JPH05283340A - 液体原料気化供給装置 - Google Patents
液体原料気化供給装置Info
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- JPH05283340A JPH05283340A JP4074866A JP7486692A JPH05283340A JP H05283340 A JPH05283340 A JP H05283340A JP 4074866 A JP4074866 A JP 4074866A JP 7486692 A JP7486692 A JP 7486692A JP H05283340 A JPH05283340 A JP H05283340A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 定量精度が高く、かつ大量生産用として必要
な量の原料ガスを安定供給できる液体原料気化供給装置
を提供する。 【構成】 容器内に収容した液体原料を加熱気化し、気
化した原料ガスをバルブ，マスフローコントローラおよ
びこれらを接続する配管を介して気相反応装置へ供給す
る液体原料気化供給装置において、容器，マスフローコ
ントローラ，バルブおよびこれらを接続する配管に夫々
温度制御可能な加熱手段を設けると共に、前記容器を軸
方向内法長さＬと内径Ｄとの比がＬ／Ｄ≧２．０なる直
立中空円筒状に形成し、かつ前記容器内の気相部の内容
積をＶT （ｍｌ）消費ガス量をＶU （ｍｌ／秒）とした
ときにＶT ≧６０Ｖ U とする。
な量の原料ガスを安定供給できる液体原料気化供給装置
を提供する。 【構成】 容器内に収容した液体原料を加熱気化し、気
化した原料ガスをバルブ，マスフローコントローラおよ
びこれらを接続する配管を介して気相反応装置へ供給す
る液体原料気化供給装置において、容器，マスフローコ
ントローラ，バルブおよびこれらを接続する配管に夫々
温度制御可能な加熱手段を設けると共に、前記容器を軸
方向内法長さＬと内径Ｄとの比がＬ／Ｄ≧２．０なる直
立中空円筒状に形成し、かつ前記容器内の気相部の内容
積をＶT （ｍｌ）消費ガス量をＶU （ｍｌ／秒）とした
ときにＶT ≧６０Ｖ U とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子、光ファイ
バー、コーティング工具等の製造において、液体原料
（ＴＥＯＳ，ＳｉＣｌ4 ，ＴｉＣｌ4 ，高純度水等）を
使用して薄膜回路を形成する際に、この液体原料を気化
し、かつ精密に制御された状態で成膜装置に大量に安定
供給し得る液体原料気化供給装置に関する。
バー、コーティング工具等の製造において、液体原料
（ＴＥＯＳ，ＳｉＣｌ4 ，ＴｉＣｌ4 ，高純度水等）を
使用して薄膜回路を形成する際に、この液体原料を気化
し、かつ精密に制御された状態で成膜装置に大量に安定
供給し得る液体原料気化供給装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から例えば半導体の技術分野におい
て薄膜を形成する手段として化学的気相成長法（ＣＶ
Ｄ： Chemical Vapour Deposition)が一般に使用されて
いる。このＣＶＤによって薄膜を形成するには、加熱し
た基板上で反応ガスを化学反応させることによって行な
われるが、従来から使用されてきた反応ガスのモノシラ
ン（ＳｉＨ4 ）は、段差被覆性において劣るため、近年
においては、モノシランに代えて段差被覆性が優れてい
るＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）が使用されるよう
になってきている。
て薄膜を形成する手段として化学的気相成長法（ＣＶ
Ｄ： Chemical Vapour Deposition)が一般に使用されて
いる。このＣＶＤによって薄膜を形成するには、加熱し
た基板上で反応ガスを化学反応させることによって行な
われるが、従来から使用されてきた反応ガスのモノシラ
ン（ＳｉＨ4 ）は、段差被覆性において劣るため、近年
においては、モノシランに代えて段差被覆性が優れてい
るＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）が使用されるよう
になってきている。
