JPH0421759A - 誘電体薄膜形成装置及び誘電体薄膜形成方法 - Google Patents
誘電体薄膜形成装置及び誘電体薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPH0421759A JPH0421759A JP12117090A JP12117090A JPH0421759A JP H0421759 A JPH0421759 A JP H0421759A JP 12117090 A JP12117090 A JP 12117090A JP 12117090 A JP12117090 A JP 12117090A JP H0421759 A JPH0421759 A JP H0421759A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- thin film
- dielectric thin
- group
- element selected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、光記録媒体の保護膜、あるいは光学反射防止
膜や増反射膜または絶縁膜などに適用する為に形成され
る誘電体ｙ４膜の形成装置及びその形成方法に関するも
のである。
膜や増反射膜または絶縁膜などに適用する為に形成され
る誘電体ｙ４膜の形成装置及びその形成方法に関するも
のである。
従来より、各種の分野において誘電体薄膜が利用されて
いること周知の通りである。 このような誘電体薄膜の形成手段としては、形成しよう
とする誘電体’ＮＷＩ！の組成の焼結体（例えば５ｉＡ
Ｉ、５ｉＡＩＮ等の焼結体）をターゲット（ターゲット
は一つのみ）としたマグネトロンカソード型高周波反応
性スパッタリング法が知られている。 しかし、マグネトロンカソード型窩周波反応性スバ・ツ
タリング装置を用いた反応性スバンタの場合、成膜速度
が遅い欠点があり、成膜に時間がかかり、量産性の面で
不利であり、さらには直流電源より高周波電源はコスト
が高いなどの欠点もある。 又、マグネトロンカソード型高周波反応性スパッタリン
グ装置においては、誘電体薄膜が形成される基板とター
ゲットが向き合っており、基板表面がプラズマに曝され
る為、基板温度が上昇し、特に基板が樹脂製の場合、形
状変形などの問題もある。 さらに、この手段は、所望の複合組成の誘電体薄膜を形
成出来にくいといった大きな欠点がある。
いること周知の通りである。 このような誘電体薄膜の形成手段としては、形成しよう
とする誘電体’ＮＷＩ！の組成の焼結体（例えば５ｉＡ
Ｉ、５ｉＡＩＮ等の焼結体）をターゲット（ターゲット
は一つのみ）としたマグネトロンカソード型高周波反応
性スパッタリング法が知られている。 しかし、マグネトロンカソード型窩周波反応性スバ・ツ
タリング装置を用いた反応性スバンタの場合、成膜速度
が遅い欠点があり、成膜に時間がかかり、量産性の面で
不利であり、さらには直流電源より高周波電源はコスト
が高いなどの欠点もある。 又、マグネトロンカソード型高周波反応性スパッタリン
グ装置においては、誘電体薄膜が形成される基板とター
ゲットが向き合っており、基板表面がプラズマに曝され
る為、基板温度が上昇し、特に基板が樹脂製の場合、形
状変形などの問題もある。 さらに、この手段は、所望の複合組成の誘電体薄膜を形
成出来にくいといった大きな欠点がある。
本発明の第１の目的は、所望の組成の誘電体薄膜を容易
に形成できる技術を提供することである。 本発明の第２の目的は、誘電体薄膜の形成コストが装置
な誘電体薄膜形成技術を提供することである。 本発明の第３の目的は、誘電体薄膜の成膜速度が速い誘
電体薄膜形成技術を提供することである。 上記本発明の目的は、周期律表第■族及び第■族に属す
る群の中から選ばれる元素を成分として含む第１のター
ゲットと、この第１のターゲットに対向して配置され、
周期律表第■族及び第■族に属する群の中から選ばれる
元素を成分として含み、かつ、前記第１のターゲットの
組成とは異なる組成の第２のターゲットと、前記第１の
ターゲット及び第２のターゲットのスパッタ面に対して
略垂直な方向に磁場を印加する手段と、前記第１のター
ゲット及び第２のターゲットの側方に誘電体薄膜が形成
される基板を保持する保持手段と、前記第１のターゲッ
トに電圧を印加する第１の電源と、前記第２のターゲッ
トに電圧を印加する第２の電源とを具備することを特徴
とする誘電体薄膜形成装置によって達成される。 又、周期律表第■族及び第■族に属する群の中から選ば
