JPH04211193A - 導電回路部材、導電回路部材の製造方法、導電性ペースト及び電子機器 - Google Patents

導電回路部材、導電回路部材の製造方法、導電性ペースト及び電子機器

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JPH04211193A
JPH04211193A JP5880891A JP5880891A JPH04211193A JP H04211193 A JPH04211193 A JP H04211193A JP 5880891 A JP5880891 A JP 5880891A JP 5880891 A JP5880891 A JP 5880891A JP H04211193 A JPH04211193 A JP H04211193A
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Susumu Sumikura
角倉 進
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
[00011
【産業上の利用分野]本発明は、カメラ等の光学機器や
、事務機、音響製品、OA機器、家電製品、計器類及び
通信機などに用いられるプリント回路板に適する導電性
ペーストおよび導電回路部材に関する。 [0002] 【従来の技術】従来、絶縁基板上に導電回路を形成する
方法としては、同相−気相系では、蒸着法、イオンブレ
ーティング法、CVD法、スパッタ法等が用いられ、固
相一液相系では、めっき法、金属ソルダ法、金属−酸化
物ソルダー法等が用いられ、あるいは固相−固相系では
、直流電圧印加法、圧着高温加熱法等が用いられている
。 [0003]Lかしながら、従来の回路の形成方法には
、次のような欠点があった。 [0004]まず、回路の形成方法として、固相−気相
系では、蒸着法、スパッタ法等が挙げられるが、これら
の方法は全て真空装置が必要であり、装置自身が高価で
あるばかりか用いられる基板が限定され、コスト面への
影響および量産性の問題がある。さらに、回路の形成温
度が高温のため、耐熱性のある基板のみに適用され、限
界がある。 [00051次に、固相一液相系においては、めっき法
、あるいは金属ソルダ法、または金属−酸化物混合ソル
ダ法が挙げられる。 [0006]Lかしめっき法ではパターンとなるめっき
部のめっき厚として少なくとも18μm以上を必要とす
るため、成膜に長時間を要し、生産性に問題があり、コ
スト面に限界がある。また、ソルダ法においては、導電
ペースト性フィラーとして粒径10μm程度の銀粒子、
無定形カーボン、グラファイト粉等を用いて、フェノー
ル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂、アク
リル系樹脂等のバインダーに混合し、マスクを介してス
クリーン印刷して形成されている。しかしながら、この
印刷法は、まず、印刷パターンの解像度が非常に低く、
せいぜい150μmが限度でラップトツブコンピュータ
に代表される電子機器産業界における小型、軽量、薄型
化、あるいはカード化へと急速に展開する現状では、フ
ァイン化対応としては限界である。さらに、品質面での
トラブルも多く、再現性に欠けている。例えば、印刷膜
のにじみ、かすれ、欠落が生じたり、あるいはスクリー
ンマスクのパターンの目詰まり等が品質低下の原因とな
っている。 [0007]また、スキージの印圧、スキージスピード
の条件のバラツキによって膜厚が不均一となり、シャー
プ性がなく、やはり再現性が欠け、品質に大きな問題を
生じている。 [0008]さらには、印刷パターンの位置精度が悪い
ことと、また塗膜の硬化に150℃以上の高温を要し、
基板の反り、ねじれ、寸法不良の発生によって、次工程
への表面接続実装の歩留りが低下し、コスト面において
、やはり大きな問題があり、量産性に限界がある。 [0009]また、ペースト自身、有害な有機溶剤を含
有していることから、作業環境の汚染あるいは火災等の
危険性がある。
【0010】次に、固相−固相系では、−殻内には、高
融点金属法があるが、固相−気相法と同様に、高温で回
路が形成されるために、やはり高耐熱性基板、例えばセ
ラミック板等に限定され、やはり限界である。 [0011]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の問題点を解決するためになされたものであり、回路部
材の薄膜化が可能で回路の基板に対する密着性が良く、
更に導電性の良好な導電回路部材を提供することを目的
とするものである。 [00121本発明は、極めて微細で且つ位置精度の良
好な回路パターンを有する導電回路部材の製造方法を提
供することを他の目的とする。 [0013]又、本発明は導電性が良好で且つファイン
パターンの回路形成に用いられる導電性ペーストを提供
することを更に他の目的とするものである。 [0014]又、本発明は小型、軽量で且つ導電回路の
欠陥の無い電子機器を提供することを他の目的とするも
のである。 [0015]
【課題を解決するための手段】本発明の導電回路部材は
、絶縁基材上にパターン状に形成されてなる導電回路を
有する導電回路部材に於て、該回路が導電性粒子及び樹
脂を含有する電着塗膜からなることを特徴とするもので
ある。 [0016]また本発明の導電回路部材の製造方法は、
絶縁基材上にパターン状に形成される導電回路を有する
導電回路部材の製造方法に於て、該絶縁基材上に、電着
可能な樹脂及び導電性粒子を含有する導電性ペーストに
該絶縁基材を浸漬して電着を行い、該電着可能な樹脂及
び該導電性粒子を含有する電着膜を基材上に選択的に成
膜させて次いで加熱硬化処理を行うことを特徴とするも
のである。 [0017]また、本発明の導電性ペーストは、電着可
能な樹脂を3〜50重量%及び導電性粒子を4〜80重
量%含有することを特徴とするものである。 [00181更にまた、本発明の電子機器は、樹脂及び
導電性粒子を含有する電着塗膜を有する導電回路が、絶
縁基材上にパターン状に形成されてなる導電回路部材を
用いてなることを特徴とするものである。 [00191本発明によれば、電着によって回路パター
ン上にのみ樹脂及び導電性粒子が共析して電着膜が形成
されるため膜厚の均一で、且つ回路のにじみ、かすれ、
欠落等の欠陥のない優れた回路基板を得ることができ、
また、電着膜中には高密度に導電性粒子が析出するため
電気特性が一層向上すると共にフォトリソ工程によって
回路パターンを形成するため非常に微細な回路を有する
回路基板を得られる。 [00201更に、本発明は電気泳動によって樹脂及び
導電性粒子を析出させるためめっきと比較して低エネル
ギーで、且つ短時間で成膜可能なため微細なパターンを
有し、且つ優れた物性の導電回路部材を容易に製造でき
るものである。 [0021]以下、本発明の詳細な説明する。 [0022]図1(a)〜(e)は、本発明の導電回路
部材の製造方法の一例を示す工程図である。同図1にお
いて、絶縁基材1上に触媒処理を施し触媒層2を形成し
た後、その上に無電解めっきを施して無電解めっき層3
を形成する(図1(a)参照)。 [0023]次いで、その上に感光性樹脂4を被覆し、
パターンマスク8を介して光7を照射して露光しく図1
(b)参照)、現象して回路パターンに対応するレジス
トパターンを形成する(図1(C)参照)。 [0024]次いで、このレジストパターンを有する絶
縁基板を、電着可能な樹脂及び導電粒子を含有する導電
性ペースト中に浸漬し、電気泳動によって露出している
めっき層上に電着膜5を形成する(図1(d)参照)次
いで、この基板ごと加熱処理を行うことによって電着膜
5を硬化させた後、感光性樹脂4を剥離し、更に電着膜
5が形成されている部分以外のめっき層3をエツチング
除去することによって主として電着膜5からなる回路6
を有する。本発明の導電回路部材11を得ることができ
る(図1 (e)参照)。 [0025]本発明の回路は電着膜5によって形成され
、又、電着膜5は電着可能な樹脂と共に導電性粒子が高
密度に共析されてなるため、薄膜であっても導電性が良
好であり、又、回路の形成をフォトリソ工程を用いて行
うことができるため極めて微細且つ位置精度に優れた回
路を形成することができる。更に、従来のめっき法と異
なり電着工程を用いるため低電圧で成膜でき、且つ、均
一な厚さの回路を形成できるものである。 [0026]本発明に於て、電着膜に共析させる導電性
粒子としては、電着膜に導電性を付与できるものであれ
ば特に限定されないがセラミック粉体の表面に金属めっ
きした粉体(以下、金属化セラミック粉体と記す)や、
天然マイカ粉体の表面に金属めっきした粉体(以下、金
属化天然マイカ)は、電着膜を低温即ち90℃から10
0℃での加熱処理で完全に硬化させることができるため
特に好適に用いられる。これらの粉体を含有する電着膜
が低温で硬化する理由については明らかでないが、金属
化セラミックや金属化天然マイカの粉体は、表面がすぐ
に酸化されてしまう通常の金属粒子と異なり粒子表面が
ある程度活性化されたまま安定な状態で維持されるため
硬化時にその活性な表面が架橋点となり電着膜の硬化を
促進するためと考えられる。 [00271本発明に於て用いられる金属化天然マイカ
或は金属化セラミック粉体としては、セラミック粉体の
表面にAg、Ni、Cu、Au、Sn等で金属めっきを
施した粉体が用いられる。 [0028]そして、セラミック粉体及び天然マイカ粉
体の粒径は電着膜の導電性及び導電ペースト中での粉体
の分散性を考慮した場合、平均粒子径が0.1〜7μm
