JPH04214089A

JPH04214089A - 物の製造方法及び製造装置

Info

Publication number: JPH04214089A
Application number: JP3063745A
Authority: JP
Inventors: Jim E Clemans; ジム　イー　クレンマンス; Theophilus I Ejim; テオフィラス　アイ．エジム; Maria J Yuen; マリア　ジェイ．ユエン
Original assignee: American Telephone and Telegraph Co Inc
Current assignee: AT&T Inc
Priority date: 1990-03-09
Filing date: 1991-03-06
Publication date: 1992-08-05
Also published as: KR910016974A; US5064497A; EP0446525A1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はルツボ内で目的物を製造
する方法に関する。更に詳細には、本発明は、モノクリ
スタルウエハを切り出すことのできる、ＩＩＩ−Ｖ族お
よびＩＩ−ＶＩ　族化合物半導体のインゴットの成長方
法とその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近の半導体技術の分野で最も発展した
ものの一つは、化合物半導体、特に、砒化ガリウムおよ
びリン化インジウムのような周期律表第ＩＩＩ族および
第Ｖ族元素からなるＩＩＩ−Ｖ族化合物の使用と重要性
が高まったことである。例えば、このような材料はレー
ザ、発光ダイオード、マイクロ波オシレータおよび光検
出器などの製造に使用されている。また、テルル化カド
ミニウムのようなＩＩ−ＶＩ　族化合物も有望であり、
これらの材料は光検出器やその他のデバイスの製造に使
用できるであろう。

【０００３】化合物半導体の大抵の商業的使用には、そ
の後に有用なデバイスを製造するためのウエハを切り出
すことのできる、大きな単結晶インゴットの成長が必要
である。このような結晶成長の極めて有望な方法の一つ
は垂直勾配凍結（Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ｇｒａｄｉｅｎｔ
　Ｆｒｅｅｚｅ，　ＶＧＦ）　法である。ＶＧＦ法は例
えば、米国特許第４４０４１７２号明細書およびＪｏｕ
ｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　，７
４巻、４９１〜５０６頁（１９８６年発行）のダブリュ
・エー・ガウルト（Ｗ．Ａ．Ｇａｕｌｔ）　らの“高品
質ＩＩＩ−Ｖ族結晶の成長に対するＶＧＦ法の新たな応
用法”と題する論文に詳細に説明されている。

【０００４】この方法によれば、原料の半導体材料を垂
直方向に延びるルツボ（例えば、熱分解窒化ホウ素のル
ツボ）内に配置する。このルツボは、その底端部に、モ
ノクリスタル種結晶が入込まれる微小結晶種縦穴（ｗｅ
ｌｌ）部分を含む。最初に、原料および種結晶の一部を
溶融する。酸化ホウ素のような包封剤を配合し、溶融体
内の揮発性蒸気の包含を助けることができる。次いで、
系の温度を、凍結が種結晶から上方に向かって垂直に進
むように低下させる。この場合、成長インゴットの結晶
構造は種結晶の結晶構造に対応する。

【０００５】半導体溶融体に比べて熱分解窒化ホウ素（
ＰＢＮ）ルツボの高熱伝導率は、結晶成長中にルツボ壁
によく似た凹状の固−液界面を形成することが知られて
いる。結晶（特に、リン化インジウム結晶）を〈１００
〉結晶方位に成長させようとする場合、ルツボ壁面にお
ける化学的相互作用および成長速度の安定性などのよう
なその他のパラメータと協動して、この形状（凹状の固
−液界面）は“双晶形成”と呼ばれる結晶転位欠陥を引
き起こす原因となるものと思われる。その後、インゴッ
トの軸に対して垂直にウエハを切り出し、デバイス加工
のための適正な結晶面を得ることができるので、〈１０
０〉結晶方位への成長は望ましい。

【０００６】双晶形成の問題を解決する共通の方法は、
半導体結晶が〈１１１〉結晶方向（更に特定的には、〈
１１１〉Ｂ　方向）に成長するように、ルツボ中の種結
晶を配向させることである。これにより、双晶形成の発
生が防止または抑制されることが認められた。しかし、
この処置が行われた場合、ウエハの上面がデバイス製造
に適した結晶面内に存在するようにするため、ウエハを
インゴットの中心軸に対して約３５．３°の角度で切り
出さなければならない。インゴットは円筒形状なので、
この角度で切り出されたスライスまたはウエハは楕円形
である。楕円形をした半導体ウエハを効率的に使用する
ことは困難であり、必然的に利用可能なウエハ領域にか
なりの無駄が伴う。

