JPH04218632A - ベアボンディング用リードフレーム材料 - Google Patents
ベアボンディング用リードフレーム材料Info
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- JPH04218632A JPH04218632A JP3080706A JP8070691A JPH04218632A JP H04218632 A JPH04218632 A JP H04218632A JP 3080706 A JP3080706 A JP 3080706A JP 8070691 A JP8070691 A JP 8070691A JP H04218632 A JPH04218632 A JP H04218632A
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はベアボンディング用リー
ドフレーム材料に係り、さらに詳しくはＡｕ−Ｓｉの共
晶合金法を利用してベアボンディングを行なっても半導
体素子へのリードフレーム材料の成分元素による悪影響
の無い銅系リードフレーム材料に関する。
ドフレーム材料に係り、さらに詳しくはＡｕ−Ｓｉの共
晶合金法を利用してベアボンディングを行なっても半導
体素子へのリードフレーム材料の成分元素による悪影響
の無い銅系リードフレーム材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の組立工程は、素子（半導体チッ
プ）とリードフレームを接合するダイボンディング工程
、素子の配線とリードフレームをＡｕやＡｌのワイヤで
接続するワイヤボンディング工程および樹脂で封止する
工程よりなる。これらの工程においてリードフレームは
加熱されるため、使用されるリードフレーム材料はこれ
らの加熱によっても軟化しないこと、即ち耐熱性が要求
される。
プ）とリードフレームを接合するダイボンディング工程
、素子の配線とリードフレームをＡｕやＡｌのワイヤで
接続するワイヤボンディング工程および樹脂で封止する
工程よりなる。これらの工程においてリードフレームは
加熱されるため、使用されるリードフレーム材料はこれ
らの加熱によっても軟化しないこと、即ち耐熱性が要求
される。
【０００３】一方、熱伝導性や電気伝導性に優れる銅合
金はトランジスタ等、良好な熱放散性が要求される用途
を中心にリードフレーム材料として使用されている。
金はトランジスタ等、良好な熱放散性が要求される用途
を中心にリードフレーム材料として使用されている。
【０００４】これらの銅系リードフレーム材料は、耐熱
性や機械的強度、半田付け性など、リードフレーム材料
として要求される特性を満足させるために、各種添加元
素を含有した銅合金となっている。
性や機械的強度、半田付け性など、リードフレーム材料
として要求される特性を満足させるために、各種添加元
素を含有した銅合金となっている。
【０００５】上記組立工程の内、ダイボンディング工程
では、通常三種類の方法により素子とリードフレームが
接合されている。即ち、Ａｕ−Ｓｉ共晶合金法、半田接
着法、導電性樹脂接着法である。これらの方法の内、Ａ
ｕ−Ｓｉ共晶合金法は、３７０℃の共晶温度より５０〜
７０℃高い４２０〜４４０℃の温度に素子およびリード
フレームを数十秒間加熱することにより接合を行うもの
である。
では、通常三種類の方法により素子とリードフレームが
接合されている。即ち、Ａｕ−Ｓｉ共晶合金法、半田接
着法、導電性樹脂接着法である。これらの方法の内、Ａ
ｕ−Ｓｉ共晶合金法は、３７０℃の共晶温度より５０〜
７０℃高い４２０〜４４０℃の温度に素子およびリード
フレームを数十秒間加熱することにより接合を行うもの
である。
【０００６】ところで、半導体装置におけるコストダウ
ンの要求は強く、その一つの手段として、従来行ってい
たリードフレームへのめっきを省略してダイボンディン
グやワイヤボンディングを行うベアボンディングと称す
る技術がトランジスタを中心に広まりつつある。
ンの要求は強く、その一つの手段として、従来行ってい
たリードフレームへのめっきを省略してダイボンディン
グやワイヤボンディングを行うベアボンディングと称す
る技術がトランジスタを中心に広まりつつある。
