JPH04218675A - 気化器 - Google Patents
気化器Info
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- JPH04218675A JPH04218675A JP40304490A JP40304490A JPH04218675A JP H04218675 A JPH04218675 A JP H04218675A JP 40304490 A JP40304490 A JP 40304490A JP 40304490 A JP40304490 A JP 40304490A JP H04218675 A JPH04218675 A JP H04218675A
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- Japan
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- liquid
- gas
- teos
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- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は気化器に関し、特に半
導体製造プロセスで使用される化学気相成長装置に用い
られている気化器に関する。
導体製造プロセスで使用される化学気相成長装置に用い
られている気化器に関する。
【０００２】
【従来の技術】化学気相成長装置の反応ガス供給系は図
３に示すように構成されている。以下、液体材料として
テトラエトキシシラン（以下ＴＥＯＳという）、ＴＥＯ
Ｓのバブリングガスに窒素ガス、ＴＥＯＳと反応させる
ガスにオゾンガスを用いた場合について説明する。１は
半導体ウエハ（図示せず）に成膜を行う反応室、２は酸
素ガス導入管３ａからの酸素ガスの一部をオゾン化し、
オゾン導入管３ｂを介して反応室１へ供給するためのオ
ゾン発生器である。４ａ，４ｂ，４ｃは気化器であり、
４ａはＴＥＯＳガス発生用，４ｂはリンを含むガスを発
生させるためのもの，４ｃはボロンを含むガスを発生さ
せるためのものである。気化器４ａ，４ｂ，４ｃには各
々所望の気体を発生させるための液体材料が満たされた
シリンダー５ａ，５ｂ，５ｃが収納されている。６ａは
バブリングガスである窒素ガスＢを導入するための窒素
ガス導入管、６ｂは気化器４ａ，４ｂ，４ｃからの反応
ガスを反応室１に供給するための反応ガス導入管、７は
酸素ガス導入管３ａおよび窒素ガス導入管６ａからのガ
スの流量をコントロールするための流量コントローラー
、８は反応の終わったガスを反応室１から排気する排気
管、９は気化したガスが再液化しないようにするための
ヒーターである。
３に示すように構成されている。以下、液体材料として
テトラエトキシシラン（以下ＴＥＯＳという）、ＴＥＯ
Ｓのバブリングガスに窒素ガス、ＴＥＯＳと反応させる
ガスにオゾンガスを用いた場合について説明する。１は
半導体ウエハ（図示せず）に成膜を行う反応室、２は酸
素ガス導入管３ａからの酸素ガスの一部をオゾン化し、
オゾン導入管３ｂを介して反応室１へ供給するためのオ
ゾン発生器である。４ａ，４ｂ，４ｃは気化器であり、
４ａはＴＥＯＳガス発生用，４ｂはリンを含むガスを発
生させるためのもの，４ｃはボロンを含むガスを発生さ
せるためのものである。気化器４ａ，４ｂ，４ｃには各
々所望の気体を発生させるための液体材料が満たされた
シリンダー５ａ，５ｂ，５ｃが収納されている。６ａは
バブリングガスである窒素ガスＢを導入するための窒素
ガス導入管、６ｂは気化器４ａ，４ｂ，４ｃからの反応
ガスを反応室１に供給するための反応ガス導入管、７は
酸素ガス導入管３ａおよび窒素ガス導入管６ａからのガ
スの流量をコントロールするための流量コントローラー
、８は反応の終わったガスを反応室１から排気する排気
管、９は気化したガスが再液化しないようにするための
ヒーターである。
【０００３】この様に構成された化学気相成長装置にお
いては、反応室１で高温に加熱された半導体ウエハ（図
示せず）上にオゾン導入管３ｂより導入された一定量の
オゾンガスと、反応ガス導入管６ｂより供給された一定
量の反応ガス（ＴＥＯＳガス、リンおよびボロンを含ん
だガス）が反応することによって半導体ウエハ上に反応
生成膜が形成される。