【０００７】別法として、石英ルツボを使用することに
より、この双晶形成の問題を克服しようとする試みが為
された。石英ルツボは、従来のＰＢＮルツボよりも遥か
に低い熱伝導率および異なる表面化学性を有する。しか
し、石英ルツボは新たな一連の問題を生起する。インゴ
ットの冷却中に、包封剤として使用されている材料の酸
化ホウ素の中間層のために、ガラスルツボとインゴット
との間で強力な接着が生じる。冷却によりルツボ、酸化
ホウ素およびインゴットにそれぞれ異なる熱収縮が発生
し、インゴットを破壊し、大抵の場合、インゴットを無
価値なものにしてしまう応力を発生する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従って、成長化合物半
導体インゴットにおける多数の欠陥を軽減する方法の開
発が以前から強く求められてきた。また、インゴットの
成長方向が〈１００〉結晶方向と一致する方法の開発も
強く求められてきた。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、化合物
半導体溶融体を含有するルツボの壁は、その反対面で、
溶融されたときにルツボと反応する材料と接触している
。反応材料は半導体化合物と共に溶融され、その後、半
導体溶融体と接触するルツボの壁面と反応する。結晶成
長方法の全体を通して、ルツボ壁面は反応材料と化合物
半導体材料を分離させておくのに十分な厚さであるが、
反応材料がその構造的結合度を著しく弱めるのに十分な
薄さである。その結果、冷却工程中に、化合物半導体材
料と壁との収縮率の相違により生じる熱応力はルツボ壁
の破壊により軽減される。

【００１０】本発明は、二重壁を有するガラスルツボを
用いて実施することが好ましい。このルツボの外壁は若
干量の塩化カルシウムのような無機塩を収容する。この
塩はガラスルツボの内壁を失透させ、そして、弱化させ
る。その結果、内壁は破壊することができ、内壁が破壊
されなければ結晶インゴットに加えられたであろう熱応
力を軽減することができる。部分的にではあるが、ガラ
スはその低熱伝導率と、酸化ホウ素との反応により変性
されるような表面化学性により、ＰＢＮルツボ中におけ
る〈１００〉結晶方位への成長特性の双晶形成問題を軽
減する。

【００１１】液状無機塩はルツボ内壁に沿って熱分布を
より対称的にし、また、結晶成長中に熱変動を低下させ
るので、液状無機塩も結晶成長にとって有用である。こ
れらの改良により、双晶形成、顕著な転位または応力破
壊を起こすことなく、リン化インジウムのような化合物
半導体結晶を〈１００〉結晶方位に成長させることがで
きる。その後、このインゴットは、その中心軸に対して
垂直にスライスし、円板状またはディスク状のウエハを
得ることができる。

【００１２】以下、図面を参照しながら本発明を更に詳
細に説明する。前記の米国特許第４４０４１７２号明細
書およびガウルトらの論文中に、ＶＧＦ法によりモノク
リスタル化合物半導体インゴットを首尾よく成長させる
のに従うべき一連の工程と使用すべき装置が詳細に記載
されている。簡潔化のためと、本発明による改良部分を
強調するために、前記特許明細書および論文の詳細な説
明は繰り返さない。言うまでもなく、本発明を実施する
好ましい方法はＶＧＦ法を使用することであるが、その
他の方法も使用できる。また、“モノクリスタル”およ
び“単結晶”のような用語はインゴットを説明するのに
使用されているが、殆どのインゴットは欠陥またはモノ
クリスタル性からの局部的離脱を含むので、首尾のよい
成長方法は、このような欠陥を抑制、制御または最小化
（必ずしも除去する必要はない）するような方法である
と理解すべきである。

【００１３】図１を参照する。ここには結晶成長装置１
０が図示されている。この装置は、若干量の成長させる
べき結晶の原料１２が部分的に充填されたルツボ１１を
有する。モノクリスタルリン化インジウムを成長させる
場合、原料は一般的に、リン化インジウムの多結晶片で
ある。成長させるべき材料の円筒状モノクリスタル種結
晶１３が、ルツボの下部の種縦穴部分に入込められてい
る。また、ルツボには、若干量の、比較的低密度の包封
剤（例えば、酸化ホウ素）１４も配設されている。