【０００７】しかるに、各種添加元素を含有した従来の
合金よりなるリードフレームにつき前記のＡｕ−Ｓｉ共
晶合金法によりベアボンディングを行ったところ、半導
体素子の特性に変化をきたすことが判明した。
合金よりなるリードフレームにつき前記のＡｕ−Ｓｉ共
晶合金法によりベアボンディングを行ったところ、半導
体素子の特性に変化をきたすことが判明した。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、Ａｕ−Ｓｉ
共晶合金法を用いてベアボンディングを行っても、半導
体素子の特性に変化をきたすことがなく、かつ、耐熱性
や機械的強度にも優れたベアボンディング用リードフレ
ーム材料を提供することを目的とする。
共晶合金法を用いてベアボンディングを行っても、半導
体素子の特性に変化をきたすことがなく、かつ、耐熱性
や機械的強度にも優れたベアボンディング用リードフレ
ーム材料を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係るベアボンデ
ィング用リードフレーム材料の第１の特徴とするところ
は、Ｎｉ：０．１〜１．０ｗｔ％、Ｓｉ：０．０１〜０
．２５ｗｔ％、Ｚｎ：０．０５〜１．０ｗｔ％を含有し
、ＩＩＩｂ族の元素を総量で０．０１ｗｔ％以下、Ｖｂ
族の元素を総量で０．０１ｗｔ％以下に制限し、残部実
質的にＣｕよりなることを特徴とするベアボンディング
用リードフレーム材料。
ィング用リードフレーム材料の第１の特徴とするところ
は、Ｎｉ：０．１〜１．０ｗｔ％、Ｓｉ：０．０１〜０
．２５ｗｔ％、Ｚｎ：０．０５〜１．０ｗｔ％を含有し
、ＩＩＩｂ族の元素を総量で０．０１ｗｔ％以下、Ｖｂ
族の元素を総量で０．０１ｗｔ％以下に制限し、残部実
質的にＣｕよりなることを特徴とするベアボンディング
用リードフレーム材料。
【００１０】本発明に係るベアボンディング用リードフ
レーム材料の第２の特徴とするところは、Ｎｉ：０．１
〜１．０ｗｔ％、Ｓｉ：０．０１〜０．２５ｗｔ％、Ｚ
ｎ：０．０５〜１．０ｗｔ％、Ｍｎ：０．０１〜０．０
５ｗｔ％、Ｍｇ：０．００１〜０．０１ｗｔ％、Ｃｒ，
Ｔｉ，Ｚｒの内から選ばれる１種または２種以上を０．
００１〜０．０１ｗｔ％を含有し、ＩＩＩｂ族の元素を
総量で０．０１ｗｔ％以下、Ｖｂ族の元素を総量で０．
０１ｗｔ％以下に制限し、残部実質的にＣｕよりなるこ
とを特徴とするベアボンディング用リードフレーム材料
に存在する。
レーム材料の第２の特徴とするところは、Ｎｉ：０．１
〜１．０ｗｔ％、Ｓｉ：０．０１〜０．２５ｗｔ％、Ｚ
ｎ：０．０５〜１．０ｗｔ％、Ｍｎ：０．０１〜０．０
５ｗｔ％、Ｍｇ：０．００１〜０．０１ｗｔ％、Ｃｒ，
Ｔｉ，Ｚｒの内から選ばれる１種または２種以上を０．
００１〜０．０１ｗｔ％を含有し、ＩＩＩｂ族の元素を
総量で０．０１ｗｔ％以下、Ｖｂ族の元素を総量で０．
０１ｗｔ％以下に制限し、残部実質的にＣｕよりなるこ
とを特徴とするベアボンディング用リードフレーム材料
に存在する。
【００１１】
【作用】以下に、本発明の作用を本発明をなすに際して
得た知見及び成分の限定理由とともに説明する。
得た知見及び成分の限定理由とともに説明する。
【００１２】本発明者は、従来合金について、Ａｕ−Ｓ
ｉ共晶合金法を用いてベアボンディングを行った場合に
半導体素子の特性に変化をきたす原因の解明をまず行っ
た。
ｉ共晶合金法を用いてベアボンディングを行った場合に
半導体素子の特性に変化をきたす原因の解明をまず行っ
た。
【００１３】その結果、次のことが判明した。すなわち
、４２０〜４４０℃に数十秒間加熱される間に溶融した
Ａｕ−Ｓｉ層に接した銅合金リードフレーム中の成分元
素はＡｕ−Ｓｉ層を通過し、半導体素子中に拡散する。
、４２０〜４４０℃に数十秒間加熱される間に溶融した
Ａｕ−Ｓｉ層に接した銅合金リードフレーム中の成分元
素はＡｕ−Ｓｉ層を通過し、半導体素子中に拡散する。
【００１４】半導体素子中に拡散する元素の中でも、周
期表のＩＩＩｂ族に属するＢ，Ａｌ，Ｇａ，ＩｎやＶｂ
族に属するＮ，Ｐ，Ａｓ，ＳｂなどはＳｉ半導体に対し
アクセプターおよびドナーとして作用しそれぞれＰ型お
よびＮ型半導体を形成する。トランジスタの場合、一般
にリードフレームと接合されるＳｉ素子の底面部はコレ
