均粒子径0.03μmの銅粉体30wt%、平均粒
子径1.0μmのアルミナ表面にニッケルめっきを0.
2μmの厚さに施した粉体30wt%を分散した導電性
ペースト中で、基板を陽極とし、対極としてステンレス
板(0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8,5の条
件で170■で3分間通電し、その後水洗し、95℃±
1℃のオーブンで90分間硬化した。このときの、膜厚
は25μm、粉体混合物の濃度は50wt%であった。 次いで、苛性ソーダ50g/lに、40℃、5分間浸漬
し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニア性アル
カリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の銅めっき
被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0111] この回路基板について実施例1−1と同
様にして評価した。 [0112]実施例2−2 実施例1−2で作成したレジストパターンを有する基板
を脱塩水25wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品
名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%
、平均粒子径0.03μmのニッケル粉体40wt%、
平均粒子径1,0μmのアルミナ表面にニッケルめっき
を0.5μmの厚さに施した粉体30wt%を分散した
導電性ペースト中で、基板を陽極とし、対極としてステ
ンレス板(0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8,
5の条件で、180■で3分間通電し、その後水洗し、
95℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。このとき
の、膜厚は30μm、粉体混合物の濃度は60wt%で
あった。次いで、苛性ソーダ50g/lに、40℃、5
分間浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニ
ア性アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の
銅めっき被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得
た。 [0113]実施例2−3 実施例1−3に於て作成したレジストパターン付き基材
に、脱塩水35wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商
品名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt
%、平均粒子径0.03μmの銅粉体30wt%、平均
粒子径1.0μmのアルミナ表面にニッケルめっきを0
.2μmの厚さに施した粉体を30wt%を分散した導
電性ペースト中で陽極とし、対極としてステンレス板(
0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8,5の条件で
、170Vで3分間通電し、その後水洗し95℃±1℃
のオーブンで90分間硬化した。このときの、膜厚は2
5μm、粉体混合物の濃度は50wt%であった。次い
で、苛性ソーダ50g/lに40℃、5分間浸漬し、感
光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニア性アルカリ銅
液を用いて、50℃、7分間で露出部の銅めっき被膜を
除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0114]実施例2−4 実施例1−4で作成したレジストパターン付基材に対し
て、脱塩水27wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商
品名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社製)3wt
%、平均粒子径0.07μmの銀粉体50wt%、平均
粒子径1.0μmのアルミナ表面にニッケルめっきを0
.2μmの厚さに施した粉体20wt%を分散した導電
性ペースト中で、基板を陽極とし、対極としてステンレ
ス板(0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8,5の
条件で、120Vで3分間通電し、その後水洗し、95
℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。このときの、
膜厚は18μm、粉体混合物の濃度は30wt%であっ
た。次いで、OMR専用の剥離液で、40℃、5分間浸
漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニア性ア
ルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の銅めっ
き被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0115]実施例2−5 実施例1−5で用いたレジストパターン付基材を脱塩水
35wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品名ハニー
ブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%、平均粒
子径0.03μmの銅粉体30wt%、平均粒子径1゜
0μmのアルミナ表面にニッケルめっきを0.2μmの
厚さに施した粉体30wt%を分散した導電性ペースト
に浸漬して、基材側を陽極とし、対極としてステンレス
板’ (0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8,
5の条件で、170■で3分間通電し、その後水洗し、
95℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。このとき
の、膜厚は25μm、粉体混合物の濃度は50wt%で
あった。次いで、苛性ソーダ50g/lに、40℃、5
分間浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、10%塩
酸を用いて、50℃、7分間で露出部の触媒のパラジウ
ム被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0116]上記実施例2−1〜2−5で得た、回路基
板について実施例1−1と同様にして評価した。その結
果を表2に示す。 [0117]
【表3】
[0118]実施例3−1
実施例1−1で作成したレジストパターンを有する基材
を脱塩水65wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品
名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%
、平均粒子径2.0μmの天然マイカの表面に無電解ニ
ッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体30wt
%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極とし、対
極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴温23
℃、pH8,5の条件で、170■で3分間通電し、そ
の後水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分間硬化し
た。このときの、膜厚は25μm、粉体の濃度は50w
t%であった。次いで、苛性ソーダ50g/lに、40
℃、5分間浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、ア
ンモニア性アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露