いては、反応室１で高温に加熱された半導体ウエハ（図
示せず）上にオゾン導入管３ｂより導入された一定量の
オゾンガスと、反応ガス導入管６ｂより供給された一定
量の反応ガス（ＴＥＯＳガス、リンおよびボロンを含ん
だガス）が反応することによって半導体ウエハ上に反応
生成膜が形成される。
【０００４】図４は気化器４ａの構成を示す図である。
１１はシリンダー５ａに巻き付けられ、シリンダー５ａ
の温度を一定に保つためのヒーター、１２はＴＥＯＳ液
Ａ中に窒素ガスＢを吹き込んでバブリングするためのバ
ブリング管、１３は窒素ガスに混ざって気化したＴＥＯ
Ｓガスを反応室１に導く導出管、１４はＴＥＯＳ液Ａの
温度を測定するための温度センサーである。
の温度を一定に保つためのヒーター、１２はＴＥＯＳ液
Ａ中に窒素ガスＢを吹き込んでバブリングするためのバ
ブリング管、１３は窒素ガスに混ざって気化したＴＥＯ
Ｓガスを反応室１に導く導出管、１４はＴＥＯＳ液Ａの
温度を測定するための温度センサーである。
【０００５】次に気化器４ａの動作について説明する。
シリンダー５ａ内にＴＥＯＳ液Ａを入れ、ヒーター１１
によってシリンダー５ａ内のＴＥＯＳ液Ａを一定温度に
加熱保持し、ＴＥＯＳ液Ａにバブリング管１２を介して
窒素ガスＢを吹き込んでバブリングする。ＴＥＯＳ液Ａ
はそれに接する窒素ガスＢ中に気化していき、その分圧
がその時点でのＴＥＯＳ液Ａの蒸気圧と等しくなるまで
気化していき、等しくなった時点で飽和しする。窒素ガ
スＢとＴＥＯＳガスが十分飽和していれば、その時点で
のＴＥＯＳ液Ａの温度とバブリング窒素ガスＢの量に応
じたＴＥＯＳガスが発生する。そして、ＴＥＯＳガスは
窒素ガスＢと混ざって導出管１３より反応室１に導入さ
れる。反応室１ではこのＴＥＯＳガスとオゾンガスとが
反応して半導体ウエハ上に反応生成膜が形成される。
によってシリンダー５ａ内のＴＥＯＳ液Ａを一定温度に
加熱保持し、ＴＥＯＳ液Ａにバブリング管１２を介して
窒素ガスＢを吹き込んでバブリングする。ＴＥＯＳ液Ａ
はそれに接する窒素ガスＢ中に気化していき、その分圧
がその時点でのＴＥＯＳ液Ａの蒸気圧と等しくなるまで
気化していき、等しくなった時点で飽和しする。窒素ガ
スＢとＴＥＯＳガスが十分飽和していれば、その時点で
のＴＥＯＳ液Ａの温度とバブリング窒素ガスＢの量に応
じたＴＥＯＳガスが発生する。そして、ＴＥＯＳガスは
窒素ガスＢと混ざって導出管１３より反応室１に導入さ
れる。反応室１ではこのＴＥＯＳガスとオゾンガスとが
反応して半導体ウエハ上に反応生成膜が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】化学気相成長装置に用
いられている従来の気化器は以上のように構成されてお
り、バブリングを続けていくとＴＥＯＳ液Ａが気化して
導出管１３から出ていき、出ていったＴＥＯＳガスの量
だけＴＥＯＳ液Ａの量が減り、図５のようにＴＥＯＳ液
Ａの液面が低下する。ＴＥＯＳ液Ａの液面が低下すると
バブリング管１２の下端と、ＴＥＯＳ液Ａの液面の距離
が短くなり、窒素ガスＢがバブリングするＴＥＯＳ液Ａ
の量が少なくなり窒素ガスＢ中にＴＥＯＳガスが十分飽
和しなくなり、ＴＥＯＳガスの発生量が少なくなる。Ｔ
ＥＯＳガスの発生量が少なくなると、反応室１で半導体
ウエハ上に形成される反応生成膜の膜厚が減少するとい
う問題点がある。例えば、容量２０リットル、直径１５
センチメートルのシリンダーにＴＥＯＳ液Ａを６０度に
保持し、窒素ガスＢを２リットル／分でバブリングして
ＴＥＯＳガスを発生させた時、反応室で半導体ウエハ上
に形成される反応生成膜の成長速度は、図６に示すよう
に液量に伴って減少する。同じようにシリンダー５ｂ，
５ｃ内の液体材料の液面の低下によりリン、ボロンを含
むガスの発生量が減少し、反応生成膜中に添加されるリ
ン、ボロンの濃度も変化する。
いられている従来の気化器は以上のように構成されてお
り、バブリングを続けていくとＴＥＯＳ液Ａが気化して
導出管１３から出ていき、出ていったＴＥＯＳガスの量
だけＴＥＯＳ液Ａの量が減り、図５のようにＴＥＯＳ液
Ａの液面が低下する。ＴＥＯＳ液Ａの液面が低下すると
バブリング管１２の下端と、ＴＥＯＳ液Ａの液面の距離
が短くなり、窒素ガスＢがバブリングするＴＥＯＳ液Ａ
の量が少なくなり窒素ガスＢ中にＴＥＯＳガスが十分飽
和しなくなり、ＴＥＯＳガスの発生量が少なくなる。Ｔ
ＥＯＳガスの発生量が少なくなると、反応室１で半導体