【０００３】しかしながら上記ＴＥＯＳは常温において
は液状であるため、ＣＶＤに適用するためには気化した
状態で供給する必要がある。この液状のＴＥＯＳを気化
させる手段として、従来はバブリングによるものが使用
されてきた。バブリング法においては、例えば恒温槽内
に設けたバブラー中に液体原料を収容し、液体原料中に
開口する導入パイプを介してキャリアガスを吹込み、バ
ブリングによって液体原料を気化させるものである。
は液状であるため、ＣＶＤに適用するためには気化した
状態で供給する必要がある。この液状のＴＥＯＳを気化
させる手段として、従来はバブリングによるものが使用
されてきた。バブリング法においては、例えば恒温槽内
に設けたバブラー中に液体原料を収容し、液体原料中に
開口する導入パイプを介してキャリアガスを吹込み、バ
ブリングによって液体原料を気化させるものである。
【０００４】上記のようなバブリング法においては、液
体原料の蒸発量が小であるため大量の流量を得ることが
できないのみならず、流量が不安定であり、かつ圧力変
動も大であるため、成膜特性が不安定であるという欠点
がある。このような欠点を解消するために、液体原料を
マスフローコントローラ（質量流量計、以下ＭＦＣと記
す）を介して液状で流量制御した後、加熱手段を備えた
気化室において気化させるもの（例えば特開平３−１２
６８７２号公報参照）、または液体原料を収容する容
器、ＭＦＣ、各種バルブおよびこれらを接続する配管を
恒温槽に収納し、常温より高い温度で気化させた原料を
流量制御するもの（例えば実開平１−８３４３２号、特
開平２−２５３６１２号公報参照）が提案されている。
体原料の蒸発量が小であるため大量の流量を得ることが
できないのみならず、流量が不安定であり、かつ圧力変
動も大であるため、成膜特性が不安定であるという欠点
がある。このような欠点を解消するために、液体原料を
マスフローコントローラ（質量流量計、以下ＭＦＣと記
す）を介して液状で流量制御した後、加熱手段を備えた
気化室において気化させるもの（例えば特開平３−１２
６８７２号公報参照）、または液体原料を収容する容
器、ＭＦＣ、各種バルブおよびこれらを接続する配管を
恒温槽に収納し、常温より高い温度で気化させた原料を
流量制御するもの（例えば実開平１−８３４３２号、特
開平２−２５３６１２号公報参照）が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前者の液
状で流量制御する手段では、気体状におけるものと比較
して定量精度が低く、一定濃度の反応ガスを得ることが
難しく、成膜特性が不安定となるという問題点がある。
状で流量制御する手段では、気体状におけるものと比較
して定量精度が低く、一定濃度の反応ガスを得ることが
難しく、成膜特性が不安定となるという問題点がある。
【０００６】一方後者のように装置全体を恒温槽内に収
納する手段においては、装置全体が大型化するのみなら
ず、恒温槽内を強制対流させる手段を併用したとして
も、恒温槽内の温度を一定に保持することが困難であ
り、厳密な温度制御を必要とするＭＦＣの温度管理が困
難となり、定量精度にも悪影響を及ぼすという問題点が
ある。またこのような恒温槽を使用する場合には、装置
全体が所定の温度に到達するまでの時間がかかると共
に、万一気化した反応ガスが容器若しくは配管系から漏
洩した場合には、高温雰囲気による爆発を起す可能性が
あり、またはガス中毒を惹起するおそれもあり、安全上
の問題点がある。
納する手段においては、装置全体が大型化するのみなら
ず、恒温槽内を強制対流させる手段を併用したとして
も、恒温槽内の温度を一定に保持することが困難であ
り、厳密な温度制御を必要とするＭＦＣの温度管理が困
難となり、定量精度にも悪影響を及ぼすという問題点が
ある。またこのような恒温槽を使用する場合には、装置
全体が所定の温度に到達するまでの時間がかかると共
に、万一気化した反応ガスが容器若しくは配管系から漏
洩した場合には、高温雰囲気による爆発を起す可能性が
あり、またはガス中毒を惹起するおそれもあり、安全上
の問題点がある。
【０００７】なお上記何れの手段においても、液体原料
を気化させる能力が低く、例えば半導体素子用としてＴ
ＥＯＳを使用する場合において、５００ｍｌ／分以下で
あり、大量生産用の液体原料気化供給装置としては能力
