JPH04211267A - 有機系感光体およびその製造方法 - Google Patents
有機系感光体およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH04211267A JPH04211267A JP3032223A JP3222391A JPH04211267A JP H04211267 A JPH04211267 A JP H04211267A JP 3032223 A JP3032223 A JP 3032223A JP 3222391 A JP3222391 A JP 3222391A JP H04211267 A JPH04211267 A JP H04211267A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive layer
- film
- organic photosensitive
- layer
- amorphous hydrocarbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0436—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure combining organic and inorganic layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0503—Inert supplements
- G03G5/051—Organic non-macromolecular compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0503—Inert supplements
- G03G5/051—Organic non-macromolecular compounds
- G03G5/0514—Organic non-macromolecular compounds not comprising cyclic groups
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0503—Inert supplements
- G03G5/051—Organic non-macromolecular compounds
- G03G5/0521—Organic non-macromolecular compounds comprising one or more heterocyclic groups
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08285—Carbon-based
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14704—Cover layers comprising inorganic material
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は感光体、特に表面保護層
を有する有機系感光体およびその製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、有機光導電性材料を結着樹脂に配
合した有機系感光体が広く使用されている。有機系感光
体はセレンや硫化カドミウム等を用いた感光体と比べて
衛生上の問題がなく、また工業的生産性に優れていると
いう利点を有している。 【０００３】しかし、有機系感光体は低硬度であり、繰
り返し使用における転写紙、クリーニング部材、現像剤
等との摩擦により感光体が削れたり、傷付き易いという
問題がある。 【０００４】そこで、そのような問題を解消するために
有機系感光体の表面に、高硬度を有する表面保護層を形
成する技術が提案されている。 【０００５】例えば、高硬度を有する表面保護層の材料
として非晶質炭化水素が知られており、特開昭６３−９
７９６２号、特開平１−４７５４号、特開平１−８６１
５８号等によって有機系感光体の表面に非晶質炭化水素
からなる表面保護層を形成する技術が提案されている。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】表面保護層は、理想的
には、有機系感光層を形成後すぐにその表面に形成する
ことが望ましいが、実際には、製造工程の簡略化、有機
系感光層製造装置と非晶質炭化水素膜製造装置との量産
性の違い等の装置上の問題等により、有機系感光層のみ
形成したものを一度に多量に製造し、次に非晶質炭化水
素膜形成工程に供せられるのが一般的であるため、その
間、有機系感光層は数日〜１ケ月程度保管される（この
保管期間を「しかかり時間」という）ことが多い。 【０００７】有機系感光層表面は、時間経過とともに大
気中の酸素により表面が酸化されていく。このような酸
化被膜が形成された有機系感光層に非晶質炭化水素膜を
設けようとすると、酸化被膜面と非晶質炭化水素膜との
接着性が悪いために非晶質炭化水素膜の剥離が生じてし
まう。 【０００８】また、一般に有機系感光層は、溶剤に樹脂
を溶解した樹脂溶液に、有機系感光材料を溶解または分
散させ、これを導電性基板に塗布・乾燥することによっ
て製造されるが、有機系感光層には乾燥工程において溶
剤が抜け出た細孔が存在しており、ある程度ポーラスな
構造を有していると考えられている。そして、上述した
ように製造後長期間保管されていると、有機系感光層中
の溶剤がさらに少なくなり、有機系感光層の細孔が非常
に多くなっていると考えられるが、この上に非晶質炭化
水素膜を設けた感光体を複写機等に使用すると、繰り返
し使用すると残留電位が上昇するという問題が生じてし
まう。 【０００９】本願発明者らは、非晶質炭化水素膜の有機
系感光体への応用を研究した結果、有機系感光層上に形
成された酸化被膜に起因する非晶質炭化水素膜に剥離の
問題および残留電位の上昇の問題は、非晶質炭化水素膜
の形成前に有機系感光層表面を溶剤によって洗浄し、有
機系感光層表面の酸化被膜を除去するとともに、有機系
感光層中の溶剤含有量を２５００ｐｐｍ以上に調整する
ことによって改善されることを見い出した。これは、有
機系感光層が上述したようにポーラスな構造を有してい
ること、そしてこの上に非晶質炭化水素膜を形成するこ
と、非晶質炭化水素自体その製法上ポーラスな膜であり
、さらにオゾン等の活性ガスを非常に吸着しやすい性質
を有しているため、非晶質炭化水素膜に吸着した活性ガ
スが有機系感光層の細孔から侵入し、電荷輸送材料や電
荷発生材料を劣化（電荷輸送材料のキャリアモビリティ
あるいは電荷発生材料の量子効率の低下）させ、感光体
の残留電位を上昇させることから、有機系感光層表面の
酸化被膜を溶剤で除去する際に、有機系感光層に２５０
０ｐｐｍ以上の溶剤を含有させ、有機系感光層の細孔を
溶剤でふさぐことにより、活性ガスによる電荷輸送材料
または電荷発生材料の劣化を防止し、接着性および残留
電位上昇の問題を解決するものである。 【００１０】ところが、上記感光体においては、初期表
面電位（Ｖ０ ）が低下するという問題が生じる。これ
は、非晶質炭化水素膜が上述したようにポーラスな構造
を有しており、かつダングリングボンドを多く有してい
るため、オゾン、ＮＯｘ等の活性ガスを非常に吸着し易
い性質を有しているため、吸着した活性ガスが感光層中
の溶剤を酸化することによって溶剤の電気抵抗が低下す
るため、感光層の初期表面電位（Ｖ０ ）が低下すると
いう問題が生じるものと推測される。 【００１１】本発明は上述した問題を解決するものであ
り、有機系感光層上に非晶質炭化水素よりなる表面保護
層を設けた感光体において、有機系感光層と非晶質炭化
水素膜との接着性の問題、繰り返し使用時の残留電位の
上昇の問題および初期表面電位が低下するという問題等
の問題を解決し、優れた静電特性を有する有機系感光体
およびその製造方法を提供することを目的とする。 【００１２】 【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するために次の構成を有するものである。 【００１３】（１）導電性基板上に、２５００ｐｐｍ以
上の溶剤を含有する有機系感光層が形成され、前記有機
系感光層上に、波長４５０ｎｍにおける光吸収係数が４
００〜５０００ｃｍ−１の非晶質炭化水素よりなる表面
保護層が形成されてなる有機系感光体。 【００１４】（２）導電性基板上に、２５００ｐｐｍ以
上の溶剤を含有する有機系感光層を形成する工程、およ
びこの有機系感光層上に設けられ、プラズマＣＶＤ法を
用いて下記式［数１］を満足する条件下で非晶質炭化水
素よりなる表面保護層を形成する工程からなることを特