、好ましくは0. 5〜5μmの範囲が好ましい。 [0029]なお、セラミック粉体、天然マイカ粉体の
粒径は、遠心沈降式粒度分布測定器を用いて測定した値
である。この測定器として実際に用いたものは5ACP
3(島津製作所製)である。
【0030】又、本発明に用いられるセラミックとして
は酸化アルミニウム、窒化チタン、窒化マンガン、窒化
タングステン、タングステンカーバイド、窒化ランタン
、硅酸アルミニウム、二硫化モリブデン、酸化チタン、
グラファイト、硅酸等が挙げられ、又天然マイカとして
はフロゴバイト、セリサイト、マスコバイト等が挙げら
れる。
【0031】次にセラミック粉体或は天然マイカ表面の
めっきはシールド性からニッケル、銅等を好適に用いる
ことができ、セラミック表面への形成方法としては無電
解めっきが好ましい。又粉体表面のめっき厚としては0
.05〜3μm、特に0.15〜2μmとした場合、良
好なシールド性と低温硬化時に良好な塗膜物性を得るこ
とができる。即ち3μmより厚くめっきを形成した場合
、表面特性が金属粒子と類似してしまい表面が極めて活
性なため空気中で酸化されて架橋に寄与する活性点が減
少し、低温焼付時の電着膜の硬化が不十分となり易い。 [00321次に本発明の導電回路部材の回路である電
着膜中の導電性粒子の含有量としては、導電性及び電着
膜の塗膜物性特に基材への密着性を考慮した場合通常2
0〜80重量%、特に20〜50重景%が重電しい。
【0033]なお、金属化セラミック粉体はX線マイク
ロアナライザーにより同定でき、含有量は熱重量分析装
置、例えばパーキンエルマー社製、サーマル・アナリシ
ス、システム7シリーズ(商品名)等を用いて解析する
ことにより測定することができる。 [0034]また本発明に於て電着膜中に金属化セラミ
ック及び金属化天然マイカの両者を含有させてもよく、
その混合割合は、両者の総含有景が上記した電着膜中の
導電性粒子の含有量の範囲内であれば特に限定されない
がこの金属化セラミック粉体および金属化マイカ粉体の
混合割合は、金属化セラミック粉体1に対して金属化マ
イカ粉体1〜2.5(重量比)の範囲が好ましい。 [0035]更に本発明に於て電着膜中に金属化セラミ
ツク粉体及び/又は金属化マイカ粉体の他に平均粒子径
0.01μm〜5μmの超微粒金属粉体を添加してもよ
い。この場合、電着可能な樹脂中に含有される超微粒金
属粉体としては、特に制限はないが、例えばAg、 C
o、Cu、Fe、Mn、Ni、Pd、Sn、Te等が挙
げられる。超微粒金属粉体の粒径は、通常平均粒子径0
.01〜5μm1好ましくは0.02〜5μmの範囲が
望ましく、更には0.03〜0.08μmの範囲が好ま
しい。0.01μm未満では二次凝集作用が生じ、5μ
mを越えると沈降性の問題で好ましくない。 [0036]又この様な超微粒金属粉体は熱プラズマ蒸
発法で製造される。この超微粒金属粉体と、金属セラミ
ック及び/又は金属化天然マイカ粉体の混合割合は金属
化セラミック粉体及び/又は金属化天然マイカ1に対し
て超微粒金属粉体0.2〜3.0の範囲特に0. 3〜
2.5の範囲とした場合、図3に示す様に金属化セラミ
ック及び/又は金属化天然マイカ(31)間の空隙を超
微粒金属粉体32が充たし各粉体間の接触面積を増大さ
せるため導電性が一層向上する。しかし超微粒金属粉体
の混合割合をこれ以上増加させた場合、電着膜中の金属
化セラミック及び/又は金属化天然マイカの含有量が相
対的に低下して、粉体間の接触面積が減少して逆に導電
性が低下し、更に低温硬化時の塗膜物性が得られない。 更に又、導電回路として要求される導電性例えば比抵抗
(Ω・c m)の値として10−3のオーダー、好まし
くは10−5のオーダーを達成しようとした場合にはよ
り多くの超微粉金属粉体を含有させる必要があり電着可
能な樹脂に対する超微粒金属粉体の重量比が非常に大き
くなり基材への密着性等の塗膜物性が劣化する。 [0037]次に本発明に於て超微粒金属粉体を添加す
る場合、導電性ペースト中に加える際に表面を活性化(
例えば粉体表面の酸化膜の除去等)させておくことが好
ましく、或は超微粒金属粉体表面を界面活性剤等で処理
して保護しておくことも有効である。 [0038]本発明に於て電着可能な樹脂としては、従
来より電着塗料に用いられる樹脂を用いることができ、
例えばアニオン型電着塗料の場合、樹脂の析出に必要な
負の電荷と親水性を与えるためにカルボキシル基の様な
アニオン性官能基を有する、あるいは導入した樹脂もし
くはプレポリマーが好適に用いられ、又カチオン電着塗
料の場合、正の電荷と親水性を与えるためにアミノ基の
ようなカチオン性官能基を有するあるいは導入した樹脂
もしくはプレポリマーが好適に用いられる。 [0039]具体的には上記アニオン性官能基やカチオ
ン性官能基を有するアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
エステル樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル・メラミン樹
脂やアルキド樹脂あるいはこれらのプレポリマー更には
分子中の二重結合の反応によって硬化するタイプの樹脂
、具体的にはポリブタジェン系樹脂やα、β、エチレン
性不飽和化合物などを用いることができる。 【0040】また、電着塗装被膜の膜厚は7〜20μm
の範囲が好ましい。 [00411次に図1に示す本発明の回路部材の製造方
法について詳細に説明する。 [0042]本発明において、絶縁基材1には、樹脂材
料及び無機材料が用いられ、樹脂材料としては、例えば
ポリエステル系、アクリル系、ポリアミド系、フェノー
ル系、エポキシ系あるいはポリイミド系樹脂からなるフ
ィルム又は板を挙げることができる。また、無機材料と
しては、セラミック板が挙げられる。樹脂基材は、フレ
キシブルプリント回路、多層プリント回路基板等に、ま
た、セラミック板はハイブリットIC基板等に適してい
る。 [0043] このような絶縁基材上に、公知の方法を
用いて触媒処理し、次いで無電解めっきを施してめっき
層3を形成するが、この触媒処理以前に絶縁基材への密
着性の向上を図るため、適当な粗面化をすることが望ま
しい。その方法は、種々あるが、例えば苛性ソーダ、ク
ロム酸と硫酸との混液、もしくは有機溶媒による処理、
または、プラスト加工、液体ホーミング処理等が挙げら
れる。触媒処理としては例えば、パラジウム処理が挙げ
られる。 [00441無電解めっきとしては、金、銀、パラジウ
ム、ニッケル、銅、スズ、亜鉛等が挙げられるが、好ま
しくは導電性が高く電着膜6の密着性が良好で更にコス
トが安い銅が望ましく、またこのめっき層3は電着の際
の電極として機能するものであってその膜厚が0.1μ
m以上1μm以下が好ましい。1μmを越えて形成した
場合、成膜に長時間を要し、また後の剥離工程にも長い
時間を必要とする。 [0045]次いでこのめっき層3上に、公知の感光性
樹脂、望ましくはアスペクト比1.5以上のネガ型また
はポジ型の感光性樹脂からなるドライフィルム、液状レ
ジスト等を用いて被覆する。感光性樹脂4の厚みは、要
求される回路の密度、回路の導体厚等によって、適宜選
択される。回路パターンに対応するパターンの露光は、
一般的に知られているガラスマスクあるいはフィルムマ
スクを用いて実施できる。また、露光は平行光または散
乱光を有する露光機を用いて行う。このときの光量(m
J/cm2)及び平行光を用いるか散乱光を用いるかは
要求される回路の密度によって選択する。 [00461次に、現象に関しては、感光性樹脂に適用
される現像液を用いて実施する。現像液としては、例え
ば溶剤型感光性樹脂においてはトリエタン、水溶性感光
樹脂においては炭酸ソーダ液などが用いられる。 [0047]次に、上記の回路パターンに対応するレジ
ストパターンを形成した基材を導電性ペーストに浸漬し
て電着を行い露出しためっき層3上に電気泳動作用によ
って導電性の電着膜5を形成する。 [0048] この電着工程は、一般的に知られている
電着塗装法で行えばよく、例えばアニオン型電着塗装で
は被塗物即ち基材側を陽極としカチオン型電着塗装では
基材側を陰極として、又対極には例えばステンレス板を
用いて成膜を行う。この時の電解条件としては用いる導
電ペースト中の導電粒子の濃度、電着膜に求める特性(
導電性、塗膜物性)膜厚によって異なるが通常液温20
〜27℃、pH8,0〜9.5の範囲で印加電圧50〜
200■、処理時間1〜5分の間で成膜を行う。 [0049] このとき樹脂と導電性粒子が共に析出す
る理由は以下の様に考えられる。即ち電着可能な樹脂は
塗料中にて該樹脂に結合している官能基がイオン化して
おり直流電圧を被塗物と対極の間に印加することで樹脂
は被塗物へ引かれて析出する。そしてこの樹脂はペース
ト中では、導電性粒子の周囲に吸着しているため樹脂の
被塗物への移動に伴って導電性粒子も移動して被塗物上
で樹脂と共に析出するものである。 [00501次いで、電着膜を成膜した後、水洗し加熱
処理して電着膜を硬化させる。このときの硬化温度とし
ては、例えば導電性粒子として金属化セラミック粉体、
金属化天然マイカ或はその混合物を用いた場合オーブン
中で90℃〜100℃の低温で20〜180分硬化させ
ることで十分に硬化させることができる。又、通常の金
属粉体を用いた場合には120℃〜170℃で加熱処理
を行うことが望ましい。 [0051]その後、感光性樹脂に適用できる剥離液を
用いてめっき層3上の感光性樹脂を除去する。溶剤タイ
プの感光性樹脂においては、例えば塩化メチレンあるい
は専用剥離液を用いて剥離し、水溶性タイプの感光性樹
