JPH04214627A - ウェーハ洗浄装置 - Google Patents
ウェーハ洗浄装置Info
- Publication number
- JPH04214627A JPH04214627A JP40201190A JP40201190A JPH04214627A JP H04214627 A JPH04214627 A JP H04214627A JP 40201190 A JP40201190 A JP 40201190A JP 40201190 A JP40201190 A JP 40201190A JP H04214627 A JPH04214627 A JP H04214627A
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- JP
- Japan
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- wafer
- cleaning
- rinsing
- rotating
- cleaning liquid
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウェーハ洗浄装置に関す
るもので、特に高清浄度な洗浄仕上り面を必要とする半
導体デバイス用ウェーハの洗浄に使用されるものである
。
るもので、特に高清浄度な洗浄仕上り面を必要とする半
導体デバイス用ウェーハの洗浄に使用されるものである
。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス用ウェーハの洗浄に使用
される従来のウェーハ洗浄装置は、薬液洗浄槽、純水洗
浄槽及び遠心脱水装置とを備えている。薬液洗浄槽には
目的に応じて酸素又はアルカリ系の洗浄液（薬液）が入
れられており、この洗浄液にキャリア毎のウェーハ複数
枚を一括して浸漬することによって洗浄を行う。純水洗
浄槽には純水が入れられており、薬液洗浄後のすすぎ洗
浄が行われる。このすすぎ洗浄後に遠心脱水装置によっ
てウェーハに付着している水分を取り除く。なお、洗浄
液は通常、多数回使用される。
される従来のウェーハ洗浄装置は、薬液洗浄槽、純水洗
浄槽及び遠心脱水装置とを備えている。薬液洗浄槽には
目的に応じて酸素又はアルカリ系の洗浄液（薬液）が入
れられており、この洗浄液にキャリア毎のウェーハ複数
枚を一括して浸漬することによって洗浄を行う。純水洗
浄槽には純水が入れられており、薬液洗浄後のすすぎ洗
浄が行われる。このすすぎ洗浄後に遠心脱水装置によっ
てウェーハに付着している水分を取り除く。なお、洗浄
液は通常、多数回使用される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のウェ
ーハ洗浄装置においては、次の問題がある。 １）ウェーハの大口系化に伴って洗浄槽も大型になり、
必要洗浄液量が増大する。 ２）洗浄液を多数回使用するため、洗浄液の使用回数が
多くなるにしたがって洗浄液の蓄積汚染が進行し、これ
によりウェーハへの逆汚染が発生するおそれがあった。 ３）複数枚のウェーハをキャリア毎に一括して洗浄処理
を行うため、ウェーハ間の洗浄効果のバラツキが大きか
った。 ４）遠心脱水だけではウェーハの表面の水分を完全に除
去することは困難であった。
ーハ洗浄装置においては、次の問題がある。 １）ウェーハの大口系化に伴って洗浄槽も大型になり、
必要洗浄液量が増大する。 ２）洗浄液を多数回使用するため、洗浄液の使用回数が
多くなるにしたがって洗浄液の蓄積汚染が進行し、これ
によりウェーハへの逆汚染が発生するおそれがあった。 ３）複数枚のウェーハをキャリア毎に一括して洗浄処理
を行うため、ウェーハ間の洗浄効果のバラツキが大きか
った。 ４）遠心脱水だけではウェーハの表面の水分を完全に除
去することは困難であった。
【０００４】本発明は上記問題点を考慮してなされもの
であって、洗浄液の使用量を可及的に削減するとともに
、洗浄効果を可及的に向上させることのできるウェーハ
洗浄装置を提供することを目的とする。
であって、洗浄液の使用量を可及的に削減するとともに
、洗浄効果を可及的に向上させることのできるウェーハ
洗浄装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のウェーハ洗浄装