ウエハ上に形成される反応生成膜の膜厚が減少するとい
う問題点がある。例えば、容量２０リットル、直径１５
センチメートルのシリンダーにＴＥＯＳ液Ａを６０度に
保持し、窒素ガスＢを２リットル／分でバブリングして
ＴＥＯＳガスを発生させた時、反応室で半導体ウエハ上
に形成される反応生成膜の成長速度は、図６に示すよう
に液量に伴って減少する。同じようにシリンダー５ｂ，
５ｃ内の液体材料の液面の低下によりリン、ボロンを含
むガスの発生量が減少し、反応生成膜中に添加されるリ
ン、ボロンの濃度も変化する。
【０００７】また、ＴＥＯＳ液Ａの液面の低下により、
ＴＥＯＳ液Ａの温度を測定する温度センサー１４の先端
からＴＥＯＳ液Ａの液面までの距離は図５に示すように
図４に比べて小さくなる。そのため、ＴＥＯＳ液Ａの液
面が高い時はＴＥＯＳ液Ａの深い位置の温度を測定し、
低い時はＴＥＯＳ液Ａの浅い位置の温度を測定すること
になり、液面の変動により測定温度に変動が生じ、これ
に伴ってＴＥＯＳ液Ａの保持温度が変りＴＥＯＳガスの
発生量が変化し、このことによっても、半導体ウエハ上
に形成される反応生成膜の膜厚が変化する。このことは
、シリンダー５ｂ，５ｃにおいても同様である。
ＴＥＯＳ液Ａの温度を測定する温度センサー１４の先端
からＴＥＯＳ液Ａの液面までの距離は図５に示すように
図４に比べて小さくなる。そのため、ＴＥＯＳ液Ａの液
面が高い時はＴＥＯＳ液Ａの深い位置の温度を測定し、
低い時はＴＥＯＳ液Ａの浅い位置の温度を測定すること
になり、液面の変動により測定温度に変動が生じ、これ
に伴ってＴＥＯＳ液Ａの保持温度が変りＴＥＯＳガスの
発生量が変化し、このことによっても、半導体ウエハ上
に形成される反応生成膜の膜厚が変化する。このことは
、シリンダー５ｂ，５ｃにおいても同様である。
【０００８】このような液面低下により生ずる問題点を
解消するため図７に示すようなＴＥＯＳ材料液自動供給
システムが提案されている。貯蔵タンク２１にはＴＥＯ
Ｓ液Ａ等の材料液が貯蔵されている。バルブ２２は一定
時間経過すると自動的に開き、材料液であるＴＥＯＳ液
Ａ等をシリンダー５ａに供給する。このようにして材料
液（ＴＥＯＳ液Ａ等）の液面の低下を防止している。
解消するため図７に示すようなＴＥＯＳ材料液自動供給
システムが提案されている。貯蔵タンク２１にはＴＥＯ
Ｓ液Ａ等の材料液が貯蔵されている。バルブ２２は一定
時間経過すると自動的に開き、材料液であるＴＥＯＳ液
Ａ等をシリンダー５ａに供給する。このようにして材料
液（ＴＥＯＳ液Ａ等）の液面の低下を防止している。
【０００９】しかし、このシステムでは別に貯蔵タンク
２１および貯蔵タンク２１を加熱するヒーター１１が必
要となり、システムが大きくなるという問題点がある。
２１および貯蔵タンク２１を加熱するヒーター１１が必
要となり、システムが大きくなるという問題点がある。
【００１０】この発明はこのような問題点を解決するた
めになされたもので、システムを大きくすることなく液
体の液面が変化しても発生する気体の量が一定である気
化器を得ることを目的とする。
めになされたもので、システムを大きくすることなく液
体の液面が変化しても発生する気体の量が一定である気
化器を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、化学気相成
長装置に用いられる気化器に適用される。
長装置に用いられる気化器に適用される。
【００１２】この発明に係る気化器は、液体を入れる容
器と、前記液体に浸され、前記液体の温度を測定する温
度センサーと、前記温度センサーの測定温度に基づき、
前記液体の温度を調整する温度調整手段と、前記液体に
浸され、前記液体中に前記液体を吹き込むことにより前
記液体を気化する気体吹き込み管と、前記液体の液面の
位置を測定する液面センサーと、前記液面センサーの測
定値に応じて、前記吹き込み管および前記温度センサー
を移動させ、前記吹き込み管および前記温度センサーの
前記液体中に浸っている長さを一定に保つ移動手段とを
備えている。
器と、前記液体に浸され、前記液体の温度を測定する温
度センサーと、前記温度センサーの測定温度に基づき、
前記液体の温度を調整する温度調整手段と、前記液体に
浸され、前記液体中に前記液体を吹き込むことにより前
記液体を気化する気体吹き込み管と、前記液体の液面の
位置を測定する液面センサーと、前記液面センサーの測