出部の銅めっき被膜を除去し、ファインプリント回路基
板を得た。 [0119] この基板の性能を確認するため、比抵抗
、表面抵抗、密着性について、実施例1−1と同様にし
てそれぞれ初期値と環境試験後の値を測定した。その結
果を表3に示す。
を脱塩水65wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品
名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%
、平均粒子径2.0μmの天然マイカの表面に無電解ニ
ッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体30wt
%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極とし、対
極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴温23
℃、pH8,5の条件で、170■で3分間通電し、そ
の後水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分間硬化し
た。このときの、膜厚は25μm、粉体の濃度は50w
t%であった。次いで、苛性ソーダ50g/lに、40
℃、5分間浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、ア
ンモニア性アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露
出部の銅めっき被膜を除去し、ファインプリント回路基
板を得た。 [0119] この基板の性能を確認するため、比抵抗
、表面抵抗、密着性について、実施例1−1と同様にし
てそれぞれ初期値と環境試験後の値を測定した。その結
果を表3に示す。
【0120】実施例3−2
導電性ペーストとして、脱塩水45wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミ
ナ表面に無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに施
した粉体30wt%および平均粒子径2.0μmの天然
マイカの表面に無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚
さに施した粉体20wt%を分散した導電性ペーストを
用いた以外は、実施例3−1と同様の方法により、粉体
混合物の濃度が50wt%の電着膜を有するファインプ
リント回路基板を作製した。
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミ
ナ表面に無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに施
した粉体30wt%および平均粒子径2.0μmの天然
マイカの表面に無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚
さに施した粉体20wt%を分散した導電性ペーストを
用いた以外は、実施例3−1と同様の方法により、粉体
混合物の濃度が50wt%の電着膜を有するファインプ
リント回路基板を作製した。
【0121】実施例3−3
導電性ペーストとして、脱塩水15wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmの銅粉
体30wt%および平均粒子径2.0μmの天然マイカ
の表面に無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに施
した粉体50wt%を分散した導電性ペーストを用いた
以外は、実施例3−1と同様の方法により、粉体混合物
の濃度が50wt%の電着膜を有する、ファインプリン
ト回路基板を作製した。 [0122]実施例3−4 導電性ペーストとして、脱塩水35wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmの銅粉
体30wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表面に
無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体
10wt%を分散した導電性ペーストを用いた以外は、
実施例3−1と同様の方法により、粉体混合物の濃度が
53wt%の電着膜を有するファインプリント回路基板
を作製した。 [0123]実施例3−5 実施例1−2で作成したレジストパターンを有する基材
を脱塩水65wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品
名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%
、平均粒子径1.5μmの天然マイカの表面に無電解ニ
ッケルめっきを0.05μmの厚さに施した粉体30w
t%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極とし、
対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴温2
3℃、pH8,5の条件で、180Vで3分間通電し、
その後水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分間硬化
した。このときの、膜厚は30μm、粉体の濃度は60
wt%であった。ソーダ50g/lに、40℃、5分間
浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニア性
アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の銅め
っき被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0124]実施例3−6 導電性ペーストとして、脱塩水35wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミ
ナ表面に無電解ニッケルめっきを0.5μmの厚さに施
した粉体20wt%および平均粒子径1.5μmの天然
マイカの表面に無電解ニッケルめっきを0.05μmの
厚さに施した粉体40wt%を分散した導電性ペースト
を用いた以外は、実施例3−5と同様の方法により、粉
体混合物の濃度が60wt%の電着膜を有するファイン
プリント回路基板を作製した。 [0125]実施例3−7 導電性ペーストとして、脱塩水25wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmのニッ
ケル粉体30wt%、および平均粒子系1.5μmの天
然マイカの表面に無電解ニッケルめっきを0.05μm
の厚さに施した粉体40wt%を分散した導電性ペース
トを用いた以外は、実施例3−5と同様の方法により、
粉体混合物の濃度が60wt%の電着膜を有するファイ
ンプリント回路基板を作製した。 [0126]実施例3−8 導電性ペーストとして、脱塩水25wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmのニッ
ケル粉体40wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ
表面に無電解ニッケルめっきを0. 5μmの厚さに施
した粉体10wt%および平均粒子径1.5μmの天然
マイカの表面に無電解ニッケルめっきを0.05μmの
厚さに施した粉体20wt%を分散した導電性ペースト
を用いた以外は、実施例3−5と同様の方法により、混
合粉体の含有率が60wt%の電着膜を有するファイン
プリント回路基板を作製した。 [0127]実施例3−9 実施例1−3で作成したレジストパターンを有する基材
を脱塩水35wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品
名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%