徴とする有機系感光体の製造方法。 【００１５】 【数１】 ０．００５≦供給電力／（原料ガス導入量×圧
力）≦０．１５［供給電力（Ｗ）、原料ガス導入量（ｓ
ｃｃｍ）、圧力（Ｔｏｒｒ）］。 【００１６】本願発明者等は非晶質炭化水素膜の特性に
ついてさらに探求したところ、非晶質炭化水素膜の特性
は、波長４５０ｎｍにおける光吸収係数（以下α４５０
ｎｍ と略す）によって大きく変化し、α４５０ｎｍ
を４００〜５０００（ｃｍ−１）とすることによって、
上述した初期表面電位低下の問題をも改善できることを
見出した。 【００１７】これは非晶質炭化水素膜は前述したように
ポーラスな膜であるが、非晶質炭化水素膜における光吸
収係数（α４５０ｎｍ ）は非晶質炭化水素膜の孔の開
き方と対応していると考えられ、空孔の多い膜は、空孔
での光散乱あるいは空孔に露出しているダングリングボ
ンドでの光の吸収によって吸収係数が大きくなり、逆に
光吸収係数の小さい膜は空孔の少ない膜となっているの
で、α４５０ｎｍ を４００〜５０００（ｃｍ−１）に
することにより非晶質炭化水素膜の空孔を少なくし、有
機系感光層に活性ガスが侵入するのを防止することによ
って、感光体の初期表面電位低下の問題が解決されたも
のと推測される。 また、α４５０ｎｍ を４００〜５０００（ｃｍ−１）
程度の低い光吸収係数を有する非晶質炭化水素膜は、そ
の内部応力が低いので製膜時に内部応力の緩和に起因す
る非晶質炭化水素膜表面の粗面化の問題も発生しない。 【００１８】本発明において、有機系感光層の構成は、
光導電性材料を結着剤に配合した単層型構成の感光層、
電荷発生層および電荷輸送層を順次積層した構成の感光
層、または電荷輸送層および電荷発生層を順次積層した
構成の感光層のいずれであってもよい。 【００１９】有機系感光層の溶剤含有量は２５００〜２
００００ｐｐｍの範囲に調整する。溶剤含有量が２００
００ｐｐｍより多いと感光層が柔らかくなりすぎて非晶
質炭化水素膜が割れ易くなる。 【００２０】導電性支持体は少なくとも最表面が導電性
を示す素材であればよく、形状も円筒形、可橈性ベルト
状、平板状等任意の形態をとることができる。 【００２１】本発明の表面保護層は、非晶質炭化水素よ
り形成され、その光吸収係数α４５０ｎｍ は４００〜
５０００ｃｍ−１、好ましくは１０００〜４０００ｃｍ
−１である。α４５０ｎｍ が５０００ｃｍ−１より大
きくなると、感光体の静電特性が不安定（初期表面電位
の低下）となり、４００ｃｍ−１より小さいと、非晶質
炭化水素膜が低硬度となって耐久性が乏しくなる。 【００２２】表面保護層の膜厚は、０．０１〜５μｍ、
好ましくは０．０４〜１μｍ、より好ましくは０．０８
〜０．５μｍである。０．０１μｍより薄いと、膜強度
が低下し、傷、膜削れ等の問題が発生する。５μｍより
厚いと、透光性低下による感度の低下、残留電位の上昇
、成膜性の悪化、膜接着性の悪化等の問題が生じる。 【００２３】本発明において、表面保護層が可視光の透
過率が８０％以上であることが望ましい。 【００２４】すなわち、Ｉ＝Ｉ０ ｅｘｐ （−αｄ）
より、ＩがＩ０ の８０％以上となるためには、αｄ≦
０．２２３である必要があり、一般に複写機用感光体で
用いられる波長（４５０〜７８０ｎｍ）に対して、非晶
質炭化水素膜は４５０ｎｍにおける吸収が最も高いこと
から、表面保護層の光吸収係数と膜厚が下記式［数２］
を満足することが好ましい。 【００２５】 【数２】α４５０ ×ｄ≦２２３０ ［α４５０ は４５０ｎｍにおける吸収係数（ｃｍ−１
）、ｄは表面保護層の膜厚（μｍ）である。］。 【００２６】非晶質炭化水素膜中に含有される水素原子
の量は特に制限はないが、表面保護層の構造およびグロ
ー放電という製造面から必然的に制約され、その量は概
ね５〜６０ａｔｏｍｉｃ％となる。 【００２７】非晶質炭化水素膜中に含有される炭素原子
、水素原子の量は、有機元素分析、オージェ分析、ＳＩ
ＭＳ分析等の手段により知ることができる。 【００２８】本発明の表面保護層は気相状態の少なくと
も炭素原子および水素原子を含む分子を減圧下で放電し
、発生したプラズマ雰囲気中に含まれる活性中性種ある
いは荷電種を基板上に拡散、電気力あるいは磁気力等に
より誘導し、基板上での再結合反応により固相として堆
積させる、いわゆるプラズマ反応（以下Ｐ−ＣＶＤ反応
またはプラズマＣＶＤ法と称す）することにより非晶質
炭化水素膜として形成することができる。 【００２９】上記各分子は常温常圧において必ずしも気
相である必要はなく、加熱あるいは減圧等により溶融、
蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも
固相でも使用可能である。 【００３０】少なくとも炭素原子および水素原子を含め
分子としては炭化水素、例えば飽和炭化水素、不飽和炭
化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等を用いるこ
とができる。 【００３１】非晶質炭化水素膜の吸収係数は成膜時の条
件、例えば、圧力、放電周波数、電力、原料ガス種、ガ
ス流量等により制御することができる。 【００３２】非晶質炭化水素膜の形成時、その原料ガス
を高いエネルギーで分解すると、生成された非晶質炭化
水素膜中に未結合手（ダングリングボンド）が多くでき
るため吸収係数が大きくなってしまう。 【００３３】非晶質炭化水素膜の吸収係数を小さくする
ためには、原料ガス１分子当りに供給される分解エネル
ギーを低くし、膜生成のみに必要なエネルギーを供給す
ることによって、余計な未結合手を生成しないようにす
る。ただし、エネルギーが低すぎると、非晶質炭化水素
膜生成に必要な分子間の結合が不十分となり、膜の硬度
低下および耐摩耗性の低下を招くので注意が必要である
。 【００３４】従って、非晶質炭化水素膜の吸収係数を小
さくするには、ガス流量を大きくする、原料ガスに炭素
数の多い炭化水素を用いる、放電周波数を大きくする、
基板温度を低くする、放電時間を短くする等の手法によ
って適宜制御することができる。これらの制御手法は、
単独で行なってもよいし併用してもよく、非晶質炭化水
素のα４５０ｎｍ が４００〜５０００ｃｍ−１になる
ように製造すれば良い。 【００３５】特に、本発明においては、下記式［数１］
を満足する条件で非晶質炭化水素を製造することにより
α４５０ｎｍ が４００〜５０００ｃｍ−１である非晶
質炭化水素膜を良好に製造することができる。 【００３６】 【数１】 ０．００５≦供給電力／（原料ガス導入量×圧
力）≦０．１５［供給電力（Ｗ）、原料ガス導入量（ｓ
ｃｃｍ）、圧力（Ｔｏｒｒ）］。 【００３７】式［数１］において、供給電力／（原料ガ
ス導入量×圧力）の値（以下この値をＡ値と略称する。 ）が０．００５より小さいと製造された非晶質炭化水素
膜の硬度が低くなり耐久性が乏しくなる。０．１５より
大きいと非晶質炭化水素膜の吸収係数が大きくなりやす
い。 【００３８】 【作用】本発明においては、有機系感光層に２５００ｐ
ｐｍ以上の溶剤を含有させ、有機系感光層の細孔を溶剤
でふさぐことにより、活性ガスによる電荷輸送材料また
は電荷発生材料の劣化を防止したので、接着性の低下お
よび残留電位上昇の問題がなく、更に、前記有機系感光
層上に、波長４５０ｎｍにおける光吸収係数が４００〜
５０００ｃｍ−１の非晶質炭化水素よりなる表面保護層
を形成することにより、感光体の初期表面電位低下のな
い有機系感光体が得られる。 【００３９】 【実施例】（１）感光層の作製 ■ 有機系感光層ａの作製 ジスアゾ顔料クロロジアンブル−（ＣＤＢ）１重量部、
ポリエステル樹脂（東洋紡績株式会社製Ｖ−２００）１
重量部、及びシクロヘキサノン１００重量部の混合液を
サンドグラインダーにて１３時間分散した。この分散液
を直径８０ｍｍ×長さ３３０ｍｍの円筒状アルミニウム
基板上にディッピングにて塗布し、乾燥して膜厚０．３
μｍの電荷発生層を形成した。 【００４０】別に、４−ジエチルアミノベンズアルデヒ
ド−ジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）１重量部、及びポ
リカーボネート（帝人化成社製Ｋ−１３００）１重量部
をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）６重量部に溶解し、こ
の溶液を前記電荷発生層上に塗布、乾燥（１００℃、４
５分間）し、乾燥後膜厚１５μｍの電荷輸送層を形成し
、有機系感光層ａを得た。 【００４１】有機系感光層ａの溶剤含有量は、１５２０
ｐｐｍ であった。 【００４２】感光層中の溶剤含有量は、残留する溶剤を
抽出しガスクロマトグラフィーを用いることによって定
量することができる。具体的には、感光体を一定量正確
に秤量し、これをアセトン、メチルエチルケトン、テト
ラヒドロフラン、エタノール等の溶剤に浸漬させ、超音
