JPH0421522A - 超伝導体膜用ターゲット - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、スパッタリング等の方法によって超伝導体膜
を作製する際に用いるターゲットに関する。

［従来の技術］ 近年、Ｂ１−Ｐｂ−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超伝導体が
提案されて以来、このものから構成される超伝導体膜に
関する多くの研究成果が開示されている。

Ｂ　ｉ　−Ｐｂ−Ｓ　ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超伝導体は
通常複数の相、即ち、２２２３相（超伝導臨界温度Ｔｃ
−１１０に相）、２２１２相（Ｔｃ−８０Ｋ　　相）及
び２２０１相（Ｔｃ−２０Ｋ　　相）の３相が出現しや
すいとされている。これらの相の生成条件はそれぞれ互
いに近接しており、条件設定が厳密に調節されないと、
これらの複数の相が同時に出現するとされている。

スパッタリング等の方法で超伝導体膜を作成する際、膜
の構成元素を含む酸化物の混合体、焼結体、又は合金等
から成るターゲットをスパッタリングする方法か広く用
いられている。ここで用いられるターゲットは、単に、
超伝導体の構成成分の供給源としてのみ用いられており
、従来、これらを用いて基体上に超伝導相を形成する際
の形成相については特に注目されていないのが現状であ
る。

基体上に形成した膜を、目的とする超伝導相としてを形
成させるために、従来様々な手法が考案されており、通
常次の手法がよく用いられる。

■特に加熱しない基体上に成膜した後、８００　”０〜
９００℃で数時間アニーリング処理を施して結晶化する
（ボストアニーリング法）。■６５０℃以上に加熱、昇
温した基体上に成膜し、　成膜と同時に結晶化する。

これらの方法で設定される温度、雰囲気等具体的な処理
条件は、目的とする相に応じて選ばれ実施されている。

従来から、Ｔｃの高い２２２３相が最も注目され、多く
研究されているが、従来のこの相の形成方法は必ずしも
効率の良い方法とは言えなかった。

［発明が解決しようとする問題点］ 従来の、ターゲットのスパッタリングによる膜形成方法
には次のような問題点があった。

１）上述の２つの手法はいずれも高温度が必要であるこ
と。

超伝導体膜の応用として最も期待されているエレクトロ
ニクス分野に利用する際、高いＴｃだけでなく、臨界電
流密度や界面制御の観点がら緻密で平滑な膜が求められ
る。しかし、工程中で高温度雰囲気を経ることは、緻密
で平滑な膜を得る上で極めて悪い影響を及ぼすとされて
いる。それは、膜と基体との熱膨張率の相違にあり、工
程中の熱履歴によって膜にひび割れや剥離が生じ、緻密
さや平滑性を著しく欠く結果となる。また、高温度雰囲
気にさらすことて膜と基体との間の相互拡散を助長し、
界面状態を悪化させる原因ともなっている。

同時にこの高温工程は、熱膨張率や膜との相互拡散の点
で、用いる基体が制限され、超伝導体膜を広く実用化す
る上で障害となっている。

そこで、−船釣には、処理温度は５００℃以下が望まし
いとされ、上述の■の手法等が提案されたが、依然この
問題は充分解決されていない。

２）生成条件の設定が非常に難しいこと。

上述のように２２２３相、２２１２相、２２０１相生成
条件が互いに近接しているため、目的の相を得るには正
確な条件設定が要求される。中でも実用化の期待の大き
い２２２３相の生成条件は極めて狭く、このものの単相
膜を得るには厳密な条件設定が必要とされ、２２２３相
のみを生成させる条件の設定は実質的に困難とされてい
る。

この問題は上述のボストアニーリング法に於いては極め
て深刻で、２２２３相を得るには±ＩＫ以内の温度制御
が必要と言われている。

このような条件設定の難しさは、このものの生成設備の
高精度化や製品歩留りの低下等を引き起こし、実用化時
点においてより深刻な問題となる。

又、個々の成分元素を構成する酸化物、炭酸塩を混合し
たものを原料粉末として用いたターゲットは、組成分布
が不均一となり、これを用いて形成した膜の組成に次の
ような悪影響を及はす。