脂においては例えば苛性ソーダの1〜5wt%液で剥離
する。その後、露出しているめっき層3を、例えば、銅
の場合は、アンモニア性アルカリ銅液あるいは塩化第二
鉄液を用いて除去して、導電性電着膜によって回路6が
形成されてなる導電回路部材11を得ることができる。 [0052]上記した様に本発明の回路部材の製造方法
に因ればフォトリソ工程で回路パターンを作製するため
位置精度に優れ、且つ微細な、例えば1μm〜数10μ
mオーダーのピッチのパターンの回路基板の製造を容易
に製造することができる。 [0053]次に本発明の導電回路部材の製造に用いる
導電性ペーストについて説明する。 [0054]本発明の導電性ペーストとしては、導電性
粒子及び電着可能な樹脂をボールミルで24〜35時間
分散させその後脱塩水で希釈して固形分濃度が60〜9
0wt%に調整して得ることができる。 [0055]導電性ペースト中に於て導電性粒子の含有
量は4〜80wt%好ましくは7〜70wt%の範囲と
した場合、電着膜に所定の導電性を付与するに十分な導
電性粒子を共析させることができ、又ペースト中の導電
性粒子が沈降することもない。 [0056]又、導電性ペースト中に於て、電着可能な
樹脂の含有量は3〜50wt%特に5〜40wt%の範
囲では良好な塗膜物性の電着膜を成膜することができる
。 [0057]そして導電性ペースト中に分散させる導電
性粒子としては、電着膜に樹脂と共析させる粉体例えば
前記じた金属化セラミック粉体、金属化天然マイカ粉体
及びこれらの混合物、更には金属化セラミック粉体や金
属化天然マイカ粉体又はこれらの混合物に平均粒子径0
.01〜5μmの超微粒金属粉体を混合した粉体を用い
ることができる。 [00581図2(a)〜(e)は、本発明の導電回路
部材の製造方法の他の例を示す工程図である。同図2に
おいて、絶縁基材1上に公知の方法を用いて触媒処理を
施して触媒層2形成する(図2(a)参照)。 [00591次いで、その上に感光性樹脂4を被覆し、
パターンマスク8を介して光7を照射して露光しく図2
(b)参照)、現像して回路パターンに対応したレジス
トパターンを形成する(図2(c)参照)。 [0060]その後、レジストパターン上に無電解めっ
きを施して無電解めっき層3を形成し、さらにその上に
導電性ペースト5を用いて、電気泳動によって導電性ペ
ースト膜を形成する(図2(d)参照)。 [0061]次いで、回路パターン部以外の感光性樹脂
4を剥離することにより導電回路部材を得ることができ
る(図2(e)参照)。 [0062] この図2に示す方法においては、図1に
示す各工程の条件を適用することができる。 [0063] この様に本発明は導電回路部材の製造に
電着塗装法を応用することによって耐熱性の低い絶縁基
材や薄い基材にも微細な回路を形成でき、例えば図4に
示す様な基材1上に電着膜5からなる回路6を有する回
路基板11にIC等の電子部品42が実装され、更にこ
の基板を筺体41に固定してなる薄型の電子機器43製
造することができる。なお44は電子部品の電極である
。 [0064]
【実施例】以下、本発明を実施例に従って、より具体的
に説明するが、本発明は係る実施例のみに限定されるも
のではない。 [0065]実施例1−1 厚さ50μmのPET (ポリエチレンテレフタレート
)フィルムを、50g/lの苛性ソーダで、60℃、5
分間処理した。次いで、30g/lの無水クロム酸と、
100g/lの硫酸混液で、50℃、5分間処理した後
、触媒液(商品名H3−101B、日立化成社製)に2
分間浸漬し、触媒処理した。次に、無電解銅めっき液(
奥野製薬社製)を用いて、pH13,0、浴温70℃に
て5分間めっきし、0.2μmの厚さの銅めっき層を施
した。 [0066]その後、70μm厚の感光性ドライフィル
ム(ヘキスト社製)を用いて、ラミネーター(旭化成社
製)によって被覆した後、パターンマスクとしてフィル
ムマスクを用いて120mJ/cm2の露光量で露光し
、炭酸ナトリウムLog/lでスプレー現像し、めっき
層露出部の幅40μm、感光層被覆部の幅50μmの回
路パターンに対応するパターンを形成した。 [0067]次に、脱塩水25wt%、メラミン・アク
リル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニー化
成社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表
面にニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体7
0wt%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極と
し、対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴
温23℃、pH8,5の条件で、170Vで3分間通電
し、その後水洗し、95℃±1℃の0オーブンで90分
間硬化した。 [0068] このときの、膜厚は25μm、金属化セ
ラミック粉体の濃度は50wt%であった。次いで、苛
性ソーダ50g/lに、40℃、5分間浸漬し、感光性
樹脂を剥離した。次いで、アンモニア性アルカリ銅液を
用いて、50℃、7分間で露出部の銅めっき被膜を除去
し、ファインプリント回路基板を得た。 [0069] この基板の性能を確認するため、比抵抗
、表面抵抗、密着性について、それぞれ初期値と環境試
験後の値を測定した。その結果を表1に示す。 [00701又、比較例1として、従来の有機溶剤型導
電ペーストを用いた印刷形成の回路部材を用いて測定し
た値を示す。又、この回路間のピッチを100μm、回
路幅を100μmとした。なお密着性についてはJIS
K5400の基盤目試験に準拠して100個のます目を
作成しセロハンテープで剥離テストをした後のます目の
状態を観察した。 [0071]又比抵抗及び表面抵抗の測定に用いた測定
器は超絶線抵抗測定器(商品名HP4329A;横河・
ヒユーレットパラカード(株)製)を用いた。その結果
を表1−1に示す。 [0072]
【表1】 表1−1 [0073]本発明の回路基板の特性を評価した結果、
表1−1に示す様に、従来の回路基板と比較して著しい
向上があり、再現性も十分あることが認められた。 [0074]又、比較例1の回路は部分的に印刷膜に、
にじみが生じ100μmの回路ピッチでは回路間に短絡
が生じており100μmよりも微細なピッチのパターン
は印刷法での作製は困難であった。 [0075]実施例1−2 厚さ0.4ミリのアルミナセラミック板を用いて、表面
を破損しない程度にブラスト加工した。次いで、30g
/lの無水クロム酸と、100g/lの硫酸混液で、5
0℃、5分間処理した後、触媒液(商品名H8−101
B、日立化成社製)に2分間浸漬し、触媒処理した。次
に、無電解銅めっき液(奥野製薬社製)を用いて、pH
13,0、浴温70℃にて3分間めっきし、0.1μm
の厚さの銅めっきを施した。 [0076]その後、3.5μm厚の感光性ドライフィ
ルム(ヘキスト社製)を用いて、ラミネーター(旭化成
社製)によって被覆した後、パターンマスクとしてフィ
ルムマスクを用いて100mJ/cm2の露光量で露光
し、炭酸ナトリウムLog/lでスプレー現像し、めっ
き層露出部の幅30μm、感光層被覆部の幅40μmの
回路パターンに対応するレジストパターンを形成した。 [0077]次に、脱塩水55wt%、メラミン・アク
リル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニー化
成社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表
面にニッケルめっきを0.5μmの厚さに施した粉体4
0wt%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極と
し、対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴
温23℃、pH8,5の条件で、180Vで3分間通電
し、その後水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分間
硬化した。このときの、膜厚は30μm、金属化セラミ
ック粉体の濃度は60wt%であった。次いで、苛性ソ
ーダ50g/lに、40℃、5分間浸漬し、感光性樹脂
を剥離した。 [0078]次いで、アンモニア性アルカリ銅液を用い
て、50℃、7分間で露出部の銅めっき被膜を除去し、
ファインプリント回路基板を得た。 [0079] この回路基板について、実施例1−1と
同様の方法で特性の評価した。 [00801その結果を表1−2に示す。 [00811実施例1−3 厚さ18μmのポリイミドフィルムを、50g/lの苛
性ソーダで、60℃、5分間処理した。次いで、30g
/lの無水クロム酸と、100g/lの硫酸混液で、5
0℃、5分間処理した後、触媒液(商品名H8−101
B、日立化成社製)に2分間浸漬し、触媒処理した。次
に、無電解銅めっき液(奥野製薬社製)を用いて、pH
13,0、浴温70℃にて3分間めっきし、0.1μm
の厚さの銅めっきを施した。 [0082]その後、50μm厚の感光性ドライフィル
ム(ヘキスト社製)を用いて、ラミネーター(旭化成社
製)によって被覆した後、パターンマスクとしてフィル
ムマスクを用いて90mJ/cm2の露光量で露光し、
炭酸ナトリウム10g/lでスプレー現像し、めっき層
露出部の幅35μm、感光層被覆部の幅50μmのパタ