波等を用いて残留する溶剤を抽出する。そして、これに
内部標準物質としてベンゼン、トルエン、キシレン、ヘ
キサン等を加え、ガスクロマトグラフィーを用いて内部
標準法によって定量する。 【００４３】■ 有機系感光層ｂの作製特殊α型銅フ
タロシアニン（東洋インキ株式会社製）２５重量部、ア
クリルメラミン熱硬化型樹脂（大日本インキ株式会社製
Ａ−４０５とスーパーベッカミンＪ８２０の混合物）５
０重量部、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−ジフ
ェニルヒドラゾン２５重量部及び有機溶剤（キシレン７
重量部とブタノール３重量部の混合物）５００重量部の
混合液をボールミルで１０時間粉砕分散した。この分散
液を直径８０ｍｍ×長さ３３０ｍｍの円筒状アルミニウ
ム基板上にディッピングにて塗布し、乾燥（常温）焼き
付け（１５０℃で１時間）を行い、膜厚１５μｍの有機
系感光層ｂを得た。 【００４４】溶剤含有量は、１１４０ｐｐｍ であった
。 【００４５】■ 有機系感光層ｃの作製下記式［化１
］に示されるジスアゾ化合物２重量部、ポリエステル樹
脂（東洋紡績株式会社製Ｖ−５００）１重量部、及びメ
チルエチルケトン１００重量部をボールミルにて、２４
時間混合分散した。この分散液を直径８０ｍｍ×長さ３
３０ｍｍの円筒状アルミニウム基板上にディッピングに
て塗布し、乾燥して膜厚３０００オングストロームの電
荷発生層を得た。 【００４６】 【化１】 【００４７】次いで、この電荷発生層の上に、下記式［
化２］に示されるヒドラゾン化合物１０重量部、及びポ
リカーボネート樹脂（帝人化成社製Ｋ−１３００）１０
重量部をテトラヒドロフラン８０重量部中に溶解した液
を塗布し、乾燥（８０℃１時間）して膜厚２０μｍの電
荷輸送層を形成し、有機系感光層ｃを得た。 【００４８】 【化２】 【００４９】溶剤含有量は、１９００ｐｐｍ であった
。 【００５０】■ 有機系感光層ｄの作製下記式［化３
］に示されるジスアゾ化合物２重量部、ポリエステル樹
脂（東洋紡績株式会社製Ｖ−５００）１重量部、及びメ
チルエチルケトン１００重量部をボールミルにて、２４
時間混合分散した。この分散液を直径８０ｍｍ×長さ３
３０ｍｍの円筒状アルミニウム基板上にディッピングに
て塗布し、乾燥して膜厚２５００オングストロームの電
荷発生層を得た。 【００５１】 【化３】 【００５２】次いで、下記式［化４］に示されるスチリ
ル化合物１０重量部、及びポリアリレート樹脂（ユニチ
カ社製Ｕ−４０００）１０重量部をテトラヒドロフラン
８５重量部中に溶解した。得られた塗布液を前記電荷輸
送層の上に塗布し、乾燥（８０℃３０分間）して膜厚が
２０μｍの電荷輸送層を形成し、有機系感光層ｄを得た
。 【００５３】 【化４】 【００５４】溶剤含有量は、２１２０ｐｐｍ であった
。 【００５５】■ 有機系感光層ｅの作製下記式［化５
］に示すジスアゾ化合物２重量部、ポリエステル樹脂（
東洋紡績株式会社製Ｖ−５００）１重量部、及びメチル
エチルケトン１００重量部をボールミルにて、２４時間
混合分散した。この分散液を直径８０ｍｍ×長さ３３０
ｍｍの円筒状アルミニウム基板上にディッピングにて塗
布し、乾燥して膜厚３０００オングストロームの電荷発
生層を得た。 【００５６】 【化５】 【００５７】次いで、下記式［化６］に示すスチリル化
合物１０重量部、及びメチルメタクリレート樹脂（三菱
レーヨン株式会社製ＢＲ−８５）１０重量部をテトラヒ
ドロフラン８０重量部に溶解した。得られた液を前記電
荷輸送層の上に塗布後乾燥（７０℃３０分間）して膜厚
が２０μｍの電荷輸送層を形成し、有機系感光層ｅを得
た。 【００５８】 【化６】 【００５９】溶剤含有量は、２３８０ｐｐｍ であった
。 【００６０】■ 有機系感光層ｆの作製チタニルフタ
ロシアニン（ＴｉＯＰｃ）を抵抗加熱法を用いてボート
温度４００〜５００℃、真空度１０−４〜１０−６Ｔｏ
ｒｒのもとで真空蒸着し、厚さ２５００オングストロー
ムのＴｉＯＰｃ蒸着膜を、電荷発生層として形成した。 【００６１】次いで、下記式［化７］に示すｐ，ｐ−ビ
スジエチルアミノテトラフェニルブタジエン１重量部、
及びポリカーボネート（帝人化成社製Ｋ−１３００）１
重量部をＴＨＦ６重量部に溶解し、この溶液を前記電荷
発生層の上に塗布し乾燥（１００℃３０分間）して膜厚
１５μｍの電荷輸送層を形成し、有機系感光層ｆを得た
。 【００６２】 【化７】 【００６３】溶剤含有量は、１６７０ｐｐｍ であった
。なお、これらの感光層のうち、感光層ｂは（＋）帯電
用、他は（−）帯電用である。また、感光層ｆは長波長
露光用、他は通常露光用である。 【００６４】（２）表面保護層の作成 実施例１ 溶剤含有量が１５２０ｐｐｍ である有機系感光層ａを
、フロンＲ１１３に１分間浸漬し表面を洗浄後、常温乾
燥したものを、特開昭６３−９７９６２号公報に示され
る装置の真空槽内にセットした。 【００６５】洗浄後の有機系感光層中に含有される残留
溶剤量はプラズマ反応開始直前状態で４２００ｐｐｍ
であった。 【００６６】次いで、水素ガス６００ｓｃｃｍ、ブタジ
エンガス６００ｓｃｃｍを真空槽内に導入し、圧力を２
Ｔｏｒｒに設定した。 【００６７】圧力が一定になったところで、周波数８０
ＫＨｚの電源を用いて５０Ｗの電力を投入した。 【００６８】前述のＡ値は０．０２０８であり、また、
感光層の温度は５０℃とした。 【００６９】２３０秒間成膜を行ない、膜厚０．１μｍ
の非晶質炭化水素膜を表面保護層として有する感光体を
得た。 【００７０】α４５０ｎｍ は２０００［１／ｃｍ］、
ｄ・α４５０ｎｍ の値は２００であった。 【００７１】この感光体について残留電位評価および表
面電位評価を行った。 【００７２】また、膜硬度は９Ｈであった。結果を表１
および表２に示した。 【００７３】なお、α４５０ｎｍ の測定は以下の方法
で行った。 【００７４】透明なガラス基板（例えばコーニング社製
＃７０５９）上に、非晶質炭化水素膜を載置し、可視紫
外光度計（例えば、日本分光工業株式会社製 ＵＶＩ
ＤＥＣ−６１０型）で可視光透過スペクトルを測定する
。 【００７５】図１は、その典型的なスペクトルを示した
ものであるが、ａ，ｂは４５０ｎｍ光に対する透過率が
高く、即ち、α４５０ｎｍ （４５０ｎｍ光に対する吸
収係数）が低い非晶質炭化水素膜の例であり、ｃはα４
５０ｎｍ が高い非晶質炭化水素膜の例である。 【００７６】ガラス基板には一部マスキングを施し、着
膜しない部分を設け、着膜部との段差を表面粗さ計（例
えば、東京精密社製 サーフコム５５０Ａ）で測定し
、膜厚を求める。 【００７７】次式［数３］を用いてαを求める。 【００７８】 【数３】 αλ＝−（１／Ｄ）・ｌｏｇｅ （Ｉλ／Ｉ０ λ）（
式中αλは波長λにおける吸収係数、Ｄは膜厚、Ｉλ／
Ｉ０ λは波長λにおける透過率を示す。）αとして４
５０ｎｍ光における値を選択したのは、次の理由による
。 【００７９】通常の感光体は、比視感度域（４５０〜６
５０ｎｍ）或いはＬＥＤ、半導体レーザー感度域（６８
０、７８０ｎｍ）で用いられ、従って、非晶質炭化水素
膜は、少なくとも、その範囲の波長の光を透過する必要
がある。逆にこれら以外の波長での透過特性は、求めた
ところで意味がない。 【００８０】そこで有用な波長域で最もαの変化を測定
しやすい４５０ｎｍを選んだ。 【００８１】残留電位の測定には図２の如き試験機を用
いた。 【００８２】帯電器４によりＣＨＧ出力を調整し、第１
表面電位計２でのモニター値を常に−５００±２０Ｖに
保った。但し、感光層ｂについては、＋５００±２０Ｖ
に保った。 【００８３】除電ランプ５にはハロゲンランプを用い、
色温度２８００°Ｋで点灯し、フィルター６を用い、３
０［ｌｕｘ ｓｅｃ ］の光量が感光体に照射されるよ
うにした。但し、感光層ｆについては、色温度２２００
°Ｋとした。 【００８４】感光体１の形状はφ８０×ｌ３３０ｍｍで
あり、周速１３ｃｍ／ｓｅｃ で回転させた。 【００８５】そして、第２表面電位計３でのモニター値
により、残留電位を観測した。 【００８６】残留電位の評価は下記の通りである。 【００８７】感光体１回転目の残留電位（Ｖｒ）に対し
５０００回転目の残留電位（Ｖｒ´）がどの程度上昇し
たかで、○△×を付けた。 【００８８】 ｜Ｖｒ′−Ｖｒ｜≦５０
○５０＜｜Ｖｒ′−Ｖｒ｜≦１００
△１００＜｜Ｖｒ′−Ｖｒ｜
×表面電位低下の測定には図３の如
き試験機を用いた。まず、オーバーコート層のない感光
体に対して、帯電器１４を調整し、表面電位計１２での
モニター値を常に−５００±２０Ｖに保った。但し、感
光層ｂについては、＋５００±２０Ｖに保った。 【００８９】除電ランプ１５にはハロゲンランプを用い
、色温度２８００°Ｋで点灯し、フィルター１６を用い
、３０［ｌｕｘ ｓｅｃ ］の光量が感光体に照射され