置は、ウェーハの裏面を真空吸着し、ウェーハの中央部
を中心として回転させる回転手段と、ウェーハの表面の
中央部に所定量の酸系の洗浄液を滴下する滴下手段、こ
の滴下手段によって滴下された洗浄液を保持する保持手
段、及びこの保持手段をウェーハの中央部からウェーハ
の外周部まで移動させる移動手段を有している汚染除去
手段と、回転しているウェーハの表面に界面活性剤を放
射しながらウェーハの表面をスクラビングするスクラビ
ング手段と、回転しているウェーハの表面に純水を噴射
してすすぎ洗浄を行うすすぎ洗浄手段と、回転している
ウェーハの表面に熱を放射して加熱脱水を行う加熱脱水
手段と、を備えていることを特徴とする。
置は、ウェーハの裏面を真空吸着し、ウェーハの中央部
を中心として回転させる回転手段と、ウェーハの表面の
中央部に所定量の酸系の洗浄液を滴下する滴下手段、こ
の滴下手段によって滴下された洗浄液を保持する保持手
段、及びこの保持手段をウェーハの中央部からウェーハ
の外周部まで移動させる移動手段を有している汚染除去
手段と、回転しているウェーハの表面に界面活性剤を放
射しながらウェーハの表面をスクラビングするスクラビ
ング手段と、回転しているウェーハの表面に純水を噴射
してすすぎ洗浄を行うすすぎ洗浄手段と、回転している
ウェーハの表面に熱を放射して加熱脱水を行う加熱脱水
手段と、を備えていることを特徴とする。
【０００６】
【作 用】このように構成された本発明のウェーハ洗
浄装置によれば、まずウェーハの裏面が回転手段によっ
て吸着される。その後ウェーハの表面の中央部に所定量
の酸系の洗浄液が滴下手段によって滴下され、この滴下
された洗浄液が保持手段に保持される。そしてウェーハ
を回転手段によって回転させた状態で、保持手段に洗浄
液を保持させたままウェーハの中央部から外周部まで保
持手段を移動させる。これにより小量の洗浄液で汚染を
除去することができる。
浄装置によれば、まずウェーハの裏面が回転手段によっ
て吸着される。その後ウェーハの表面の中央部に所定量
の酸系の洗浄液が滴下手段によって滴下され、この滴下
された洗浄液が保持手段に保持される。そしてウェーハ
を回転手段によって回転させた状態で、保持手段に洗浄
液を保持させたままウェーハの中央部から外周部まで保
持手段を移動させる。これにより小量の洗浄液で汚染を
除去することができる。
【０００７】次に、回転しているウェーハの表面に界面
活性剤を放射しながらスクラビング手段によってウェー
ハの表面をスクラビングする。これによりウェーハ表面
のパーティクルが除去される。その後すすぎ洗浄手段に
よって、回転しているウェーハに純水が噴射されてすす
ぎ洗浄が行われる。次に加熱脱水手段によって、回転し
ているウェーハの表面に熱が放射されて加熱脱水が行わ
れ、ウェーハ表面の水分が完全に除去される。
活性剤を放射しながらスクラビング手段によってウェー
ハの表面をスクラビングする。これによりウェーハ表面
のパーティクルが除去される。その後すすぎ洗浄手段に
よって、回転しているウェーハに純水が噴射されてすす
ぎ洗浄が行われる。次に加熱脱水手段によって、回転し
ているウェーハの表面に熱が放射されて加熱脱水が行わ
れ、ウェーハ表面の水分が完全に除去される。
【０００８】これにより、洗浄効果を可及的に向上させ
ることができる。
ることができる。
【０００９】
【実施例】本発明によるウェーハ洗浄装置の一実施例の
構成を図１に示す。この実施例のウェーハ洗浄装置は回
転手段２、汚染除去手段４、スクラビング手段６、すす
ぎ洗浄手段８、及び加熱脱水手段１０を備えている。 又、汚染除去手段４は滴下手段４ａと、保持手段４ｂと
、移動手段４ｃとを有している。
構成を図１に示す。この実施例のウェーハ洗浄装置は回
転手段２、汚染除去手段４、スクラビング手段６、すす
ぎ洗浄手段８、及び加熱脱水手段１０を備えている。 又、汚染除去手段４は滴下手段４ａと、保持手段４ｂと
、移動手段４ｃとを有している。
【００１０】次に図２乃至図６を参照して上記実施例の
構成と作用を説明する。図２に示すようにローダ側ウェ
ーハキャリア２０に収納されているウェーハ１５は１枚
毎に上記ウェーハ洗浄装置１に搬送され、洗浄処理され
る。洗浄処理されたウェーハ１５はアンローダ側ウェー
ハキャリア２５に搬送されて収納される。
構成と作用を説明する。図２に示すようにローダ側ウェ