ーンを形成した。 [0083]次に、脱塩水15wt%、メラミン・アク
リル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニー化
成社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表
面にニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体8
0wt%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極と
し、対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴
温23℃、pH8,5の条件で、170■で3分間通電
し、その後水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分間
硬化した。このときの、膜厚は25μm、金属化セラミ
ック粉体の濃度は50wt%であった。次いで、苛性ソ
ーダ50g/lに、40℃、5分間浸漬し、感光性樹脂
を剥離した。次いで、アンモニア性アルカリ銅液を用い
て、50℃、7分間で露出部の銅めっき被膜を除去し、
ファインプリント回路基板を得た。 [0084] この回路基板について、実施例1−1と
同様の方法で特性を評価した。 [0085]実施例1−4 厚さ0.8mmのベリリアセラミック板を用いて、表面
を破損しない程度にブラスト加工した。次いで、30g
/lの無水クロム酸と、100g/lの硫酸混液で、5
0℃、5分間処理した後、触媒液(商品名H8−101
B、日立化成社製)に2分間浸漬し、触媒処理した。次
に、無電解銅めっき液(奥野製薬社製)を用いて、pH
13,0、浴温70℃にて5分間めっきし、0.2μm
の厚さの銅めっきを施した。 [0086]その後、ネガ型レジスト(商品名0MR8
3、東京応化社製)450cpを用いて、スピンナーに
て10μm厚に形成した。次に、パターンマスクとして
ガラスクロムマスクを介して、平行光の露光機にて80
 m J / c m”の露光量で露光し、OMR−8
3専用現像液を用いて1分間現像し、めっき層露出部の
幅25μm、感光層被覆部の幅30μmのパターンを形
成した。 [00871次に、脱塩水67wt%、メラミン・アク
リル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニー化
成社製)3wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表
面にニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体3
0wt%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極と
し、対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴
温23℃、pH8,5の条件で、120Vで3分間通電
し、その後水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分間
硬化した。このときの、膜厚は18μm、金属化セラミ
ック粉体の濃度は30wt%であった。ついで、OMR
専用の剥離液で、40℃、5分間浸漬し、感光性樹脂を
剥離した。 [0088]次いで、アンモニア性アルカリ銅液を用い
て、50℃、7分間で露出部の銅めっき被膜を除去し、
ファインプリント回路基板を得た。 [0089] この回路基板について、実施例1と同様
の方法で特性を評価した。 [00901実施例1−5 厚さ50μmのPET (ポリエチレンテレフタレート
)フィルムを、50g/lの苛性ソーダで、60℃、5
分間処理した。次いで、30g/lの無水クロム酸と、
100g/lの硫酸混液で、50℃、5分間処理した後
、触媒液(商品名H8−101B、日立化成社製)に2
分間浸漬し、触媒処理した。 (00911その後、70μm厚の感光性ドライフィル
ム(ヘキスト社製)を用いて、ラミネーター(旭化成社
製)によって被覆した後、パターンマスクとしてフィル
ムマスクを用いて120mJ/cm2の露光量で露光し
、炭酸ナトリウム10g/lでスプレー現像し、めっき
層露出部幅40μm、感光層被覆部幅50μmのパター
ンを形成した。 [00921次に、無電解銅めっき液(奥野製薬社製)
を用いて、pH13,0、浴温70℃にて2分間めっき
し、0.1μmの厚さの銅めっきを施した。 [0093]次に、脱塩水15wt%メラミン・アクリ
ル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニー化成
社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表面
にニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体80
wt%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極とし
、対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴温
23℃、pH8,5の条件で、170Vで3分間通電し
、その後水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分間硬
化した。このときの、膜厚は25μm、金属化セラミッ
ク粉体の濃度は20wt%であった。次いで、苛性ソー
ダ50g/lに、40℃、5分間浸漬し、感光性樹脂を
剥離した。次いで、10%塩酸を用いて、50℃、7分
間で露出部の触媒のパラジウム被膜を除去し、ファイン
プリント回路基板を得た。 [0094] この回路基板について、実施例1−1と
同様の方法で特性を評価した。 [0095]実施例1−6 実施例1−1に於て導電性粒子として平均粒径5μmの
酸化チタンの表面に銅を厚さ2μmにめっきした粉体を
用いた他は実施例1−1と同様にして粉体濃度50wt
%の電着膜を有する回路基板を作成し評価した。 [0096]実施例1−7 実施例1−1に於て導電性粒子として平均粒径0.5μ
mの酸化チタンに厚さ2μmの銅めっきを施した粉体を
用いた他は実施例1−1と同様にして粉体濃度55wt
%の電着膜を有する回路基板を作成し評価した。 [0097]実施例1−8 実施例1−1の導電ペーストを用いて電解条件として7
0■で3分間型着を行ない硬化後の電着膜中の金属化セ
ラミックの濃度を25wt%とした回路基板を作製し評
価した。 [0098]実施例1−9 実施例1−1の導電ペーストを用いて電解条件として(
180)Vで4分電着を行ない、硬化後の電着膜中の金
属化セラミック粉体の濃度を75wt%とした回路基板
を作製し、評価した。 [0099]実施例1−10 導電性粒子として平均粒径1μmのアルミナ表面にニッ
ケルめっきを0.06μmの厚さに施した粉体を用いて
170■で3分電着を行なった以外は実施例1−1と同
様にして電着膜中の粉体濃度を50wt%とした回路基
板を作製した。
【0100】実施例1−11 実施例1−1で作製したレジストパターン付き基材を、
脱塩水20wt%、平均粒子径1μmのアルミナ表面に
無電解金めっきを0. 2μmの厚さに施した粉体、5
0wt%及びメラミン・アクリル系樹脂30wt%(商
品名ハニーブライトC−IL;ハニー化成(株)製)を
分散した導電性ペースト中で、実施例1−1と同様にし
て、粉体濃度40wt%の電着膜を有するファインプリ
ント回路基板を得た。 [01011参考例1 参考例として、脱塩水25wt%、メラミン・アクリル
系樹脂(商品名;ハニーブライトC−IL、ハニー化成
(株)製)5wt%平均粒子径1.0μmのアルミナ表
面にニッケルめっきを0.2μmに施した粉体を70w
t%分散した導電性ペーストを用いて、実施例1−1の
基材に50Vで2分電着を行なって、硬化後の電着膜中
の金属化セラミックの濃度を15wt%とした回路基板
を作成した。 [0102]参考例2 脱塩水25wt%、メラミン−アクリル系樹脂(商品名
、ハニーブライトC−IL、ハニー化成(株)製)5w
t%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表面にニッケル
めっきを0. 2μmに施した粉体を70wt%を分散
した導電ペーストを用いて実施例1−1の基材に200
■で2分間型着を行なって硬化後の電着膜中の金属化セ
ラミックの濃度を85wt%とした回路基板を作製した
。 [0103]参考例3 実施例1−1に於て、アルミナ粉体の表面の銅めっき層
を0.02μmとした以外は実施例1−1と同様にして
粉体濃度50wt%の電着膜を有する回路基板を作成し
た。 [0104]参考例4 導電性粒子として平均粒径0.07μmのアルミナ表面
にニッケルめっきを0. 2μmの厚さに施した粉体を
用いた以外は実施例1−1と同様にして粉体濃度50w
t%の電着膜を有する回路基板を作製した。 [0105]参考例5 導電性粒子として平均粒径8μmのアルミナ表面にニッ
ケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体を用いた以
外は実施例1−1と同様にして粉体濃度50wt%の電
着膜を有する回路基板を作製した。 [0106]上記実施例1−2〜1−11及び参考例1
〜5の回路基板について実施例1−1と同様にして評価
した。その結果について表1−2に示す。 [0107]