るようにした。但し、感光層ｆについては、色温度２２
００°Ｋとした。 【００９０】感光体１１の形状は直径８０×長さ３３０
ｍｍであり、周速１３ｃｍ／ｓｅｃ で回転させた。 【００９１】電流計１３でモニター値を記録しておき、
次にオーバーコート層を形成した感光体を前記の値にな
るように帯電器１４の出力を調整した。すなわち、前記
オーバーコート層のない感光体と同量の電荷がのるよう
にするためである。 【００９２】表面電位低下の評価は下記のとおりである
。 【００９３】オーバーコート前の表面電位（Ｖ０ ）に
対しオーバーコート後の表面電位（Ｖ０ ´）がどの程
度低下したかで、○△×を付けた。 【００９４】 ｜Ｖ０ ′−Ｖ０ ｜≦５０
○５０＜｜Ｖ０ ′−Ｖ０ ｜≦１００
△１００＜｜Ｖ０ ′−Ｖ０ ｜
×表面硬度の測定はα
４５０ｎｍ の測定の場合と同様に、ガラス基板上にａ
−Ｃ膜を設け（但し膜厚は１０００オングストロームと
する）、ＪＩＳ−Ｋ−５４００規格の鉛筆引っかき試験
を行なった。 【００９５】評価は下記のとおりである。 【００９６】 また、実施例２〜１６、比較例１〜６については、有機
系感光層および表面保護層の製造条件を表１および表２
に示す条件とする以外は実施例１と同様にして感光体を
作製した。 【００９７】また、それぞれの感光体について実施例１
と同じ評価を行ない結果を表１および表２に示した。 【００９８】尚、表１、表２において“ｅｘ”は実施例
、“ｃｅ”は比較例を意味するものである。 【００９９】 【表１】 ｅｘ 有機系 高溶剤 溶 剤
原 料 ガ ス 総流量 電力 圧
力ｃｅ 感光層 化処理 存在量
番号 （溶剤ｐｐ
ｍ） 法注１） （ｐｐｍ） ガスｓｃｃｍ
ガスｓｃｃｍ ［ｓｃｃｍ］ ［Ｗ］ Ｔｏ
ｒｒｃｅ１ ａ（１５２０） １分間 ４
２００ 水素１０００ 注２）ＢＤ８００
１８００ ４０ ５ｅｘ２ 〃
〃 〃 水素 ８００
注２）ＢＤ８００ １６００ ４０
５ｅｘ３ 〃 〃
〃 水素 ８００ 注２）ＢＤ６００
１４００ ５０ ４ｅｘ４ 〃
〃 〃 水素 ６０
０ 注２）ＢＤ６００ １２００ ５０
３ｅｘ１ 〃 〃
〃 水素 ６００ 注２）ＢＤ６００
１２００ ５０ ２ｅｘ５
〃 〃 〃 水素 ４
００ 注２）ＢＤ３００ ７００ ５０
２ｅｘ６ 〃 〃
〃 水素 ４００ 注２）ＢＤ１５０
５５０ ６０ １ｅｘ７
〃 〃 〃 水素
３５０ 注２）ＢＤ ５０ ４００ ６０
１ｃｅ２ 〃 〃
〃 水素 ３００ 注２）ＢＤ ５
０ ３５０ ７０ １ｃｅ３
ｂ（１１４０） 無処理 １１４０ 水素
３００ 注２）ＢＤ ５０ ３５０ ７
０ １ｃｅ４ ｅ（２３８０） ５分
間 １００００ ｃｅ１と同じｅｘ８
〃 〃 〃 ｅｘ２と
同じｅｘ９ 〃 〃
〃 ｅｘ４と同じｅｘ１０ 〃
〃 〃 ｅｘ６と同じｅｘ１
１ 〃 〃 〃
ｅｘ７と同じｃｅ５ 〃 〃
〃 ｃｅ２と同じ
ｅｘ１２ ｂ
（１１４０） ２０秒間 ３４００ 水素
８００ 注３） ３５０ １１５０ １２
０ １．２ｅｘ１３ ｃ（１９００） ３
分間 ６２００ 水素 ８００ 注４）
４００ １２００ １００ １．４ｅｘ１
４ ｄ（２１２０） ４分間 ７１００
水素 ８００ 注５） ６００ １４００
５０ １．６ｅｘ１５ ｅ（２３８０）
５分間 １００００ 水素 ９００ 注６
） ４００ １３００ ４０ １．８
ｅｘ１６ ｆ（１６７０） ２分間 ５１０
０ Ｈｅ ７００ 注２）ＢＤ３００ １００
０ ３０ ２ｃｅ６ ａ（１５２０
） 無処理 １５２０ 水素 ３００
注２）ＢＤ ５０ ３５０ ７０ ０
．８ 注１）はフロンＲ１１３（ＣＦＣｌ ２ ） ２
に浸漬後常温乾燥、注２）ＢＤはブタジエン、注３）は
エチレン、注４）はプロパン、注５）はアセチレン、注
６）はプロピレン。 【０１００】 【表２】 ｅｘ Ａ 値 Ｆｒｅｑ． Ｔｓ 成
膜 膜厚 係数 ｄ× 残留電 Ｖｏ
硬度ｃｅ
時間 ｄ α４５０ α４５０
位上昇 低下番号 ［Ｈｚ］
（℃） ［ｓｅｃ］ ［ｕｍ］ ［／ｃｍ］
評 価 評価 評価ｃｅ１ ０
．００４４ ８０Ｋ ５０ １８０
０．１ ３５０ ３５ ○
○ ×ｅｘ２ ０．００５
８０Ｋ ５０ １９０ ０．１
４００ ４０ ○ ○
△ｅｘ３ ０．００８９ ８０Ｋ ５
０ ２００ ０．１ ６００
６０ ○ ○ △ｅｘ４
０．０１３９ ８０Ｋ ５０ ２１０
０．１ １０００ １００ ○
○ ○ｅｘ１ ０．０２０８
８０Ｋ ５０ ２３０ ０．１
２０００ ２００ ○ ○
○ｅｘ５ ０．０３５７ ８０Ｋ
５０ ２４０ ０．１ ３０００
３００ ○ ○ ○ｅｘ６
０．１０９１ ８０Ｋ ５０ ２６０
０．１ ４０００ ４００ ○
○ ○ｅｘ７ ０．１５
８０Ｋ ５０ ２８０ ０．１
５０００ ５００ ○ △
○ｃｅ２ ０．２ ８０Ｋ
５０ ３００ ０．１ ６０００
６００ ○ × ○ｃｅ３
０．２ ８０Ｋ ５０ ３０
０ ０．１ ６０００ ６００
× ○ ○ｃｅ４ ｃｅ１と同じ
○ ○ ×ｅ
ｘ８ ｅｘ２と同じ
○
○ △ｅｘ９ ｅｘ４と同じ
○ ○ ○ｅｘ１０
ｅｘ６と同じ
○
○ ○ｅｘ１１ ｅｘ７と同じ
○ △ ○ｃｅ５ ｃ
ｅ２と同じ
○ ×
○ｅｘ１２ ０．０８７ ５０Ｋ
３０ １８００ ０．７５ ２９００
２１７５ ○ ○ ○ｅｘ１３
０．０５９５ ８０Ｋ ３０ １１５
０ ０．７５ ２２００ １１００
○ ○ ○ｅｘ１４ ０．０２２３
２００Ｋ ５０ ２２０ ０．１
２２００ ２２０ ○ ○
○ｅｘ１５ ０．０１７１ ＊
５０ ４２０ ０．２ １３００
２６０ ○ ○ ○ｅｘ１６
０．０１５ ８０Ｋ ３０ ２０
０ ０．１ １１００ １１０
○ ○ ○ｃｅ６ ０．２５
８０Ｋ ５０ ３２０ ０．１
１００００ １０００ × ○
○（備考：＊は１３．５６Ｍ） 【０１０１】 【発明の効果】本発明は、有機系感光層上に非晶質炭化
水素よりなる表面保護層を設けた感光体において、有機
系感光層と非晶質炭化水素膜との接着性が良好で、繰り
返し使用時の残留電位の上昇がなく、また、初期表面電
位の低下のない優れた静電特性を有する有機系感光体な
らびにその製造方法を提供できる。
を有する有機系感光体およびその製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、有機光導電性材料を結着樹脂に配
合した有機系感光体が広く使用されている。有機系感光
体はセレンや硫化カドミウム等を用いた感光体と比べて
衛生上の問題がなく、また工業的生産性に優れていると
いう利点を有している。 【０００３】しかし、有機系感光体は低硬度であり、繰
り返し使用における転写紙、クリーニング部材、現像剤
等との摩擦により感光体が削れたり、傷付き易いという
問題がある。 【０００４】そこで、そのような問題を解消するために
有機系感光体の表面に、高硬度を有する表面保護層を形
成する技術が提案されている。 【０００５】例えば、高硬度を有する表面保護層の材料
として非晶質炭化水素が知られており、特開昭６３−９
７９６２号、特開平１−４７５４号、特開平１−８６１
５８号等によって有機系感光体の表面に非晶質炭化水素
からなる表面保護層を形成する技術が提案されている。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】表面保護層は、理想的
には、有機系感光層を形成後すぐにその表面に形成する
ことが望ましいが、実際には、製造工程の簡略化、有機
系感光層製造装置と非晶質炭化水素膜製造装置との量産
性の違い等の装置上の問題等により、有機系感光層のみ
形成したものを一度に多量に製造し、次に非晶質炭化水
素膜形成工程に供せられるのが一般的であるため、その
間、有機系感光層は数日〜１ケ月程度保管される（この
保管期間を「しかかり時間」という）ことが多い。 【０００７】有機系感光層表面は、時間経過とともに大
気中の酸素により表面が酸化されていく。このような酸
化被膜が形成された有機系感光層に非晶質炭化水素膜を
設けようとすると、酸化被膜面と非晶質炭化水素膜との
接着性が悪いために非晶質炭化水素膜の剥離が生じてし
まう。 【０００８】また、一般に有機系感光層は、溶剤に樹脂
を溶解した樹脂溶液に、有機系感光材料を溶解または分
散させ、これを導電性基板に塗布・乾燥することによっ
て製造されるが、有機系感光層には乾燥工程において溶
剤が抜け出た細孔が存在しており、ある程度ポーラスな
構造を有していると考えられている。そして、上述した
ように製造後長期間保管されていると、有機系感光層中
の溶剤がさらに少なくなり、有機系感光層の細孔が非常
に多くなっていると考えられるが、この上に非晶質炭化
水素膜を設けた感光体を複写機等に使用すると、繰り返
し使用すると残留電位が上昇するという問題が生じてし
まう。 【０００９】本願発明者らは、非晶質炭化水素膜の有機