【００１４】ルツボは成長ベセル１５内に配置されてい
る。この成長ベセルはヒータエレメント１６により取り
囲まれている。このヒータエレメントはＶＧＦ法による
コントロールされた仕方で、原料を溶融したり、冷却し
たりすることができる。ルツボおよびヒータは気密圧力
容器１７内に収容されている。真空ポンプ１９によりこ
の圧力容器から空気を排気することができ、また、アル
ゴンガス源１８からアルゴンを気密圧力容器内に導入す
ることもできる。アルゴンは高圧で圧力容器内に導入さ
れ、成長ベセルのカバー２０は緩く装着されているだけ
なので、アルゴンガスは成長ベセル１５内に侵入するこ
とができる。

【００１５】常用のＶＧＦ法によれば、ＩＩＩ−Ｖ族の
結晶を成長させる場合、Ｖ族元素２２を成長ベセル１６
の底部に配置する。これをヒータ２３で別に加熱し、成
長ベセル内でＶ族元素を気化させ、ルツボの表面に過圧
を加え、溶融体からのＶ族元素の蒸発を遅らせる。例え
ば、リン化インジウムを成長させる場合、原料１２が溶
融された時、リン成分は気化しやすい。この場合、材料
２２は赤リンであり、この赤リンは別に気化され、リン
過圧を形成する。

【００１６】１９８９年２月２７日に出願された米国継
続出願第３１５６６７号明細書に開示されているように
、元素状リンは別法として、溶融体に直接添加すること
もできる。溶融酸化ホウ素はリン化インジウム溶融体の
頂部に浮遊し、気化リンおよびアルゴン圧力（一般的に
、２６〜５０気圧の圧力）と一緒に協力して、溶融体内
にリン元素を含有する。米国特許第４４０４１７２号明
細書に開示されているように、特別に設計された熱伝導
性要素はヒータ要素１６と協力して、ルツボ内で所定の
温度勾配を生じる。この温度勾配は、ヒータ出力が低下
されるにつれて、種結晶から上方の方向に漸進的な凍結
を起こさせる。成長結晶の結晶方位は種結晶１３の方位
により決定される。

【００１７】図２を参照する。ここには、ルツボの主要
部分に沿って、ルツボの中心軸に対して横方向に切断し
た断面図が示されている。図示されているように、ルツ
ボ１１は、内壁２４と外壁２５を有する二重壁構造であ
る。内壁と外壁はその間に、塩化カルシウムのような反
応材料２６を収容するための環状空間を画成する。反応
材料は、その溶融状態でルツボの内壁（例えば、ガラス
製の内壁）と反応することができる。

【００１８】また、本発明によれば、種結晶１３はその
〈１００〉方位がルツボと同軸であるように配列される
。この場合、表面２８は｛１００｝結晶面を構成する。このような状況下で、凍結工程中に、種結晶１３の表面
２８から成長された単結晶化合物半導体材料は〈１００
〉結晶方向に上方に垂直に成長する。その後、ウエハは
成長インゴットの中心軸に対して垂直に切り出し、以後
のデバイス製造に適した｛１００｝結晶面を有する円形
ウエハを得ることができる。

【００１９】簡潔化のために、使用される材料の様々な
状態を示す別の図面は作製しなかった。リン化インジウ
ムの場合、原料リン化インジウム多結晶の溶融温度は１
０６５℃であり、酸化ホウ素の融点は４５０℃である。また、塩化カルシウム２６の融点は７８２℃である。最
初に、原料１２（例えば、リン化インジウム）、酸化ホ
ウ素１３および反応材料２６（例えば、塩化カルシウム
）の全てを種結晶１３の上部部分と一緒に溶融させる。溶融した時点で、塩化カルシウム２６がガラスルツボ壁
と反応し、この壁（特に、ルツボ内壁２４）を弱化させ
る。

【００２０】塩化カルシウムはリン化インジウムも取り
囲み、雰囲気中の熱変動の大きさを減少させやすい。こ
の熱変動はルツボに伝達され、そして、ルツボの周囲で
発生するであろう熱不斉を一様にする。溶融リン化イン
ジウムが固化した後、温度が更に低下するにつれて、こ
の固化リン化インジウムは収縮し、そして、液状酸化ホ
ウ素はルツボと凍結ＩｎＰインゴットとの間のギャップ
中に流れ込む。酸化ホウ素が凍結すると、これはインゴ
ットをルツボ壁面に接着させる。