【表2】 表1 2 [0108]前記表1−2に示すように本発明によれば
、回路基板の物性に著しい向上があり、再現性も十分あ
るものが得られた。 [0109]又、耐久試験後の結果についても実施例1
1と同様の結果が得られた。
【0110】実施例2−1 実施例1−1で作成したレジストパターンを有する基材
を脱塩水35wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品
名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%
、平均粒子径0.03μmの銅粉体30wt%、平均粒
子径1.0μmのアルミナ表面にニッケルめっきを0.
2μmの厚さに施した粉体30wt%を分散した導電性
ペースト中で、基板を陽極とし、対極としてステンレス
板(0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8,5の条
件で170■で3分間通電し、その後水洗し、95℃±
1℃のオーブンで90分間硬化した。このときの、膜厚
は25μm、粉体混合物の濃度は50wt%であった。 次いで、苛性ソーダ50g/lに、40℃、5分間浸漬
し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニア性アル
カリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の銅めっき
被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0111] この回路基板について実施例1−1と同
様にして評価した。 [0112]実施例2−2 実施例1−2で作成したレジストパターンを有する基板
を脱塩水25wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品
名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%
、平均粒子径0.03μmのニッケル粉体40wt%、
平均粒子径1,0μmのアルミナ表面にニッケルめっき
を0.5μmの厚さに施した粉体30wt%を分散した
導電性ペースト中で、基板を陽極とし、対極としてステ
ンレス板(0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8,
5の条件で、180■で3分間通電し、その後水洗し、
95℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。このとき
の、膜厚は30μm、粉体混合物の濃度は60wt%で
あった。次いで、苛性ソーダ50g/lに、40℃、5
分間浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニ
ア性アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の
銅めっき被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得
た。 [0113]実施例2−3 実施例1−3に於て作成したレジストパターン付き基材
に、脱塩水35wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商
品名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt
%、平均粒子径0.03μmの銅粉体30wt%、平均
粒子径1.0μmのアルミナ表面にニッケルめっきを0
.2μmの厚さに施した粉体を30wt%を分散した導
電性ペースト中で陽極とし、対極としてステンレス板(
0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8,5の条件で
、170Vで3分間通電し、その後水洗し95℃±1℃
のオーブンで90分間硬化した。このときの、膜厚は2
5μm、粉体混合物の濃度は50wt%であった。次い
で、苛性ソーダ50g/lに40℃、5分間浸漬し、感
光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニア性アルカリ銅
液を用いて、50℃、7分間で露出部の銅めっき被膜を
除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0114]実施例2−4 実施例1−4で作成したレジストパターン付基材に対し
て、脱塩水27wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商
品名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社製)3wt
%、平均粒子径0.07μmの銀粉体50wt%、平均
粒子径1.0μmのアルミナ表面にニッケルめっきを0
.2μmの厚さに施した粉体20wt%を分散した導電
性ペースト中で、基板を陽極とし、対極としてステンレ
ス板(0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8,5の
条件で、120Vで3分間通電し、その後水洗し、95
℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。このときの、
膜厚は18μm、粉体混合物の濃度は30wt%であっ
た。次いで、OMR専用の剥離液で、40℃、5分間浸
漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニア性ア
ルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の銅めっ
き被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0115]実施例2−5 実施例1−5で用いたレジストパターン付基材を脱塩水
35wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品名ハニー
ブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%、平均粒
子径0.03μmの銅粉体30wt%、平均粒子径1゜
0μmのアルミナ表面にニッケルめっきを0.2μmの
厚さに施した粉体30wt%を分散した導電性ペースト
に浸漬して、基材側を陽極とし、対極としてステンレス
板’  (0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8,
5の条件で、170■で3分間通電し、その後水洗し、
95℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。このとき
の、膜厚は25μm、粉体混合物の濃度は50wt%で
あった。次いで、苛性ソーダ50g/lに、40℃、5
分間浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、10%塩
酸を用いて、50℃、7分間で露出部の触媒のパラジウ
ム被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0116]上記実施例2−1〜2−5で得た、回路基
板について実施例1−1と同様にして評価した。その結
果を表2に示す。 [0117]
【表3】 [0118]実施例3−1 実施例1−1で作成したレジストパターンを有する基材
を脱塩水65wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品
名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%
、平均粒子径2.0μmの天然マイカの表面に無電解ニ
ッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体30wt
%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極とし、対
極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴温23
℃、pH8,5の条件で、170■で3分間通電し、そ
の後水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分間硬化し
た。このときの、膜厚は25μm、粉体の濃度は50w
t%であった。次いで、苛性ソーダ50g/lに、40
℃、5分間浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、ア
ンモニア性アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露
出部の銅めっき被膜を除去し、ファインプリント回路基
板を得た。 [0119] この基板の性能を確認するため、比抵抗
、表面抵抗、密着性について、実施例1−1と同様にし
てそれぞれ初期値と環境試験後の値を測定した。その結
果を表3に示す。
【0120】実施例3−2 導電性ペーストとして、脱塩水45wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミ
ナ表面に無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに施
した粉体30wt%および平均粒子径2.0μmの天然