ーハキャリア２０に収納されているウェーハ１５は１枚
毎に上記ウェーハ洗浄装置１に搬送され、洗浄処理され
る。洗浄処理されたウェーハ１５はアンローダ側ウェー
ハキャリア２５に搬送されて収納される。
【００１１】ウェーハ洗浄装置１による洗浄処理を次に
説明する。まずウェーハ１５の裏面を回転手段２のウェ
ーハチャック２ａによって真空吸着する（図３参照）。 その後、例えば濃度が０．０５〜１０％の弗酸と、濃度
が０．１〜３０％の硝酸からなる洗浄液３０（金属汚染
回収液ともいう）を０．１〜１ｃｃ、滴下手段４ａによ
ってウェーハ１５の中央部に滴下し、この滴下した洗浄
液３０を保持手段４ｂによって保持する（図３参照）。 この状態でウェーハチャック２ａを回転手段２によって
約１０ｒｐｍ で回転させながら保持手段４ｂをウェー
ハ１５の中央部から外周部まで移動手段４ｃによって移
動させる（図３参照）。すると、金属汚染回収液３０が
ウェーハ１５の表面全面に作用し、ウェーハ１５の表面
の金属汚染がほとんど回収液３０に取り込まれて、ウェ
ーハ１５の表面から除去される。この時、回収液３０が
ウェーハ１５の表面に作用している時間は短いため、ウ
ェーハはほとんどエッチングされない。
説明する。まずウェーハ１５の裏面を回転手段２のウェ
ーハチャック２ａによって真空吸着する（図３参照）。 その後、例えば濃度が０．０５〜１０％の弗酸と、濃度
が０．１〜３０％の硝酸からなる洗浄液３０（金属汚染
回収液ともいう）を０．１〜１ｃｃ、滴下手段４ａによ
ってウェーハ１５の中央部に滴下し、この滴下した洗浄
液３０を保持手段４ｂによって保持する（図３参照）。 この状態でウェーハチャック２ａを回転手段２によって
約１０ｒｐｍ で回転させながら保持手段４ｂをウェー
ハ１５の中央部から外周部まで移動手段４ｃによって移
動させる（図３参照）。すると、金属汚染回収液３０が
ウェーハ１５の表面全面に作用し、ウェーハ１５の表面
の金属汚染がほとんど回収液３０に取り込まれて、ウェ
ーハ１５の表面から除去される。この時、回収液３０が
ウェーハ１５の表面に作用している時間は短いため、ウ
ェーハはほとんどエッチングされない。
【００１２】次に、ウェーハ１５を回転させたまま、ス
クラビング手段６の吐出ノズル６ａから例えば濃度が０
．１％の非イオン性界面活性剤を吐出させてウェーハ１
５の表面に放射し、スクラビング手段６のブラシ６ｂを
用いてスクラビングを行ってウェーハ１５の表面のパー
ティクルを除去する（図４参照）。
クラビング手段６の吐出ノズル６ａから例えば濃度が０
．１％の非イオン性界面活性剤を吐出させてウェーハ１
５の表面に放射し、スクラビング手段６のブラシ６ｂを
用いてスクラビングを行ってウェーハ１５の表面のパー
ティクルを除去する（図４参照）。
【００１３】その後、すすぎ洗浄手段（ノズル）８を用
いて、回転しているウェーハ１５の表面に純水を噴射し
、すすぎ洗浄を行う（図５参照）。
いて、回転しているウェーハ１５の表面に純水を噴射し
、すすぎ洗浄を行う（図５参照）。
【００１４】次に、１００〜５００℃の温度となるラン
プ（加熱脱水手段）１０を用いて、回転しているウェー
ハ１５の表面に熱を放射して、遠心脱水を行うとともに
加熱脱水を行い（図６参照）、ウェーハ１５の表面の水
分をほぼ完全に除去する。
プ（加熱脱水手段）１０を用いて、回転しているウェー
ハ１５の表面に熱を放射して、遠心脱水を行うとともに
加熱脱水を行い（図６参照）、ウェーハ１５の表面の水
分をほぼ完全に除去する。
【００１５】従来の洗浄装置におけるウェーハ１枚当り
の洗浄液の使用量が１０〜１００ｃｃであるのに対して
、本実施例におけるウェーハ１枚当りの洗浄液の使用量
は１ｃｃ以下であり、洗浄液の使用量を従来のものに比
べて大幅に削減できる。
の洗浄液の使用量が１０〜１００ｃｃであるのに対して
、本実施例におけるウェーハ１枚当りの洗浄液の使用量
は１ｃｃ以下であり、洗浄液の使用量を従来のものに比
べて大幅に削減できる。
【００１６】又、洗浄液はウェーハ１枚毎に使い捨てと
なるので洗浄液多数回使用時に問題となる蓄積汚染によ
るウェーハへの逆汚染は発生しない。更に、ウェーハを
１枚毎に洗浄処理するのでウェーハ間及びウェーハ内の
洗浄効果のバラツキが小さく、洗浄効果を向上させるこ
とができる。
なるので洗浄液多数回使用時に問題となる蓄積汚染によ
るウェーハへの逆汚染は発生しない。更に、ウェーハを