クターになっており、この部分に前記のＩＩＩｂ族ある
いはＶｂ族に属する元素がリードフレームから侵入し、
不純物半導体を形成し、トランジスタの電気的特性に悪
影響を及ぼすものであることを見い出した。すなわち、
従来の銅合金は、耐熱性、機械的強度を高めるために各
種添加元素を含有せしめていたが、この添加元素や不純
物が、Ａｕ−Ｓｉ共晶合金法を用いたベアボンディング
を行った場合には、半導体素子の電気的特性を悪化させ
る原因となっていたわけである。
期表のＩＩＩｂ族に属するＢ，Ａｌ，Ｇａ，ＩｎやＶｂ
族に属するＮ，Ｐ，Ａｓ，ＳｂなどはＳｉ半導体に対し
アクセプターおよびドナーとして作用しそれぞれＰ型お
よびＮ型半導体を形成する。トランジスタの場合、一般
にリードフレームと接合されるＳｉ素子の底面部はコレ
クターになっており、この部分に前記のＩＩＩｂ族ある
いはＶｂ族に属する元素がリードフレームから侵入し、
不純物半導体を形成し、トランジスタの電気的特性に悪
影響を及ぼすものであることを見い出した。すなわち、
従来の銅合金は、耐熱性、機械的強度を高めるために各
種添加元素を含有せしめていたが、この添加元素や不純
物が、Ａｕ−Ｓｉ共晶合金法を用いたベアボンディング
を行った場合には、半導体素子の電気的特性を悪化させ
る原因となっていたわけである。
【００１５】本発明はかかる知見に基づいてなされたも
のである。
のである。
【００１６】まず本発明に係るベアボンディング用リー
ドフレーム材料の含有成分および成分の割合について説
明する。 （Ｎｉ）Ｎｉは次に説明するＳｉとともに強度および耐
熱性の向上に寄与する元素である。ＮｉとＳｉは金属間
化合物を形成することにより強度および耐熱性を向上さ
せる。
ドフレーム材料の含有成分および成分の割合について説
明する。 （Ｎｉ）Ｎｉは次に説明するＳｉとともに強度および耐
熱性の向上に寄与する元素である。ＮｉとＳｉは金属間
化合物を形成することにより強度および耐熱性を向上さ
せる。
【００１７】Ｎｉの含有量が０．１ｗｔ％未満ではその
効果は少なく、また１．０ｗｔ％を超えて含有されると
強度や耐熱性は向上するものの導電率が低下する。よっ
てＮｉ含有量は０．１〜１．０ｗｔ％とする。 （Ｓｉ）ＳｉもＮｉとともに強度および耐熱性を向上さ
せる元素である。Ｓｉ含有量が０．０１ｗｔ％未満では
その効果は少なく、また０．２５ｗｔ％を超えて含有さ
れると強度や耐熱性は向上するものの導電率が低下する
。よってＳｉ含有量は０．０１〜０．２５ｗｔ％とする
。
効果は少なく、また１．０ｗｔ％を超えて含有されると
強度や耐熱性は向上するものの導電率が低下する。よっ
てＮｉ含有量は０．１〜１．０ｗｔ％とする。 （Ｓｉ）ＳｉもＮｉとともに強度および耐熱性を向上さ
せる元素である。Ｓｉ含有量が０．０１ｗｔ％未満では
その効果は少なく、また０．２５ｗｔ％を超えて含有さ
れると強度や耐熱性は向上するものの導電率が低下する
。よってＳｉ含有量は０．０１〜０．２５ｗｔ％とする
。
【００１８】ＮｉとＳｉは金属間化合物を形成すること
により強度や耐熱性の向上に寄与することから、Ｎｉと
Ｓｉの含有量の比率はＮｉ／Ｓｉ＝４〜７であることが
望ましい。また、ＮｉとＳｉの金属間化合物を均一微細
に析出させるための溶体化処理、冷間加工および時効処
理を含む製造工程を経ることによりその性能が発揮され
る。 （Ｚｎ）Ｚｎは半田の耐剥離性を向上させる元素であり
、含有量が０．０５ｗｔ％未満ではその効果は少なく、
また１．０ｗｔ％を超えて含有されてもその効果は飽和
する一方、導電率が低下する。よってＺｎ含有量は０．
０５〜１．０ｗｔ％とする。 （Ｍｎ）Ｍｎは熱間加工性を向上させる元素であり、含
有量が０．０１ｗｔ％未満ではその効果は少なく、また
０．０５ｗｔ％を超えて含有されると造塊時の湯流れ性
が悪化して造塊歩留りが低下する。よってＭｎ含有量は
０．０１〜０．０５ｗｔ％とする。 （Ｍｇ）Ｍｇは不可避的に混入してくるＳを安定したＭ
ｇとの化合物の形で母相中に固定させて熱間加工を可能
にするための必須の元素であり、含有量が０．００１ｗ
ｔ％未満ではＳは、ＭｇＳという安定した化合物の形と
はならず、Ｓは単体あるいはＭｎＳの形で存在し、その
結果、ＳあるいはＭｎＳは熱間圧延の加熱時または熱間