れる元素を成分として含み、抵抗率が１×１０−２Ωｃ
ｍ以下の第１のターゲットに対向して、周期律表第■族
及び第■族に属する群の中から選ばれる元素を成分とし
て含み、かつ、前記第１のターゲットの組成とは異なる
組成で、抵抗率がｌ Ｘ １０−２Ωｃｍ以下の第２の
ターゲットが配置されると共に、これら第１のターゲッ
ト及び第２のターゲットのスパッタ面に対して略垂直な
方向に磁場が印加され、前記第１のターゲット及び第２
のターゲ７１−には各々所望の電圧が印加され、放電が
行われ、反応性スパッタリングにより前記第１のターゲ
ット及び第２のターゲットの側方に配置された基板に第
１のターゲットの元素及び第２のターゲットの元素を含
む誘電体薄膜を形成することを特徴とする誘電体薄膜形
成方法によっても達成される。 尚、本発明にあっては、ターゲットは、ホウ素、アルミ
ニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、スカンジウ
ム、イツトリウム、ランタノイド元素、アクチノイド元
素、炭素、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、チタン、
ジルコニウム、ハフニウム等の群の中から選ばれる元素
を主成分として含むものであり、その種類（ターゲット
の組成）によって安定放電状態を実現させる為の条件が
決まるわけであるが、この安定放電を維持して反応性ス
パッタリングを良好に継続させる為、安定放電が達成さ
れた時の電流値が変化しないよう電流制御型電源を用い
ることが好ましい。又、例えば、本発明の装置における
直流放電を生しさせる電源回路に、異常放電を防止する
為の電流変動検出器や一時電源遮断器を設けておくこと
は好ましいものである。 これにより、直流放電対向ターゲット式反応性スパッタ
リングにおいて、異常放電が生した場合、ｔａが一時的
にカットされることになり、異常放電が抑えられ、安定
した高速成膜が可能となり、しかも高品質な膜が得られ
ることになり、さらには基板温度の上昇も低く抑えられ
、基板の損傷も起きにくいものとなる。 そして、このようにして反応性スパッタリングが行われ
ると、電力が比較的安定（ｔカの変動が低く抑えられる
）し、長時間の連続成膜が安定して行え、運転の中断が
起きないから成膜の高速化にもなる。 尚、ターゲットに印加される電力は２０Ｗ／（ターゲッ
トの単位面積）ｃｍ”以下とした方が好ましい。なぜな
らば、印加電力が高すぎると、ターゲットが損傷する恐
れがある。 又、ターゲットの抵抗がＩ Ｘ １０−２Ωｃｍ以上に
なると、直流放電が起きにくくなるから、ターゲットの
抵抗はＩ Ｘ １０−２Ωｃｍ以下、より好ましくは５
Ｘ １０−２Ωｃｍ以下であることが望ましい。 そして、クーゲットの構成元素によっては、抵抗が１×
１０−２Ωｃｍ以上になる場合もあるから、このような
場合には不純物を注入（ドーピング）して抵抗値を下げ
れば良い。例えば、ＳｉやＧｅにはホウ素やリンを極微
量添加する。 尚、本発明の実施によれば、所望の組成の誘電体薄膜を
得ることが出来る訳であるが、例えば第１ターゲツトに
純度９９．９９９％のＡＩ、第２ターゲツトにホウ素を
ドープしたＳｉ（抵抗値は１×１０−３Ωｃｍ）を用い
、ＡｒとＮ２とを４：１の量で流し、Ａ１に３．ＯＡ、
Ｓｉに１．８Ａを印加する条件で実施すれば、（Ｓｉｏ
、 、Ａｌｏ、 ｓ） Ｎの組成の誘電体薄膜を得るこ
とが出来、このような誘電体薄膜は光学的に屈折率２．
１０の特性を有しているから、これを光記録媒体の保護
膜に用いた場合には極めて好ましいものとなる。
に形成できる技術を提供することである。 本発明の第２の目的は、誘電体薄膜の形成コストが装置
な誘電体薄膜形成技術を提供することである。 本発明の第３の目的は、誘電体薄膜の成膜速度が速い誘
電体薄膜形成技術を提供することである。 上記本発明の目的は、周期律表第■族及び第■族に属す
る群の中から選ばれる元素を成分として含む第１のター
ゲットと、この第１のターゲットに対向して配置され、
周期律表第■族及び第■族に属する群の中から選ばれる
元素を成分として含み、かつ、前記第１のターゲットの
組成とは異なる組成の第２のターゲットと、前記第１の
ターゲット及び第２のターゲットのスパッタ面に対して
略垂直な方向に磁場を印加する手段と、前記第１のター
ゲット及び第２のターゲットの側方に誘電体薄膜が形成
される基板を保持する保持手段と、前記第１のターゲッ