■ターゲット表面内での不均一な組成分布は、膜面内で
の組成の不一致を引き起こす。

■タルゲット深さ方向での不均一な組成分布は、膜組成
の再現性良く形成されない。

このように従来のターゲットを用いた成膜は、超伝導体
膜を歩留り良く、均一な膜組成を得る上で又、簡便な方
法で得る上で多くの問題を含んでおり、その解決が切望
されていた。

［問題点を解決するための手段］ 本発明者らは、上述のような問題点の原因を、堆積粒子
の微細構造に求め、ターゲット自体に膜の結晶化を助長
する機能を付与するよう、ターゲット原料に関して鋭意
検討を重ねた結果、ターゲット原料自体に成る量の超伝
導相形成成分を含有させることで、膜形成の際の熱処理
条件の緩和や工程の低温化か可能であるとの知見を復水
発明を完成した。

すなわち本発明は、ターゲット全体の少なくとも２０ｗ
ｔ％が、原子比で、Ｂｉ　：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝
　２−ｘ：ｘ：２・ｎ−１・ｎ　（但し、ｎは５以下の
自然数、ＸはＯ≦ｘ≦１を満足する数）で表される組成
から成る酸化物で構成されたことを特徴とする超伝導体
膜用ターゲットに関するものである。尚、これらの酸化
物を構成する元素は、厳密に化学量論比である必要はな
く、製造条件等との兼ね合いから１５％程度のずれかあ
ってもよい。

以下、本発明のターゲットに供するターゲツト材の製造
方法について詳述する。

本発明の主原料となるＢ１−Ｐｂ−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ系
の酸化物は上述の原子比を有するものは超伝導体を形成
するが、その製造方法は特に限定されない。

例えば、前記した酸化物の構成成分の酸化物、炭酸塩な
どを、乾式法、湿式法、共沈法により得たものを、混合
、粉砕、仮焼して得た超伝導体主原料とし、必要な副原
料を通常の方法で粉砕、篩別した後、充分混合して原料
粉末とする。本発明で用いるこの原料粉末は平均粒径０
，１〜１０μＩのもので、これを公知のプレス成型法、
例えば浦ブレス法、更にこの方法とＣＩＰ法等によって
圧粉体とし、これに精密加工を施してターゲツト材とす
る。本発明のターゲットの、ＣＩＰての成形条件は１０
００−２０００　ｋｇ／ｃ＋ｎ２で１〜１０分程度程度
圧で良い。

本発明で用いる副原料は、本発明を構成する元素を含ん
だ化合物、例えば、それらの酸化物、炭酸塩等であり、
これらの割合は、主原料が少なくとも２０ｗｔ％となる
量である。

本発明者らは、ターゲット中の主原料の含量と、得られ
るターゲット及び膜の性質について検討した結果、主原
料が少くとも２０νｔ％と比較的少ないものを用いると
、広いアニーリング温度領域で２２２３相の生成が可能
であること、即ち、２２２３相の生成は通常８５０℃以
上の温度が必要であるのに対してこのものでは７００℃
で充分であること、又、主原料か少くとも５０　ｗｔ％
のものは、成形性か良好となり、更に、焼結工程の省略
が可能となること、又、これを用いて得られる膜の組成
の均一性か増大すること、更に主原料か８０νｔ％以上
と多く含むものは、生成不純物が減少し形成膜の性能が
向上することを見出した。

本発明のターゲットをスパッタリングに用いることで超
伝導体膜形成プロセスの低温化や形成条件の緩和が可能
となる。この理由については必ずしも明確ではないが、
スパッタリング等の手段によっで、ターゲットから蒸発
する飛散粒子中には、単原子の他に複数個の原子で構成
されるクラスターが存在することが知られている。従っ
で、超伝導相を含むターゲットから飛散する粒子中には
、超伝導結晶格子の全部又は一部の構造を有したクラス
ターが含まれる。このクラスターが基体上で結晶核とし
て作用し、膜の結晶化を著しく促進することによるもの
と考えられる。