１枚毎に洗浄処理するのでウェーハ間及びウェーハ内の
洗浄効果のバラツキが小さく、洗浄効果を向上させるこ
とができる。
【００１７】また、水分をほぼ完全に除去することがで
きる。
きる。
【００１８】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、洗浄
液の使用量を可及的に削減することができるとともに洗
浄効果を可及的に向上させることができる。
液の使用量を可及的に削減することができるとともに洗
浄効果を可及的に向上させることができる。
【図１】 本発明によるウェーハ洗浄装置の一実施例
の構成を示すブロック図。
の構成を示すブロック図。
【図２】 ウェーハ洗浄装置の洗浄処理の前工程及び
後工程を示す説明図。
後工程を示す説明図。
【図３】 本発明にかかる汚染除去手段の汚染除去処
理を示す説明図。
理を示す説明図。
【図４】 本発明にかかるスクラビング手段のスクラ
ビング処理を示す説明図。
ビング処理を示す説明図。
【図５】 本発明にかかるすすぎ洗浄手段のすすぎ洗
浄処理を示す説明図。
浄処理を示す説明図。
【図６】 本発明にかかる加熱脱水手段の加熱脱水処
理を示す説明図。
理を示す説明図。
２ 回転手段
４ 汚染除去手段
４ａ 滴下手段
４ｂ 保持手段
４ｃ 移動手段
６ スクラビング手段
８ すすぎ洗浄手段
１０ 加熱脱水手段
Claims (1)
- 【請求項１】ウェーハの裏面を真空吸着し、前記ウェー
ハの中央部を中心として回転させる回転手段と、前記ウ
ェーハの表面の中央部に所定量の酸系の洗浄液を滴下す
る滴下手段、この滴下手段によって滴下された洗浄液を
保持する保持手段、及びこの保持手段を前記ウェーハの
中央部から前記ウェーハの外周部まで移動させる移動手
段を有している汚染除去手段と、回転している前記ウェ
ーハの表面に界面活性剤を放射しながら前記ウェーハの
表面をスクラビングするスクラビング手段と、回転して
いる前記ウェーハの表面に純水を噴射してすすぎ洗浄を
行うすすぎ洗浄手段と、回転している前記ウェーハの表
面に熱を放射して加熱脱水を行う加熱脱水手段と、を備
えていることを特徴とするウェーハ洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40201190A JPH04214627A (ja) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | ウェーハ洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40201190A JPH04214627A (ja) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | ウェーハ洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04214627A true JPH04214627A (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=18511819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40201190A Pending JPH04214627A (ja) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | ウェーハ洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04214627A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010278184A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-12-13 JP JP40201190A patent/JPH04214627A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010278184A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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