系感光体への応用を研究した結果、有機系感光層上に形
成された酸化被膜に起因する非晶質炭化水素膜に剥離の
問題および残留電位の上昇の問題は、非晶質炭化水素膜
の形成前に有機系感光層表面を溶剤によって洗浄し、有
機系感光層表面の酸化被膜を除去するとともに、有機系
感光層中の溶剤含有量を２５００ｐｐｍ以上に調整する
ことによって改善されることを見い出した。これは、有
機系感光層が上述したようにポーラスな構造を有してい
ること、そしてこの上に非晶質炭化水素膜を形成するこ
と、非晶質炭化水素自体その製法上ポーラスな膜であり
、さらにオゾン等の活性ガスを非常に吸着しやすい性質
を有しているため、非晶質炭化水素膜に吸着した活性ガ
スが有機系感光層の細孔から侵入し、電荷輸送材料や電
荷発生材料を劣化（電荷輸送材料のキャリアモビリティ
あるいは電荷発生材料の量子効率の低下）させ、感光体
の残留電位を上昇させることから、有機系感光層表面の
酸化被膜を溶剤で除去する際に、有機系感光層に２５０
０ｐｐｍ以上の溶剤を含有させ、有機系感光層の細孔を
溶剤でふさぐことにより、活性ガスによる電荷輸送材料
または電荷発生材料の劣化を防止し、接着性および残留
電位上昇の問題を解決するものである。 【００１０】ところが、上記感光体においては、初期表
面電位（Ｖ０ ）が低下するという問題が生じる。これ
は、非晶質炭化水素膜が上述したようにポーラスな構造
を有しており、かつダングリングボンドを多く有してい
るため、オゾン、ＮＯｘ等の活性ガスを非常に吸着し易
い性質を有しているため、吸着した活性ガスが感光層中
の溶剤を酸化することによって溶剤の電気抵抗が低下す
るため、感光層の初期表面電位（Ｖ０ ）が低下すると
いう問題が生じるものと推測される。 【００１１】本発明は上述した問題を解決するものであ
り、有機系感光層上に非晶質炭化水素よりなる表面保護
層を設けた感光体において、有機系感光層と非晶質炭化
水素膜との接着性の問題、繰り返し使用時の残留電位の
上昇の問題および初期表面電位が低下するという問題等
の問題を解決し、優れた静電特性を有する有機系感光体
およびその製造方法を提供することを目的とする。 【００１２】 【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するために次の構成を有するものである。 【００１３】（１）導電性基板上に、２５００ｐｐｍ以
上の溶剤を含有する有機系感光層が形成され、前記有機
系感光層上に、波長４５０ｎｍにおける光吸収係数が４
００〜５０００ｃｍ−１の非晶質炭化水素よりなる表面
保護層が形成されてなる有機系感光体。 【００１４】（２）導電性基板上に、２５００ｐｐｍ以
上の溶剤を含有する有機系感光層を形成する工程、およ
びこの有機系感光層上に設けられ、プラズマＣＶＤ法を
用いて下記式［数１］を満足する条件下で非晶質炭化水
素よりなる表面保護層を形成する工程からなることを特
徴とする有機系感光体の製造方法。 【００１５】 【数１】 ０．００５≦供給電力／（原料ガス導入量×圧
力）≦０．１５［供給電力（Ｗ）、原料ガス導入量（ｓ
ｃｃｍ）、圧力（Ｔｏｒｒ）］。 【００１６】本願発明者等は非晶質炭化水素膜の特性に
ついてさらに探求したところ、非晶質炭化水素膜の特性
は、波長４５０ｎｍにおける光吸収係数（以下α４５０
ｎｍ と略す）によって大きく変化し、α４５０ｎｍ
を４００〜５０００（ｃｍ−１）とすることによって、
上述した初期表面電位低下の問題をも改善できることを
見出した。 【００１７】これは非晶質炭化水素膜は前述したように
ポーラスな膜であるが、非晶質炭化水素膜における光吸
収係数（α４５０ｎｍ ）は非晶質炭化水素膜の孔の開
き方と対応していると考えられ、空孔の多い膜は、空孔
での光散乱あるいは空孔に露出しているダングリングボ
ンドでの光の吸収によって吸収係数が大きくなり、逆に
光吸収係数の小さい膜は空孔の少ない膜となっているの
で、α４５０ｎｍ を４００〜５０００（ｃｍ−１）に
することにより非晶質炭化水素膜の空孔を少なくし、有
機系感光層に活性ガスが侵入するのを防止することによ
って、感光体の初期表面電位低下の問題が解決されたも
のと推測される。 また、α４５０ｎｍ を４００〜５０００（ｃｍ−１）
程度の低い光吸収係数を有する非晶質炭化水素膜は、そ
の内部応力が低いので製膜時に内部応力の緩和に起因す
る非晶質炭化水素膜表面の粗面化の問題も発生しない。 【００１８】本発明において、有機系感光層の構成は、
光導電性材料を結着剤に配合した単層型構成の感光層、
電荷発生層および電荷輸送層を順次積層した構成の感光
層、または電荷輸送層および電荷発生層を順次積層した
構成の感光層のいずれであってもよい。 【００１９】有機系感光層の溶剤含有量は２５００〜２
００００ｐｐｍの範囲に調整する。溶剤含有量が２００
００ｐｐｍより多いと感光層が柔らかくなりすぎて非晶
質炭化水素膜が割れ易くなる。 【００２０】導電性支持体は少なくとも最表面が導電性
を示す素材であればよく、形状も円筒形、可橈性ベルト
状、平板状等任意の形態をとることができる。 【００２１】本発明の表面保護層は、非晶質炭化水素よ
り形成され、その光吸収係数α４５０ｎｍ は４００〜
５０００ｃｍ−１、好ましくは１０００〜４０００ｃｍ
−１である。α４５０ｎｍ が５０００ｃｍ−１より大
きくなると、感光体の静電特性が不安定（初期表面電位
の低下）となり、４００ｃｍ−１より小さいと、非晶質
炭化水素膜が低硬度となって耐久性が乏しくなる。 【００２２】表面保護層の膜厚は、０．０１〜５μｍ、
好ましくは０．０４〜１μｍ、より好ましくは０．０８
〜０．５μｍである。０．０１μｍより薄いと、膜強度
が低下し、傷、膜削れ等の問題が発生する。５μｍより
厚いと、透光性低下による感度の低下、残留電位の上昇
、成膜性の悪化、膜接着性の悪化等の問題が生じる。 【００２３】本発明において、表面保護層が可視光の透
過率が８０％以上であることが望ましい。 【００２４】すなわち、Ｉ＝Ｉ０ ｅｘｐ （−αｄ）
より、ＩがＩ０ の８０％以上となるためには、αｄ≦
０．２２３である必要があり、一般に複写機用感光体で
用いられる波長（４５０〜７８０ｎｍ）に対して、非晶
質炭化水素膜は４５０ｎｍにおける吸収が最も高いこと
から、表面保護層の光吸収係数と膜厚が下記式［数２］
を満足することが好ましい。 【００２５】 【数２】α４５０ ×ｄ≦２２３０ ［α４５０ は４５０ｎｍにおける吸収係数（ｃｍ−１
）、ｄは表面保護層の膜厚（μｍ）である。］。 【００２６】非晶質炭化水素膜中に含有される水素原子
の量は特に制限はないが、表面保護層の構造およびグロ
ー放電という製造面から必然的に制約され、その量は概
ね５〜６０ａｔｏｍｉｃ％となる。 【００２７】非晶質炭化水素膜中に含有される炭素原子
、水素原子の量は、有機元素分析、オージェ分析、ＳＩ
ＭＳ分析等の手段により知ることができる。 【００２８】本発明の表面保護層は気相状態の少なくと
も炭素原子および水素原子を含む分子を減圧下で放電し
、発生したプラズマ雰囲気中に含まれる活性中性種ある
いは荷電種を基板上に拡散、電気力あるいは磁気力等に
より誘導し、基板上での再結合反応により固相として堆
積させる、いわゆるプラズマ反応（以下Ｐ−ＣＶＤ反応
またはプラズマＣＶＤ法と称す）することにより非晶質
炭化水素膜として形成することができる。 【００２９】上記各分子は常温常圧において必ずしも気
相である必要はなく、加熱あるいは減圧等により溶融、
蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも
固相でも使用可能である。 【００３０】少なくとも炭素原子および水素原子を含め
分子としては炭化水素、例えば飽和炭化水素、不飽和炭
化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等を用いるこ
とができる。 【００３１】非晶質炭化水素膜の吸収係数は成膜時の条
件、例えば、圧力、放電周波数、電力、原料ガス種、ガ
ス流量等により制御することができる。 【００３２】非晶質炭化水素膜の形成時、その原料ガス
を高いエネルギーで分解すると、生成された非晶質炭化
水素膜中に未結合手（ダングリングボンド）が多くでき
るため吸収係数が大きくなってしまう。 【００３３】非晶質炭化水素膜の吸収係数を小さくする
ためには、原料ガス１分子当りに供給される分解エネル
ギーを低くし、膜生成のみに必要なエネルギーを供給す
ることによって、余計な未結合手を生成しないようにす
る。ただし、エネルギーが低すぎると、非晶質炭化水素
膜生成に必要な分子間の結合が不十分となり、膜の硬度
低下および耐摩耗性の低下を招くので注意が必要である
。 【００３４】従って、非晶質炭化水素膜の吸収係数を小
さくするには、ガス流量を大きくする、原料ガスに炭素