トに電圧を印加する第１の電源と、前記第２のターゲッ
トに電圧を印加する第２の電源とを具備することを特徴
とする誘電体薄膜形成装置によって達成される。 又、周期律表第■族及び第■族に属する群の中から選ば
れる元素を成分として含み、抵抗率が１×１０−２Ωｃ
ｍ以下の第１のターゲットに対向して、周期律表第■族
及び第■族に属する群の中から選ばれる元素を成分とし
て含み、かつ、前記第１のターゲットの組成とは異なる
組成で、抵抗率がｌ Ｘ １０−２Ωｃｍ以下の第２の
ターゲットが配置されると共に、これら第１のターゲッ
ト及び第２のターゲットのスパッタ面に対して略垂直な
方向に磁場が印加され、前記第１のターゲット及び第２
のターゲ７１−には各々所望の電圧が印加され、放電が
行われ、反応性スパッタリングにより前記第１のターゲ
ット及び第２のターゲットの側方に配置された基板に第
１のターゲットの元素及び第２のターゲットの元素を含
む誘電体薄膜を形成することを特徴とする誘電体薄膜形
成方法によっても達成される。 尚、本発明にあっては、ターゲットは、ホウ素、アルミ
ニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、スカンジウ
ム、イツトリウム、ランタノイド元素、アクチノイド元
素、炭素、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、チタン、
ジルコニウム、ハフニウム等の群の中から選ばれる元素
を主成分として含むものであり、その種類（ターゲット
の組成）によって安定放電状態を実現させる為の条件が
決まるわけであるが、この安定放電を維持して反応性ス
パッタリングを良好に継続させる為、安定放電が達成さ
れた時の電流値が変化しないよう電流制御型電源を用い
ることが好ましい。又、例えば、本発明の装置における
直流放電を生しさせる電源回路に、異常放電を防止する
為の電流変動検出器や一時電源遮断器を設けておくこと
は好ましいものである。 これにより、直流放電対向ターゲット式反応性スパッタ
リングにおいて、異常放電が生した場合、ｔａが一時的
にカットされることになり、異常放電が抑えられ、安定
した高速成膜が可能となり、しかも高品質な膜が得られ
ることになり、さらには基板温度の上昇も低く抑えられ
、基板の損傷も起きにくいものとなる。 そして、このようにして反応性スパッタリングが行われ
ると、電力が比較的安定（ｔカの変動が低く抑えられる
）し、長時間の連続成膜が安定して行え、運転の中断が
起きないから成膜の高速化にもなる。 尚、ターゲットに印加される電力は２０Ｗ／（ターゲッ
トの単位面積）ｃｍ”以下とした方が好ましい。なぜな
らば、印加電力が高すぎると、ターゲットが損傷する恐
れがある。 又、ターゲットの抵抗がＩ Ｘ １０−２Ωｃｍ以上に
なると、直流放電が起きにくくなるから、ターゲットの
抵抗はＩ Ｘ １０−２Ωｃｍ以下、より好ましくは５
Ｘ １０−２Ωｃｍ以下であることが望ましい。 そして、クーゲットの構成元素によっては、抵抗が１×
１０−２Ωｃｍ以上になる場合もあるから、このような
場合には不純物を注入（ドーピング）して抵抗値を下げ
れば良い。例えば、ＳｉやＧｅにはホウ素やリンを極微
量添加する。 尚、本発明の実施によれば、所望の組成の誘電体薄膜を
得ることが出来る訳であるが、例えば第１ターゲツトに
純度９９．９９９％のＡＩ、第２ターゲツトにホウ素を
ドープしたＳｉ（抵抗値は１×１０−３Ωｃｍ）を用い
、ＡｒとＮ２とを４：１の量で流し、Ａ１に３．ＯＡ、
Ｓｉに１．８Ａを印加する条件で実施すれば、（Ｓｉｏ
、 、Ａｌｏ、 ｓ） Ｎの組成の誘電体薄膜を得るこ
とが出来、このような誘電体薄膜は光学的に屈折率２．
１０の特性を有しているから、これを光記録媒体の保護
膜に用いた場合には極めて好ましいものとなる。
第１図は、本発明に係る誘電体薄膜形成装置の１実施例
を示す概略説明図である。 同図中、１は、周期律表第■族及び第■族に属する群の
中から選ばれる元素、例えばＡＩを成分（純度９９．９
９９％）とし、１００ｍｍＸ１００ｍｍＸ１００の寸法
の第１のターゲットである。 ２は、周期律表第■族及び第■族に属する群の中から選
ばれる元素、例えばＢをドーピングしたＳｉにより１０
０ｍｍＸ１００ｍｍＸ５ｍｍの寸法に構成した第２のタ
ーゲットである。 これら第１のターゲット１及び第２のターゲット２は、
いずれも抵抗が１０−３Ωｃｍ程度であり、そして第１
図に示される如く、対向配置されている。 ３．４は永久磁石であり、これらの永久磁石３４による
