JPH0421354B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0421354B2 JPH0421354B2 JP59212698A JP21269884A JPH0421354B2 JP H0421354 B2 JPH0421354 B2 JP H0421354B2 JP 59212698 A JP59212698 A JP 59212698A JP 21269884 A JP21269884 A JP 21269884A JP H0421354 B2 JPH0421354 B2 JP H0421354B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- light
- chips
- diode chips
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F13/00—Illuminated signs; Luminous advertising
- G09F13/20—Illuminated signs; Luminous advertising with luminescent surfaces or parts
- G09F13/22—Illuminated signs; Luminous advertising with luminescent surfaces or parts electroluminescent
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
- H10H20/853—Encapsulations characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Adornments (AREA)
- Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は発光ダイオードチツプを用いた全周囲
発光体に関する。
発光体に関する。
(従来の技術)
発光ダイオードチツプを用いた発光体として、
不透光性基板又は基台の一面に該チツプを配設し
たものが知られている。
不透光性基板又は基台の一面に該チツプを配設し
たものが知られている。
(発明が解決しようとする問題点)
従来の前記発光体は全周囲に配光することがで
きない不都合があつた。
きない不都合があつた。
本発明はかかる不都合を簡単な構成で解消する
ことをその目的としたものである。
ことをその目的としたものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、絶縁基板の両面にそれぞれ発光ダイ
オードチツプを配設したことを特徴とする。
オードチツプを配設したことを特徴とする。
(実施例)
第1図〜第3図は本発明の一実施例を示す。図
面において、1はセラミツクまたはガラス繊維入
りエポキシ樹脂等で作製された絶縁基板で、該基
板1の中心部及び端部にそれぞれ明けられた孔2
1,22に嵌入され、該基板1の面から突出した部
分をかしめる等の手段で固着された銅又はアルミ
ニウム等の良導電性の金属線又は鋲31,32(以
下単に鋲31,32という。)を有する。
面において、1はセラミツクまたはガラス繊維入
りエポキシ樹脂等で作製された絶縁基板で、該基
板1の中心部及び端部にそれぞれ明けられた孔2
1,22に嵌入され、該基板1の面から突出した部
分をかしめる等の手段で固着された銅又はアルミ
ニウム等の良導電性の金属線又は鋲31,32(以
下単に鋲31,32という。)を有する。
この鋲31,32のかしめられた両端部は、互に
平行な平坦面に形成されると共に銀メツキが施さ
れており、鋲31の両端部の平坦面にそれぞれ発
光ダイオードチツプ41,42が導電性接着剤によ
り固着させている。
平行な平坦面に形成されると共に銀メツキが施さ
れており、鋲31の両端部の平坦面にそれぞれ発
光ダイオードチツプ41,42が導電性接着剤によ
り固着させている。
51,52は発光ダイオードチツプ41,42に電
圧を供給するためのリード線で、その1つ51は
鋲32の一端に、他の1つ52は鋲31の一端にそ
れぞれ半田付け、かしめ等の手段で固着されてい
る。このリード線51と、発光ダイオードチツプ
41,42とは金、アルミニウム等の延展性に富ん
だ金属の微細な導電線61,62をそれぞれに超音
波圧接等の手段で圧着することにより接続されて
いる。
圧を供給するためのリード線で、その1つ51は
鋲32の一端に、他の1つ52は鋲31の一端にそ
れぞれ半田付け、かしめ等の手段で固着されてい
る。このリード線51と、発光ダイオードチツプ
41,42とは金、アルミニウム等の延展性に富ん
だ金属の微細な導電線61,62をそれぞれに超音
波圧接等の手段で圧着することにより接続されて
いる。
7は発光ダイオードチツプ41,42、導電線6
1,62、鋲31,32及びリード線51,52の一部
を被覆し、これ等を保護する透光性樹脂で、加熱
等の手段により基板1に固着されている。
1,62、鋲31,32及びリード線51,52の一部
を被覆し、これ等を保護する透光性樹脂で、加熱
等の手段により基板1に固着されている。
このような構成によれば、リード線51,52に
直流電圧を印加すると、発光ダイオードチツプ4
1,42は発光し、リード線51,52で遮光させる
以外は全周囲に配光される。
直流電圧を印加すると、発光ダイオードチツプ4
1,42は発光し、リード線51,52で遮光させる
以外は全周囲に配光される。
尚、この実施例の外に、プリント基板に電極を
形成し、これにチツプをボンデイングしてもよ
