JPH04215421A - 化学的気相成長法 - Google Patents
化学的気相成長法Info
- Publication number
- JPH04215421A JPH04215421A JP3028891A JP2889191A JPH04215421A JP H04215421 A JPH04215421 A JP H04215421A JP 3028891 A JP3028891 A JP 3028891A JP 2889191 A JP2889191 A JP 2889191A JP H04215421 A JPH04215421 A JP H04215421A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- arsenic
- compound
- chemical vapor
- polyarsine
- vapor phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 title claims 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 150000001495 arsenic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- YASNYMOWPQKVTK-UHFFFAOYSA-N diarsane Chemical compound [AsH2][AsH2] YASNYMOWPQKVTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- -1 arsine compound Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 150000002259 gallium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NYOZTOCADHXMEV-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-yltellanylpropane Chemical compound CC(C)[Te]C(C)C NYOZTOCADHXMEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);carbanide Chemical compound [CH3-].[CH3-].[Cd+2] VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N cadmium;mercury;tellurium Chemical compound [Cd]=[Te]=[Hg] MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940093920 gynecological arsenic compound Drugs 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S252/00—Compositions
- Y10S252/95—Doping agent source material
- Y10S252/951—Doping agent source material for vapor transport
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ジアルシンおよびポリ
アルシン化合物の新規使用による化学的気相成長法およ
び化学的ドーピング法に関する。
アルシン化合物の新規使用による化学的気相成長法およ
び化学的ドーピング法に関する。
【０００２】
【従来の技術】種々の基板上にＩＩＩ −Ｖ膜を製造す
るための有機金属化学気相法（ＭＯＣＶＤ） は、周知
でありかつ十分文献に記載されている。この主題に関す
る少数の文献（これは参考のため本発明では導入されて
いる）としては、米国特許 ３，１０１，２８０、 ３
，２１８，２０３、 ３，２２４，９１３、 ３，２２
６，２７０、 ３，２６１，７２６、 ３，３１２，５
７０、 ３，３１２，５７１、 ３，３４２，５５１、
３，３６４，０８４、 ４，３６８，０９８および
４，４０４，２６５があげられる。
るための有機金属化学気相法（ＭＯＣＶＤ） は、周知
でありかつ十分文献に記載されている。この主題に関す
る少数の文献（これは参考のため本発明では導入されて
いる）としては、米国特許 ３，１０１，２８０、 ３
，２１８，２０３、 ３，２２４，９１３、 ３，２２
６，２７０、 ３，２６１，７２６、 ３，３１２，５
７０、 ３，３１２，５７１、 ３，３４２，５５１、
３，３６４，０８４、 ４，３６８，０９８および
４，４０４，２６５があげられる。
【０００３】材料、特に半導体材料の化学的ドーピング
は、 ＭＯＣＶＤによる膜のエピタキシャル成長と類似
方法で行われる。しかし、ドーピングにおいては、基板
材料は反応室内に装入され次いで低レベルの金属生成化
合物が導入される。アルシン（ＡｓＨ３）は、エピタキ
シャル成長膜、例えばＩＩＩ −Ｖ膜に対する ＭＯＣ