圧延中に粒界に移動して割れを生じさせるようになる。
により強度や耐熱性の向上に寄与することから、Ｎｉと
Ｓｉの含有量の比率はＮｉ／Ｓｉ＝４〜７であることが
望ましい。また、ＮｉとＳｉの金属間化合物を均一微細
に析出させるための溶体化処理、冷間加工および時効処
理を含む製造工程を経ることによりその性能が発揮され
る。 （Ｚｎ）Ｚｎは半田の耐剥離性を向上させる元素であり
、含有量が０．０５ｗｔ％未満ではその効果は少なく、
また１．０ｗｔ％を超えて含有されてもその効果は飽和
する一方、導電率が低下する。よってＺｎ含有量は０．
０５〜１．０ｗｔ％とする。 （Ｍｎ）Ｍｎは熱間加工性を向上させる元素であり、含
有量が０．０１ｗｔ％未満ではその効果は少なく、また
０．０５ｗｔ％を超えて含有されると造塊時の湯流れ性
が悪化して造塊歩留りが低下する。よってＭｎ含有量は
０．０１〜０．０５ｗｔ％とする。 （Ｍｇ）Ｍｇは不可避的に混入してくるＳを安定したＭ
ｇとの化合物の形で母相中に固定させて熱間加工を可能
にするための必須の元素であり、含有量が０．００１ｗ
ｔ％未満ではＳは、ＭｇＳという安定した化合物の形と
はならず、Ｓは単体あるいはＭｎＳの形で存在し、その
結果、ＳあるいはＭｎＳは熱間圧延の加熱時または熱間
圧延中に粒界に移動して割れを生じさせるようになる。
【００１９】また、０．０１ｗｔ％を超える含有量では
鋳塊中にＣｕ＋ＭｇＣｕ２の共晶（融点７２２℃）を生
じ、７２２℃以上の温度に加熱すると割れを発生し、溶
湯が酸化し、湯流れ性が悪化し、鋳塊を不健全とし、造
塊歩留りが低下する。よってＭｇ含有量は０．００１〜
０．０１ｗｔ％とする。（Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ）Ｃｒ，Ｔ
ｉ，Ｚｒはいずれの元素も熱間加工性を向上させる元素
であり、含有量が０．００１ｗｔ％未満はこの効果は少
なく、また、０．０１ｗｔ％を超える含有量では造塊時
の湯流れ性が悪化し、造塊歩留りが低下する。よって、
Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒの含有量は０．００１〜０．０１ｗｔ
％とする。また、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒの２種以上を含有す
る場合でも上記に説明した同じ理由から合計含有量は０
．００１〜０．０１ｗｔ％とする。（ＩＩＩｂ族、Ｖｂ
族元素）一方、ＩＩＩｂ族、Ｖｂ族に属するＢ，Ａｌ，
Ｇａ，Ｉｎ，Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂなどの元素は不純物と
して原料に含まれており、製造された銅合金中に侵入し
て来る。以上の説明から明らかなように、これらの不純
物の含有量は少ない方が良く、使用される半導体によっ
ても異なるが、いずれの元素も総量で０．０１ｗｔ％以
下とする。０．０１ｗｔ％以下とすれば、Ａｕ−Ｓｉ共
晶合金法によりベアボンディングを行ったとしても半導
体素子への拡散はほとんど防止することができる。
鋳塊中にＣｕ＋ＭｇＣｕ２の共晶（融点７２２℃）を生
じ、７２２℃以上の温度に加熱すると割れを発生し、溶
湯が酸化し、湯流れ性が悪化し、鋳塊を不健全とし、造
塊歩留りが低下する。よってＭｇ含有量は０．００１〜
０．０１ｗｔ％とする。（Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ）Ｃｒ，Ｔ
ｉ，Ｚｒはいずれの元素も熱間加工性を向上させる元素
であり、含有量が０．００１ｗｔ％未満はこの効果は少
なく、また、０．０１ｗｔ％を超える含有量では造塊時
の湯流れ性が悪化し、造塊歩留りが低下する。よって、
Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒの含有量は０．００１〜０．０１ｗｔ
％とする。また、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒの２種以上を含有す
る場合でも上記に説明した同じ理由から合計含有量は０
．００１〜０．０１ｗｔ％とする。（ＩＩＩｂ族、Ｖｂ
族元素）一方、ＩＩＩｂ族、Ｖｂ族に属するＢ，Ａｌ，