が不足するという問題点も併存する。
を気化させる能力が低く、例えば半導体素子用としてＴ
ＥＯＳを使用する場合において、５００ｍｌ／分以下で
あり、大量生産用の液体原料気化供給装置としては能力
が不足するという問題点も併存する。
【０００８】本発明は、上記従来技術に存在する問題点
を解決し、定量精度が高く、かつ大量生産用として必要
な量の原料ガスを安定供給できる液体原料気化供給装置
を提供することを目的とする。
を解決し、定量精度が高く、かつ大量生産用として必要
な量の原料ガスを安定供給できる液体原料気化供給装置
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明においては、容器内に収容した液体原料を加
熱気化し、気化した原料ガスをバルブ、マスフローコン
トローラおよびこれらを接続する配管を介して気相反応
装置へ供給する液体原料気化供給装置において、容器、
マスフローコントローラ、バルブおよびこれらを接続す
る配管に夫々温度制御可能な加熱手段を設けると共に、
前記容器を軸方向内法長さＬと内径Ｄとの比がＬ／Ｄ≧
２．０なる直立中空円筒状に形成し、かつ前記容器内の
気相部の内容積をＶT （ｍｌ）消費ガス量をＶU （ｍｌ
／秒）としたときにＶT ≧６０Ｖ U とする、という技術
的手段を採用した。
に、本発明においては、容器内に収容した液体原料を加
熱気化し、気化した原料ガスをバルブ、マスフローコン
トローラおよびこれらを接続する配管を介して気相反応
装置へ供給する液体原料気化供給装置において、容器、
マスフローコントローラ、バルブおよびこれらを接続す
る配管に夫々温度制御可能な加熱手段を設けると共に、
前記容器を軸方向内法長さＬと内径Ｄとの比がＬ／Ｄ≧
２．０なる直立中空円筒状に形成し、かつ前記容器内の
気相部の内容積をＶT （ｍｌ）消費ガス量をＶU （ｍｌ
／秒）としたときにＶT ≧６０Ｖ U とする、という技術
的手段を採用した。
【００１０】本発明において、Ｌ／Ｄが２．０未満であ
ると、液体原料の表面すなわち蒸発面における直径方向
の温度分布が不均一となり、蒸発に寄与する有効蒸発面
が減少し、気化能力が低減するため不都合である。
ると、液体原料の表面すなわち蒸発面における直径方向
の温度分布が不均一となり、蒸発に寄与する有効蒸発面
が減少し、気化能力が低減するため不都合である。
【００１１】またＶT が６０ＶU 未満であると、気相部
の内容積が不足し、原料ガスの圧力変動が大になるのみ
ならず、気相反応装置における運転継続時間が短くな
り、原料ガスの安定供給ができなくなるため不都合であ
る。
の内容積が不足し、原料ガスの圧力変動が大になるのみ
ならず、気相反応装置における運転継続時間が短くな
り、原料ガスの安定供給ができなくなるため不都合であ
る。
【００１２】
【作用】上記の構成により、液体原料を収容する容器内
における蒸発面の直径方向の温度分布が均一となり、有
効蒸発面が充分に確保され、気化能力を充分に確保し得
る。また容器内の気相部の内容積が消費ガス量に対して
充分に大であるため、気相反応装置へ供給する原料ガス
の圧力変動を抑制することができる。
における蒸発面の直径方向の温度分布が均一となり、有
効蒸発面が充分に確保され、気化能力を充分に確保し得
る。また容器内の気相部の内容積が消費ガス量に対して
充分に大であるため、気相反応装置へ供給する原料ガス
の圧力変動を抑制することができる。
【００１３】
【実施例】図１は本発明の実施例を示す構成説明図であ
る。図１において、１は液体原料２を収容する容器であ
り、例えばＳＵＳ３１６，ＳＵＳ３１６Ｌのようなステ
ンレス鋼により、直立密閉中空円筒状に形成する。３は
加熱手段であり、容器１の周囲に設け、温度指示調節計
４を介して温度指示および温度調節可能に構成する。５
はレベル調節手段、６は圧力指示調節手段であり、各々
容器１に介装し、容器１内の液体原料２の液面調節可能
および容器１内の圧力を指示調節可能に構成する。
る。図１において、１は液体原料２を収容する容器であ
り、例えばＳＵＳ３１６，ＳＵＳ３１６Ｌのようなステ
ンレス鋼により、直立密閉中空円筒状に形成する。３は
加熱手段であり、容器１の周囲に設け、温度指示調節計
４を介して温度指示および温度調節可能に構成する。５
はレベル調節手段、６は圧力指示調節手段であり、各々