一方、従来用いられていた酸化物の混合体、焼結体、及
び合金等のターゲットの場合、飛散するクラスターの構
造は超伝導相とは無関係であり、基体上での結晶化の促
進には同等寄与しなかった。

即ち、従来のターゲットの機能か原料供給のみてあった
のに対し、本発明のターゲットは原料供給のみならすタ
ーゲットの構成成分自体か膜の結晶化を促進する機能を
併せ持ったものであると言える。

［発明の効果］ 本発明のターゲットを用い、Ｂ１−Ｐｂ−８ｒ−Ｃａ−
Ｃｕ−０系超伝導体膜作製においで、ｒｆマグネトロン
スパッタリング法で成膜したところ、広い条件下で、２
２２３相を多く含み、強く配向した均一な組成の超伝導
薄膜が低温で歩留まり良く得られた。

［実施例］ 以下に実施例を挙げて具体的に説明するが、これらは本
発明を同等制限するものではない。

実施例１ Ｂｉ、　Ｐｂ５ＳｒＳＣａ、　Ｃｕを、１．８：０．４
：２：２：３．２の原子比で含む超伝導体を原料とした
。この原料はＸ線回折測定により、Ｂ１−Ｐｂ−８ｒ−
Ｃａ−Ｃｕ−０系超伝導体のいわゆる２２２３相と２２
１２相を９３・７の割合で含むことが確認されている。

この超伝導体を、めのう乳鉢で主粉砕し、最終的に＃１
００の篩を通過したものを原料粉末とした。原料粉末の
平均粒径は２．４μｍである。この原料粉末を１７０ｍ
ｍφＸ７ｍｍｔ用の金型に充填し、５００ｋｇ／ｃｄの
圧力で油圧プレスした。さらに、このプレス成型体をゴ
ム型に入れ、２０００ｋｇ／　ｃＪの圧力でＣＩＰ　、
　１４６　ｍｍφＸ　６ｍ−の圧粉体を得た。この圧粉
体を研削、研磨し、１２７龍φＸ５ｍｍｔのターゲツト
材に仕上げた。このターゲツト材をＣｕ製のバッキング
プレートにボンディングしターゲットとした。

次に、このターゲットを用いて成膜した。成膜はｒｆマ
グネトロンスパッタリング装置で行い、基板にはＭｇＯ
単結晶の（１，００）面を使用した。スパッタリング条
件を下に示す。

ガス　　　　　　　Ａｒ ガス圧　　　　　　０．５　Ｐａ 投入電力　　　　　１００Ｗ 基板温度　　　　　約２００℃ 膜厚　　　　　　　約２０００人 堆積直後の膜は、ｘＲＤによってアモルファス構造であ
ることが確認された。

この膜を、８４０℃、８４２℃、８４４℃、８４６℃、
８４８℃、８４９℃、８５０℃、８５１℃、８５２℃、
８５４℃、８５６℃、８５８℃、８６０℃の各温度で、
１時間、大気中でアニーリングし超伝導薄膜を形成した
。

得られた超伝導薄膜をＸＲＤによって分析した。

ＸＲＤパターンから、この超伝導薄膜中にはＢ１−Ｐｂ
−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超伝導体の２２２３相、２２
１２相および２２０１相の３相か混在していることが分
かった。