定値に応じて、前記吹き込み管および前記温度センサー
を移動させ、前記吹き込み管および前記温度センサーの
前記液体中に浸っている長さを一定に保つ移動手段とを
備えている。
【００１３】
【作用】この発明における液面センサーは、液体の液面
を位置を測定する。移動手段は、液面センサーの測定値
に応じて気体吹き込み管および温度センサーを移動させ
、気体吹き込み管および温度センサーの液体に浸ってい
る長さを一定に保つ。そのため、液面が変化しても気体
は液面から一定の深さを隔てて吹き込まれる。また、温
度センサーは液面から一定の深さの温度を測定する。
を位置を測定する。移動手段は、液面センサーの測定値
に応じて気体吹き込み管および温度センサーを移動させ
、気体吹き込み管および温度センサーの液体に浸ってい
る長さを一定に保つ。そのため、液面が変化しても気体
は液面から一定の深さを隔てて吹き込まれる。また、温
度センサーは液面から一定の深さの温度を測定する。
【００１４】
【実施例】図１は、この発明に係る気化器の一実施例を
示す図である。図において、図４に示した従来例との相
違点は、ＴＥＯＳ液Ａの液面の位置を測定する液面セン
サー１５，バブリング管１２および温度センサー１４を
液面センサー１５の測定値に基づき移動させる移動手段
（スリーブ１６，Ｏリング１７，ラック１８，ピニオン
１９，モーター２０）を新たに設けたことである。モー
ター２０は液面センサー１５の測定値に応じて回転する
。ピニオン１９はモーター２０に支持され、モーター２
０の回転に応じて回転する。ラック１８はピニオン１９
の回転に応じて上下する。バブリング管１２および温度
センサー１４を支持しているスリーブ１６はラック１８
の上下運動に応じて上下する。その他の構成は図４に示
した従来例と同様である。
示す図である。図において、図４に示した従来例との相
違点は、ＴＥＯＳ液Ａの液面の位置を測定する液面セン
サー１５，バブリング管１２および温度センサー１４を
液面センサー１５の測定値に基づき移動させる移動手段
（スリーブ１６，Ｏリング１７，ラック１８，ピニオン
１９，モーター２０）を新たに設けたことである。モー
ター２０は液面センサー１５の測定値に応じて回転する
。ピニオン１９はモーター２０に支持され、モーター２
０の回転に応じて回転する。ラック１８はピニオン１９
の回転に応じて上下する。バブリング管１２および温度
センサー１４を支持しているスリーブ１６はラック１８
の上下運動に応じて上下する。その他の構成は図４に示
した従来例と同様である。
【００１５】次に動作について説明する。シリンダー５
ａ中をＴＥＯＳ液Ａで満たす。そして、従来と同様バブ
リング管１２から窒素ガスＢを吹き出しバブリングを行
いＴＥＯＳ液Ａを気化させ、ＴＥＯＳガスを発生させる
。ＴＥＯＳガスは導入管１３より反応室１に供給される
。ＴＥＯＳガスの発生によりＴＥＯＳ液Ａの液面は図２
に示すように低下する。液面の低下量を液面センサー１
５が検出する。この低下量に応じてモーター２０が回転
し、バブリング管１２と温度センサー１４を支持してい
るスリーブ１６が下方に移動させられ、図２に示すよう
にＴＥＯＳ液Ａに浸されているバブリング管１２と温度
センサー１４の長さは当初の状態（図１）と等しくなる
。従って、ＴＥＯＳ液Ａの液面が変化してもバブリング
は液面から一定の距離で行われ、気化されるＴＥＯＳガ
スの量は当初の量（図１の場合）と同じとなる。その結
果、反応室１中でのＴＥＯＳガスとオゾンガスとの反応
によりの半導体ウエハ上に形成される反応生成膜の膜厚
はＴＥＯＳ液Ａの液面の変化にかかわらず一定となる。 また、温度センサー１４は、ＴＥＯＳ液Ａの液面の変化
にかかわらず液面から一定の深さの温度を測定している
ので、従来のようにＴＥＯＳ液Ａの保持温度に変化がな
く、このことによっても反応生成膜の膜厚が一定となる
。
ａ中をＴＥＯＳ液Ａで満たす。そして、従来と同様バブ
リング管１２から窒素ガスＢを吹き出しバブリングを行
いＴＥＯＳ液Ａを気化させ、ＴＥＯＳガスを発生させる
。ＴＥＯＳガスは導入管１３より反応室１に供給される
。ＴＥＯＳガスの発生によりＴＥＯＳ液Ａの液面は図２
に示すように低下する。液面の低下量を液面センサー１
５が検出する。この低下量に応じてモーター２０が回転
し、バブリング管１２と温度センサー１４を支持してい
るスリーブ１６が下方に移動させられ、図２に示すよう