Ｇａ，Ｉｎ，Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂなどの元素は不純物と
して原料に含まれており、製造された銅合金中に侵入し
て来る。以上の説明から明らかなように、これらの不純
物の含有量は少ない方が良く、使用される半導体によっ
ても異なるが、いずれの元素も総量で０．０１ｗｔ％以
下とする。０．０１ｗｔ％以下とすれば、Ａｕ−Ｓｉ共
晶合金法によりベアボンディングを行ったとしても半導
体素子への拡散はほとんど防止することができる。
【００２０】これらの元素が不純物として合金中に侵入
するのを防ぐためには、例えば次の手段を講ずればよい
。使用する原料中の不純物の含有量を規制する。これら
の元素を含む合金を溶解した後には十分に炉洗いを行い
、炉材に付着したこれらの元素を除去してから溶解する
。また、るつぼもこれら元素を含まない材料からなるも
のを選ぶ。
するのを防ぐためには、例えば次の手段を講ずればよい
。使用する原料中の不純物の含有量を規制する。これら
の元素を含む合金を溶解した後には十分に炉洗いを行い
、炉材に付着したこれらの元素を除去してから溶解する
。また、るつぼもこれら元素を含まない材料からなるも
のを選ぶ。
【００２１】以上説明したように、本発明では、銅合金
において組成比を所定の割合にするとともに、ＩＩＩｂ
族、Ｖｂ族の元素の含有量を制限することにより、Ａｕ
−Ｓｉ共晶合金法によるベアボンディングという用途の
適性の拡大を行うことができる。
において組成比を所定の割合にするとともに、ＩＩＩｂ
族、Ｖｂ族の元素の含有量を制限することにより、Ａｕ
−Ｓｉ共晶合金法によるベアボンディングという用途の
適性の拡大を行うことができる。
【００２２】
【実施例】本発明に係るベアボンディング用リードフレ
ーム材料を実施例により説明する。
ーム材料を実施例により説明する。
【００２３】表１に示す含有成分および含有の割合の合
金をクリプトル炉を使用し、木炭被覆下において大気中
で溶解し、鋳鉄製ブックモールドを用いて４５ｍｍｔ×
８０ｍｍｗ×２００ｍｍｌの鋳塊を鋳造した後、この鋳
塊の表裏面を２．５ｍｍずつ面削後８７０℃の温度で１
５ｍｍｔまで熱間圧延し、７００℃以上の温度から３０
℃／秒の速度で水冷した。
金をクリプトル炉を使用し、木炭被覆下において大気中
で溶解し、鋳鉄製ブックモールドを用いて４５ｍｍｔ×
８０ｍｍｗ×２００ｍｍｌの鋳塊を鋳造した後、この鋳
塊の表裏面を２．５ｍｍずつ面削後８７０℃の温度で１
５ｍｍｔまで熱間圧延し、７００℃以上の温度から３０
℃／秒の速度で水冷した。
【００２４】さらに、冷間圧延により０．５ｍｍの板厚
にした後、５００℃の温度で１２０分間の焼鈍を行ない
、その後冷間圧延により０．４ｍｍｔの板材を得た。 この板材につき導電率、硬さ、耐熱性の試験を行った。
にした後、５００℃の温度で１２０分間の焼鈍を行ない
、その後冷間圧延により０．４ｍｍｔの板材を得た。 この板材につき導電率、硬さ、耐熱性の試験を行った。
【００２５】これらの試料の試験結果を表２に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【表２】
【００２８】試験方法は以下に説明する通りである。
（１）導電率は１５ｍｍｗ×３００ｍｌの試験片を用い
、ダブルブリッジにより測定した電気抵抗の値から算出
した。 （２）硬さは、マイクロビッカース硬さ計を用い荷重５
００ｇｒで測定した。 （３）耐熱性はソルトバスを用い、各温度で５分間の加
熱を行なった後硬さを測定し、加熱後の硬さが加熱前の
硬さの８０％になる温度をもって評価した。 （４）半田の耐剥離性は、２０ｍｍｗ×５０ｍｍｌの試
験片に６０Ｓｎ−４０Ｐｂの半田を弱活性フラックスを
用い２３０℃の温度で５秒間浸漬して半田付けした後、
１５０℃の温度で５００時間加熱後、２ｍｍＲで１８０
°曲げ戻しを行ない、剥離の有無を調べ評価した。
、ダブルブリッジにより測定した電気抵抗の値から算出
した。 （２）硬さは、マイクロビッカース硬さ計を用い荷重５
００ｇｒで測定した。 （３）耐熱性はソルトバスを用い、各温度で５分間の加
熱を行なった後硬さを測定し、加熱後の硬さが加熱前の