、平均粒子径2μmの天然マイカの表面に無電解ニッケ
ルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体60wt%を
分散した導電性ペースト中で、基板を陽極とし、対極と
してステンレス板(0,5t)を用いて、浴温23℃、
pH8,5の条件で、170■で3分間通電し、その後
水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。 このときの、膜厚は25μm、粉体の濃度は50wt%
であった。 [0128]次いで、苛性ソーダ50g/lに、40℃
、5分間浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アン
モニア性アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出
部の銅めっき被膜を除去し、ファインプリント回路基板
を得た。 [0129]実施例3−10 導電性ペーストとして、脱塩水35wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミ
ナ表面に無電解ニッケルめっきを0,2μmの厚さに施
した粉体30wt%および平均粒子径2μmの天然マイ
カの表面に無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに
施した粉体30wt%を分散した導電性ペーストを用い
た以外は、実施例3−9と同様の方法により、混合粉体
の濃度が50wt%電着膜を有するファインプリント回
路基板を作製した。 [01301実施例3−11 導電性ペーストとして、脱塩水50wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmの銅粉
体20wt%、平均粒子径2μmの天然マイカの表面に
無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体
25wt%を分散した導電性ペーストを用いた以外は、
実施例3−9と同様の方法により、混合粉体の濃度が5
1wt%の電着膜を有するファインプリント回路基板を
作製した。 [0131]実施例3−12 導電性ペーストとして、脱塩水10wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmの銅粉
体20wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表面に
無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体
30wt%および平均粒子径2μmの天然マイカの表面
に無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉
体35wt%を分散した導電性ペーストを用いた以外は
、実施例3−9と同様の方法により、混合粉体の含有量
が50wt%の電着膜を有するファインプリント回路基
板を作製した。 [0132]実施例3−13 実施例1−4で作製したレジストパターン付基板を脱塩
水37wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品名ハニ
ーブライトC−IL、ハニー化成社製)3wt%、平均
粒子径2μmの天然マイカの表面に無電解ニッケルめっ
きを0.05μmの厚さに施した粉体60wt%を分散
した導電性ペースト中で、基板を陽極とし、対極として
ステンレス板(0,5t)を用いて、浴温23℃、pH
8,5の条件で、120■で3分間通電し、その後水洗
し、95℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。この
ときの、膜厚は18μm、粉体の濃度は30wt%であ
った。次いで、OMR専用の剥離液で、40℃、5分間
浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニア性
アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の銅め
っき被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0133]実施例3−14 導電性ペーストとして、脱塩水27wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)3wt%、平均粒子径1.0μmのアルミ
ナ表面に無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに施
した粉体20wt%および平均粒子径2μmの天然マイ
カの表面に無電解ニッケルめっきを0,05μmの厚さ
に施した粉体50wt%を分散した導電性ペーストを用
いた以外は、実施例3−13と同様の方法により、混合
粉体の濃度が30wt%の電着膜を有するファインプリ
ント回路基板を作製した。 [0134]実施例3−15 導電性ペーストとして、脱塩水27wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)3wt%、平均粒子径0.07μmの銀粉
体40wt%、平均粒子径2μmの天然マイカの表面に
無電解ニッケルめっきを0.05μmの厚さに施した粉
体30wt%を分散した導電性ペーストを用いた以外は
、実施例3−13と同様の方法により、混合粉体の濃度
が30wt%の電着膜を有するファインプリント回路基
板を作成した。 [0135]実施例3−16 導電性ペーストとして、脱塩水27wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)3wt%、平均粒子径0.07μmの銀粉
体40wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表面に
無電解ニッケルめっきを0. 2μmの厚さに施した粉
体20wt%および平均粒子径2μmの天然マイカの表
面に無電解ニッケルめっきを0.05μmの厚さに施し
た粉体10wt%を分散した導電性ペーストを用いた以
外は、実施例3−13と同様の方法により、混合粉体の
濃度が30%の電着膜を有するファインプリント回路基
板を作製した。 [0136]実施例3−17 実施例1−5で作製した銅めっきで被覆されたレジスト
パターン付基板を脱塩水35wt%、メラミン・アクリ
ル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニー化成
社製)5wt%、平均粒子径1.0μmの天然マイカの
表面に無電解銅めっきを0.1μmの厚さに施した粉体
60wt%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極
とし、対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、
浴温23℃、pH8,5の条件で、170Vで3分間通
電し、その後水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分
間硬化した。このときの、膜厚は25μm、粉体濃度は
50wt%であった。次いで、苛性ソーダ50g/lに
、40℃、5分間浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次い
で、10%塩酸を用いて、50℃、7分間で露出部の触
媒のパラジウム被膜を除去し、ファインプリント回路基
板を得た。 [0137]実施例3−18 導電性ペーストとして、脱塩水35wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミ
ナ表面に無電解銅めっきを0. 2μmの厚さに施した
粉体20wt%および平均粒子径1.0μmの天然マイ
カの表面に無電解銅めっきを0. 1μmの厚さに施し
た粉体40wt%を分散した導電性ペーストを用いた以
外は、実施例3−17と同様の方法により、混合粉体の
濃度が50wt%である電着膜を有するファインプリン
ト回路基板を作製した。 [0138]実施例3−19 導電性ペーストとして、脱塩水35wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmの銅粉