容器１に介装し、容器１内の液体原料２の液面調節可能
および容器１内の圧力を指示調節可能に構成する。
【００１４】次に７は補給管であり、二方バルブ８を介
装すると共に、液体原料２の補給源（図示せず）と容器
１との間に配設する。なお補給管７の容器１内の開口部
は、容器１の底部近傍に設けるのが好ましい。９は供給
管であり、容器１の上部と気相反応装置（図示せず）と
の間に配設され、容器１から下流側に向って、三方バル
ブ１０，ＭＦＣ１１および二方バルブ１２を順に介装
し、原料ガスを容器１から気相反応装置へ供給可能に構
成する。なお供給管９には加熱手段１３を設けて、例え
ばＭＦＣ１１近傍に設けた温度指示調節計１４を介して
温度指示およひ温度調節可能に構成する。
装すると共に、液体原料２の補給源（図示せず）と容器
１との間に配設する。なお補給管７の容器１内の開口部
は、容器１の底部近傍に設けるのが好ましい。９は供給
管であり、容器１の上部と気相反応装置（図示せず）と
の間に配設され、容器１から下流側に向って、三方バル
ブ１０，ＭＦＣ１１および二方バルブ１２を順に介装
し、原料ガスを容器１から気相反応装置へ供給可能に構
成する。なお供給管９には加熱手段１３を設けて、例え
ばＭＦＣ１１近傍に設けた温度指示調節計１４を介して
温度指示およひ温度調節可能に構成する。
【００１５】１５はパージ用ガスの供給管であり、例え
ばＮ2 ガスのような不活性ガスの供給源（図示せず）と
補給管７および供給管９との間に配設され、チェックバ
ルブ１６，三方バルブ１７および二方バルブ１８を介装
させ、パージ用ガスを補給管７，供給管９および容器１
に選択的に供給可能に構成する。次に１９は排出管であ
り、ＭＦＣ１１および二方バルブ１２の中間部の供給管
９から分岐して設け、二方バルブ２０を介装してある。
なお供給管１５および排出管１９の一部には、前記供給
管９に設けたものと同様な加熱手段２２を設けることが
できる。
ばＮ2 ガスのような不活性ガスの供給源（図示せず）と
補給管７および供給管９との間に配設され、チェックバ
ルブ１６，三方バルブ１７および二方バルブ１８を介装
させ、パージ用ガスを補給管７，供給管９および容器１
に選択的に供給可能に構成する。次に１９は排出管であ
り、ＭＦＣ１１および二方バルブ１２の中間部の供給管
９から分岐して設け、二方バルブ２０を介装してある。
なお供給管１５および排出管１９の一部には、前記供給
管９に設けたものと同様な加熱手段２２を設けることが
できる。
【００１６】上記の構成により、次に作用について説明
する。まず装置の始動前に、各構成部材内の空気をパー
ジする必要がある。この場合には二方バルブ８，１２を
閉とし、二方バルブ２０を開として、パージ用ガスを供
給管１５から導入し、排出管１９に排出する。これによ
り各構成部材内の空気は装置外にパージされ、不活性ガ
スによって置換される。パージ作業終了後、二方バルブ
１８，２０を閉とする。
する。まず装置の始動前に、各構成部材内の空気をパー
ジする必要がある。この場合には二方バルブ８，１２を
閉とし、二方バルブ２０を開として、パージ用ガスを供
給管１５から導入し、排出管１９に排出する。これによ
り各構成部材内の空気は装置外にパージされ、不活性ガ
スによって置換される。パージ作業終了後、二方バルブ
１８，２０を閉とする。
【００１７】次に二方バルブ８，１２を開として液体原
料２を補給管７から容器１内に所定量導入し、加熱手段
３によって加熱気化させる。容器１内に形成される気相
部２１は、その内容積が容器１全体の内容積の略５０％
に形成されるのが好ましい。容器１内において気化した
原料ガスは、供給管９を経てＭＦＣ１１によって所定の
流量に制御された状態で二方バルブ１２から気相反応装
置（図示せず）に供給れる。
料２を補給管７から容器１内に所定量導入し、加熱手段
３によって加熱気化させる。容器１内に形成される気相
部２１は、その内容積が容器１全体の内容積の略５０％
に形成されるのが好ましい。容器１内において気化した
原料ガスは、供給管９を経てＭＦＣ１１によって所定の
流量に制御された状態で二方バルブ１２から気相反応装
置（図示せず）に供給れる。
【００１８】なお上記原料ガスの温度，圧力は、圧力指
示調節手段６および温度指示調節計４，１４によって所
定の値に制御される。また容器１内の液体原料２の量