磁場が第１のターゲット１及び第２のターゲット２のス
パッタ面に対して略垂直に加わるように構成されている
。 ５は誘電体薄膜が形成される基板であり、この基板５は
第１のターゲット１及び第２のターゲット２の側方に設
けられた基板ホルダー（図示せず）に配！されている。 ６．７は電極であり、以上の構成のものが真空槽８内に
配設されている。 ９．１０は直流電源である。 上記のように構成させた誘電体薄膜形成装置により、基
板５に誘電体薄膜を形成する方法は次の通りである。 先ず、真空槽８内を約１０−’Ｔｏ ｒ ｒ程度の真空
度に排気する。 この真空排気後に、ガス導入口から真空槽８内にスパッ
タガスを導入する。尚、スパッタガスとしては、窒化物
の薄膜を形成する場合にはＡｒとＮ２との混合ガスが、
酸化物の場合にはＡｒと０２との混合ガスが用いられる
。 次に、真空槽８内のガス圧を１Ｏ−３Ｔｏｒｒ程度に保
った状態で、クーゲット１．２と電極６７との間に直流
高電圧をそれぞれ印加し、グロー放電を起こさせる。こ
の際、ターゲットＬ ２に印加する電圧を各々独立し
て変えることによって、所望の目的の膜（所望の組成の
誘電体薄膜）が作成される。 例えば、ＡｒとＮ２を各々４０ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｃ
／分、２３５ｔａｎｄａｒｄ ｃｃ ／分の割合で流
してスバ。 タリングを行い、Ａ１のターゲット１とＳｉのターゲッ
ト２に各々投入する電力を種々変化させて成膜を行った
場合において、投入電力と誘電体薄膜の組成との関係を
調べたので、その結果を第２図に示す。 これによれば、ターゲットに投入する電力比により、所
望の組成（Ｓｉ、□Ａ１．Ｎ）の誘電体薄膜が得られて
いることが判る。 尚、従来の焼結体ターゲットを用いてのマグネトロンカ
ソード型高周波反応性スパッタリングでは、例えばＳ
１．、、Ａ Ｉ 、、、 Ｎの誘電体薄膜しか得られな
い。 又、このようにして得られたＳｉ、−ＸＡ１．Ｎの誘電
体薄膜の薄膜物性（屈折率）を調べると、第３図に示し
た通りであり、種々の特性を持った誘電体薄膜が容易に
得られたことが判る。
を示す概略説明図である。 同図中、１は、周期律表第■族及び第■族に属する群の
中から選ばれる元素、例えばＡＩを成分（純度９９．９
９９％）とし、１００ｍｍＸ１００ｍｍＸ１００の寸法
の第１のターゲットである。 ２は、周期律表第■族及び第■族に属する群の中から選
ばれる元素、例えばＢをドーピングしたＳｉにより１０
０ｍｍＸ１００ｍｍＸ５ｍｍの寸法に構成した第２のタ
ーゲットである。 これら第１のターゲット１及び第２のターゲット２は、
いずれも抵抗が１０−３Ωｃｍ程度であり、そして第１
図に示される如く、対向配置されている。 ３．４は永久磁石であり、これらの永久磁石３４による
磁場が第１のターゲット１及び第２のターゲット２のス
パッタ面に対して略垂直に加わるように構成されている
。 ５は誘電体薄膜が形成される基板であり、この基板５は
第１のターゲット１及び第２のターゲット２の側方に設
けられた基板ホルダー（図示せず）に配！されている。 ６．７は電極であり、以上の構成のものが真空槽８内に
配設されている。 ９．１０は直流電源である。 上記のように構成させた誘電体薄膜形成装置により、基
板５に誘電体薄膜を形成する方法は次の通りである。 先ず、真空槽８内を約１０−’Ｔｏ ｒ ｒ程度の真空
度に排気する。 この真空排気後に、ガス導入口から真空槽８内にスパッ
タガスを導入する。尚、スパッタガスとしては、窒化物
の薄膜を形成する場合にはＡｒとＮ２との混合ガスが、
酸化物の場合にはＡｒと０２との混合ガスが用いられる
。 次に、真空槽８内のガス圧を１Ｏ−３Ｔｏｒｒ程度に保
った状態で、クーゲット１．２と電極６７との間に直流
高電圧をそれぞれ印加し、グロー放電を起こさせる。こ
の際、ターゲットＬ ２に印加する電圧を各々独立し
て変えることによって、所望の目的の膜（所望の組成の
誘電体薄膜）が作成される。 例えば、ＡｒとＮ２を各々４０ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｃ
／分、２３５ｔａｎｄａｒｄ ｃｃ ／分の割合で流
してスバ。 タリングを行い、Ａ１のターゲット１とＳｉのターゲッ
ト２に各々投入する電力を種々変化させて成膜を行った
場合において、投入電力と誘電体薄膜の組成との関係を
調べたので、その結果を第２図に示す。 これによれば、ターゲットに投入する電力比により、所
