JPH01163352U - - Google Patents

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JPH01163352U
JPH01163352U JP1988059123U JP5912388U JPH01163352U JP H01163352 U JPH01163352 U JP H01163352U JP 1988059123 U JP1988059123 U JP 1988059123U JP 5912388 U JP5912388 U JP 5912388U JP H01163352 U JPH01163352 U JP H01163352U
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JP
Japan
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emitting diode
chip
type light
light
insulating substrate
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Pending
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JP1988059123U
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例に係るチツプ型ＬＥ
Ｄを示す斜視図、第２図は第１図に示すチツプ型
ＬＥＤを実装用基板に実装した状態を示す斜視図
である。 １……絶縁基板、２，３……電極、４……スル
ーホール電極、５……ＬＥＤ素子、６……ワイヤ
ー、７……レンズ部、８……実装用基板、９……
半田。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 絶縁基板上に一対の電極を形成し、発光ダイオ
    ード素子を実装したチツプ型発光ダイオードにお
    いて、絶縁基板の四角にスルーホール電極を形成
    し、総厚を幅寸法と同等若しくはそれ以上に大き
    くし、実装用基板に対し平行に発光するように半
    田付けを可能にしたことを特徴とするチツプ型発
    光ダイオード。
JP1988059123U 1988-04-30 1988-04-30 Pending JPH01163352U (ja)

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