く、また基板の両側のチツプを直列接続したり、
基板の各面に配設するチツプの数を複数個にして
もよい。
形成し、これにチツプをボンデイングしてもよ
く、また基板の両側のチツプを直列接続したり、
基板の各面に配設するチツプの数を複数個にして
もよい。
第4図はイヤリングに適用された本発明の他の
実施例である。
実施例である。
絶縁基板1の両面に配設された発光ダイオード
チツプ41,42及び導電線61,62を保護する透
光性樹脂7がイヤリング形状に形成されている。
チツプ41,42及び導電線61,62を保護する透
光性樹脂7がイヤリング形状に形成されている。
同図において、81,82は、外部から電圧が加
えられるピンで、このピン81,82は通常のピン
ソケツトを介して微細絶縁電線に接続され、耳た
ぶに止める美装ケースに入れた電池からピンに電
線を介して電圧が加えられるようにする。
えられるピンで、このピン81,82は通常のピン
ソケツトを介して微細絶縁電線に接続され、耳た
ぶに止める美装ケースに入れた電池からピンに電
線を介して電圧が加えられるようにする。
この発光体の両面のチツプとして、赤、緑等異
なる色を発光するチツプを使用すれば高度のアク
セサリー効果が得られる。
なる色を発光するチツプを使用すれば高度のアク
セサリー効果が得られる。
(発明の効果)
本発明は、絶縁基板の両面にそれぞれ発光ダイ
オードチツプを配設したので、発光体を全周囲に
配光させることができ、その構成が非常に簡単で
ある等の効果を有する。
オードチツプを配設したので、発光体を全周囲に
配光させることができ、その構成が非常に簡単で
ある等の効果を有する。
第1図は本発明の一実施例の正面図、第2図は
その裏面図、第3図は第1図のA−A線截断面
図、第4図はイヤリングに適用された本発明の他
の実施例の正面図を示す。 1…絶縁基板、21,22…孔、31,32…金属
線又は鋲、41,42…発光ダイオードチツプ、5
1,52…リード線、61,62…導電線、7…透光
性樹脂、81,82…ピン。
その裏面図、第3図は第1図のA−A線截断面
図、第4図はイヤリングに適用された本発明の他
の実施例の正面図を示す。 1…絶縁基板、21,22…孔、31,32…金属
線又は鋲、41,42…発光ダイオードチツプ、5
1,52…リード線、61,62…導電線、7…透光
性樹脂、81,82…ピン。
Claims (1)
- 1 絶縁基板の両面にそれぞれ発光ダイオードチ
ツプを配設したことを特徴とする発光ダイオード
チツプを用いた全周囲発光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59212698A JPS6191976A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 発光ダイオ−ドチップを用いた全周囲発光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59212698A JPS6191976A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 発光ダイオ−ドチップを用いた全周囲発光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6191976A JPS6191976A (ja) | 1986-05-10 |
| JPH0421354B2 true JPH0421354B2 (ja) | 1992-04-09 |
Family
ID=16626942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59212698A Granted JPS6191976A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 発光ダイオ−ドチップを用いた全周囲発光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6191976A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6419990U (ja) * | 1987-07-23 | 1989-01-31 | ||
| JPS6419991U (ja) * | 1987-07-23 | 1989-01-31 | ||
| JPS6419989U (ja) * | 1987-07-23 | 1989-01-31 | ||
| JPS6423090U (ja) * | 1987-07-29 | 1989-02-07 | ||
| WO2002090825A1 (en) * | 2001-04-23 | 2002-11-14 | Lab. Sphere Corporation | Lighting device using light-emitting diode |
| DE10159544A1 (de) * | 2001-12-05 | 2003-06-26 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiter-Bauelementes und damit hergestelltes Bauelement |
-
1984
- 1984-10-12 JP JP59212698A patent/JPS6191976A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6191976A (ja) | 1986-05-10 |
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