２２２３相の存在比を、２２２３相の（ＱＯ２）ピーク
の強度を、２２２３相、２２１２相および２２０１相の
（００２）ピークの強度の和に対する比（即ち、（２２
２３相（００２）ピーク強度）　／　（（２２２３相（
００２）　　ピーク強度）　＋　（２２１２相（００２
）ピーク強度）　　＋　（２２０１相（００２）ピーク
強度）））で表した結果（％）を表１に示す。表１から
判るように、８４４〜８５４℃てアニーリングした膜は
２２２３相を極めて多量に含んでいる。一方、これ以外
の温度では２２２３相は生成しにくいことが分かる。ま
た、Ｘ線回折パターンから、この超伝導薄膜が基板表面
に対して強く　Ｃ軸配向していることが確認された。

実施例２ 実施例１と同様のターゲット及び、ｒｆマグネトロンス
パッタリング装置を用いた。基板にはＭｇＯ単結晶の（
１００）面を使用した。スパッタリング条件は、 ガス　　　　　Ａｒ＋　Ｏ７混合ガス （Ａｒ：　　０２−２：１　） ガス圧　　　　０．５　Ｐａ 投入電力　　　１００ν 基板温度は、４００℃、４２５℃、４５０℃、４７５℃
、５００℃、５２５℃、５５０℃、５７５℃、６００℃
、６２５℃、６５０℃、６７５℃、７００℃、７２５℃
の各温度で膜厚は約２０００人である。

成膜終了後、基板の降温は０２ガス１気圧中で行った。

ＸＲＤによって得られた超伝導薄膜の分析を行った結果
、２２２３柑、２２１２相および２２０１相の３相が確
認された。

実施例１と同様にして２２２３相の存在比を見積もった
結果を表２に示す。表２から判るように、基板温度４０
０°Ｃて既に２２２３相が形成され初め、４５０℃以上
てはほぼ２２２３相の単相膜か得られている。

また、Ｘ線回折パターンから、この超伝導薄膜が基板表
面に対して強く　Ｃ軸配向していることか確認された。

比較例Ｉ Ｂｉ酸化物、ｐｂ酸化物、Ｓｒ炭酸塩、Ｃａ炭酸塩、Ｃ
ｕ酸化物を原料粉末としで、前述の従来法に基づいて酸
化物混合体ターゲットを作製した。ます、これらの原料
をＢ１５Ｐｂｓ　Ｓｒ、　Ｃａ、　Ｃｕが、１．８：０
．４：２：２：３．２の原子比となるように配合し、混
合、焼成、粉砕を６回繰り返しで、酸化物混合粉末（平
均粒径１．２μｌ１１）を得た。この酸化物混合粉末に
、実施例１と同様にプレス成型を施し圧粉体とし、さら
に焼結（８００℃、　３　ｈｒｓ）　してターゲツト材
とし、実施例と同様のバッキングプレートにボンディン
グを行ない酸化物混合体ターゲットを作製した。

次にこのターゲットを用いた成膜例を示す。成膜は、ｒ
ｒマグネトロンスパッタリング装置で行い、基板、基板
配置及びスパッタリング条件を実施例１と同様にしてス
パッタリングを行った。

堆積直後の膜は、ＸＲＤによってアモルファス構造であ
ることか確認された。この膜に、実施例１と同様のアニ
ーリングを施し、実施例１と同様、ＸＲＤによる分析を
行った。