数の多い炭化水素を用いる、放電周波数を大きくする、
基板温度を低くする、放電時間を短くする等の手法によ
って適宜制御することができる。これらの制御手法は、
単独で行なってもよいし併用してもよく、非晶質炭化水
素のα４５０ｎｍ が４００〜５０００ｃｍ−１になる
ように製造すれば良い。 【００３５】特に、本発明においては、下記式［数１］
を満足する条件で非晶質炭化水素を製造することにより
α４５０ｎｍ が４００〜５０００ｃｍ−１である非晶
質炭化水素膜を良好に製造することができる。 【００３６】 【数１】 ０．００５≦供給電力／（原料ガス導入量×圧
力）≦０．１５［供給電力（Ｗ）、原料ガス導入量（ｓ
ｃｃｍ）、圧力（Ｔｏｒｒ）］。 【００３７】式［数１］において、供給電力／（原料ガ
ス導入量×圧力）の値（以下この値をＡ値と略称する。 ）が０．００５より小さいと製造された非晶質炭化水素
膜の硬度が低くなり耐久性が乏しくなる。０．１５より
大きいと非晶質炭化水素膜の吸収係数が大きくなりやす
い。 【００３８】 【作用】本発明においては、有機系感光層に２５００ｐ
ｐｍ以上の溶剤を含有させ、有機系感光層の細孔を溶剤
でふさぐことにより、活性ガスによる電荷輸送材料また
は電荷発生材料の劣化を防止したので、接着性の低下お
よび残留電位上昇の問題がなく、更に、前記有機系感光
層上に、波長４５０ｎｍにおける光吸収係数が４００〜
５０００ｃｍ−１の非晶質炭化水素よりなる表面保護層
を形成することにより、感光体の初期表面電位低下のな
い有機系感光体が得られる。 【００３９】 【実施例】（１）感光層の作製 ■ 有機系感光層ａの作製 ジスアゾ顔料クロロジアンブル−（ＣＤＢ）１重量部、
ポリエステル樹脂（東洋紡績株式会社製Ｖ−２００）１
重量部、及びシクロヘキサノン１００重量部の混合液を
サンドグラインダーにて１３時間分散した。この分散液
を直径８０ｍｍ×長さ３３０ｍｍの円筒状アルミニウム
基板上にディッピングにて塗布し、乾燥して膜厚０．３
μｍの電荷発生層を形成した。 【００４０】別に、４−ジエチルアミノベンズアルデヒ
ド−ジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）１重量部、及びポ
リカーボネート（帝人化成社製Ｋ−１３００）１重量部
をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）６重量部に溶解し、こ
の溶液を前記電荷発生層上に塗布、乾燥（１００℃、４
５分間）し、乾燥後膜厚１５μｍの電荷輸送層を形成し
、有機系感光層ａを得た。 【００４１】有機系感光層ａの溶剤含有量は、１５２０
ｐｐｍ であった。 【００４２】感光層中の溶剤含有量は、残留する溶剤を
抽出しガスクロマトグラフィーを用いることによって定
量することができる。具体的には、感光体を一定量正確
に秤量し、これをアセトン、メチルエチルケトン、テト
ラヒドロフラン、エタノール等の溶剤に浸漬させ、超音
波等を用いて残留する溶剤を抽出する。そして、これに
内部標準物質としてベンゼン、トルエン、キシレン、ヘ
キサン等を加え、ガスクロマトグラフィーを用いて内部
標準法によって定量する。 【００４３】■ 有機系感光層ｂの作製特殊α型銅フ
タロシアニン（東洋インキ株式会社製）２５重量部、ア
クリルメラミン熱硬化型樹脂（大日本インキ株式会社製
Ａ−４０５とスーパーベッカミンＪ８２０の混合物）５
０重量部、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−ジフ
ェニルヒドラゾン２５重量部及び有機溶剤（キシレン７
重量部とブタノール３重量部の混合物）５００重量部の
混合液をボールミルで１０時間粉砕分散した。この分散
液を直径８０ｍｍ×長さ３３０ｍｍの円筒状アルミニウ
ム基板上にディッピングにて塗布し、乾燥（常温）焼き
付け（１５０℃で１時間）を行い、膜厚１５μｍの有機
系感光層ｂを得た。 【００４４】溶剤含有量は、１１４０ｐｐｍ であった
。 【００４５】■ 有機系感光層ｃの作製下記式［化１
］に示されるジスアゾ化合物２重量部、ポリエステル樹
脂（東洋紡績株式会社製Ｖ−５００）１重量部、及びメ
チルエチルケトン１００重量部をボールミルにて、２４
時間混合分散した。この分散液を直径８０ｍｍ×長さ３
３０ｍｍの円筒状アルミニウム基板上にディッピングに
て塗布し、乾燥して膜厚３０００オングストロームの電
荷発生層を得た。 【００４６】 【化１】 【００４７】次いで、この電荷発生層の上に、下記式［
化２］に示されるヒドラゾン化合物１０重量部、及びポ
リカーボネート樹脂（帝人化成社製Ｋ−１３００）１０
重量部をテトラヒドロフラン８０重量部中に溶解した液
を塗布し、乾燥（８０℃１時間）して膜厚２０μｍの電
荷輸送層を形成し、有機系感光層ｃを得た。 【００４８】 【化２】 【００４９】溶剤含有量は、１９００ｐｐｍ であった
。 【００５０】■ 有機系感光層ｄの作製下記式［化３
］に示されるジスアゾ化合物２重量部、ポリエステル樹
脂（東洋紡績株式会社製Ｖ−５００）１重量部、及びメ
チルエチルケトン１００重量部をボールミルにて、２４
時間混合分散した。この分散液を直径８０ｍｍ×長さ３
３０ｍｍの円筒状アルミニウム基板上にディッピングに
て塗布し、乾燥して膜厚２５００オングストロームの電
荷発生層を得た。 【００５１】 【化３】 【００５２】次いで、下記式［化４］に示されるスチリ
ル化合物１０重量部、及びポリアリレート樹脂（ユニチ
カ社製Ｕ−４０００）１０重量部をテトラヒドロフラン
８５重量部中に溶解した。得られた塗布液を前記電荷輸
送層の上に塗布し、乾燥（８０℃３０分間）して膜厚が
２０μｍの電荷輸送層を形成し、有機系感光層ｄを得た
。 【００５３】 【化４】 【００５４】溶剤含有量は、２１２０ｐｐｍ であった
。 【００５５】■ 有機系感光層ｅの作製下記式［化５
］に示すジスアゾ化合物２重量部、ポリエステル樹脂（
東洋紡績株式会社製Ｖ−５００）１重量部、及びメチル
エチルケトン１００重量部をボールミルにて、２４時間
混合分散した。この分散液を直径８０ｍｍ×長さ３３０
ｍｍの円筒状アルミニウム基板上にディッピングにて塗
布し、乾燥して膜厚３０００オングストロームの電荷発
生層を得た。 【００５６】 【化５】 【００５７】次いで、下記式［化６］に示すスチリル化
合物１０重量部、及びメチルメタクリレート樹脂（三菱
レーヨン株式会社製ＢＲ−８５）１０重量部をテトラヒ
ドロフラン８０重量部に溶解した。得られた液を前記電
荷輸送層の上に塗布後乾燥（７０℃３０分間）して膜厚
が２０μｍの電荷輸送層を形成し、有機系感光層ｅを得
た。 【００５８】 【化６】 【００５９】溶剤含有量は、２３８０ｐｐｍ であった
。 【００６０】■ 有機系感光層ｆの作製チタニルフタ
ロシアニン（ＴｉＯＰｃ）を抵抗加熱法を用いてボート
温度４００〜５００℃、真空度１０−４〜１０−６Ｔｏ
ｒｒのもとで真空蒸着し、厚さ２５００オングストロー
ムのＴｉＯＰｃ蒸着膜を、電荷発生層として形成した。 【００６１】次いで、下記式［化７］に示すｐ，ｐ−ビ
スジエチルアミノテトラフェニルブタジエン１重量部、
及びポリカーボネート（帝人化成社製Ｋ−１３００）１
重量部をＴＨＦ６重量部に溶解し、この溶液を前記電荷
発生層の上に塗布し乾燥（１００℃３０分間）して膜厚
１５μｍの電荷輸送層を形成し、有機系感光層ｆを得た
。 【００６２】 【化７】 【００６３】溶剤含有量は、１６７０ｐｐｍ であった
。なお、これらの感光層のうち、感光層ｂは（＋）帯電
用、他は（−）帯電用である。また、感光層ｆは長波長
露光用、他は通常露光用である。 【００６４】（２）表面保護層の作成 実施例１ 溶剤含有量が１５２０ｐｐｍ である有機系感光層ａを
、フロンＲ１１３に１分間浸漬し表面を洗浄後、常温乾
燥したものを、特開昭６３−９７９６２号公報に示され
る装置の真空槽内にセットした。 【００６５】洗浄後の有機系感光層中に含有される残留
溶剤量はプラズマ反応開始直前状態で４２００ｐｐｍ
であった。 【００６６】次いで、水素ガス６００ｓｃｃｍ、ブタジ
エンガス６００ｓｃｃｍを真空槽内に導入し、圧力を２
Ｔｏｒｒに設定した。 【００６７】圧力が一定になったところで、周波数８０
ＫＨｚの電源を用いて５０Ｗの電力を投入した。 【００６８】前述のＡ値は０．０２０８であり、また、
感光層の温度は５０℃とした。 【００６９】２３０秒間成膜を行ない、膜厚０．１μｍ
の非晶質炭化水素膜を表面保護層として有する感光体を
得た。 【００７０】α４５０ｎｍ は２０００［１／ｃｍ］、
ｄ・α４５０ｎｍ の値は２００であった。 【００７１】この感光体について残留電位評価および表
面電位評価を行った。 【００７２】また、膜硬度は９Ｈであった。結果を表１
および表２に示した。 【００７３】なお、α４５０ｎｍ の測定は以下の方法