マイカの表面に無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚
さに施した粉体20wt%を分散した導電性ペーストを
用いた以外は、実施例3−1と同様の方法により、粉体
混合物の濃度が50wt%の電着膜を有するファインプ
リント回路基板を作製した。
【0121】実施例3−3 導電性ペーストとして、脱塩水15wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmの銅粉
体30wt%および平均粒子径2.0μmの天然マイカ
の表面に無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに施
した粉体50wt%を分散した導電性ペーストを用いた
以外は、実施例3−1と同様の方法により、粉体混合物
の濃度が50wt%の電着膜を有する、ファインプリン
ト回路基板を作製した。 [0122]実施例3−4 導電性ペーストとして、脱塩水35wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmの銅粉
体30wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表面に
無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体
10wt%を分散した導電性ペーストを用いた以外は、
実施例3−1と同様の方法により、粉体混合物の濃度が
53wt%の電着膜を有するファインプリント回路基板
を作製した。 [0123]実施例3−5 実施例1−2で作成したレジストパターンを有する基材
を脱塩水65wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品
名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%
、平均粒子径1.5μmの天然マイカの表面に無電解ニ
ッケルめっきを0.05μmの厚さに施した粉体30w
t%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極とし、
対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴温2
3℃、pH8,5の条件で、180Vで3分間通電し、
その後水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分間硬化
した。このときの、膜厚は30μm、粉体の濃度は60
wt%であった。ソーダ50g/lに、40℃、5分間
浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニア性
アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の銅め
っき被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0124]実施例3−6 導電性ペーストとして、脱塩水35wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミ
ナ表面に無電解ニッケルめっきを0.5μmの厚さに施
した粉体20wt%および平均粒子径1.5μmの天然
マイカの表面に無電解ニッケルめっきを0.05μmの
厚さに施した粉体40wt%を分散した導電性ペースト
を用いた以外は、実施例3−5と同様の方法により、粉
体混合物の濃度が60wt%の電着膜を有するファイン
プリント回路基板を作製した。 [0125]実施例3−7 導電性ペーストとして、脱塩水25wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmのニッ
ケル粉体30wt%、および平均粒子系1.5μmの天
然マイカの表面に無電解ニッケルめっきを0.05μm
の厚さに施した粉体40wt%を分散した導電性ペース
トを用いた以外は、実施例3−5と同様の方法により、
粉体混合物の濃度が60wt%の電着膜を有するファイ
ンプリント回路基板を作製した。 [0126]実施例3−8 導電性ペーストとして、脱塩水25wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmのニッ
ケル粉体40wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ
表面に無電解ニッケルめっきを0. 5μmの厚さに施
した粉体10wt%および平均粒子径1.5μmの天然
マイカの表面に無電解ニッケルめっきを0.05μmの
厚さに施した粉体20wt%を分散した導電性ペースト
を用いた以外は、実施例3−5と同様の方法により、混
合粉体の含有率が60wt%の電着膜を有するファイン
プリント回路基板を作製した。 [0127]実施例3−9 実施例1−3で作成したレジストパターンを有する基材
を脱塩水35wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品
名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%
、平均粒子径2μmの天然マイカの表面に無電解ニッケ
ルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体60wt%を
分散した導電性ペースト中で、基板を陽極とし、対極と
してステンレス板(0,5t)を用いて、浴温23℃、
pH8,5の条件で、170■で3分間通電し、その後
水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。 このときの、膜厚は25μm、粉体の濃度は50wt%
であった。 [0128]次いで、苛性ソーダ50g/lに、40℃
、5分間浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アン
モニア性アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出
部の銅めっき被膜を除去し、ファインプリント回路基板
を得た。 [0129]実施例3−10 導電性ペーストとして、脱塩水35wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミ
ナ表面に無電解ニッケルめっきを0,2μmの厚さに施
した粉体30wt%および平均粒子径2μmの天然マイ
カの表面に無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに
施した粉体30wt%を分散した導電性ペーストを用い
た以外は、実施例3−9と同様の方法により、混合粉体
の濃度が50wt%電着膜を有するファインプリント回
路基板を作製した。 [01301実施例3−11 導電性ペーストとして、脱塩水50wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmの銅粉
体20wt%、平均粒子径2μmの天然マイカの表面に
無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体
25wt%を分散した導電性ペーストを用いた以外は、
実施例3−9と同様の方法により、混合粉体の濃度が5
1wt%の電着膜を有するファインプリント回路基板を
作製した。 [0131]実施例3−12 導電性ペーストとして、脱塩水10wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmの銅粉
体20wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表面に
無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉体
30wt%および平均粒子径2μmの天然マイカの表面
に無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに施した粉
体35wt%を分散した導電性ペーストを用いた以外は
、実施例3−9と同様の方法により、混合粉体の含有量
が50wt%の電着膜を有するファインプリント回路基
板を作製した。 [0132]実施例3−13 実施例1−4で作製したレジストパターン付基板を脱塩
水37wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品名ハニ
ーブライトC−IL、ハニー化成社製)3wt%、平均
粒子径2μmの天然マイカの表面に無電解ニッケルめっ
きを0.05μmの厚さに施した粉体60wt%を分散
した導電性ペースト中で、基板を陽極とし、対極として
ステンレス板(0,5t)を用いて、浴温23℃、pH
8,5の条件で、120■で3分間通電し、その後水洗
し、95℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。この
ときの、膜厚は18μm、粉体の濃度は30wt%であ
った。次いで、OMR専用の剥離液で、40℃、5分間
浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニア性
アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の銅め
っき被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0133]実施例3−14 導電性ペーストとして、脱塩水27wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)3wt%、平均粒子径1.0μmのアルミ