は、レベル調節手段５によって制御され、所定のレベル
範囲を維持し得るように適時に補給管から補給される。
更に上記原料ガスの供給に際しては、常圧若しくはそれ
以上の圧力下において実行してもよいが、液体原料２の
特性若しくは性状と対応させて、常圧以下の減圧状態で
実行することも可能である。
示調節手段６および温度指示調節計４，１４によって所
定の値に制御される。また容器１内の液体原料２の量
は、レベル調節手段５によって制御され、所定のレベル
範囲を維持し得るように適時に補給管から補給される。
更に上記原料ガスの供給に際しては、常圧若しくはそれ
以上の圧力下において実行してもよいが、液体原料２の
特性若しくは性状と対応させて、常圧以下の減圧状態で
実行することも可能である。
【００１９】次に上記構成の装置により、容器１の内径
Ｄと軸方向長さ（内法寸法）Ｌとの比を変えた場合の結
果について記述する。この場合においてＤ＝１００ｍｍ
とし、液体原料２としてはＴＥＯＳを使用すると共に、
容器１内の液体原料２の温度を１１０℃、蒸気圧を１４
５Ｔｏｒｒ，補給管７から補給される液体原料２の温度
を２０℃とした。また容器１内に形成される気相部２１
の内容積は、容器１の全内容積の略３０％となるように
した。
Ｄと軸方向長さ（内法寸法）Ｌとの比を変えた場合の結
果について記述する。この場合においてＤ＝１００ｍｍ
とし、液体原料２としてはＴＥＯＳを使用すると共に、
容器１内の液体原料２の温度を１１０℃、蒸気圧を１４
５Ｔｏｒｒ，補給管７から補給される液体原料２の温度
を２０℃とした。また容器１内に形成される気相部２１
の内容積は、容器１の全内容積の略３０％となるように
した。
【００２０】表１は容器１の軸方向長さＬを変えた場合
の気相部２１の内容積、液体原料補給時の温度低下およ
び圧力低下の状態を示す。なお原料ガス発生量の値（ｍ
ｌ／分）は容器１内の気相部２１の内容積の値（ｍｌ）
と略対応している。
の気相部２１の内容積、液体原料補給時の温度低下およ
び圧力低下の状態を示す。なお原料ガス発生量の値（ｍ
ｌ／分）は容器１内の気相部２１の内容積の値（ｍｌ）
と略対応している。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１から明らかなように、軸方向長さＬが
大になるに伴なって、当然のことながら気相部２１の内
容積および原料ガス発生量が増大する。すなわち図１に
示す容器１の内容積が大となり、かつ液体原料２に伝達
される熱量が増大することによる。そして一般に半導体
素子の分野における大量生産用としては、原料ガス発生
量として５００ｍｌ／分以上のものが要求される。従っ
て表１におけるＮｏ．１以外のものであれば、この要求
を満足することができる。
大になるに伴なって、当然のことながら気相部２１の内
容積および原料ガス発生量が増大する。すなわち図１に
示す容器１の内容積が大となり、かつ液体原料２に伝達
される熱量が増大することによる。そして一般に半導体
素子の分野における大量生産用としては、原料ガス発生
量として５００ｍｌ／分以上のものが要求される。従っ
て表１におけるＮｏ．１以外のものであれば、この要求
を満足することができる。
【００２３】しかしながらＮｏ．２においては、液体原
料２を補給した時の温度低下が９℃もあり、容器１内の
液体原料２の温度低下が大きいため、原料ガスの圧力低
下もまた大きい。従って気相反応装置における成膜作業
に影響を及ぼすこととなる。このような観点からＮｏ．
２は原料ガスの安定供給用としては不適であり、Ｎｏ．
３〜６が好ましい。すなわちＬ／Ｄ≧２．０以上のもの
が好ましい。
料２を補給した時の温度低下が９℃もあり、容器１内の
液体原料２の温度低下が大きいため、原料ガスの圧力低
下もまた大きい。従って気相反応装置における成膜作業
に影響を及ぼすこととなる。このような観点からＮｏ．
２は原料ガスの安定供給用としては不適であり、Ｎｏ．
３〜６が好ましい。すなわちＬ／Ｄ≧２．０以上のもの
が好ましい。
【００２４】なお気相部２１の内容積は消費ガス量（ｍ
ｌ／秒）の６０倍以上に設定しないと、気相反応装置に
おける安定した作業が遂行できないということが経験上
明らかである。そして近年においては、消費ガス量とし
て８ｍｌ／秒のものが要求されるようになっており、こ