結果を表１に示す。表１から、２２２３相を多く形成す
るにはアニーリング温度を８５０°Ｃ（略±１℃）に設
定しなければならないことか判る。

比較例２ 実施例１と同様に作製したターゲットを用い、実施例２
と同様の条件でスパッタリング成膜した。

又実施例２と同様、ＸＲＤ測定を行った表２に結果を示
す。

表２から判るように、従来のターゲットを用いて２２２
３相を得るには基板温度を６７５℃以上とじなければな
らないことが判る。

表１゜ 各アニーリング温度での２２２３相の存在比（（２２２
３相（００２）ピーク強度）／＋（２２２３相（００２
）ピーク強度）＋（２２１２相（００２）ピーク強度）
＋（２２０１相（００２）ビー８４０℃ ８４２℃ ８４４℃ ８４６℃ ８４８℃ ８４９℃ ８５０℃ ８５１℃ ８５２℃ ８５４℃ ８５６℃ ８５８℃ ８６０℃ 表２．各基板温度での２２２３相の存在比（（２２２３
相（００２）ピーク強度）／＋（２２２３相（００２）
ピーク強度）＋（２２１２相（００２）ピーク強度）＋
（２２０１相（００２）ピーク強４００℃ ４２５℃ ４５０℃ ４７５℃ ５００℃ ５２５℃ ５５０℃ ５７５℃ ６００℃ ６２５℃ ６５０℃ ６７５℃ ７００℃ ７２５℃ 実施例３ 実施例１で用いた原料粉末を、実施例１と同様にしてス
パッタリングターゲットとした。次に、このターゲット
の成膜例を示す。成膜は、ｒｆマグネトロンスパッタリ
ング装置で行い、基板にはＭｇＯ単結晶の（１［１０）
面を用い、ターゲットと同心円の中心から半径方向Ｏｃ
ｍ、　　３ｃ［１１，６ｃ［１１，９ｃｍ、　１２ｃ［
１１の位置に配置した。スパッタリング条件を以下に示
す。

雰囲気　　　　　Ａｒ ガス圧　　　　　０．５　Ｐａ 投入電力　　　　１００ｗ 基板温度　　　　約２００℃ 膜厚　　　　　　約２０００人 堆積直後の膜は、Ｘ線回折法（ＸＲＤ）によってアモル
ファス構造であることが確認された。この膜を、大気中
、８５０℃で１時間アニーリングし超伝導薄膜を作製し
た。Ｘ線回折測定（ＸＲＤ）から、超伝導薄膜中にはＢ
１−Ｐｂ−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超伝導体のいわゆる
２２２３相、２２１２相および２２０１相（Ｔｃ−２０
に相）の３相が混在していることが判った。表３に、（
００２）ピークの強度比から見積もった各相の存在比を
示す。表３から、この膜は２２２３相を極めて多量に含
んでいることが判る。又、Ｘ線回折パターンから、この
超伝導薄膜が基板表面に対して強く　Ｃ軸配向している
ことが確認された。このように、本実施例のターゲット
を用いで、２２２３相を極めて多く含有し、強く　Ｃ軸
配向した超伝導薄膜を得ることかできた。

また、表４にＥＰＭＡ　（電子線マイクロアナリシス）
で分析した膜面内の組成分布を示す。

表４から判るように、本発明のターゲットを用いて成膜
すると、極めて組成ずれの少ない超伝導薄膜が得られる
。

比較例３ 比較例１と同様にして酸化物混合粉末、更にターゲツト
材とし、実施例１と同様のバッキングプレートにボンデ
ィングを行ない酸化物混合体ターゲットを作製した。

このターゲットの面内の組成分布を知る為にＥＰＨＡ　
（電子線マイクロアナリシス）により分析を行った。分
析結果を表５に示す。表５から、ターゲット表面の組成
分布は、その場所によってかなりのばらつきがあること
が判る。又、ターゲットの深さ方向においての組成分布
についてＥＰＭＡ　（電子線マイクロアナリシス）を用
いて組成分布の分析を行った。表６に分析結果を示す。

表６から、ターゲットの深さ方向での組成は、位置によ
ってかなりのばらつきがることが判る。

次に、このターゲットの成膜例を示す。成膜は、「ｆマ
グネトロンスパッタリング装置で行い、基板、基板配置
及びスパッタリング条件を実施例と同様にした。堆積直
後の膜は、Ｘ線回折によってアモルファス構造であるこ
とが確認された。この膜を、大気中、８５０℃で１時間
アニールし超伝導薄膜を作製した。Ｘ線回折測定から、
超伝導薄膜中にはＢ１−Ｐｂ−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ系超伝
導体のいわゆる２２２３相、２２１２相および２２０１
相ＣＴＣ−２０に相）の３相が混在していることが判っ
た。表５に、（００２）ピークの強度比から見積もった
各相の存在比、表４に膜のＥＰＭＡによる分析結果を示
す。