【００２１】更に温度が低下すると、熱収縮速度の相違
により、インゴットとルツボの間に応力が発生する。本
発明によらなければ、これらの応力は大抵、ＩｎＰイン
ゴットを破壊するであろう。しかし、本発明によれば、
この冷却工程の前に、液状塩化カルシウムはルツボ内壁
２４の外面と反応し、該内壁を失透させ、この壁を破壊
されやすくする。従って、収縮速度の相違による応力は
、インゴットの破壊ではなく、内壁２４の局部的破壊を
起こす。

【００２２】本発明を使用しなければ応力破壊により明
らかに破壊または損傷されているであろうリン化インジ
ウムのインゴットを首尾よく成長させることができた。ガラスルツボの内壁２４のその後の検査では、内壁２４
の外面の失透が確認された。この失透は液状塩化カルシ
ウムとガラス（二酸化ケイ素）の反応によるものであり
、この失透はガラス壁の表面から微小な深さにまでしか
達しない。それにも拘らず、この失透はガラス構造を著
しく弱化させ、それにより、応力が加わると、ガラスの
厚さ全体にわたって亀裂を発生させる。これらの亀裂は
結晶インゴットが固化した後にのみ発生するので、亀裂
は結晶成長工程を妨害しない。

【００２３】損傷が起これば、ルツボは再使用できなく
なるが、このようなルツボは二酸化ケイ素（ガラス）か
ら出来ているので、ルツボの多くは常用のガラス製造技
術により比較的安価に製造することができる。本発明に
よれば双晶形成が全くない。この双晶形成は、熱分解窒
化ホウ素ルツボ内で〈１００〉結晶方位にリン化インジ
ウムを成長させようと尽力した時に通常発生する欠陥で
ある。本発明における双晶形成の不存在は、熱分解窒化
ホウ素に比べてガラスの熱伝導率が低いこと、酸化ホウ
素で被覆された時のルツボ表面の化学性、および溶融塩
化カルシウムの熱緩衝作用による成長結晶表面における
熱変動の低下などのような多数のファクタによるもので
ある。

【００２４】内壁２４は反応材料２６を化合物半導体材
料１２から分離させておくのに十分な厚さを有するが、
反応材料が内壁２４を著しく弱化させるには十分な薄さ
を有するように作製されている。作製された、本発明を
例証するルツボの長さは２５．４ｃｍであり、種縦穴の
長さは２８ｍｍであった。内壁２４の厚さは１．５ｍｍ
であり、外壁２５の厚さは２．５ｍｍであった。内壁と
外壁の半径距離は６．５ｍｍであった。これらの寸法の
場合、内壁２４はリン化インジウム半導体材料と塩化カ
ルシウム反応材料との間の実用的な隔壁またはバリアと
して機能した。更に、内壁２４は失透後、ＩｎＰインゴ
ットよりも構造的に弱化するのに十分なほど薄かった。

【００２５】ルツボの外壁２５の目的は単に、内壁２４
の外面と接触して塩化カルシウムを包含しておくことだ
けである。所望ならば、このように塩化カルシウムを包
含するためのその他の方法も使用できる。二重壁は図１
において、種結晶１３に対して全体に離れて延びるよう
に図示されている。製造上の便宜のために、ルツボの主
要な円筒状部分にだけ延びる二重壁部分を首尾よく使用
した。図に示されているように種壁部分の全体距離につ
いて塩化カルシウムを包含することが好ましいが、ルツ
ボの主要な円筒状部分にだけ延びる二重壁部分でも有用
であることが確認された。前記のようなガラスルツボの
コントロール可能な失透を行うための塩化カルシウムの
代わりに、他の無機塩も使用できる。特に、塩化ナトリ
ウムおよび臭化ナトリウムのような様々なハロゲン化物
塩類は、溶融された時に、前記のように、ガラスと反応
できるものと思われる。