望の組成（Ｓｉ、□Ａ１．Ｎ）の誘電体薄膜が得られて
いることが判る。 尚、従来の焼結体ターゲットを用いてのマグネトロンカ
ソード型高周波反応性スパッタリングでは、例えばＳ
１．、、Ａ Ｉ 、、、 Ｎの誘電体薄膜しか得られな
い。 又、このようにして得られたＳｉ、−ＸＡ１．Ｎの誘電
体薄膜の薄膜物性（屈折率）を調べると、第３図に示し
た通りであり、種々の特性を持った誘電体薄膜が容易に
得られたことが判る。
本発明によれば、所望の組成の誘電体薄膜を容易に形成
できる。 又、成膜速度が速く、短時間で成膜でき、量産性に適し
ている。 又、高価な高周波電源を用いなくても良く、コストが装
置である。 又、誘電体薄膜が形成される基板とターゲットが向き合
っておらず、基板表面がプラズマに曝されず、基板の損
傷が起きにくい。
できる。 又、成膜速度が速く、短時間で成膜でき、量産性に適し
ている。 又、高価な高周波電源を用いなくても良く、コストが装
置である。 又、誘電体薄膜が形成される基板とターゲットが向き合
っておらず、基板表面がプラズマに曝されず、基板の損
傷が起きにくい。
第１図は本発明に係る誘電体薄膜形成装置の１実施例を
示す概略説明図であり、第２図はターゲット投入電力と
誘電体ｆｉｇ膜の組成との関係を示すグラフ、第３図は
形成された誘電体薄膜の薄膜物性（屈折率）を示すグラ
フである。 １・・・第１のターゲット、２・・・第２のターゲット
、３．４・・・永久磁石、５・・・基板、６．７・・・
電極、８・・・真空槽、９．１０・・・直流電源。
示す概略説明図であり、第２図はターゲット投入電力と
誘電体ｆｉｇ膜の組成との関係を示すグラフ、第３図は
形成された誘電体薄膜の薄膜物性（屈折率）を示すグラ
フである。 １・・・第１のターゲット、２・・・第２のターゲット
、３．４・・・永久磁石、５・・・基板、６．７・・・
電極、８・・・真空槽、９．１０・・・直流電源。
Claims (2)
- （１）周期律表第III族及び第IV族に属する群の中から
選ばれる元素を成分として含む第１のターゲットと、こ
の第１のターゲットに対向して配置され、周期律表第I
II族及び第IV族に属する群の中から選ばれる元素を成分
として含み、かつ、前記第１のターゲットの組成とは異
なる組成の第２のターゲットと、前記第１のターゲット
及び第２のターゲットのスパッタ面に対して略垂直な方
向に磁場を印加する手段と、前記第１のターゲット及び
第２のターゲットの側方に誘電体薄膜が形成される基板
を保持する保持手段と、前記第１のターゲットに電圧を
印加する第１の電源と、前記第２のターゲットに電圧を
印加する第２の電源とを具備することを特徴とする誘電
体薄膜形成装置。 - （２）周期律表第III族及び第IV族に属する群の中から
選ばれる元素を成分として含み、抵抗率が１×１０＾−
＾２Ωｃｍ以下の第１のターゲットに対向して、周期律
表第III族及び第IV族に属する群の中から選ばれる元素
を成分として含み、かつ、前記第１のターゲットの組成
とは異なる組成で、抵抗率が１×１０＾−＾２Ωｃｍ以
下の第２のターゲットが配置されると共に、これら第１
のターゲット及び第２のターゲットのスパッタ面に対し
て略垂直な方向に磁場が印加され、前記第１のターゲッ
ト及び第２のターゲットには各々所望の電圧が印加され
、放電が行われ、反応性スパッタリングにより前記第１
のターゲット及び第２のターゲットの側方に配置された
基板に第１のターゲットの元素及び第２のターゲットの
元素を含む誘電体薄膜を形成することを特徴とする誘電
体薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12117090A JPH0421759A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 誘電体薄膜形成装置及び誘電体薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12117090A JPH0421759A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 誘電体薄膜形成装置及び誘電体薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0421759A true JPH0421759A (ja) | 1992-01-24 |
Family