にＴＥＯＳ液Ａに浸されているバブリング管１２と温度
センサー１４の長さは当初の状態（図１）と等しくなる
。従って、ＴＥＯＳ液Ａの液面が変化してもバブリング
は液面から一定の距離で行われ、気化されるＴＥＯＳガ
スの量は当初の量（図１の場合）と同じとなる。その結
果、反応室１中でのＴＥＯＳガスとオゾンガスとの反応
によりの半導体ウエハ上に形成される反応生成膜の膜厚
はＴＥＯＳ液Ａの液面の変化にかかわらず一定となる。 また、温度センサー１４は、ＴＥＯＳ液Ａの液面の変化
にかかわらず液面から一定の深さの温度を測定している
ので、従来のようにＴＥＯＳ液Ａの保持温度に変化がな
く、このことによっても反応生成膜の膜厚が一定となる
。
【００１６】なお、ＴＥＯＳ液Ａが減少していきバブリ
ング管１２の下端とシリンダー５ａの底との距離が一定
距離以下になったことを液面センサー１５が検出すると
ＴＥＯＳ液Ａをシリンダー５ａに注入する。すると、液
面センサー１５が液面の上昇を検出してモーター２０を
回転させバブリング管１２と温度センサー１４を上昇さ
せ、図１の状態に戻す。ＴＥＯＳ液Ａの注入はメンテナ
ンス時に行えばよい。
ング管１２の下端とシリンダー５ａの底との距離が一定
距離以下になったことを液面センサー１５が検出すると
ＴＥＯＳ液Ａをシリンダー５ａに注入する。すると、液
面センサー１５が液面の上昇を検出してモーター２０を
回転させバブリング管１２と温度センサー１４を上昇さ
せ、図１の状態に戻す。ＴＥＯＳ液Ａの注入はメンテナ
ンス時に行えばよい。
【００１７】なお、上記実施例ではバブリング管１２と
温度センサー１４の移動手段としてモーター２０，ピニ
オン１９，ラック１８を用いたが、バブリング管１２と
温度センサー１４を液面センサー１５の測定値に応じて
移動させることができれば他の移動手段でもよい。例え
ばピニオン１９の代りにボールネジを用い、ボールネジ
に溝がきざまれスリーブ１６に取付けられたナットを固
定してもよく、また、バブリング菅１２と温度センサー
１４の上下運動をエアシリンダーにより行うこともでき
る。
温度センサー１４の移動手段としてモーター２０，ピニ
オン１９，ラック１８を用いたが、バブリング管１２と
温度センサー１４を液面センサー１５の測定値に応じて
移動させることができれば他の移動手段でもよい。例え
ばピニオン１９の代りにボールネジを用い、ボールネジ
に溝がきざまれスリーブ１６に取付けられたナットを固
定してもよく、また、バブリング菅１２と温度センサー
１４の上下運動をエアシリンダーにより行うこともでき
る。
【００１８】また、上記実施例では材料液体にＴＥＯＳ
液Ａ、バブリングガスに窒素ガスＢ、ＴＥＯＳガスと反
応させるガスにオゾンガスを用いたが、ＴＥＯＳに代っ
てテトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）、窒素ガスに代っ
てアルゴンガス、オゾンガスに代ってプラズマ化した酸
素ガスというように同様の機能を有する材料液体、ガス
を用いてもよい。
液Ａ、バブリングガスに窒素ガスＢ、ＴＥＯＳガスと反
応させるガスにオゾンガスを用いたが、ＴＥＯＳに代っ
てテトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）、窒素ガスに代っ
てアルゴンガス、オゾンガスに代ってプラズマ化した酸
素ガスというように同様の機能を有する材料液体、ガス
を用いてもよい。
【００１９】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、液体の
液面の位置を測定する液面センサーと、液面センサーの
測定値に応じて吹き込み管および温度センサーを移動さ
せ、吹き込み管および温度センサーの液体中に浸ってい
る長さを一定に保つ移動手段とを備えたので、液面が変
化しても気体は液面から一定の深さを隔てて吹き込まれ
、また、温度センサーは液面から一定の深さの温度を測
定する。その結果、液体の気化する量が常に一定になる
という効果がある。
液面の位置を測定する液面センサーと、液面センサーの
測定値に応じて吹き込み管および温度センサーを移動さ
せ、吹き込み管および温度センサーの液体中に浸ってい
る長さを一定に保つ移動手段とを備えたので、液面が変
化しても気体は液面から一定の深さを隔てて吹き込まれ
、また、温度センサーは液面から一定の深さの温度を測