ナ表面に無電解ニッケルめっきを0.2μmの厚さに施
した粉体20wt%および平均粒子径2μmの天然マイ
カの表面に無電解ニッケルめっきを0,05μmの厚さ
に施した粉体50wt%を分散した導電性ペーストを用
いた以外は、実施例3−13と同様の方法により、混合
粉体の濃度が30wt%の電着膜を有するファインプリ
ント回路基板を作製した。 [0134]実施例3−15 導電性ペーストとして、脱塩水27wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)3wt%、平均粒子径0.07μmの銀粉
体40wt%、平均粒子径2μmの天然マイカの表面に
無電解ニッケルめっきを0.05μmの厚さに施した粉
体30wt%を分散した導電性ペーストを用いた以外は
、実施例3−13と同様の方法により、混合粉体の濃度
が30wt%の電着膜を有するファインプリント回路基
板を作成した。 [0135]実施例3−16 導電性ペーストとして、脱塩水27wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)3wt%、平均粒子径0.07μmの銀粉
体40wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表面に
無電解ニッケルめっきを0. 2μmの厚さに施した粉
体20wt%および平均粒子径2μmの天然マイカの表
面に無電解ニッケルめっきを0.05μmの厚さに施し
た粉体10wt%を分散した導電性ペーストを用いた以
外は、実施例3−13と同様の方法により、混合粉体の
濃度が30%の電着膜を有するファインプリント回路基
板を作製した。 [0136]実施例3−17 実施例1−5で作製した銅めっきで被覆されたレジスト
パターン付基板を脱塩水35wt%、メラミン・アクリ
ル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニー化成
社製)5wt%、平均粒子径1.0μmの天然マイカの
表面に無電解銅めっきを0.1μmの厚さに施した粉体
60wt%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極
とし、対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、
浴温23℃、pH8,5の条件で、170Vで3分間通
電し、その後水洗し、95℃±1℃のオーブンで90分
間硬化した。このときの、膜厚は25μm、粉体濃度は
50wt%であった。次いで、苛性ソーダ50g/lに
、40℃、5分間浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次い
で、10%塩酸を用いて、50℃、7分間で露出部の触
媒のパラジウム被膜を除去し、ファインプリント回路基
板を得た。 [0137]実施例3−18 導電性ペーストとして、脱塩水35wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径1.0μmのアルミ
ナ表面に無電解銅めっきを0. 2μmの厚さに施した
粉体20wt%および平均粒子径1.0μmの天然マイ
カの表面に無電解銅めっきを0. 1μmの厚さに施し
た粉体40wt%を分散した導電性ペーストを用いた以
外は、実施例3−17と同様の方法により、混合粉体の
濃度が50wt%である電着膜を有するファインプリン
ト回路基板を作製した。 [0138]実施例3−19 導電性ペーストとして、脱塩水35wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmの銅粉
体30wt%、平均粒子径0. 1μmの天然マイカの
表面に無電解銅めっきを0.1μmの厚さに施した粉体
30wt%を分散した導電性ペーストを用いた以外は、
実施例3−17と同様の方法により、混合粉体の濃度が
50wt%の電着膜を有するファインプリント回路基板
を作製した。 [0139]実施例3−20 導電性ペーストとして、脱塩水35wt%、メラミン・
アクリル系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニ
ー化成社製)5wt%、平均粒子径0.03μmの銅粉
体30wt%、平均粒子径1.0μmのアルミナ表面に
無電解銅めっきを0. 2μmの厚さに施した粉体Lo
wt%および平均粒子径1.0μmの天然マイカの表面
に無電解銅めっきを0.1μmの厚さに施した粉体20
wt%を分散した導電性ペーストを用いた以外は、実施
例3−17と同様の方法により、混合粉体の濃度が50
w:t%の電着膜を有するファインプリント回路基板を
作製した。 [01401上記、実施例3−1〜3−20で作成した
ファインプリント回路基板について実施例1−1と同様
にて評価した。その結果を表3−1.3−2に示す。 [0141]
【表4】 表3−1 [0142] [0143]
【表5】 表3−2 [0144]実施例4−1 実施例1−1で用いたレジストパターンは基板を、脱塩
水35wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品名ハニ
ーブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%、平均
粒子径0.03μmの銅粉体を60wt%を分散した導
電性ペースト中で、基板を陽極とし、対極としてステン
レス板(0,5t)を用いて、浴温23°、pH8,5
の条件で、170Vで3分間通電し、その後水洗し、1
50℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。このとき
の、膜厚は25μm、金属粉体の濃度は50wt%であ
った。次いで、苛性ソーダ50g/lに、40℃、5分
間浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニア
性アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出の銅め
っき被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0145]実施例4−2 実施例1−2で用いたレジストパターン付基材を脱塩水
25wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品名ハニー
ブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%、平均粒
子径0.03μmのニッケル粉体を70wt%を分散し
た導電性ペースト中で、基板を陽極とし、対極としてス
テンレス板(0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8
,5の条件で、180■で3分間通電し、その後水洗し
145℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。このと
きの、膜厚は30μm、金属粉体の濃度は60wt%で
あった。次いで、苛性ソーダ50g/lに、40℃、5
分間浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニ
ア性アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の
銅めっき被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得
た。 [0146]実施例4−3 実施例1−3で用いたレジストパターン付基材を脱塩水
15wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品名ハニー
ブライトC−IL、ハニー化成社製)5wt%、平均粒
子径0.03μmの銅粉体80wt%を分散した導電性
ペースト中で、基板を陽極とし、対極としてステンレス
板(0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8,5の条
件で、170Vで3分間通電し、その後、水洗し、14
5℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。このときの
、膜厚は25μm、金属粉体の濃度は50wt%であっ
た。次いで、苛性ソーダ50g/lに、40℃、5分間
浸漬し、感光性樹脂を剥離した。次いで、アンモニア性
アルカリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の銅め
っき被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0147]実施例4−4 実施例1−4で用いたレジストパターン付基板を脱塩水
47wt%、メラミン・アクリル系樹脂(商品名ハニー
ブライトC−IL、ハニー化成社製)3wt%、平均粒
子径0.07μmの銀粉体50wt%を分散した導電性
ペースト中で、基板を陽極とし、対極としてステンレス
板(0,5t)を用いて、浴温23℃、pH8,5の条
件で、120Vで3分間通電し、その後水洗し、145
℃±1℃のオーブンで90分間硬化した。このときの、
膜厚は18μm、金属粉体の濃度は30wt%であった
。ついで、OMR専用の剥離液で、40℃、5分間浸漬