体30wt%、平均粒子径0. 1μmの天然マイカの
表面に無電解銅めっきを0.1μmの厚さに施した粉体
30wt%を分散した導電性ペーストを用いた以外は、
実施例3−17と同様の方法により、混合粉体の濃度が
50wt%の電着膜を有するファインプリント回路基板
を作製した。 [0139]実施例3−20 導電性ペーストとして、脱塩水35wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmの銅粉
体30wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表面に
無電解銅めっきを0. 2μmの厚さに施した粉体Lo
wt%および平均粒子径1.0μmの天然マイカの表面
に無電解銅めっきを0.1μmの厚さに施した粉体20
wt%を分散した導電性ペーストを用いた以外は、実施
例3−17と同様の方法により、混合粉体の濃度が50
w:t%の電着膜を有するファインプリント回路基板を
作製した。 [01401上記、実施例3−1〜3−20で作成した
ファインプリント回路基板について実施例1−1と同様
にて評価した。その結果を表3−1.3−2に示す。 [0141]
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmの銅粉
体30wt%および平均粒子径2.0μmの天然マイカ
の表面に無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに施
した粉体50wt%を分散した導電性ペーストを用いた
以外は、実施例3−1と同様の方法により、粉体混合物
の濃度が50wt%の電着膜を有する、ファインプリン
ト回路基板を作製した。 [0122]実施例3−4 導電性ペーストとして、脱塩水35wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmの銅粉
体30wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表面に
無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体
10wt%を分散した導電性ペーストを用いた以外は、
実施例3−1と同様の方法により、粉体混合物の濃度が
53wt%の電着膜を有するファインプリント回路基板
を作製した。 [0123]実施例3−5 実施例1−2で作成したレジストパターンを有する基材
を脱塩水65wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品
名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%
、平均粒子径1.5μmの天然マイカの表面に無電解ニ
ッケルめっきを0.05μmの厚さに施した粉体30w
t%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極とし、
対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴温2
3℃、pH8,5の条件で、180Vで3分間通電し、
その後水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分間硬化
した。このときの、膜厚は30μm、粉体の濃度は60
wt%であった。ソーダ50g/lに、40℃、5分間
浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニア性
アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の銅め
っき被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0124]実施例3−6 導電性ペーストとして、脱塩水35wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミ
ナ表面に無電解ニッケルめっきを0.5μmの厚さに施
した粉体20wt%および平均粒子径1.5μmの天然
マイカの表面に無電解ニッケルめっきを0.05μmの
厚さに施した粉体40wt%を分散した導電性ペースト
を用いた以外は、実施例3−5と同様の方法により、粉
体混合物の濃度が60wt%の電着膜を有するファイン
プリント回路基板を作製した。 [0125]実施例3−7 導電性ペーストとして、脱塩水25wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmのニッ
ケル粉体30wt%、および平均粒子系1.5μmの天
然マイカの表面に無電解ニッケルめっきを0.05μm
の厚さに施した粉体40wt%を分散した導電性ペース
トを用いた以外は、実施例3−5と同様の方法により、
粉体混合物の濃度が60wt%の電着膜を有するファイ
ンプリント回路基板を作製した。 [0126]実施例3−8 導電性ペーストとして、脱塩水25wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmのニッ
ケル粉体40wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ
表面に無電解ニッケルめっきを0. 5μmの厚さに施
した粉体10wt%および平均粒子径1.5μmの天然
マイカの表面に無電解ニッケルめっきを0.05μmの
厚さに施した粉体20wt%を分散した導電性ペースト
を用いた以外は、実施例3−5と同様の方法により、混
合粉体の含有率が60wt%の電着膜を有するファイン
プリント回路基板を作製した。 [0127]実施例3−9 実施例1−3で作成したレジストパターンを有する基材
を脱塩水35wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品
名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%
、平均粒子径2μmの天然マイカの表面に無電解ニッケ
ルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体60wt%を
分散した導電性ペースト中で、基板を陽極とし、対極と
してステンレス板(0,5t)を用いて、浴温23℃、
pH8,5の条件で、170■で3分間通電し、その後
水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。 このときの、膜厚は25μm、粉体の濃度は50wt%
であった。 [0128]次いで、苛性ソーダ50g/lに、40℃
、5分間浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アン
モニア性アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出
部の銅めっき被膜を除去し、ファインプリント回路基板
を得た。 [0129]実施例3−10 導電性ペーストとして、脱塩水35wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミ
ナ表面に無電解ニッケルめっきを0,2μmの厚さに施
した粉体30wt%および平均粒子径2μmの天然マイ
カの表面に無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに
施した粉体30wt%を分散した導電性ペーストを用い
た以外は、実施例3−9と同様の方法により、混合粉体
の濃度が50wt%電着膜を有するファインプリント回
路基板を作製した。 [01301実施例3−11 導電性ペーストとして、脱塩水50wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmの銅粉
体20wt%、平均粒子径2μmの天然マイカの表面に
無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体
25wt%を分散した導電性ペーストを用いた以外は、