定する。その結果、液体の気化する量が常に一定になる
という効果がある。
【図１】この発明に係る気化器の一実施例を示す図であ
る。
る。
【図２】図１の気化器の動作を説明するための図である
。
。
【図３】化学気相成長装置の反応ガス供給系の構成を示
す図である。
す図である。
【図４】従来の気化器を示す図である。
【図５】従来の気化器を示す図である。
【図６】従来の気化器の動作を説明するための図である
。
。
【図７】従来の気化器の問題点を説明するための図であ
る。
る。
５ａ シリンダー
１１ ヒーター
１２ バブリング管
１４ 温度センサー
１５ 液面センサー
１６ スリーブ
１８ ラック
１９ ピニオン
２０ モーター
Ａ ＴＥＯＳ液
Claims (1)
- 【請求項１】 化学気相成長装置に用いられる気化器
であって、液体を入れる容器と、前記液体に浸され、前
記液体の温度を測定する温度センサーと、前記温度セン
サーの測定温度に基づき前記液体の温度を調整する温度
調整手段と、前記液体に浸され、前記液体中に気体を吹
き込むことにより前記液体を気化する気体吹き込み管と
、前記液体の液面の位置を測定する液面センサーと、前
記液面センサーの測定値に応じて、前記吹き込み管およ
び前記温度センサーを移動させ、前記吹き込み管および
前記温度センサーの前記液体中に浸っている長さを一定
に保つ移動手段とを備えた気化器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40304490A JPH04218675A (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 気化器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40304490A JPH04218675A (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 気化器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04218675A true JPH04218675A (ja) | 1992-08-10 |
Family
ID=18512793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40304490A Pending JPH04218675A (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 気化器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04218675A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005230819A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Cs Clean Systems Ag | バブラーを再充填するための装置及び方法 |
| WO2010122972A1 (ja) * | 2009-04-21 | 2010-10-28 | 株式会社堀場エステック | 液体原料気化装置 |
| KR20150102707A (ko) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리 가스 발생 장치, 처리 가스 발생 방법, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
-
1990
- 1990-12-18 JP JP40304490A patent/JPH04218675A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005230819A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Cs Clean Systems Ag | バブラーを再充填するための装置及び方法 |
| WO2010122972A1 (ja) * | 2009-04-21 | 2010-10-28 | 株式会社堀場エステック | 液体原料気化装置 |
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