のような用途に対応させるためには、気相部２１の内容
積として４８０ｍｌ以上が必要である。従って表１にお
けるＮｏ．１およびＮｏ．２のものでは対応できない。
ｌ／秒）の６０倍以上に設定しないと、気相反応装置に
おける安定した作業が遂行できないということが経験上
明らかである。そして近年においては、消費ガス量とし
て８ｍｌ／秒のものが要求されるようになっており、こ
のような用途に対応させるためには、気相部２１の内容
積として４８０ｍｌ以上が必要である。従って表１にお
けるＮｏ．１およびＮｏ．２のものでは対応できない。
【００２５】上記の実施例において、ＴＥＯＳの蒸気圧
は常温では極めて低いため、容器１内を減圧して蒸発量
を増大させることが有効であるが、減圧度があまりに大
になると、気相反応装置を含めた全体の配管系における
原料ガスおよびキャリアガスの導入量が減少し、所定の
成膜作用が得られないため、減圧度は可能な限り小さい
方が好ましい。一方温度が上昇すればＴＥＯＳの蒸気圧
が大となるから、高温雰囲気における気化が好ましい。
従って原料ガスの供給管９に介装させる三方バルブ１
０，ＭＦＣ１１および二方バルブ１２は、使用可能温度
の高いもの、例えば１５０℃若しくはそれ以上のものを
選定することが好ましい。
は常温では極めて低いため、容器１内を減圧して蒸発量
を増大させることが有効であるが、減圧度があまりに大
になると、気相反応装置を含めた全体の配管系における
原料ガスおよびキャリアガスの導入量が減少し、所定の
成膜作用が得られないため、減圧度は可能な限り小さい
方が好ましい。一方温度が上昇すればＴＥＯＳの蒸気圧
が大となるから、高温雰囲気における気化が好ましい。
従って原料ガスの供給管９に介装させる三方バルブ１
０，ＭＦＣ１１および二方バルブ１２は、使用可能温度
の高いもの、例えば１５０℃若しくはそれ以上のものを
選定することが好ましい。
【００２６】本実施例においては、液体原料として半導
体素子用のＴＥＯＳを使用した例について記述したが、
対象となる液体原料としてはこれ以外に、高純度水およ
び常温において液相を示す他の有機金属化合物、金属化
合物についても適用することができ、例えば次のような
ものがある。すなわちＴＥＡＬ（トリエチルアルミニウ
ム），ＴＥＩ（トリエチルインディンジウム），ＴＭＡ
Ｌ（トリメチルアルミニウム），ＴｉＣｌ4 （四塩化チ
タン），ＷＦ6 （六フッ化タングステン），Ｔａ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）5 （タンタルアルキシンド），ＣＣｌ4 （四塩
化炭素），ＳｉＣｌ4 （テトラクロルシラン），ＳｉＨ
Ｃｌ3 （トリクロルシラン），ＴＭＰＯ（トリメトキシ
リン酸）等である。
体素子用のＴＥＯＳを使用した例について記述したが、
対象となる液体原料としてはこれ以外に、高純度水およ
び常温において液相を示す他の有機金属化合物、金属化
合物についても適用することができ、例えば次のような
ものがある。すなわちＴＥＡＬ（トリエチルアルミニウ
ム），ＴＥＩ（トリエチルインディンジウム），ＴＭＡ
Ｌ（トリメチルアルミニウム），ＴｉＣｌ4 （四塩化チ
タン），ＷＦ6 （六フッ化タングステン），Ｔａ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）5 （タンタルアルキシンド），ＣＣｌ4 （四塩
化炭素），ＳｉＣｌ4 （テトラクロルシラン），ＳｉＨ
Ｃｌ3 （トリクロルシラン），ＴＭＰＯ（トリメトキシ
リン酸）等である。
【００２７】
【発明の効果】本発明は、以上記述のような構成および
作用であるから、下記の効果を奏し得る。
作用であるから、下記の効果を奏し得る。
【００２８】(1) 液体原料の気化供給量を５００ｍｌ／
分以上とすることができ、大型基板をはじめとする部材
等に対する成膜時間が短縮できると共に、大量生産用の
要求を満足することができ、生産性を大幅に向上させる
ことができる。
分以上とすることができ、大型基板をはじめとする部材
等に対する成膜時間が短縮できると共に、大量生産用の
要求を満足することができ、生産性を大幅に向上させる
ことができる。
【００２９】(2) 液体原料を気化した状態でＭＦＣを介
して定量するため、キャリアガスとの混合比を任意の濃
度に設定できると共に、圧力変動を極めて小範囲に抑制