実施例3−9と同様の方法により、混合粉体の濃度が5
1wt%の電着膜を有するファインプリント回路基板を
作製した。 [0131]実施例3−12 導電性ペーストとして、脱塩水10wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmの銅粉
体20wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表面に
無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体
30wt%および平均粒子径2μmの天然マイカの表面
に無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉
体35wt%を分散した導電性ペーストを用いた以外は
、実施例3−9と同様の方法により、混合粉体の含有量
が50wt%の電着膜を有するファインプリント回路基
板を作製した。 [0132]実施例3−13 実施例1−4で作製したレジストパターン付基板を脱塩
水37wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品名ハニ
ーブライトC−IL、ハニー化成社製)3wt%、平均
粒子径2μmの天然マイカの表面に無電解ニッケルめっ
きを0.05μmの厚さに施した粉体60wt%を分散
した導電性ペースト中で、基板を陽極とし、対極として
ステンレス板(0,5t)を用いて、浴温23℃、pH
8,5の条件で、120■で3分間通電し、その後水洗
し、95℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。この
ときの、膜厚は18μm、粉体の濃度は30wt%であ
った。次いで、OMR専用の剥離液で、40℃、5分間
浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニア性
アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の銅め
っき被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0133]実施例3−14 導電性ペーストとして、脱塩水27wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)3wt%、平均粒子径1.0μmのアルミ
ナ表面に無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに施
した粉体20wt%および平均粒子径2μmの天然マイ
カの表面に無電解ニッケルめっきを0,05μmの厚さ
に施した粉体50wt%を分散した導電性ペーストを用
いた以外は、実施例3−13と同様の方法により、混合
粉体の濃度が30wt%の電着膜を有するファインプリ
ント回路基板を作製した。 [0134]実施例3−15 導電性ペーストとして、脱塩水27wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)3wt%、平均粒子径0.07μmの銀粉
体40wt%、平均粒子径2μmの天然マイカの表面に
無電解ニッケルめっきを0.05μmの厚さに施した粉
体30wt%を分散した導電性ペーストを用いた以外は
、実施例3−13と同様の方法により、混合粉体の濃度
が30wt%の電着膜を有するファインプリント回路基
板を作成した。 [0135]実施例3−16 導電性ペーストとして、脱塩水27wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)3wt%、平均粒子径0.07μmの銀粉
体40wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表面に
無電解ニッケルめっきを0. 2μmの厚さに施した粉
体20wt%および平均粒子径2μmの天然マイカの表
面に無電解ニッケルめっきを0.05μmの厚さに施し
た粉体10wt%を分散した導電性ペーストを用いた以
外は、実施例3−13と同様の方法により、混合粉体の
濃度が30%の電着膜を有するファインプリント回路基
板を作製した。 [0136]実施例3−17 実施例1−5で作製した銅めっきで被覆されたレジスト
パターン付基板を脱塩水35wt%、メラミン・アクリ
ル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニー化成
社製)5wt%、平均粒子径1.0μmの天然マイカの
表面に無電解銅めっきを0.1μmの厚さに施した粉体
60wt%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極
とし、対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、
浴温23℃、pH8,5の条件で、170Vで3分間通
電し、その後水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分
間硬化した。このときの、膜厚は25μm、粉体濃度は
50wt%であった。次いで、苛性ソーダ50g/lに
、40℃、5分間浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次い
で、10%塩酸を用いて、50℃、7分間で露出部の触
媒のパラジウム被膜を除去し、ファインプリント回路基
板を得た。 [0137]実施例3−18 導電性ペーストとして、脱塩水35wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミ
ナ表面に無電解銅めっきを0. 2μmの厚さに施した
粉体20wt%および平均粒子径1.0μmの天然マイ
カの表面に無電解銅めっきを0. 1μmの厚さに施し
た粉体40wt%を分散した導電性ペーストを用いた以
外は、実施例3−17と同様の方法により、混合粉体の
濃度が50wt%である電着膜を有するファインプリン
ト回路基板を作製した。 [0138]実施例3−19 導電性ペーストとして、脱塩水35wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmの銅粉
体30wt%、平均粒子径0. 1μmの天然マイカの
表面に無電解銅めっきを0.1μmの厚さに施した粉体
30wt%を分散した導電性ペーストを用いた以外は、
実施例3−17と同様の方法により、混合粉体の濃度が
50wt%の電着膜を有するファインプリント回路基板
を作製した。 [0139]実施例3−20 導電性ペーストとして、脱塩水35wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmの銅粉
体30wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表面に
無電解銅めっきを0. 2μmの厚さに施した粉体Lo
wt%および平均粒子径1.0μmの天然マイカの表面
に無電解銅めっきを0.1μmの厚さに施した粉体20
wt%を分散した導電性ペーストを用いた以外は、実施
例3−17と同様の方法により、混合粉体の濃度が50
w:t%の電着膜を有するファインプリント回路基板を
作製した。 [01401上記、実施例3−1〜3−20で作成した
ファインプリント回路基板について実施例1−1と同様
にて評価した。その結果を表3−1.3−2に示す。 [0141]
【表4】
表3−1
[0142]
[0143]
【表5】
表3−2
[0144]実施例4−1
実施例1−1で用いたレジストパターンは基板を、脱塩
水35wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品名ハニ
ーブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%、平均
粒子径0.03μmの銅粉体を60wt%を分散した導
電性ペースト中で、基板を陽極とし、対極としてステン
レス板(0,5t)を用いて、浴温23°、pH8,5
の条件で、170Vで3分間通電し、その後水洗し、1
50℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。このとき