【００２６】ガラス、特に石英は安価であり、前記のよ
うな技術的利点をもたらすので、最も実用的なルツボ材
料であると思われる。しかし、原則として、回りの反応
材料と共に、この反応材料と反応することができるその
他のルツボ材料も使用可能である。本発明によれば、Ｖ
ＧＦ法以外の方法、例えば、公知の水平勾配凍結法、電
気動力学勾配凍結法（ＥＤＧＦ）、水平または垂直ブリ
ッジマン（Ｂｒｉｄｇｍａｎ）法、水平または垂直スト
ックバーガー（Ｓｔｏｃｋｂａｒｇｅｒ）　法、ゾーン
精製系法などのような方法においても、インゴットの応
力を軽減するのに使用できる。

【００２７】本発明は、ガラスの一方の表面上で生起し
、、ガラス壁の表面から極僅かな深さにだけ達する、化
学反応によりガラス壁面を著しく構造的に弱化させるこ
とができるという事実に基づくものである。この発見は
成形物の製造に使用できる。この場合、熱応力は成形物
よりもむしろモールドに損傷を起こすことが好ましい。すなわち、このモールドは、熱応力に答えて成形物より
もモールドを一層容易に破壊するようにモールドを弱化
させる材料で取り囲むことができる。

【００２８】本発明の方法は、モールドと目的物の接着
により応力が発生するか、または、冷却した時に、目的
物よりもモールドのほうの収縮が大きいために応力が発
生する場合に使用できる。また、本発明の方法は、熱収
縮による移動がモールドの形状により妨害される場合に
も適用される。室温で液状であることができるような、
様々な反応材料を使用できる。反応材料はインゴットと
共に軸方向に一緒に延びるものが好ましいが、実験によ
れば、この性質はあらゆる事例において必ずしも必要な
いことが確認されている。当業者ならば、本発明にもと
ることなく、本発明の様々な実施例および変形例を創出
することができる。

【００２９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
二重壁を有するガラスルツボを用い、この壁空間内に反
応材料を収容しておき、溶融されたときに、ルツボ内壁
の外面と化学反応を起こし、内壁を破壊することができ
る。この内壁破壊により、内壁が破壊されなければ結晶
インゴットに加えられたであろう熱応力を軽減すること
ができる。その結果、インゴットに双晶形成、顕著な転
位または応力破壊を起こすことなく、リン化インジウム
のような化合物半導体結晶を〈１００〉結晶方位に成長
させることができる。その後、このインゴットは、その
中心軸に対して垂直にスライスし、円板状またはディス
ク状のウエハを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の例証的実施例によるルツボを含む結晶
成長装置の模式的断面図である。

【図２】図１のルツボの横断面図である。

【符号の説明】

１０　　結晶成長装置１１　　ルツボ１２　　成長結晶原料１３　　種結晶１４　　包封剤１５　　成長ベセル１６　　ヒータエレメント１７　　気密圧力容器１８　　アルゴンガス源１９　　真空ポンプ２０　　カバー２２　　Ｖ族元素２３　　ヒータ２４　　内壁２５　　外壁２６　　反応材料２８　　種結晶表面