表３．２２２３相、２２１２相、２２０１相の（００２
）ビ 実施例３　　　９０　　　０　　　１ 比較例３　　　１１　　　６９　　　２０表４．　ＥＰ
ＭＡによる超伝導薄膜の組成分析（Ｓｒ−２としたモル
比で表す） ［実施例］　　　ＡＢＣＤ Ｂｉ　　１．９１　１，８９　１．７６　１．１ｉ９Ｐ
ｂ　　Ｏ，３４０，４２０，４４０，３８Ｓｒ　　２．
００　２．００　２．００　２．００Ｃａ　　２．０３
　１．９０　１．９３　２．０５Ｃｕ　　３．１０　３
．１５　３．１７　３．１６０．３６ ２．００ １．９５ ３．３２ ［比較例］　　Ａ Ｂｉ　　２．５３ Ｐｂ　　Ｏ，６１ Ｓｒ　　２．００ Ｃａ　　１．５６ Ｃｕ　　４．７２ ＣＤ ２．０１　２．５３　２．５４ ０．４７　０．１７　０．５ｇ ２．００　２．００　２．００ ２．１０　１．１３　３．６２ ３．１５　４，３２　２．７６ ２．８９ ０．２１ ２．００ ３．２２ ３．１４ 表中のＡ、Ｂ、ＣＳＤ、Ｅは測定部位であり、それぞれ
ターゲットと同心円の中心から半径方向０ｃｍ５　３ｃ
ｍ５　　［ｉｃｍ、９ｃｎ＋、１２ｃｍの位置に配置し
た基板を示し、測定点はＡ−Ｅ各部につき９点とり、そ
れを平均したものを分析値とした。

表５．　ＥＰＨＡによる酸化物混合体ターゲットの組成
分析　（５ｒ−２としたモル比で表す）ＢＣＤＥ ＢｉＬ、６３　１．７９　１．５３　１．５９　１．７
６Ｐｂ　　Ｏ，７１０，５７０，６１０，４７０，４２
Ｓｒ　　２．００　２．００　２．００　２．００　２
．００Ｃａ　　１．４３　１．３１　１．５６　１．［
ｉ２　１．８４Ｃｕ　　３．８８　３．９１　３．７２
　３．９９　３．４３表中のＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅは測定
部位であり、それぞれターゲット中心から半径方向への
距離、１０ｍｍ、　２０ｎｕｎ、　３０１１１１Ｄ％　
４０１１１１１１％　５０１１１１１１の位置を示し、
測定点は、Ａ〜Ｅ各部につき９点とり、それを平均した
ものを分析値とした。

表６．　ＥＰＭＡによる深さ方向の組成分析（Ｓｒ−２
としたモル比で表す） ＢＣＤＥ Ｂｉ　　１．９２　２，５３　１．［ｉ３　２．３９　
１．７［ｉｐｂ　　Ｏ，３５０，６７０，３４０，４７
０，１２Ｓｒ　　２．００　２．００　２．００　２．
００　２．００Ｃａ　　２．０９　１．８９　２．５６
　１’、２２　　Ｌ、８４Ｃｕ　　３．０Ｂ　　２．０
９　３．８２　４，４３　２．４３表中のＡ、Ｂ、Ｃ，
Ｄ、ＥはΔＩＩＪ定部位であり、それぞれターゲット中
心がら深さ方向への距離、０．８ｍｍ　、　１．６＋ｖ
ｍ　、　　２．４ｍｍ、　３．２ｍｍ　、４ｍｍの位置
を示し、測定点は、Ａ−Ｅ各部につき９点とり、それを
平均したものを分析値とした。