の、膜厚は25μm、金属粉体の濃度は50wt%であ
った。次いで、苛性ソーダ50g/lに、40℃、5分
間浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニア
性アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出の銅め
っき被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0145]実施例4−2 実施例1−2で用いたレジストパターン付基材を脱塩水
25wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品名ハニー
ブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%、平均粒
子径0.03μmのニッケル粉体を70wt%を分散し
た導電性ペースト中で、基板を陽極とし、対極としてス
テンレス板(0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8
,5の条件で、180■で3分間通電し、その後水洗し
145℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。このと
きの、膜厚は30μm、金属粉体の濃度は60wt%で
あった。次いで、苛性ソーダ50g/lに、40℃、5
分間浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニ
ア性アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の
銅めっき被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得
た。 [0146]実施例4−3 実施例1−3で用いたレジストパターン付基材を脱塩水
15wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品名ハニー
ブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%、平均粒
子径0.03μmの銅粉体80wt%を分散した導電性
ペースト中で、基板を陽極とし、対極としてステンレス
板(0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8,5の条
件で、170Vで3分間通電し、その後、水洗し、14
5℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。このときの
、膜厚は25μm、金属粉体の濃度は50wt%であっ
た。次いで、苛性ソーダ50g/lに、40℃、5分間
浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニア性
アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の銅め
っき被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0147]実施例4−4 実施例1−4で用いたレジストパターン付基板を脱塩水
47wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品名ハニー
ブライトC−IL、ハニー化成社製)3wt%、平均粒
子径0.07μmの銀粉体50wt%を分散した導電性
ペースト中で、基板を陽極とし、対極としてステンレス
板(0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8,5の条
件で、120Vで3分間通電し、その後水洗し、145
℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。このときの、
膜厚は18μm、金属粉体の濃度は30wt%であった
。ついで、OMR専用の剥離液で、40℃、5分間浸漬
し、感光性樹脂を剥離した。ついで、アンモニア性アル
カリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の銅めっき
被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0148]実施例4−5 実施例1−5で用いた銅めっきで被覆されたレジストパ
ターン付基板を脱塩水35wt%、メラミン・アクリル
系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社
製)5wt%、平均粒子径0.03μmの銅粉体60w
t%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極とし、
対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴温2
3℃、pH8,5の条件で、170Vで3分間通電し、
その後水洗し、145℃±1℃のオーブンで90分間硬
化した。なおここで用いた粉体は界面活性剤で処理した
ものである。 [0149] このときの、膜厚は25μm、金属粉体
の濃度は50wt%であった。次いで、苛性ソーダ50
g/lに、40℃、5分間浸漬し、感光性樹脂を剥離し
:た。次いで、10%塩酸を用いて、50℃、7分間で
露出部の触媒のパラジウム被膜を除去し、ファインプリ
ント回路基板を得た。 [01501上記実施例4−1〜4−5で作製した回路
基板について実施例1−1と同様にして評価した。その
結果を表−4に示す。 [01511
水35wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品名ハニ
ーブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%、平均
粒子径0.03μmの銅粉体を60wt%を分散した導
電性ペースト中で、基板を陽極とし、対極としてステン
レス板(0,5t)を用いて、浴温23°、pH8,5
の条件で、170Vで3分間通電し、その後水洗し、1
50℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。このとき
の、膜厚は25μm、金属粉体の濃度は50wt%であ
った。次いで、苛性ソーダ50g/lに、40℃、5分
間浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニア
性アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出の銅め
っき被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0145]実施例4−2 実施例1−2で用いたレジストパターン付基材を脱塩水
25wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品名ハニー
ブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%、平均粒
子径0.03μmのニッケル粉体を70wt%を分散し
た導電性ペースト中で、基板を陽極とし、対極としてス
テンレス板(0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8
,5の条件で、180■で3分間通電し、その後水洗し
145℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。このと
きの、膜厚は30μm、金属粉体の濃度は60wt%で
あった。次いで、苛性ソーダ50g/lに、40℃、5
分間浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニ
ア性アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の
銅めっき被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得