ＶＤ法用の標準ヒ素源であった。しかし、この毒性でか
つ気体材料による危険性のため、アルシンの代替物が
ＭＯＣＶＤ法並びにヒ素ドーピンク法に対して求められ
ている。
は、 ＭＯＣＶＤによる膜のエピタキシャル成長と類似
方法で行われる。しかし、ドーピングにおいては、基板
材料は反応室内に装入され次いで低レベルの金属生成化
合物が導入される。アルシン（ＡｓＨ３）は、エピタキ
シャル成長膜、例えばＩＩＩ −Ｖ膜に対する ＭＯＣ
ＶＤ法用の標準ヒ素源であった。しかし、この毒性でか
つ気体材料による危険性のため、アルシンの代替物が
ＭＯＣＶＤ法並びにヒ素ドーピンク法に対して求められ
ている。
【０００４】ヒ素に代わるものとして、アルキルアルシ
ンが ＭＯＣＶＤおよびドーピングプロセスにおいて用
いられてきている。最初に、トリアルキルアルシンが試
みられた。これらの化合物はアルシンよりも危険性が少
ない一方、これらの化合物は金属と共に炭素をデポジュ
ットし易すい不都合がある。従って、ジアルキルアルシ
ンおよびモノアルキルアルシンは、 ＭＯＣＶＤおよび
ドーピングプロセスに対し、例えば米国特許 ４，７３
４，５１４および ４，８１４，２０３に記載される如
く、好ましいことが見出されている。これらの特許の教
示は本発明において参考として挿入されている。
ンが ＭＯＣＶＤおよびドーピングプロセスにおいて用
いられてきている。最初に、トリアルキルアルシンが試
みられた。これらの化合物はアルシンよりも危険性が少
ない一方、これらの化合物は金属と共に炭素をデポジュ
ットし易すい不都合がある。従って、ジアルキルアルシ
ンおよびモノアルキルアルシンは、 ＭＯＣＶＤおよび
ドーピングプロセスに対し、例えば米国特許 ４，７３
４，５１４および ４，８１４，２０３に記載される如
く、好ましいことが見出されている。これらの特許の教
示は本発明において参考として挿入されている。
【０００５】ＩＩＩ −Ｖ膜を形成する際、公知のヒ素
化合物に関する別の困難性は、以下の点にある。すなわ
ち、ＩＩＩ 族金属化合物の金属、例えばＧａ に対す
るヒ素の金属モル比が１対１である場合、ガリウム化合
物に対しばく大に過剰のヒ素化合物が反応器を通過しな
ければならない。アルシンを用いる場合、該アルシンは
ガリウム化合物に対し約 １００対１のモル比で供給さ
れねばならない。アルキルアルシンを用いる場合、モル
比は未だ約３０対１である。この割合を減じることが望
ましい。
化合物に関する別の困難性は、以下の点にある。すなわ
ち、ＩＩＩ 族金属化合物の金属、例えばＧａ に対す
るヒ素の金属モル比が１対１である場合、ガリウム化合
物に対しばく大に過剰のヒ素化合物が反応器を通過しな
ければならない。アルシンを用いる場合、該アルシンは
ガリウム化合物に対し約 １００対１のモル比で供給さ
れねばならない。アルキルアルシンを用いる場合、モル
比は未だ約３０対１である。この割合を減じることが望
ましい。
【０００６】更に以下の内容が望ましい。すなわち、反
応室に導入されるヒ素含有化合物が高いパーセンテージ
のヒ素を含有することが更に望ましい。
応室に導入されるヒ素含有化合物が高いパーセンテージ
のヒ素を含有することが更に望ましい。
【０００７】
【発明の要約】本発明によれば、ジアルシンおよびポリ
アルシンが、エピタキシャル成長および化学的ドーピン
グにおいて ＭＯＣＶＤに対して用いられる。これらの
化合物は、分子の重量に対し高重量％のヒ素を与える。
アルシンが、エピタキシャル成長および化学的ドーピン
グにおいて ＭＯＣＶＤに対して用いられる。これらの
化合物は、分子の重量に対し高重量％のヒ素を与える。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ジアル
シンおよびポリアルシンが ＭＯＣＶＤ並びに化学的ド
ーピングに対して用いられる。ジアルシンおよびポリア
ルシンとは、少なくとも１個のＡｓ −Ａｓ 結合を有
する化合物を意味するものとする。特に、次の一般式の
化合物が ＭＯＣＶＤ又は化学的ドーピングに対して用
いられる：
シンおよびポリアルシンが ＭＯＣＶＤ並びに化学的ド
ーピングに対して用いられる。ジアルシンおよびポリア
ルシンとは、少なくとも１個のＡｓ −Ａｓ 結合を有
する化合物を意味するものとする。特に、次の一般式の
化合物が ＭＯＣＶＤ又は化学的ドーピングに対して用
いられる：
【０００９】
【化２】
【００１０】前記式中、Ｒ′はアルキル、アルキレンお
よびアルキンから選ばれる同一もしくは異なる基である
。これらの一般式で示される範囲内の適当な化学薬品は
、分解に対して安定である温度で液体でありかつこの温
度から該薬品は例えば成長室に移送するためにキャリヤ
ガスをその中を通気することにより気化され得る。この
ような温度で、化合物は企図した使用に対し十分に高い
蒸気圧を有するべきである。 ＭＯＣＶＤによるエピタ
キシャル成長に対し、化合物は気化温度で少なくとも１
トールの蒸気圧を有する。化学的ドーピングに対し、蒸
気圧は相当により小さい。
よびアルキンから選ばれる同一もしくは異なる基である
。これらの一般式で示される範囲内の適当な化学薬品は
、分解に対して安定である温度で液体でありかつこの温