実施例４ 実施例１と同様にしてターゲットを得た次に、このター
ゲットを使用した成膜例を示す。

成膜は実施例１と同様にして行った。堆積直後）膜は、
Ｘ線回折によってアモルファス構造であることが確認さ
れた。この膜を大気中、８５０　’Ｃの温度で１時間ア
ニーリングし、超伝導薄膜を形成した。Ｘ線回折測定か
ら、この超伝導薄膜中にはＢ１−Ｐｂ−３ｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−０系超伝導体のいわゆる２２２３相、２２１２相お
よび２２０１相（Ｔｃ−２０に相）の３相が混在してい
ることが分かった。表７に、（００２）ピークの強度比
から見積った各相の存在比を示す。表７から、この膜は
２２２３相を極めて多量に含んでいることが判る。また
、Ｘ線回折パターンから、この超伝導薄膜か基板表面に
対して強くＣ軸配向していることが確認された。

実施例５ 実施例４と同様の原料粉末を、実施例１と同様の金型に
充填し、２５０　）ｃｇ／　ｃ−の圧力で油圧加圧した
、実施例４と同様にしてターゲットを作製した。

成膜は、実施例４と同様にして超伝導薄膜を形成した。

得られた超伝導薄膜のＸ線回折測定から、実施例１に見
られたと同様の、２２２３相、２２１２相および２２０
１相の３相が混在した超伝導薄膜が形成されていること
が確認された。各相の存在比を、（００２）ピークの強
度比から見積った結果を表７に示す。表７から、この膜
は２２２３相を極めて多量に含んでいることが判る。ま
た、Ｘ線回折パターンから、この超伝導薄膜が基板表面
に対して強く　Ｃ軸配向していることが確認された。こ
のように、本実施例のターゲットを用いで、２２２３相
を極めて多く含有し、強く　Ｃ軸配向した超伝導薄膜を
得ることができる。

実施例６ Ｂｉ、　ＰｂＳＳｒ、　Ｃａ、　Ｃｕを、１８：ｏ、４
：２：２：３．２の原子比で含む超伝導体を原料とした
。この原料はＸ線回折測定により、２２２３相と２２１
２相を、９８：２の割合で含んでいることが確認されて
いる。この超伝導体を、めのう乳鉢で手粉枠し、＃１０
０の篩を通過したものを原料粉末とした。原料粉末の平
均粒径は３，８μｍである。この原料粉末を１５０關φ
×８ｍｍｔ用の金型に充填し、５００　ｋｇ／　ｃ−の
圧力で油圧加圧した。さらに、この加圧成型体をゴム型
に入れ、１５００）ｃｇ／　ｃ−の圧力でＣＩＰ　Ｌ、
１２６關φ×７１Ｉｌｔの圧粉体を得た。この圧粉体を
研削、研磨によっで、１００　ｍｍφＸ６ｍｍｔｈのタ
ーゲツト材に仕上げた。このターゲツト材をＣｕ製のバ
ッキングプレートにボンディングし、ターゲットとした
。

成膜は、実施例４と同様にして超伝導薄膜を形成した。

得られた超伝導薄膜のＸ線回折測定から、他の実施例に
見られたと同様の、２２２３相、２２１２相および２２
０１相の３相が混在した超伝導薄膜が形成されているこ
とが確認された。各相の存在比を（００２）ピークの強
度比から見積り結果を表７に示した。表７から、この膜
は２２２３相を極めて多量に含んでいることが判る。ま
た、Ｘ線回折パターンから、この超伝導薄膜が基板表面
に対して強く　Ｃ軸配向していることが確認された。こ
のように、本実施例のターゲットを用いで、２２２３相
を極めて多く含有し、強くＣ軸配向した超伝導薄膜を得
ることができた。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　ターゲット全体の少なくとも２０ｗｔ％が、原子比で
   、Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝２−ｘ：ｘ：２：ｎ
   −１：ｎ（但し、ｎは５以下の自然数、ｘは０≦ｘ≦１
   を満足する数）で表される組成から成る酸化物で構成さ
   れたことを特徴とする超伝導体膜用ターゲット。