た。 [0146]実施例4−3 実施例1−3で用いたレジストパターン付基材を脱塩水
15wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品名ハニー
ブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%、平均粒
子径0.03μmの銅粉体80wt%を分散した導電性
ペースト中で、基板を陽極とし、対極としてステンレス
板(0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8,5の条
件で、170Vで3分間通電し、その後、水洗し、14
5℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。このときの
、膜厚は25μm、金属粉体の濃度は50wt%であっ
た。次いで、苛性ソーダ50g/lに、40℃、5分間
浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニア性
アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の銅め
っき被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0147]実施例4−4 実施例1−4で用いたレジストパターン付基板を脱塩水
47wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品名ハニー
ブライトC−IL、ハニー化成社製)3wt%、平均粒
子径0.07μmの銀粉体50wt%を分散した導電性
ペースト中で、基板を陽極とし、対極としてステンレス
板(0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8,5の条
件で、120Vで3分間通電し、その後水洗し、145
℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。このときの、
膜厚は18μm、金属粉体の濃度は30wt%であった
。ついで、OMR専用の剥離液で、40℃、5分間浸漬
し、感光性樹脂を剥離した。ついで、アンモニア性アル
カリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の銅めっき
被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0148]実施例4−5 実施例1−5で用いた銅めっきで被覆されたレジストパ
ターン付基板を脱塩水35wt%、メラミン・アクリル
系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社
製)5wt%、平均粒子径0.03μmの銅粉体60w
t%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極とし、
対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴温2
3℃、pH8,5の条件で、170Vで3分間通電し、
その後水洗し、145℃±1℃のオーブンで90分間硬
化した。なおここで用いた粉体は界面活性剤で処理した
ものである。 [0149] このときの、膜厚は25μm、金属粉体
の濃度は50wt%であった。次いで、苛性ソーダ50
g/lに、40℃、5分間浸漬し、感光性樹脂を剥離し
:た。次いで、10%塩酸を用いて、50℃、7分間で
露出部の触媒のパラジウム被膜を除去し、ファインプリ
ント回路基板を得た。 [01501上記実施例4−1〜4−5で作製した回路
基板について実施例1−1と同様にして評価した。その
結果を表−4に示す。 [01511
【表6]
表 4
[0152]
[0153]
【発明の効果】以上説明した様に本発明の回路パターン
上に導電性ペースト液を用いて、電着塗装により形成さ
れた電着塗装被膜を有する導電回路部材によって、膜厚
の均一性、にじみ、かすれ、欠落等に関しての問題の解
決はもちろんのこと、電気的特性が著しく向上し、再現
性のある部材を形成することができる。 [0154]又、本発明によれば、フォトリン工程によ
って回路パターンを形成して電着を行なうため、きわめ
て微細な回路パターンを有する導電回路部材を用意に得
ることができ、更に、薄い電着膜であっても所定の導電
性を得ることができ、小型、怪事化対応した、プリント
回路板等の導電回路部材の製作が可能となり、電子機器
への適用が有効である。 [0155]又、本発明に於て、金属化セラミック粉体
や金属化天然マイカ粉体を導電性粒子に用いた場合、電
着膜を90℃〜100℃程度の低温で加熱処理した場合
でも優れた塗膜物性の電着膜を得ることができ耐熱性の
低い絶縁基材やフレキシブルな薄い基材への微細な回路
の形成が可能となり、小型軽量の電子機器に特に有効に
適用し得る導電回路部材を得ることができる。 [0156]更に工程の簡略化によるコスト面において
も大きく寄与することができる。
上に導電性ペースト液を用いて、電着塗装により形成さ
れた電着塗装被膜を有する導電回路部材によって、膜厚
の均一性、にじみ、かすれ、欠落等に関しての問題の解
決はもちろんのこと、電気的特性が著しく向上し、再現
性のある部材を形成することができる。 [0154]又、本発明によれば、フォトリン工程によ
って回路パターンを形成して電着を行なうため、きわめ
て微細な回路パターンを有する導電回路部材を用意に得
ることができ、更に、薄い電着膜であっても所定の導電
性を得ることができ、小型、怪事化対応した、プリント
回路板等の導電回路部材の製作が可能となり、電子機器
への適用が有効である。 [0155]又、本発明に於て、金属化セラミック粉体
や金属化天然マイカ粉体を導電性粒子に用いた場合、電
着膜を90℃〜100℃程度の低温で加熱処理した場合
でも優れた塗膜物性の電着膜を得ることができ耐熱性の
低い絶縁基材やフレキシブルな薄い基材への微細な回路
の形成が可能となり、小型軽量の電子機器に特に有効に
適用し得る導電回路部材を得ることができる。 [0156]更に工程の簡略化によるコスト面において
も大きく寄与することができる。
【図1】本発明に係る導電回路部材の製造方法の実施態
様を示す工程図である。
様を示す工程図である。
【図2】本発明に係る導電回路部材の製造方法の他の実
施態様を示す工程図である。
施態様を示す工程図である。
【図3】本発明の導電回路部材の回路を形成する電着膜
の拡大図である。
の拡大図である。
【図4】本発明の回路部材を用いた電子機器の概略断面
図である。
図である。
1 絶縁基材
2 触媒層
3 めっき層
4 感光性樹脂
5 電着塗膜
6 回路
7光
8 パターンマスク
11 導電回路部材
41 筺体
42 電子部品
43 電子機器
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
Claims (31)
- 【請求項1】 絶縁基材上にパターン状に形成されてな
る導電回路を有する導電回路部材に於て、該回路が導電
性粒子及び樹脂を含有する電着塗膜を有することを特徴
とする導電回路部材。 - 【請求項2】 該導電性粒子としてセラミック粉体の表
面を金属化した粉体を含有する請求項1の導電回路部材
。 - 【請求項3】 該セラミック粉体の平均粒子径が0.1
〜7μmである請求項2の導電回路部材。 - 【請求項4】 該電着塗膜が導電性粒子を20〜80重
量%含有する請求項1の導電回路部材。 - 【請求項5】 該導電性粒子としてセラミック粉体の表
面を金属化した粉体及び超微粒金属粉体を含有する請求
項1の導電回路部材。 - 【請求項6】 該超微粒金属粉体の平均粒子径が0.0
1〜5μmである請求項5の導電回路部材。 - 【請求項7】 該導電性粒子として天然マイカ粉体の表
面を金属化した粉体を含有する請求項1の導電回路部材
。 - 【請求項8】 該天然マイカ粉体の平均粒子径が0.1
〜7μmである請求項7の導電回路部材。 - 【請求項9】 該導電性粒子としてセラミック粉体の表
面を金属化した粉体及び天然マイカ粉体の表面を金属化
した粉体の混合物を含有する請求項1の導電回路部材。 - 【請求項10】 該セラミック粉体の表面に形成され