でき、均一かつ一定膜厚の薄膜を生成することができ
る。
して定量するため、キャリアガスとの混合比を任意の濃
度に設定できると共に、圧力変動を極めて小範囲に抑制
でき、均一かつ一定膜厚の薄膜を生成することができ
る。
【００３０】(3) 装置全体を恒温槽内に収納する必要が
ないため、使用開始までの立上り時間が短く、万一ガス
が漏洩したとしても常温雰囲気中において液化するた
め、安全性が高い。
ないため、使用開始までの立上り時間が短く、万一ガス
が漏洩したとしても常温雰囲気中において液化するた
め、安全性が高い。
【図１】本発明の実施例を示す構成説明図である。
１ 容器 ３，１３ 加熱手段 １１ ＭＦＣ（マスフローコントローラ）
Claims (1)
- 【請求項１】 容器内に収容した液体原料を加熱気化
し、気化した原料ガスをバルブ、マスフローコントロー
ラおよびこれらを接続する配管を介して気相反応装置へ
供給する液体原料気化供給装置において、 容器、マスフローコントローラ、バルブおよびこれらを
接続する配管に夫々温度制御可能な加熱手段を設けると
共に、前記容器を軸方向内法長さＬと内径Ｄとの比がＬ
／Ｄ≧２．０なる直立中空円筒状に形成し、かつ前記容
器内の気相部の内容積をＶT （ｍｌ）、消費ガス量をＶ
U （ｍｌ／秒）としたときにＶT ≧６０ＶU としたこと
を特徴とする液体原料気化供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4074866A JPH05283340A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 液体原料気化供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4074866A JPH05283340A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 液体原料気化供給装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283340A true JPH05283340A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=13559685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4074866A Pending JPH05283340A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 液体原料気化供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05283340A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10277380A (ja) * | 1996-11-25 | 1998-10-20 | L'air Liquide | 液化ガスの制御配給システム及び方法 |
| JP2008053456A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Fujitsu Ltd | 処理ガス供給方法、基板処理方法、半導体装置の製造方法、処理ガス供給装置、基板処理装置、および記録媒体 |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP4074866A patent/JPH05283340A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10277380A (ja) * | 1996-11-25 | 1998-10-20 | L'air Liquide | 液化ガスの制御配給システム及び方法 |
| JP2008053456A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Fujitsu Ltd | 処理ガス供給方法、基板処理方法、半導体装置の製造方法、処理ガス供給装置、基板処理装置、および記録媒体 |
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