で行った。 【００７４】透明なガラス基板（例えばコーニング社製
＃７０５９）上に、非晶質炭化水素膜を載置し、可視紫
外光度計（例えば、日本分光工業株式会社製 ＵＶＩ
ＤＥＣ−６１０型）で可視光透過スペクトルを測定する
。 【００７５】図１は、その典型的なスペクトルを示した
ものであるが、ａ，ｂは４５０ｎｍ光に対する透過率が
高く、即ち、α４５０ｎｍ （４５０ｎｍ光に対する吸
収係数）が低い非晶質炭化水素膜の例であり、ｃはα４
５０ｎｍ が高い非晶質炭化水素膜の例である。 【００７６】ガラス基板には一部マスキングを施し、着
膜しない部分を設け、着膜部との段差を表面粗さ計（例
えば、東京精密社製 サーフコム５５０Ａ）で測定し
、膜厚を求める。 【００７７】次式［数３］を用いてαを求める。 【００７８】 【数３】 αλ＝−（１／Ｄ）・ｌｏｇｅ （Ｉλ／Ｉ０ λ）（
式中αλは波長λにおける吸収係数、Ｄは膜厚、Ｉλ／
Ｉ０ λは波長λにおける透過率を示す。）αとして４
５０ｎｍ光における値を選択したのは、次の理由による
。 【００７９】通常の感光体は、比視感度域（４５０〜６
５０ｎｍ）或いはＬＥＤ、半導体レーザー感度域（６８
０、７８０ｎｍ）で用いられ、従って、非晶質炭化水素
膜は、少なくとも、その範囲の波長の光を透過する必要
がある。逆にこれら以外の波長での透過特性は、求めた
ところで意味がない。 【００８０】そこで有用な波長域で最もαの変化を測定
しやすい４５０ｎｍを選んだ。 【００８１】残留電位の測定には図２の如き試験機を用
いた。 【００８２】帯電器４によりＣＨＧ出力を調整し、第１
表面電位計２でのモニター値を常に−５００±２０Ｖに
保った。但し、感光層ｂについては、＋５００±２０Ｖ
に保った。 【００８３】除電ランプ５にはハロゲンランプを用い、
色温度２８００°Ｋで点灯し、フィルター６を用い、３
０［ｌｕｘ ｓｅｃ ］の光量が感光体に照射されるよ
うにした。但し、感光層ｆについては、色温度２２００
°Ｋとした。 【００８４】感光体１の形状はφ８０×ｌ３３０ｍｍで
あり、周速１３ｃｍ／ｓｅｃ で回転させた。 【００８５】そして、第２表面電位計３でのモニター値
により、残留電位を観測した。 【００８６】残留電位の評価は下記の通りである。 【００８７】感光体１回転目の残留電位（Ｖｒ）に対し
５０００回転目の残留電位（Ｖｒ´）がどの程度上昇し
たかで、○△×を付けた。 【００８８】 ｜Ｖｒ′−Ｖｒ｜≦５０
○５０＜｜Ｖｒ′−Ｖｒ｜≦１００
△１００＜｜Ｖｒ′−Ｖｒ｜
×表面電位低下の測定には図３の如
き試験機を用いた。まず、オーバーコート層のない感光
体に対して、帯電器１４を調整し、表面電位計１２での
モニター値を常に−５００±２０Ｖに保った。但し、感
光層ｂについては、＋５００±２０Ｖに保った。 【００８９】除電ランプ１５にはハロゲンランプを用い
、色温度２８００°Ｋで点灯し、フィルター１６を用い
、３０［ｌｕｘ ｓｅｃ ］の光量が感光体に照射され
るようにした。但し、感光層ｆについては、色温度２２
００°Ｋとした。 【００９０】感光体１１の形状は直径８０×長さ３３０
ｍｍであり、周速１３ｃｍ／ｓｅｃ で回転させた。 【００９１】電流計１３でモニター値を記録しておき、
次にオーバーコート層を形成した感光体を前記の値にな
るように帯電器１４の出力を調整した。すなわち、前記
オーバーコート層のない感光体と同量の電荷がのるよう
にするためである。 【００９２】表面電位低下の評価は下記のとおりである
。 【００９３】オーバーコート前の表面電位（Ｖ０ ）に
対しオーバーコート後の表面電位（Ｖ０ ´）がどの程
度低下したかで、○△×を付けた。 【００９４】 ｜Ｖ０ ′−Ｖ０ ｜≦５０
○５０＜｜Ｖ０ ′−Ｖ０ ｜≦１００
△１００＜｜Ｖ０ ′−Ｖ０ ｜
×表面硬度の測定はα
４５０ｎｍ の測定の場合と同様に、ガラス基板上にａ
−Ｃ膜を設け（但し膜厚は１０００オングストロームと
する）、ＪＩＳ−Ｋ−５４００規格の鉛筆引っかき試験
を行なった。 【００９５】評価は下記のとおりである。 【００９６】 また、実施例２〜１６、比較例１〜６については、有機
系感光層および表面保護層の製造条件を表１および表２
に示す条件とする以外は実施例１と同様にして感光体を
作製した。 【００９７】また、それぞれの感光体について実施例１
と同じ評価を行ない結果を表１および表２に示した。 【００９８】尚、表１、表２において“ｅｘ”は実施例
、“ｃｅ”は比較例を意味するものである。 【００９９】 【表１】 ｅｘ 有機系 高溶剤 溶 剤
原 料 ガ ス 総流量 電力 圧
力ｃｅ 感光層 化処理 存在量
番号 （溶剤ｐｐ
ｍ） 法注１） （ｐｐｍ） ガスｓｃｃｍ
ガスｓｃｃｍ ［ｓｃｃｍ］ ［Ｗ］ Ｔｏ
ｒｒｃｅ１ ａ（１５２０） １分間 ４
２００ 水素１０００ 注２）ＢＤ８００
１８００ ４０ ５ｅｘ２ 〃
〃 〃 水素 ８００
注２）ＢＤ８００ １６００ ４０
５ｅｘ３ 〃 〃
〃 水素 ８００ 注２）ＢＤ６００
１４００ ５０ ４ｅｘ４ 〃
〃 〃 水素 ６０
０ 注２）ＢＤ６００ １２００ ５０
３ｅｘ１ 〃 〃
〃 水素 ６００ 注２）ＢＤ６００
１２００ ５０ ２ｅｘ５
〃 〃 〃 水素 ４
００ 注２）ＢＤ３００ ７００ ５０
２ｅｘ６ 〃 〃
〃 水素 ４００ 注２）ＢＤ１５０
５５０ ６０ １ｅｘ７
〃 〃 〃 水素
３５０ 注２）ＢＤ ５０ ４００ ６０
１ｃｅ２ 〃 〃
〃 水素 ３００ 注２）ＢＤ ５
０ ３５０ ７０ １ｃｅ３
ｂ（１１４０） 無処理 １１４０ 水素
３００ 注２）ＢＤ ５０ ３５０ ７
０ １ｃｅ４ ｅ（２３８０） ５分
間 １００００ ｃｅ１と同じｅｘ８
〃 〃 〃 ｅｘ２と
同じｅｘ９ 〃 〃
〃 ｅｘ４と同じｅｘ１０ 〃
〃 〃 ｅｘ６と同じｅｘ１
１ 〃 〃 〃
ｅｘ７と同じｃｅ５ 〃 〃
〃 ｃｅ２と同じ
ｅｘ１２ ｂ
（１１４０） ２０秒間 ３４００ 水素
８００ 注３） ３５０ １１５０ １２
０ １．２ｅｘ１３ ｃ（１９００） ３
分間 ６２００ 水素 ８００ 注４）
４００ １２００ １００ １．４ｅｘ１
４ ｄ（２１２０） ４分間 ７１００
水素 ８００ 注５） ６００ １４００
５０ １．６ｅｘ１５ ｅ（２３８０）
５分間 １００００ 水素 ９００ 注６
） ４００ １３００ ４０ １．８
ｅｘ１６ ｆ（１６７０） ２分間 ５１０
０ Ｈｅ ７００ 注２）ＢＤ３００ １００
０ ３０ ２ｃｅ６ ａ（１５２０
） 無処理 １５２０ 水素 ３００
注２）ＢＤ ５０ ３５０ ７０ ０
．８ 注１）はフロンＲ１１３（ＣＦＣｌ ２ ） ２
に浸漬後常温乾燥、注２）ＢＤはブタジエン、注３）は
エチレン、注４）はプロパン、注５）はアセチレン、注
６）はプロピレン。 【０１００】 【表２】 ｅｘ Ａ 値 Ｆｒｅｑ． Ｔｓ 成
膜 膜厚 係数 ｄ× 残留電 Ｖｏ
硬度ｃｅ
時間 ｄ α４５０ α４５０
位上昇 低下番号 ［Ｈｚ］
（℃） ［ｓｅｃ］ ［ｕｍ］ ［／ｃｍ］
評 価 評価 評価ｃｅ１ ０
．００４４ ８０Ｋ ５０ １８０
０．１ ３５０ ３５ ○
○ ×ｅｘ２ ０．００５
８０Ｋ ５０ １９０ ０．１
４００ ４０ ○ ○
△ｅｘ３ ０．００８９ ８０Ｋ ５
０ ２００ ０．１ ６００
６０ ○ ○ △ｅｘ４
０．０１３９ ８０Ｋ ５０ ２１０
０．１ １０００ １００ ○
○ ○ｅｘ１ ０．０２０８
８０Ｋ ５０ ２３０ ０．１
２０００ ２００ ○ ○
○ｅｘ５ ０．０３５７ ８０Ｋ
５０ ２４０ ０．１ ３０００
３００ ○ ○ ○ｅｘ６
０．１０９１ ８０Ｋ ５０ ２６０
０．１ ４０００ ４００ ○
○ ○ｅｘ７ ０．１５
８０Ｋ ５０ ２８０ ０．１
５０００ ５００ ○ △
○ｃｅ２ ０．２ ８０Ｋ
５０ ３００ ０．１ ６０００
６００ ○ × ○ｃｅ３
０．２ ８０Ｋ ５０ ３０
０ ０．１ ６０００ ６００
× ○ ○ｃｅ４ ｃｅ１と同じ
○ ○ ×ｅ
ｘ８ ｅｘ２と同じ
○
○ △ｅｘ９ ｅｘ４と同じ
○ ○ ○ｅｘ１０
ｅｘ６と同じ
○
○ ○ｅｘ１１ ｅｘ７と同じ
○ △ ○ｃｅ５ ｃ
ｅ２と同じ
○ ×
○ｅｘ１２ ０．０８７ ５０Ｋ
３０ １８００ ０．７５ ２９００
２１７５ ○ ○ ○ｅｘ１３
０．０５９５ ８０Ｋ ３０ １１５
０ ０．７５ ２２００ １１００
○ ○ ○ｅｘ１４ ０．０２２３
２００Ｋ ５０ ２２０ ０．１
２２００ ２２０ ○ ○
○ｅｘ１５ ０．０１７１ ＊
５０ ４２０ ０．２ １３００
２６０ ○ ○ ○ｅｘ１６
０．０１５ ８０Ｋ ３０ ２０
０ ０．１ １１００ １１０
○ ○ ○ｃｅ６ ０．２５
８０Ｋ ５０ ３２０ ０．１
１００００ １０００ × ○
○（備考：＊は１３．５６Ｍ） 【０１０１】 【発明の効果】本発明は、有機系感光層上に非晶質炭化
水素よりなる表面保護層を設けた感光体において、有機