てなる金属層の厚さが0.05〜3μmである請求項2
の導電回路部材。 - 【請求項11】 該天然マイカ粉体の表面に形成され
てなる金属層の厚さが0.05〜3μmである請求項7
の導電回路部材。 - 【請求項12】 該導電性粒子としてセラミック粉体の
表面を金属化した粉体、天然マイカ粉体の表面を金属化
した粉体及び超微粒金属粉体の混合物を含有する請求項
1の導電回路部材。 - 【請求項13】 絶縁基材上にパターン状に形成され
る導電回路を有する導電回路部材の製造方法に於て、該
絶縁基材上に、電着可能な樹脂及び導電性粒子を含有す
る導電性ペーストに該絶縁基材を浸漬して電着を行い、
該電着可能な樹脂及び該導電性粒子を含有する電着膜を
基材上に選択的に成膜させて次いで加熱硬化処理を行う
ことを特徴とする導電回路部材の製造方法。 - 【請求項14】 該絶縁基材上にめっき層を形成し、
次いで該めっき層上に回路パターンに対応するレジスト
パターンを形成した後に電着を行う請求項13の導電回
路部材の製造方法。 - 【請求項15】 該絶縁基材上に回路パターンに対応
するレジストパターンを形成し、次いで該レジストパタ
ーン上にめっき層を形成した後に電着を行う請求項13
の導電回路部材の製造方法。 - 【請求項16】 該めっき層の厚さが0. 1μm以
上1μm以下である請求項14の導電回路部材の製造方
法。 - 【請求項17】 該めっき層の厚さが0. 1μm以
上1μm以下である請求項15の導電回路部材の製造方
法。 - 【請求項18】 該加熱処理として90℃以上100
℃以下で加熱する請求項13の導電回路部材の製造方法
。 - 【請求項19】 加熱処理後の電着膜が該導電性粒子
を20〜80重量%含有する請求項13の導電回路部材
の製造方法。 - 【請求項20】 該導電性粒子がセラミック粉体の表
面を金属化した粉体及び天然マイカ粉体の表面を金属化
した粉体の少なくとも一方である請求項13の導電回路
部材の製造方法。 - 【請求項21】 該セラミック粉体の平均粒子径が0
゜1〜7μmである請求項20の導電回路部材の製造方
法。 - 【請求項22】 該天然マイカ粉体の平均粒子径が0
゜1〜7μmである請求項20の導電回路部材の製造方
法。 - 【請求項23】 該導電性粒子として平均粒径0.0
1〜5μmの超微粒金属粉体が添加されてなる請求項2
0の導電回路部材の製造方法。 - 【請求項24】 電着可能な樹脂を3〜50重量%及
び導電性粒子を4〜80重量%含有することを特徴とす
る導電性ペースト。 - 【請求項25】 電着可能な樹脂3〜50重景%重電
均粒子径0. 1〜7μmのセラミック粉体の表面を金
属めっきした粉体4〜80重量%を含有する請求項24
の導電性ペースト。 - 【請求項26】 該導電性粒子として、平均粒子径0
゜1〜7μmの天然マイカ粉体の表面を金属めっきした
粉体を含有する請求項24の導電性ペースト。 - 【請求項27】 該導電性粒子として、平均粒子径0
゜1〜7μmのセラミック粉体の表面を金属めっきした
粉体および平均粒子径0.1〜7μmの天然マイカ粉体
の表面を金属めっきした粉体の混合物を含有する請求項
24の導電性ペースト。 - 【請求項28】 該導電性粒子として、平均粒子径0
゜01〜5μmの超微粒金属粉体を含有する請求項24
の導電性ペースト。 - 【請求項29】 該導電性粒子として、平均粒子径0
゜01〜5μmの超微粒金属粉体と金属化セラミック粉
体及び金属化天然マイカ粉体の少なくとも一方を含有す
る請求項24の導電性ペースト。 - 【請求項30】 樹脂及び導電性粒子を含有する電着
塗膜を有する導電回路が、絶縁基材上にパターン状に形
成されてなる導電回路部材を用いてなることを特徴とす
る電子機器。 - 【請求項31】 該導電性粒子としてセラミック粉体
の表面を金属化した粉体及び天然マイカ粉体の表面を金
属化した粉体の少なくとも一方を含有する請求項30の
電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5880891A JPH04211193A (ja) | 1990-03-22 | 1991-03-22 | 導電回路部材、導電回路部材の製造方法、導電性ペースト及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-69825 | 1990-03-22 | ||
| JP6982390 | 1990-03-22 | ||
| JP2-69823 | 1990-03-22 | ||
| JP6982590 | 1990-03-22 | ||
| JP2-69824 | 1990-03-22 | ||
| JP6982490 | 1990-03-22 | ||
| JP2-117497 | 1990-05-09 | ||
| JP11749790 | 1990-05-09 | ||
| JP5880891A JPH04211193A (ja) | 1990-03-22 | 1991-03-22 | 導電回路部材、導電回路部材の製造方法、導電性ペースト及び電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04211193A true JPH04211193A (ja) | 1992-08-03 |
Family
ID=27523468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5880891A Pending JPH04211193A (ja) | 1990-03-22 | 1991-03-22 | 導電回路部材、導電回路部材の製造方法、導電性ペースト及び電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04211193A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006331703A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Kinsei Matec Co Ltd | 導電性粉体とその製造方法 |
| JP2008546182A (ja) * | 2005-05-18 | 2008-12-18 | フライズ メタルズ インコーポレイテッド | 基板上の動電学的な析出およびパターニング工程のためのマスクおよび方法 |
| JP2014110258A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Kyushu Univ | 電極付基板の製造方法および電極付基板 |
| JP2022001426A (ja) * | 2020-06-19 | 2022-01-06 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | グラビア印刷物の製造方法 |
-
1991
- 1991-03-22 JP JP5880891A patent/JPH04211193A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008546182A (ja) * | 2005-05-18 | 2008-12-18 | フライズ メタルズ インコーポレイテッド | 基板上の動電学的な析出およびパターニング工程のためのマスクおよび方法 |
| JP2006331703A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Kinsei Matec Co Ltd | 導電性粉体とその製造方法 |
| JP2014110258A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Kyushu Univ | 電極付基板の製造方法および電極付基板 |
| JP2022001426A (ja) * | 2020-06-19 | 2022-01-06 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | グラビア印刷物の製造方法 |
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