し、感光性樹脂を剥離した。ついで、アンモニア性アル
カリ銅液を用いて、50℃、7分間で露出部の銅めっき
被膜を除去し、ファインプリント回路基板を得た。 [0148]実施例4−5 実施例1−5で用いた銅めっきで被覆されたレジストパ
ターン付基板を脱塩水35wt%、メラミン・アクリル
系樹脂(商品名ハニーブライトC−IL、ハニー化成社
製)5wt%、平均粒子径0.03μmの銅粉体60w
t%を分散した導電性ペースト中で、基板を陽極とし、
対極としてステンレス板(0,5t)を用いて、浴温2
3℃、pH8,5の条件で、170Vで3分間通電し、
その後水洗し、145℃±1℃のオーブンで90分間硬
化した。なおここで用いた粉体は界面活性剤で処理した
ものである。 [0149] このときの、膜厚は25μm、金属粉体
の濃度は50wt%であった。次いで、苛性ソーダ50
g/lに、40℃、5分間浸漬し、感光性樹脂を剥離し
:た。次いで、10%塩酸を用いて、50℃、7分間で
露出部の触媒のパラジウム被膜を除去し、ファインプリ
ント回路基板を得た。 [01501上記実施例4−1〜4−5で作製した回路
基板について実施例1−1と同様にして評価した。その
結果を表−4に示す。 [01511
【表6] 表  4 [0152] [0153] 【発明の効果】以上説明した様に本発明の回路パターン
上に導電性ペースト液を用いて、電着塗装により形成さ
れた電着塗装被膜を有する導電回路部材によって、膜厚
の均一性、にじみ、かすれ、欠落等に関しての問題の解
決はもちろんのこと、電気的特性が著しく向上し、再現
性のある部材を形成することができる。 [0154]又、本発明によれば、フォトリン工程によ
って回路パターンを形成して電着を行なうため、きわめ
て微細な回路パターンを有する導電回路部材を用意に得
ることができ、更に、薄い電着膜であっても所定の導電
性を得ることができ、小型、怪事化対応した、プリント
回路板等の導電回路部材の製作が可能となり、電子機器
への適用が有効である。 [0155]又、本発明に於て、金属化セラミック粉体
や金属化天然マイカ粉体を導電性粒子に用いた場合、電
着膜を90℃〜100℃程度の低温で加熱処理した場合
でも優れた塗膜物性の電着膜を得ることができ耐熱性の
低い絶縁基材やフレキシブルな薄い基材への微細な回路
の形成が可能となり、小型軽量の電子機器に特に有効に
適用し得る導電回路部材を得ることができる。 [0156]更に工程の簡略化によるコスト面において
も大きく寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る導電回路部材の製造方法の実施態
様を示す工程図である。
【図2】本発明に係る導電回路部材の製造方法の他の実
施態様を示す工程図である。
【図3】本発明の導電回路部材の回路を形成する電着膜
の拡大図である。
【図4】本発明の回路部材を用いた電子機器の概略断面
図である。
【符号の説明】
1 絶縁基材 2 触媒層 3 めっき層 4 感光性樹脂 5 電着塗膜 6 回路 7光 8 パターンマスク 11 導電回路部材 41 筺体 42 電子部品 43 電子機器
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】

Claims (31)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁基材上にパターン状に形成されてな
    る導電回路を有する導電回路部材に於て、該回路が導電
    性粒子及び樹脂を含有する電着塗膜を有することを特徴
    とする導電回路部材。
  2. 【請求項2】 該導電性粒子としてセラミック粉体の表
    面を金属化した粉体を含有する請求項1の導電回路部材
  3. 【請求項3】 該セラミック粉体の平均粒子径が0.1
    〜7μmである請求項2の導電回路部材。
  4. 【請求項4】 該電着塗膜が導電性粒子を20〜80重
    量%含有する請求項1の導電回路部材。
  5. 【請求項5】 該導電性粒子としてセラミック粉体の表
    面を金属化した粉体及び超微粒金属粉体を含有する請求
    項1の導電回路部材。
  6. 【請求項6】 該超微粒金属粉体の平均粒子径が0.0
    1〜5μmである請求項5の導電回路部材。
  7. 【請求項7】 該導電性粒子として天然マイカ粉体の表
    面を金属化した粉体を含有する請求項1の導電回路部材
  8. 【請求項8】 該天然マイカ粉体の平均粒子径が0.1
    〜7μmである請求項7の導電回路部材。
  9. 【請求項9】 該導電性粒子としてセラミック粉体の表
    面を金属化した粉体及び天然マイカ粉体の表面を金属化
    した粉体の混合物を含有する請求項1の導電回路部材。
  10. 【請求項10】  該セラミック粉体の表面に形成され
    てなる金属層の厚さが0.05〜3μmである請求項2
    の導電回路部材。
  11. 【請求項11】  該天然マイカ粉体の表面に形成され
    てなる金属層の厚さが0.05〜3μmである請求項7
    の導電回路部材。
  12. 【請求項12】 該導電性粒子としてセラミック粉体の
    表面を金属化した粉体、天然マイカ粉体の表面を金属化
    した粉体及び超微粒金属粉体の混合物を含有する請求項
    1の導電回路部材。
  13. 【請求項13】  絶縁基材上にパターン状に形成され
    る導電回路を有する導電回路部材の製造方法に於て、該
    絶縁基材上に、電着可能な樹脂及び導電性粒子を含有す
    る導電性ペーストに該絶縁基材を浸漬して電着を行い、
    該電着可能な樹脂及び該導電性粒子を含有する電着膜を
    基材上に選択的に成膜させて次いで加熱硬化処理を行う
    ことを特徴とする導電回路部材の製造方法。
  14. 【請求項14】  該絶縁基材上にめっき層を形成し、
    次いで該めっき層上に回路パターンに対応するレジスト
    パターンを形成した後に電着を行う請求項13の導電回
    路部材の製造方法。
  15. 【請求項15】  該絶縁基材上に回路パターンに対応
    するレジストパターンを形成し、次いで該レジストパタ
    ーン上にめっき層を形成した後に電着を行う請求項13
    の導電回路部材の製造方法。
  16. 【請求項16】  該めっき層の厚さが0. 1μm以
    上1μm以下である請求項14の導電回路部材の製造方
    法。
  17. 【請求項17】  該めっき層の厚さが0. 1μm以
    上1μm以下である請求項15の導電回路部材の製造方
    法。
  18. 【請求項18】  該加熱処理として90℃以上100
    ℃以下で加熱する請求項13の導電回路部材の製造方法
  19. 【請求項19】  加熱処理後の電着膜が該導電性粒子
    を20〜80重量%含有する請求項13の導電回路部材
    の製造方法。
  20. 【請求項20】  該導電性粒子がセラミック粉体の表
    面を金属化した粉体及び天然マイカ粉体の表面を金属化
    した粉体の少なくとも一方である請求項13の導電回路
    部材の製造方法。
  21. 【請求項21】  該セラミック粉体の平均粒子径が0
    ゜1〜7μmである請求項20の導電回路部材の製造方
    法。
  22. 【請求項22】  該天然マイカ粉体の平均粒子径が0
    ゜1〜7μmである請求項20の導電回路部材の製造方
    法。
  23. 【請求項23】  該導電性粒子として平均粒径0.0
    1〜5μmの超微粒金属粉体が添加されてなる請求項2
    0の導電回路部材の製造方法。
  24. 【請求項24】  電着可能な樹脂を3〜50重量%及
    び導電性粒子を4〜80重量%含有することを特徴とす
    る導電性ペースト。
  25. 【請求項25】  電着可能な樹脂3〜50重景%重電
    均粒子径0. 1〜7μmのセラミック粉体の表面を金
    属めっきした粉体4〜80重量%を含有する請求項24
    の導電性ペースト。
  26. 【請求項26】  該導電性粒子として、平均粒子径0
    ゜1〜7μmの天然マイカ粉体の表面を金属めっきした
    粉体を含有する請求項24の導電性ペースト。
  27. 【請求項27】  該導電性粒子として、平均粒子径0
    ゜1〜7μmのセラミック粉体の表面を金属めっきした
    粉体および平均粒子径0.1〜7μmの天然マイカ粉体
    の表面を金属めっきした粉体の混合物を含有する請求項
    24の導電性ペースト。
  28. 【請求項28】  該導電性粒子として、平均粒子径0
    ゜01〜5μmの超微粒金属粉体を含有する請求項24
    の導電性ペースト。
  29. 【請求項29】  該導電性粒子として、平均粒子径0
    ゜01〜5μmの超微粒金属粉体と金属化セラミック粉
    体及び金属化天然マイカ粉体の少なくとも一方を含有す
    る請求項24の導電性ペースト。
  30. 【請求項30】  樹脂及び導電性粒子を含有する電着
    塗膜を有する導電回路が、絶縁基材上にパターン状に形
    成されてなる導電回路部材を用いてなることを特徴とす
    る電子機器。
  31. 【請求項31】  該導電性粒子としてセラミック粉体
    の表面を金属化した粉体及び天然マイカ粉体の表面を金
    属化した粉体の少なくとも一方を含有する請求項30の
    電子機器。
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