系感光層と非晶質炭化水素膜との接着性が良好で、繰り
返し使用時の残留電位の上昇がなく、また、初期表面電
位の低下のない優れた静電特性を有する有機系感光体な
らびにその製造方法を提供できる。
【図１】非晶質炭化水素膜の可視光透過スペクトルを示
すチャートである。
すチャートである。
【図２】残留電位測定試験機の略図である。
【図３】表面電位の低下を測定する試験機の略図である
。
。
１…感光体、２…第１表面電位計、３…第２表面電位計
、４…帯電器、５…除電ランプ、６…フィルター、１１
…感光体、１２…表面電位計、１３…電流計、１４…帯
電器、１５…除電ランプ、１６…フィルター。
、４…帯電器、５…除電ランプ、６…フィルター、１１
…感光体、１２…表面電位計、１３…電流計、１４…帯
電器、１５…除電ランプ、１６…フィルター。
Claims (2)
- 【請求項１】 導電性基板上に、２５００ｐｐｍ以上
の溶剤を含有する有機系感光層が形成され、前記有機系
感光層上に、波長４５０ｎｍにおける光吸収係数が４０
０〜５０００ｃｍ−１の非晶質炭化水素よりなる表面保
護層が形成されてなる有機系感光体。 - 【請求項２】 導電性基板上に、２５００ｐｐｍ以上
の溶剤を含有する有機系感光層を形成する工程、および
この有機系感光層上に設けられ、プラズマＣＶＤ法を用
いて下記式［数１］を満足する条件下で非晶質炭化水素
よりなる表面保護層を形成する工程からなることを特徴
とする有機系感光体の製造方法。 【数１】 ０．００５≦供給電力／（原料ガス導入量×圧
力）≦０．１５［供給電力（Ｗ）、原料ガス導入量（ｓ
ｃｃｍ）、圧力（Ｔｏｒｒ）］
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-30207 | 1990-02-09 | ||
| JP3020790 | 1990-02-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04211267A true JPH04211267A (ja) | 1992-08-03 |
Family
ID=12297291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3032223A Pending JPH04211267A (ja) | 1990-02-09 | 1991-01-31 | 有機系感光体およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5198317A (ja) |
| JP (1) | JPH04211267A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007147986A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Ricoh Co Ltd | 感光体、画像形成方法、画像形成装置及びプロセスカートリッジ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165676A (en) * | 1997-04-22 | 2000-12-26 | Konica Corporation | Light sensitive composition, image forming material and image forming material manufacturing method |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4755444A (en) * | 1985-12-25 | 1988-07-05 | Fiji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor |
| EP0238095A1 (en) * | 1986-03-20 | 1987-09-23 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member composed of charge transporting layer and charge generating layer |
| DE3751651T2 (de) * | 1986-10-14 | 1996-10-17 | Minolta Camera Kk | Elektrophotographisches lichtempfindliches Element, das einen Überzug enthält |
| US4886724A (en) * | 1987-03-09 | 1989-12-12 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an overcoat layer and process for manufacturing the same |
-
1991
- 1991-01-31 JP JP3032223A patent/JPH04211267A/ja active Pending
- 1991-02-08 US US07/652,646 patent/US5198317A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007147986A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Ricoh Co Ltd | 感光体、画像形成方法、画像形成装置及びプロセスカートリッジ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5198317A (en) | 1993-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07244394A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH021303B2 (ja) | ||
| JPS59223444A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS59223439A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH021305B2 (ja) | ||
| JPS649623B2 (ja) | ||
| JPH04211267A (ja) | 有機系感光体およびその製造方法 | |
| JPH04211268A (ja) | 有機系感光体およびその製造方法 | |
| JPS6373259A (ja) | 感光体 | |
| US5330873A (en) | Production method of photosensitive member by eliminating outermost surface portion of photosensitive layer | |
| JPS61275852A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH0782241B2 (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
| JP3254206B2 (ja) | 炭素膜の形成方法 | |
| JPH0683091A (ja) | 電子写真感光体及びその製造法 | |
| JP3074727B2 (ja) | 有機系感光体 | |
| JPH021302B2 (ja) | ||
| JP2979070B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS62273568A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JP2004133399A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP3057196B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS62273547A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS5828752A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH07325422A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH026961A (ja) | 感光体 | |
| JP2003107765A (ja) | 電子写真感光体及び電子写真感光体の作製方法 |