度から該薬品は例えば成長室に移送するためにキャリヤ
ガスをその中を通気することにより気化され得る。この
ような温度で、化合物は企図した使用に対し十分に高い
蒸気圧を有するべきである。 ＭＯＣＶＤによるエピタ
キシャル成長に対し、化合物は気化温度で少なくとも１
トールの蒸気圧を有する。化学的ドーピングに対し、蒸
気圧は相当により小さい。
【００１１】一般に、置換基Ｒの分子量が小さければ小
さい程、ジアルシンおよびポリアルシンの蒸気圧はより
高いが、他の因子、例えば分子の対称もしくは不斉はこ
のことに影響を及ぼすであろう。従って、前記式Ｉ〜Ｉ
Ｖの化合物の基Ｒは３個又はそれ以下の炭素原子に平均
化すべきである。Ｒ基のいずれも炭素原子３個を越えな
いことが好ましい。
さい程、ジアルシンおよびポリアルシンの蒸気圧はより
高いが、他の因子、例えば分子の対称もしくは不斉はこ
のことに影響を及ぼすであろう。従って、前記式Ｉ〜Ｉ
Ｖの化合物の基Ｒは３個又はそれ以下の炭素原子に平均
化すべきである。Ｒ基のいずれも炭素原子３個を越えな
いことが好ましい。
【００１２】適当な化合物の例には次のものが含まれる
が、これらに限定されるものではない：
化 合 物
沸点又は蒸気圧 Ｍ
ｅ２ＡｓＡｓＭｅ２ ６０℃／
２５ｍｍ； 沸点 １６３℃ Ｅ
ｔ２ＡｓＡｓＥｔ２ １８５℃
（ＭｅＡｓ
）５ １７８℃／１５トー
ル （ＥｔＡｓ）５
１９０℃／１トール
（ｎ−ＰｒＡｓ）５ １４４
℃／０．０５トールジアルシンおよび／又はポリアルシ
ンの混合物はまた、使用できるがしかしこれらの混合物
は成長中一定の蒸気圧の欠如が問題である。
が、これらに限定されるものではない：
化 合 物
沸点又は蒸気圧 Ｍ
ｅ２ＡｓＡｓＭｅ２ ６０℃／
２５ｍｍ； 沸点 １６３℃ Ｅ
ｔ２ＡｓＡｓＥｔ２ １８５℃
（ＭｅＡｓ
）５ １７８℃／１５トー
ル （ＥｔＡｓ）５
１９０℃／１トール
（ｎ−ＰｒＡｓ）５ １４４
℃／０．０５トールジアルシンおよび／又はポリアルシ
ンの混合物はまた、使用できるがしかしこれらの混合物
は成長中一定の蒸気圧の欠如が問題である。
【００１３】これらの有機アルシン類は、アルシンより
も実質的に危険性は少ない。更に、Ａｓ −Ａｓ 結合
のため、全化合物の重量％としてのヒ素は高い。他の利
点も同様に期待される。幾つかのスペクトルデータはア
ルシンがヒ素源として用いられる場合、Ａｓ −Ａｓ
結合種は分解温度で形成されることを示しており、この
ような種はヒ素の成長に対し中間的先駆物質となるであ
ろうと信じられている。ジアルシンおよびポリアルシン
により、Ａｓ −Ａｓ 結合はすでに形成されている。
も実質的に危険性は少ない。更に、Ａｓ −Ａｓ 結合
のため、全化合物の重量％としてのヒ素は高い。他の利
点も同様に期待される。幾つかのスペクトルデータはア
ルシンがヒ素源として用いられる場合、Ａｓ −Ａｓ
結合種は分解温度で形成されることを示しており、この
ような種はヒ素の成長に対し中間的先駆物質となるであ
ろうと信じられている。ジアルシンおよびポリアルシン
により、Ａｓ −Ａｓ 結合はすでに形成されている。
【００１４】更にまた、以下の如くに考えられている。
すなわち、ジ−およびポリ−アルシンは、ＩＩＩ 族金
属化合物のＩＩＩ 族金属と予備的に結合しているか、
又は予備的に配位している。例えば、次のように考えら
れている。すなわち、ジアルシンはＲ３ＡｌおよびＲ３
Ｇａ化合物（ここにおいて、少なくとも１種のＲ′は炭
化水素である）との付加塩を形成する。また、次のよう
に考えられている。すなわち、Ｒ３Ｇａ化合物は、Ｒ２
Ｇａ＋ およびＲ２Ｇａ：種を形成し更にＡｓ −Ａｓ
結合がイオンもしくは遊離基に解離する比較的低エネ
ルギーは、成長前にＡｓ がＧａ に結合することを促
進しこれによりＧａＡｓ膜を形成するのに必要なＡｓ
対Ｇａ モル比を減少する。
属化合物のＩＩＩ 族金属と予備的に結合しているか、
又は予備的に配位している。例えば、次のように考えら
れている。すなわち、ジアルシンはＲ３ＡｌおよびＲ３
Ｇａ化合物（ここにおいて、少なくとも１種のＲ′は炭
化水素である）との付加塩を形成する。また、次のよう
に考えられている。すなわち、Ｒ３Ｇａ化合物は、Ｒ２
Ｇａ＋ およびＲ２Ｇａ：種を形成し更にＡｓ −Ａｓ
結合がイオンもしくは遊離基に解離する比較的低エネ
ルギーは、成長前にＡｓ がＧａ に結合することを促
進しこれによりＧａＡｓ膜を形成するのに必要なＡｓ
対Ｇａ モル比を減少する。
【００１５】本発明を以下の実施例により更に詳しく説
明する。
明する。
【００１６】
例１ ＭＯＣＶＤプロセス
テトラエチルビアルシンをバブラー内に装入し次いで水
素ガス源および成長室と適当に接続させる。該室にまた
、別個のバブラー内に含まれるトリメチルガリウムを供
給する。ビアルシンバブラーを、適当な加熱もしくは冷
却装置を用いて５０℃に保持する。成長室を、加熱もし
くは冷却装置を用いて−５℃に保持する。成長室を ６
５０℃に保持し、次いでガリウムヒ素基板を成長室内に
支持する。担体水素を毎分（標準温度および標準圧力下
）約５〜１０ｌで配送される。成長室内の水素分圧は、
大気圧であり更にテトラエチルビアルシンの分圧は約１
５トールであり、トリメチルガリウムの分圧は約４５ト