ID=14804579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12117090A Pending JPH0421759A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 誘電体薄膜形成装置及び誘電体薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0421759A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008223140A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Jds Uniphase Corp | 複数の材料の混合物から構成され、かつ、予め決められた屈折率を有する層を堆積させるための方法およびスパッタ堆積システム |
-
1990
- 1990-05-14 JP JP12117090A patent/JPH0421759A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008223140A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Jds Uniphase Corp | 複数の材料の混合物から構成され、かつ、予め決められた屈折率を有する層を堆積させるための方法およびスパッタ堆積システム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1505170B1 (en) | Box-shaped facing-targets sputtering apparatus and method for producing compound thin film | |
| JP2001003166A (ja) | 基体表面に被膜を被覆する方法およびその方法による基体 | |
| JPH02217467A (ja) | 対向ターゲット型スパッタリング装置 | |
| KR930001782B1 (ko) | 투명 도전막의 제조방법 및 그 제조장치 | |
| US5190631A (en) | Process for forming transparent silicon carbide films | |
| JPH03240944A (ja) | アルミニウム薄膜形成用対向ターゲット式スパッタ法及び装置 | |
| JPH0421759A (ja) | 誘電体薄膜形成装置及び誘電体薄膜形成方法 | |
| JP4599595B2 (ja) | 透明導電膜の製造方法および製造装置 | |
| JPH11172430A (ja) | 薄膜形成装置及びそれを用いた化合物薄膜の形成法 | |
| JP3360139B2 (ja) | ゲート絶縁膜形成方法 | |
| JP3478561B2 (ja) | スパッタ成膜方法 | |
| JPH0397846A (ja) | ケイ素化合物薄膜の形成方法 | |
| JP3332840B2 (ja) | 反応性スパッタリング装置及びそれを用いた薄膜形成法 | |
| Asamaki et al. | High‐vacuum planar magnetron discharge | |
| JP2000282235A (ja) | マグネトロンスパッタリング方法および装置 | |
| JP2014057034A (ja) | 酸化アルミニウムの成膜方法 | |
| JPH0967668A (ja) | スパッタターゲット | |
| JPH056286B2 (ja) | ||
| JP3787430B2 (ja) | スパッタリング装置及びそれを用いた薄膜形成法 | |
| JP2004083974A (ja) | スパッタ成膜方法及びマグネトロンスパッタ装置 | |
| JPS63277756A (ja) | 対向タ−ゲット式スパッタ装置 | |
| JPS62222518A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| JPH03243761A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPS60101721A (ja) | バリウムフエライト層の形成方法 | |
| JP2000160337A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 |