硬さの８０％になる温度をもって評価した。 （４）半田の耐剥離性は、２０ｍｍｗ×５０ｍｍｌの試
験片に６０Ｓｎ−４０Ｐｂの半田を弱活性フラックスを
用い２３０℃の温度で５秒間浸漬して半田付けした後、
１５０℃の温度で５００時間加熱後、２ｍｍＲで１８０
°曲げ戻しを行ない、剥離の有無を調べ評価した。
【００２９】表２から明らかなように、本発明合金Ｎｏ
．１〜Ｎｏ．５は５５％ＩＡＣＳ以上の良好な導電率と
Ｈｖ１００以上の硬さ、および４００℃以上の耐熱性を
有している。また、Ｚｎの効果により半田の耐剥離性も
良好である。
．１〜Ｎｏ．５は５５％ＩＡＣＳ以上の良好な導電率と
Ｈｖ１００以上の硬さ、および４００℃以上の耐熱性を
有している。また、Ｚｎの効果により半田の耐剥離性も
良好である。
【００３０】これに対し比較例Ｎｏ．６はＮｉおよびＳ
ｉ量が高く硬さや耐熱性には優れるものの導電率が４８
％ＩＡＣＳと低い。またＮｏ．７はＮｉおよびＳｉ量が
低いため導電率は高いが耐熱性が３７０℃と低い。Ｎｏ
．８はＺｎ含有量が低いため半田の耐剥離性に劣ってい
る。
ｉ量が高く硬さや耐熱性には優れるものの導電率が４８
％ＩＡＣＳと低い。またＮｏ．７はＮｉおよびＳｉ量が
低いため導電率は高いが耐熱性が３７０℃と低い。Ｎｏ
．８はＺｎ含有量が低いため半田の耐剥離性に劣ってい
る。
【００３１】また、本発明合金Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５はＩ
ＩＩｂ族およびＶ族ｂに属する元素がそれぞれ０．０１
ｗｔ％以下であるためＡｕ−Ｓｉ合金法によりベアボン
ディングされてもＳｉ素子の特性を劣化させない。これ
に対し比較例Ｎｏ．６〜Ｎｏ．８はＩＩＩｂ族およびＶ
ｂ族の元素をそれぞれ０．０１ｗｔ％を越えて含有して
いるためＡｕ−Ｓｉ共晶合金法によりベアボンディング
されるとＳｉ素子の特性を劣化させる。
ＩＩｂ族およびＶ族ｂに属する元素がそれぞれ０．０１
ｗｔ％以下であるためＡｕ−Ｓｉ合金法によりベアボン
ディングされてもＳｉ素子の特性を劣化させない。これ
に対し比較例Ｎｏ．６〜Ｎｏ．８はＩＩＩｂ族およびＶ
ｂ族の元素をそれぞれ０．０１ｗｔ％を越えて含有して
いるためＡｕ−Ｓｉ共晶合金法によりベアボンディング
されるとＳｉ素子の特性を劣化させる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明の通り、本発明に係るベアボン
ディング用リードフレーム材料は上記の構成を有してい
るため、導電性、強度、および耐熱性に優れ、かつ安価
であり、めっきを省略しＡｕ−Ｓｉ共晶合金法によるダ
イボンディングを行ってもＳｉ素子に悪影響を及ぼさな
いという効果を有している。
ディング用リードフレーム材料は上記の構成を有してい
るため、導電性、強度、および耐熱性に優れ、かつ安価
であり、めっきを省略しＡｕ−Ｓｉ共晶合金法によるダ
イボンディングを行ってもＳｉ素子に悪影響を及ぼさな
いという効果を有している。
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｎｉ：０．１〜１．０ｗｔ％、Ｓｉ：
０．０１〜０．２５ｗｔ％、Ｚｎ：０．０５〜１．０ｗ
ｔ％を含有し、ＩＩＩｂ族の元素を総量で０．０１ｗｔ
％以下、Ｖｂ族の元素を総量で０．０１ｗｔ％以下に制
限し、残部実質的にＣｕよりなることを特徴とするベア
ボンディング用リードフレーム材料。 - 【請求項２】 Ｎｉ：０．１〜１．０ｗｔ％、Ｓｉ：
０．０１〜０．２５ｗｔ％、Ｚｎ：０．０５〜１．０ｗ
ｔ％、Ｍｎ：０．０１〜０．０５ｗｔ％、Ｍｇ：０．０
０１〜０．０１ｗｔ％、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒの内から選ば
れる１種または２種以上を０．００１〜０．０１ｗｔ％
を含有し、ＩＩＩｂ族の元素を総量で０．０１ｗｔ％以
下、Ｖｂ族の元素を総量で０．０１ｗｔ％以下に制限し
、残部実質的にＣｕよりなることを特徴とするベアボン
ディング用リードフレーム材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3080706A JP2834593B2 (ja) | 1990-06-25 | 1991-03-19 | ベアボンディング用リードフレーム材料 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-165954 | 1990-06-25 | ||