ールである。種々の厚さのガリウムアルセニドの成長が
基板上に見出されている。 例２ ドーパントとしてのポリアルシンヒ素をドーパ
ントした水銀カドミウムテルル化物を、ジイソプロピル
テルル化物、ジメチルカドミウムおよび水銀元素を用い
て大気圧反応器内で成長させる。約５０℃でバブラー内
に保持されたペンタエチルペンタアルシンをドーパント
源として用いる。使用基板は半絶縁体のガリウムヒ化物
であり、更に成長温度は約 ３５０℃である。キャリヤ
ーガスとして水素を用いる。
素ガス源および成長室と適当に接続させる。該室にまた
、別個のバブラー内に含まれるトリメチルガリウムを供
給する。ビアルシンバブラーを、適当な加熱もしくは冷
却装置を用いて５０℃に保持する。成長室を、加熱もし
くは冷却装置を用いて−５℃に保持する。成長室を ６
５０℃に保持し、次いでガリウムヒ素基板を成長室内に
支持する。担体水素を毎分（標準温度および標準圧力下
）約５〜１０ｌで配送される。成長室内の水素分圧は、
大気圧であり更にテトラエチルビアルシンの分圧は約１
５トールであり、トリメチルガリウムの分圧は約４５ト
ールである。種々の厚さのガリウムアルセニドの成長が
基板上に見出されている。 例２ ドーパントとしてのポリアルシンヒ素をドーパ
ントした水銀カドミウムテルル化物を、ジイソプロピル
テルル化物、ジメチルカドミウムおよび水銀元素を用い
て大気圧反応器内で成長させる。約５０℃でバブラー内
に保持されたペンタエチルペンタアルシンをドーパント
源として用いる。使用基板は半絶縁体のガリウムヒ化物
であり、更に成長温度は約 ３５０℃である。キャリヤ
ーガスとして水素を用いる。
【００１７】以上、本発明について幾つかの好ましい態
様によって説明したが、当業者に自明の変更は、本発明
の範囲から逸脱することなくなすことが可能である。
様によって説明したが、当業者に自明の変更は、本発明
の範囲から逸脱することなくなすことが可能である。
Claims (3)
- 【請求項１】 蒸気質の有機ヒ素化合物を加熱基板上
に熱的に成長させることによりヒ素含有膜を製造する気
相成長方法もしくは基板にヒ素原子を導入するために有
機ヒ素化合物を用いる化学的ドーピング方法であって、
該有機ヒ素化合物としてジアルシンもしくはＡｓ −Ａ
ｓ 結合を有するポリアルシンを用いることを含んでな
る前記方法。 - 【請求項２】 該有機ヒ素化合物が、次のＩ式〜ＩＩ
Ｉ 式： 【化１】 から選ばれる一つの式を有する請求項１の方法。 - 【請求項３】 該有機ヒ素化合物が、（ＣＨ３）２Ａ
ｓＡｓ（ＣＨ３）２，（Ｃ２Ｈ５）２ＡｓＡｓ（Ｃ２Ｈ
５）２，（ＣＨ３Ａ５）５，（Ｃ２Ｈ５Ａｓ）５ およ
び （ｎ−Ｃ３Ｈ７Ａｓ）５から成る群から選ばれる、
請求項１の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US484720 | 1990-02-22 | ||
| US07/484,720 US4999223A (en) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | Chemical vapor deposition and chemicals with diarsines and polyarsines |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04215421A true JPH04215421A (ja) | 1992-08-06 |
| JPH0666280B2 JPH0666280B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=23925324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3028891A Expired - Lifetime JPH0666280B2 (ja) | 1990-02-22 | 1991-02-22 | 化学的気相成長法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4999223A (ja) |
| EP (1) | EP0443815B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0666280B2 (ja) |
| KR (1) | KR910021497A (ja) |
| CA (1) | CA2034624A1 (ja) |
| DE (1) | DE69103440D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017537478A (ja) * | 2014-09-26 | 2017-12-14 | フィリップス−ウニヴェルシテート・マールブルク | 少なくとも１種類の１５族元素二元化合物の使用法、ｉｉｉ−ｖ族半導体層、及び１５族元素二元化合物 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992009719A1 (en) * | 1990-11-23 | 1992-06-11 | The Commonwealth Industrial Gases Limited | Method for the deposition of group 15 and/or group 16 elements |
| US5244829A (en) * | 1992-07-09 | 1993-09-14 | Texas Instruments Incorporated | Organometallic vapor-phase epitaxy process using (CH3)3 As and CCl4 for improving stability of carbon-doped GaAs |
| GB2323708B (en) * | 1994-09-05 | 1999-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | Method of fabricating a semiconductor layer,method of fabricating a semiconductor laser,and a semiconductor laser |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5129880B2 (ja) * | 1973-03-15 | 1976-08-27 | ||
| EP0106537B1 (en) * | 1982-10-19 | 1989-01-25 | The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and | Organometallic chemical vapour deposition of films |
| US4611071A (en) * | 1985-02-13 | 1986-09-09 | Ethyl Corporation | Metal alkyl process |
| US4721683A (en) * | 1987-05-21 | 1988-01-26 | American Cyanamid Company | Use of alkylphosphines and alkylarsines in ion implantation |
| JP2561482B2 (ja) * | 1987-08-27 | 1996-12-11 | 住友化学工業株式会社 | トリアルキル砒素化合物の製造方法 |
| US4857655A (en) * | 1988-01-20 | 1989-08-15 | American Cyanamid Company | Process for making alkyl arsine compounds |
| US4904616A (en) * | 1988-07-25 | 1990-02-27 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method of depositing arsine, antimony and phosphine substitutes |
| US4900855A (en) * | 1988-12-14 | 1990-02-13 | Cvd Incorporated | Chemical process for obtaining high purification of monoalkylarsines and dialkylarsines and purified mono- and dialkylarsines |
-
1990
- 1990-02-22 US US07/484,720 patent/US4999223A/en not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-01-21 CA CA002034624A patent/CA2034624A1/en not_active Abandoned
- 1991-02-19 EP EP91301311A patent/EP0443815B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-19 DE DE69103440T patent/DE69103440D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-21 KR KR1019910002758A patent/KR910021497A/ko not_active Abandoned
- 1991-02-22 JP JP3028891A patent/JPH0666280B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017537478A (ja) * | 2014-09-26 | 2017-12-14 | フィリップス−ウニヴェルシテート・マールブルク | 少なくとも１種類の１５族元素二元化合物の使用法、ｉｉｉ−ｖ族半導体層、及び１５族元素二元化合物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0443815A1 (en) | 1991-08-28 |
| US4999223A (en) | 1991-03-12 |
| KR910021497A (ko) | 1991-12-20 |
| DE69103440D1 (de) | 1994-09-22 |
| JPH0666280B2 (ja) | 1994-08-24 |
| EP0443815B1 (en) | 1994-08-17 |
| CA2034624A1 (en) | 1991-08-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4792467A (en) | Method for vapor phase deposition of gallium nitride film | |
| JP2867145B2 (ja) | 環状有機金属化合物 | |
| EP0778838B1 (en) | Formation of a metalorganic compound for growing epitaxial metal or semiconductor layers | |
| JPH0280572A (ja) | アルシン、アンチモン及びホスフィン置換体 | |
| WO1995013282A1 (en) | F-series metal and metal amides for use in mocvd | |
| US5300185A (en) | Method of manufacturing III-V group compound semiconductor | |
| US4740606A (en) | Gallium hydride/trialkylamine adducts, and their use in deposition of III-V compound films | |
| US4935381A (en) | Process for growing GaAs epitaxial layers | |
| US5036022A (en) | Metal organic vapor phase epitaxial growth of group III-V semiconductor materials | |
| Maury et al. | MOVPE of GaAs from the new adducts [CIR2Ga· AsEt2] 2CH2 (R= Me, Et) and (C6F5) 3− n MenGa· AsEt3 (n= 0, 2) | |
| JPH04215421A (ja) | 化学的気相成長法 | |
| US5098857A (en) | Method of making semi-insulating gallium arsenide by oxygen doping in metal-organic vapor phase epitaxy | |
| US5120676A (en) | Use of phosphine and arsine compounds in chemical vapor deposition and chemical doping | |
| Speckman et al. | Triethylarsenic and arsine as co-reagents: The novel manipulation of in-situ GaAs OMCVD growth chemistry to improve growth efficiency and safety | |
| CA1322935C (en) | Branched monoalkyl group v a compounds as mocvd element sources | |
| CA1313343C (en) | Metal organic vapor phase epitaxial growth of group iii-v semiconductor materials | |
| Hostalhe et al. | New group III precursors for the MOVPE of GaAs and InP based material | |
| Weyers | New starting materials for MOMBE | |
| JPS60169563A (ja) | テルル化金属の製造方法及び装置 | |
| EP0141561B1 (en) | A process for producing devices having semi-insulating indium phosphide based compositions | |
| JP2706337B2 (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH01272111A (ja) | 化合物半導体の気相成長方法 | |
| JPH07130667A (ja) | 有機金属気相エピタキシャル成長方法 | |
| WO1986002776A1 (en) | Technique for the growth of epitaxial compound semiconductor films | |
| JPH01259524A (ja) | 化合物半導体の気相成長方法 |