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　第１の壁を有するルツボ中に第１の材
料を配置し、該第１の壁の第１の面は第１の材料を含有
する；ルツボを加熱して第１の材料を流動化させ；第１
の材料を固化させてルツボの内面と相似形の外面を有す
る物を形成するようにルツボを冷却する；工程からなる
、第１の材料からなる物の製造方法において、第１の面
と反対側の第１の壁の第２の面は、ルツボと反応するタ
イプの第２の材料と接触している；ことを特徴とする第
１の材料からなる物の製造方法。
【請求項２】　　第１の壁は、加熱および冷却工程中に
第２の材料を第１の材料から実質的に分離しておくのに
十分な厚さであるが、第２の材料と第１の壁との反応に
より、第２の材料が第１の壁の構造的結合性を著しく弱
めるのに十分な薄さのものであり、これにより冷却工程
中に製造目的物に加わる応力は第１の壁の破壊により軽
減されることを特徴とする請求項１の製造方法。
【請求項３】　　冷却工程中に、製造目的物とルツボは
異なる速度で収縮し、これにより、前記応力が製造目的
物と第１の壁に発生し、この応力は第１の壁の破壊によ
り軽減されることを特徴とする請求項２の製造方法。
【請求項４】　　第１の材料は加熱工程中に溶融する半
導体材料であり；冷却工程は該半導体材料を凍結させて
インゴットを形成し、このインゴットの少なくとも主要
部分は単結晶であることを特徴とする請求項３の製造方
法。
【請求項５】　　半導体材料と共に包封剤がルツボ中に
配置されており、この包封剤は加熱工程中に溶融し、該
包封剤の大部分は溶融半導体材料上を浮遊することを特
徴とする請求項４の製造方法。
【請求項６】　　包封剤の少なくとも一部分は層を形成
し、この層は凍結すると、インゴットを第１の壁に接着
し、これにより、応力はインゴットおよび第１の壁間を
移動をすることを特徴とする請求項５の製造方法。
【請求項７】　　半導体材料は化合物半導体であり；第
１の壁はガラス製であり、第２の材料は無機塩であり、
該無機塩の溶融時の形状はガラスと反応することができ
る形状であることを特徴とする請求項６の製造方法。
【請求項８】　　モノクリスタル種結晶がルツボの底端
部に最初に配置され、種結晶からルツボの頂部に向けて
漸進的に化合物半導体材料が凍結するようにルツボを冷
却することを特徴とする請求項７の製造方法。
【請求項９】　　ルツボは垂直向きに配置され、原料を
溶融し、そして、化合物半導体材料の少なくとも主要部
分が種結晶から延びる単結晶を構成するように化合物半
導体材料をコントロール可能に凍結するために、垂直勾
配凍結法を使用することを特徴とする請求項８の製造方
法。
【請求項１０】　　化合物半導体が〈１００〉結晶方位
に対応する方向に成長するような向きに種結晶が配置さ
れることを特徴とする請求項９の製造方法。
【請求項１１】　　第１の壁は概ね円筒形状のものであ
り、無機塩は、第１の壁を取り囲む第２の円筒状壁によ
り第１の壁と接触した状態で保持されることを特徴とす
る請求項６の製造方法。
【請求項１２】　　無機塩は塩化カルシウムである請求
項１１の製造方法。
【請求項１３】　　半導体材料はＩＩＩ−Ｖ族材料であ
り；溶融半導体材料の表面に外部ガス圧が加えられ、気
化された元素状Ｖ族材料が溶融半導体材料から逃散する
ことを阻止することを特徴とする請求項１２の製造方法
。
【請求項１４】　　包封剤は酸化ホウ素であり、ＩＩＩ
−Ｖ族材料はリン化インジウムであることを特徴とする
請求項１３の製造方法。
【請求項１５】　　製造するべき化合物半導体材料のモ
ノクリスタル種結晶および該種結晶と接触する若干量の
半導体材料の原料を含有するルツボ；ルツボを加熱し、
原料および種結晶の一部を溶融する手段；溶融状態の原
料と接触するルツボの第１の壁；溶融原料を種結晶との
界面で最初に凍結させ、その後、漸進的に種結晶から凍
結させるようにルツボの温度を低下させる手段；からな
る化合物半導体材料の巨大単結晶を製造する装置におい
て、ルツボは第２の壁を有し、第１の壁と第２の壁との
間に第２の材料を含有することができ、この第２の材料
は溶融されたときに、第１の壁を構成する材料と化学的
に反応するタイプのものであることを特徴とする化合物
半導体材料の巨大単結晶製造装置。
【請求項１６】　　第１の壁は、加熱および冷却工程中
に第２の材料を第１の材料から実質的に分離しておくの
に十分な厚さであるが、溶融された第２の材料と第１の
壁との反応により、溶融された第２の材料が第１の壁の
構造的結合性を著しく弱めるのに十分な薄さのものであ
ることを特徴とする請求項１５の装置。
【請求項１７】　　第１の壁はガラス製であり、第２の
材料は無機塩であり、該無機塩の溶融時の形状はガラス
と反応することができる形状であることを特徴とする請
求項１６の装置。
【請求項１８】　　原料はＩＩＩ−Ｖ族材料であり；第
１の材料は塩化カルシウムであることを特徴とする請求
項１７の装置。
【請求項１９】　　ルツボは酸化ホウ素を含有すること
ができることを特徴とする請求項１８の装置。
【請求項２０】　　第１の壁は概ね円筒形状のものであ
り、第２の壁は該第１の壁を取り囲む概ね円筒形状のも
のであり；第１および第２の壁の両方とも石英ガラスか
ら形成されていることを特徴とする請求項１９の装置。