| JP16595490 | 1990-06-25 | ||
| JP3080706A JP2834593B2 (ja) | 1990-06-25 | 1991-03-19 | ベアボンディング用リードフレーム材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04218632A true JPH04218632A (ja) | 1992-08-10 |
| JP2834593B2 JP2834593B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=26421680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3080706A Expired - Fee Related JP2834593B2 (ja) | 1990-06-25 | 1991-03-19 | ベアボンディング用リードフレーム材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2834593B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0949343A1 (en) * | 1998-03-26 | 1999-10-13 | KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO also known as Kobe Steel Ltd. | Copper alloy sheet for electronic parts |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS572851A (en) * | 1980-06-06 | 1982-01-08 | Nippon Mining Co Ltd | Copper alloy for lead material of semiconductor device |
| JPS63297531A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-05 | Kobe Steel Ltd | 熱間加工性に優れた端子、リ−ドフレ−ム用銅合金およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-03-19 JP JP3080706A patent/JP2834593B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS572851A (en) * | 1980-06-06 | 1982-01-08 | Nippon Mining Co Ltd | Copper alloy for lead material of semiconductor device |
| JPS63297531A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-05 | Kobe Steel Ltd | 熱間加工性に優れた端子、リ−ドフレ−ム用銅合金およびその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0949343A1 (en) * | 1998-03-26 | 1999-10-13 | KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO also known as Kobe Steel Ltd. | Copper alloy sheet for electronic parts |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2834593B2 (ja) | 1998-12-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |