JPH04218912A - Ｌｓｉ電極用の高純度モリブデンターゲットの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ電極用被膜形成
に用いられる高純度モリブデンターゲット並びに高純度
モリブデンシリサイドターゲットの製造方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＭＯＳ・ＬＳＩのゲート電極とし
ては、多結晶シリコンが用いられてきた。しかし、ＭＯ
Ｓ・ＬＳＩの高集積化に伴い、多結晶シリコンゲート電
極の抵抗による信号伝搬遅延が重大な問題となってきて
いる。また、セルファライン法によるＭＯＳ素子形成を
一層容易ならしめるために、ゲート電極として融点の高
い材料の使用が所望される。そこで、多結晶シリコンよ
り抵抗の低い高融点金属及びそのシリサイドをＭＯＳゲ
ート電極に用いようとする試みが盛んに行なわれている
。

【０００３】ＭＯＳ素子を作る場合、ゲート電極を形成
した後、ゲート電極自身をマスクとしてドーピング用不
純物を注入し、ソース及びドレンを形成する、所謂セル
ファライン法が実施される。この場合、イオン注入後に
不純物を活性化させる為１０００℃程度の温度での熱処
理が必要となる。上述したように高融点材料がＭＯＳゲ
ート電極として選択される理由がここにある。

【０００４】シリコンデバイス表面に電極配線を形成す
る場合、満足しなければならない条件は以下に示すよう
に非常に多い： （１）高純度であること。 （２）抵抗率が低いこと。 （３）耐熱性が高いこと。 （４）基板ＳｉＯ２　膜と密着性が良いこと。 （５）基板ＳｉＯ２　膜と反応及び拡散を生じないこと
。 （６）イオン注入に対する阻止能が高いこと。 （７）シリコンとの安定なコンタクトが取れること。 しかしながら、これら条件をすべて完全に満たす電極材
はないと云ってよい。

【０００５】このため、シリコンゲート電極に代替しう
る電極、即ちセルファラインプロセスが可能な電極とし
て低抵抗性を第一に重視した高融点金属ゲート電極の研
究とシリコンゲートプロセスとの互換性を第一としたシ
リサイド電極の研究とが開始された。しかし、シリサイ
ドは抵抗率が多結晶シリコンに較べて一桁程度しか低く
なく、２５６Ｋビット以上の規模のＭＯＳメモリへの適
用は問題があると考えられている。

【０００６】低抵抗性高融点金属の中で、融点２０００
℃以上そして抵抗率１０μΩｃｍ以下と上記条件を比較
的に満足する材料としてモリブデン及びタングステンが
ある。この中で、モリブデンはバルク抵抗率（５．７×
１０−６Ωｃｍ）に近い良質の膜を形成することが可能
である。従って、今後の超ＬＳＩの電極材料としてモリ
ブデンが最も有望である。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】モリブデン膜を形成す
る方法としては、大きくわけて、スパッタ法、蒸着法及
びＣＶＤ法がある。この中で、膜質、再現性、量産性等
の点でスパッタ法及び電子ビーム蒸着法が最もすぐれて
いる。スパッタ法は金属のターゲット板にアルゴンイオ
ンを衝突させて金属を放出させ、放出金属をターゲット
板に対向した基板に堆積させる方法である。一方、電子
ビーム蒸着法は、電子ビームによりモリブデンインゴッ
ト蒸発源を溶解し、蒸着を行う方法である。従って、生
成膜の純度はターゲット板或いは蒸発源の純度により決
定されてしまう。

【０００８】ところで、ＭＯＳ素子に影響する不純物は
大きくわけて次の３種類に分類できる：（１）ナトリウ
ム等のアルカリ金属 （２）ウラン、トリウム等の放射性元素（３）鉄等の重
金属 なかでも、ナトリウム等のアルカリ金属はゲート絶縁膜
中を容易に移動してＭＯＳ界面特性を劣化させ、また放
射性元素からの放射線によるダメージはＭＯＳ素子の動
作信頼性に致命的影響を与える。また鉄等の重金属は界
面準位を発生させたり、接合リークの原因になる。これ
らの理由からアルカリ金属及び放射性元素並びに重金属
等の不純物の低減化がＭＯＳ・ＬＳＩ構成材料としての
使用における基本である。

【０００９】現在市販されているモリブデンターゲット
板は、単に、モリブデン粉末を成形及び焼結した後機械
加工を行なうことにより製造されたものであり、最も高
純度と称されているものでも純度は９９．９％である。 また、モリブデン蒸着源にしても９９．９９％が最高で
ある。ナトリウム、ウランについては分析されていない
のが普通である。本発明者等の分析結果では、市販ター
ゲット板には、ナトリウムが数ｐｐｍ、ウランが５００
ｐｐｂ以上、そして鉄が数十ｐｐｍ含まれている。これ
ら含有量は、ＭＯＳ・ＬＳＩの他構成材料である多結晶
シリコン、ＳｉＯ２　等に比べて２桁以上高い値である
。 従って、モリブデンターゲット板及びモリブデン蒸発源
の純度を２桁以上高め、アルカリ元素及び放射性元素含
有量を低減して、ＭＯＳ・ＬＳＩの他構成材料並みの純
度のモリブデンターゲット板及びモリブデン蒸発源材料
を開発しない限り、モリブデンゲート電極のＭＯＳ・Ｌ
ＳＩ及びＭＯＳ・ＶＬＳＩへの適用の道はないと考えら
れる。

【００１０】一方、前述したシリサイド電極の中では、
モリブデンシリサイドが最もよく検討されている。モリ
ブデンシリサイド膜はスパッタ法により形成されること
が多い。この場合、ターゲットとしては、モリブデンシ
リサイドターゲットを直接用いるか、或いはモリブデン
とシリコンの板をそれぞれ切出してモザイク状に形成し
たターゲットを用いることが多いが、モリブデンターゲ
ットとシリコンターゲットを用意し、同時にスパッタす
る方法もある。シリコンに関しては、非常に高純度の材
料が既に開発されていることから、モリブデン純度によ
って電極膜純度が決ってしまう。前述したように、市販
のモリブデン純度は９９．９％程度であることから、モ
リブデンシリサイド電極の純度も９９．９％が限度とな
ってしまい、ＭＯＳ・ＬＳＩへのシリサイド電極適用上
大きな問題となっている。

【００１１】斯くして、モリブデン電極にせよ、モリブ
デンシリサイド電極にせよ、その性能を好適化ならしめ
るには、アルカリ元素及び放射性元素含有量の低い９９
．９９９％以上の超高純度製造方法の開発が切望されて
いる。

【００１２】

【課題を解決するための手段】以上の現状に鑑み、本問
題を解決すべく鋭意研究した結果、本発明者等は、市販
の金属モリブデンあるいはモリブデン化合物を原料とし
てこれを精製することにより、アルカリ元素と放射性元
素含有率のきわめて低い高純度の金属モリブデンを製造
しうる方法の確立に成功し、その結果ＬＳＩ電極用モリ
ブデン膜を形成した場合に極めて良好な膜特性を示しう
る高純度モリブデンターゲット製造方法を確立すること
に成功した。本発明は、金属モリブデン或いはモリブデ
ン化合物を溶解して含モリブデン水溶液を生成し、該水
溶液を精製した後含モリブデン結晶を晶出させ、該結晶
を固液分離、洗浄及び乾燥した後に加熱還元することに
よって高純度モリブデン粉末を調製し、該高純度モリブ
デン粉末を加圧成形及び焼結した後、エレクトロンビー
ム溶解して高純度モリブデンインゴットを作成し、そし
て後該インゴットを塑性加工及び機械加工することを特
徴とする、純度が９９．９９９％以上でかつアルカリ金
属含有率１００ｐｐｂ　以下そして放射性元素含有率１
０ｐｐｂ　以下であるＬＳＩ電極用高純度モリブデンタ
ーゲットの製造方法を提供する。更には、本発明は、厳
密に管理した本発明の湿式工程と加熱還元によって得ら
れた純度９９．９９９％以上でかつアルカリ金属１００
ｐｐｂ以下、放射性元素１０ｐｐｂ以下の高純度モリブ
デン粉末を調製し、該高純度モリブデン粉末と高純度シ
リコン粉末とを混合し、加圧、成形及び焼結することを
特徴とする、同様のＬＳＩ電極用高純度モリブデンシリ
サイドターゲットの製造方法をも提供する。また上記の
モリブデンシリサイドは、湿式精製と加熱還元工程によ
って得たものを、さらに必要に応じてエレクトロンビー
ム溶解により製造することができる。これによって、さ
らに蒸気圧の高い元素を中心とした不純物の除去効果が
期待できる。

【００１３】尚、本明細書において「モリブデンターゲ
ット」と云う時、スパッタ源或いは蒸着源としての板状
乃至その他の形態のモリブデン材料を包括するものとす
る。

【００１４】

【作用】湿式精製工程を経由して得られた高純度モリブ
デン粉末を必要に応じ乾式処理工程において精製するこ
とにより、即ちエレクトロンビーム溶解を行なうことに
より、蒸気圧の高いアルカリ金属元素を中心とした不純
物除去効果を得ることができ、従って更に高純度のモリ
ブデン及びモリブデンシリサイド形状体を製造すること
ができる。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の詳細について説明する。図１
に、モリブデンおよびモリブデンシリサイドをゲート電
極として用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタの一例を
示す。１は基板で、基板１内にはソース領域２およびド
レイン領域３が設けられており、基板１上にはゲート酸
化膜４を介して例えばモリブデンゲート電極５が設けら
れる。そしてモリブデンゲート電極５の表面には絶縁用
のＣＶＤＳｉＯ２　６が設けられており、モリブデンゲ
ート電極５の両脇のＣＶＤＳｉＯ２　６およびゲート酸
化膜４にはコンタクトホール７が穿孔されており、この
コンタクトホール７を通じてソース電極８およびドレイ
ン電極９がソース領域２およびドレイン領域３にそれぞ
れ接するよう設けられている。このＭＯＳトランジスタ
の適正動作を得る為には、上述した通り、アルカリ金属
や放射性元素並びに重金属含量の低い超高純度化がモリ
ブデンゲート電極あるいはモリブデンシリサイド電極５
に要求されるのである。Ｍｏゲート電極５はスパッタ法
や蒸着法によって作成され、その源としてのモリブデン
ターゲットにおいてアルカリ金属含有率１００ｐｐｂ以
下、そして放射性元素含有率１０ｐｐｂ以下の超高純度
材料が必要とされる。モリブデンターゲットは、使用す
る装置に応じて板状、角状、円柱状その他様々の形態を
とりうる。

【００１６】本発明に従い高純度モリブデンターゲット
を製造する方法について説明する。前記のように、市販
の金属モリブデンあるいはモリブデン化合物はナトリウ
ムを数ｐｐｍ、ウランを５００ｐｐｂ以上並びに鉄等の
重金属を数十ｐｐｍ以上含有している。加熱処理、ガス
処理もしくは真空処理あるいは両者の適用を基本とする
乾式精製法によっても、ある程度の精製効果が得られ、
純度要求のゆるやかな用途に向けられる製品の製造はそ
れなりに可能であろう。しかし純度９９．９９９％以上
、アルカリ金属１００ｐｐｂ以下、放射性元素１０ｐｐ
ｂ以下、望ましくは更に進んだ高純度化が望まれる本用
途に対応できるモリブデン精製方法としては、市販の金
属モリブデンあるいはモリブデン化合物を溶解して水溶
液化することから始まる湿式精製工程を最初に導入しな
ければならない。湿式精製工程を経由して得られるのは
高純度モリブデン粉である。製品となる高純度モリブデ
ンターゲットは、板状、角状、円柱状をはじめ棒、線、
条もしくは小片などの形状体である。従って粉末を出発
原料として形状体を製造するための一連の乾式処理工程
を経由しなければならない。本発明者らは、湿式精製工
程を経由して得られた高純度モリブデン粉末を必要に応
じて乾式処理工程において精製することにより、即ちエ
レクトロンビーム溶解を行なうことにより、蒸気圧の高
い元素を中心とした不純物除去効果を得ることができ、
従って更に高純度のモリブデンを製造することができる
ことを見出し、それぞれの工程の条件を探究した結果、
本発明の如き処理フローを確立した。

【００１７】モリブデン原料としては、前記のように市
販の金属モリブデン粉末あるいはモリブデン化合物を用
いる。モリブデン化合物としては、酸化モリブデン、モ
リブデン酸アンモン等があるが、アルカリ金属と放射性
元素の含有量が少ないものであることが必要である。金
属モリブデンは酸で溶解し、他方酸化モリブデンはアン
モニアで溶解する。また、他のモリブデン化合物の場合
は溶解度の大きな水性溶媒で溶解する。酸としては、塩
酸、硝酸、弗酸、硫酸のいずれかあるいは２種以上の混
酸の使用が考えられるが、蒸留等によって高純度化され
やすく、モリブデンを溶解しやすい硝酸が最も適当であ
る。アンモニアも酸と同様蒸留精製して用いることが望
ましい。含モリブデン水溶液の精製は、ろ過による固体
不純物の分離はもちろんのこと、必要に応じてモリブデ
ン酸あるいはモリブデン酸アンモンの結晶採取及び再溶
解を行うことによって達成される。溶液の取扱条件は、
溶解度を考慮して飽和濃度以下を選ぶべきことは当然で
あるが、含モリブデン水溶液は、特に温度条件などによ
って溶解度曲線に不連続性を示すから注意が必要である
。

【００１８】高純度含モリブデン水溶液が得られたなら
、その組成を調整しまた温度を調節することによって含
モリブデン結晶を得、これを固液分離によって採取し、
採取結晶を洗浄した後乾燥する。以上の湿式工程におい
ては、反応容器、ろ過器等の取扱器具としては耐薬品性
の清浄なものを用い、また用水や薬品も特にアルカリ金
属及び放射性元素等の含有率の低い高純度のものを用い
る必要がある。用水としては望ましくは超純水が用いら
れる。精製室の環境にも十分の留意が必要で、必要なら
クリーンブース等が使用される。

【００１９】以上の湿式精製工程によって採取した高純
度含モリブデン結晶は加熱還元される。還元は高純度水
素を用いて常法に従って行われ、ＭｏＯ３の揮発を避け
るために第１段階を６００〜７００℃そして第２段階を
１０００〜１１００℃に加熱する二段還元法の採用が好
ましい。反応容器、薬剤及び環境を清浄化しておくべき
ことは上記湿式工程の場合と同様である。反応容器は、
耐食性及び耐熱性の観点からセラミックがよく、アルミ
ナ、石英、炭化珪素等を始めとする各種の酸化物、炭化
物、窒化物セラミック容器が使用可能である。要はアル
カリ金属及び放射性元素による汚染のない反応容器を用
いるよう留意すべきである。

【００２０】湿式精製において粗粒の含モリブデン結晶
を生成させれば、洗浄が良好に行われる点で望ましいだ
けでなく、含モリブデン結晶の粒度と還元によって得ら
れた金属モリブデン粉末の粒度とが相関性を持つので、
加工処理工程の観点からも粗粒の含モリブデン結晶を生
成させることが大切である。以上の工程によって得られ
たモリブデン粉末は厳密な工程管理を行うことにより、
純度が９９．９９９％以上でかつアルカリ金属１００ｐ
ｐｂ以下、放射性元素１０ｐｐｂ以下の高純度粉末を達
成することができる。

【００２１】含モリブデン結晶を還元して得られた高純
度金属モリブデン粉末は、必要に応じて不純物除去効果
も期待できるエレクトロンビーム溶解される。エレクト
ロンビーム溶解に供される粉末成形体は、内部に包蔵気
体がなく、かつ汚染のおそれのないことが必要であり、
また見掛密度の高い長尺物の加圧焼結体であることが望
ましい。そこで加圧焼結体の製造は熱間等圧加圧法によ
って行なうこととし、熱間等圧加圧に供するモリブデン
粉の加圧成形体の製造は冷間等圧加圧法によって行なう
こととすることが最も望ましい。両方とも汚染の起らな
い容器材料を用いるよう留意すべきことはいうまでもな
い。以上の通りエレクトロンビーム溶解では、さらに蒸
気圧の高い元素を中心にした不純物除去効果があるので
、これが予定される場合には上記の湿式精製工程及び加
熱還元工程における金属モリブデン粉末の純度を若干下
げても、得られたモリブデンインゴットは純度が９９．
９９９％以上でかつアルカリ金属１００ｐｐｂ以下、放
射性元素１０ｐｐｂ以下の純度を達成できる。またすで
に湿式精製工程において高純度に充分高められた金属モ
リブデン粉末については、さらに一層その純度を高める
ことができる。

【００２２】こうして生成された高純度金属モリブデン
インゴットは最終的に所望の形態のモリブデンターゲッ
トへと塑性加工される。塑性加工は、熱間鍛造や圧延に
よってもよいが、汚染の恐れが少ない方法として熱間押
出法又は真空鍛造法が望ましい。板状その他の形態のモ
リブデンの切断及び表面仕上げも汚染防止に留意しつつ
従来の方法により行なわれる。金属モリブデンターゲッ
トを製造する場合には、金属インゴット（密度１００％
）から出発した材料のターゲットを製造できる点、より
高純度のターゲットを製造できる点及び工程管理の容易
性からみて、エレクトロンビーム溶解鋳造を併用するこ
とが特に望ましい。

【００２３】モリブデンシリサイドターゲットを製造す
る場合には、上記の湿式精製によって得た高純度すなわ
ち純度が９９．９９９％以上でかつアルカリ金属１００
ｐｐｂ以下、放射性元素１０ｐｐｂ以下の粉末を使用す
る。そしてこの高純度モリブデン粉末と高純度シリコン
粉末を混合し、加圧、成形、焼結する。さらにまたモリ
ブデンシリサイドについても、必要に応じてエレクトロ
ンビーム溶解法により製造することができる。これによ
って、さらに蒸気圧の高い元素を中心にした不純物の除
去効果が期待できる。

【００２４】以上のようにして精製加工された高純度モ
リブデン及びモリブデンシリサイドターゲットは、アル
カリ金属含有率及び放射性元素含有率がきわめて低く、
このターゲットを用いて生成されるモリブデン及びモリ
ブデンシリサイド電極膜は従来のターゲットを用いて得
られた膜に較べ参考例に示すように明らかに優れたゲー
ト性能を有している。

【００２５】以下、実施例および性能評価についての参
考例を示す。

【００２６】（実施例）カリウムを９，７５０ｐｐｂ、
ナトリウムを１，４００ｐｐｂ、ウランを７１０ｐｐｂ
、鉄を５８ｐｐｍ、その他の金属不純物を表１の最上欄
の如く含有する市販の９９．９％純度の金属モリブデン
粉末から、硝酸溶解、水溶液精製、モリブデン酸結晶採
取及び二段水素還元を経由して高純度金属モリブデン粉
末を調製した。

【００２７】この高純度金属モリブデン粉末を冷間等圧
加圧および熱間等圧加圧によって焼結体とし、これをエ
レクトロンビーム溶解することにより、高純度モリブデ
ンインゴットを得た。このインゴットを熱間押出しおよ
び機械加工して、厚さ１２ｍｍ、直径２５４ｍｍ、重量
６．３ｋｇの円板形状の高純度モリブデンターゲットを
作成した。その純度は９９．９９９％以上であり、カリ
ウム＜３０ｐｐｂ、ナトリウム＜１０ｐｐｂ、ウラン１
ｐｐｂ、鉄０．５ｐｐｍ、その他の金属不純物は第１表
の最下欄に示すとおりであった。以上の実施例の原料の
市販金属モリブデン粉末、これを湿式精製して得られた
高純度モリブデン金属粉末、これを更に乾式精製して製
造した高純度モリブデンターゲンットのそれぞれの不純
物分析値を表１に示す。この表１に示す中段のモリブデ
ン粉末はこの後のエレクトロンビーム溶解の実施を予定
したもので湿式精製工程における精製能力を若干弱めた
ものである。

【００２８】

【表１】

【００２９】分析は、Ｆｅ〜ＺｒについてはＳＳＭＳ（
Ｓｐａｒｋ　Ｓｏｕｒｃｅ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏ
ｍｅｔｒｙ）、　Ｋ、Ｎａについてはフレームレス原子
吸光法、Ｕについては蛍光光度法によって行なった。

【００３０】（参考例）シリコン基板上にゲート酸化膜
を２００Å厚さに形成し、その上に実施例にて得られた
本発明に従い製造された高純度モリブデンターゲットと
、従来品モリブデンターゲットをそれぞれ用いて３００
０Å厚さのモリブデン膜を形成した。以下にモリブデン
膜中のナトリウムおよびウランの分析結果と、モリブデ
ン膜を通常のリソグラフィーとエッチングにより加工し
てモリブデン電極を形成したＭＯＳダイオードを用いて
行なった可動イオン測定結果を示す。

【００３１】１．モリブデン膜中の不純物分析（１）ウ
ラン含有率 本発明品＜１ｐｐｂ 従来品　　３００ｐｐｂ （ウランの分析方法は蛍光光度法である）（２）ナトリ
ウム含有率 ＳＩＭＳ分析（２次イオン質量分析）の結果を図２及び
３においてＮａによる２次イオン強度比グラフとして示
す。図２が従来品の場合であり、そして図３が本発明に
よる場合である。本発明品の場合、膜内部の汚染がきわ
めて少ないことが分る。

【００３２】２．モリブデンゲートＭＯＳダイオードに
よる可動イオン評価 モリブデンゲート形成後、熱処理のない場合（例１）と
窒素雰囲気中１０００℃において熱処理した場合（例２
）についての、ＴＶＳ（Ｔｒｉａｎｇｕｌａｒ　　　　
　　　　　　Ｖｏｌｔａｇｅ　Ｓｗｅｅｐ）測定結果を
表２に示す。

【００３３】

【表２】

【００３４】以上の結果から、本発明によって得られた
高純度モリブデンをモリブデンシリサイド膜形成用ター
ゲットとして用いる場合には、上記参考例に記載された
とほぼ同様の好結果が得られる。

【００３５】上記のようにモリブデンシリサイド膜の形
成は、高純度モリブデン粒子と高純度シリコン粒子の混
合焼成を経由して製造されたモリブデンシリサイドター
ゲットを用いることができるが、この他高純度モリブデ
ンと高純度シリコンの板を組合せたモザイクターゲット
を用いてスパッタリングしたり、あるいは高純度モリブ
デンターゲットと高純度シリコンターゲットを用意して
同時スパッタリングを行うかによってなすことができる
。周知のとおりシリコンは低放射性元素、低アルカリ金
属で９−ｎｉｎｅ以上の高純度のものが容易に入手され
るので、これと本発明にかかる高純度モリブデンを組み
合せれば、９９．９９９％以上の高純度モリブデンシリ
サイドターゲットが得られ、従ってきわめて好性能の高
純度モリブデンシリサイド膜が得られることが容易に理
解される。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明方法により
製造されたモリブデンターゲットおよびモリブデンシリ
サイドターゲットは従来品に比べて２桁以上高純度化さ
れている。モリブデン電極およびモリブデンシリサイド
電極は、その必要性にもかかわらず、ターゲットの純度
が低いために実用化を妨げられていたが、本発明によっ
てシリコン並みの高純度化が達成されたことによりその
実用化に大きな道を開いた。

【図面の簡単な説明】

【図１】モリブデンゲートを用いたＭＯＳＦＥＴの要部
構造を示す。

【図２】従来品ターゲットによるモリブデン膜中のナト
リウムのＳＩＭＳ分析結果を示すグラフである。

【図３】本発明に従い製造されたターゲットによるモリ
ブデン膜中のナトリウムのＳＩＭＳ分析結果を示すグラ
フである。

【符号の説明】

１　　基板 ２　　ソース領域 ３　　ドレン領域 ４　　ゲート酸化膜 ５　　モリブデンゲート電極 ６　　ＣＶＤＳｉＯ２　 ７　　コンタクトホール ８　　ソース電極 ９　　ドレイン電極

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　金属モリブデン或いはモリブデン化合
   物を溶解して含モリブデン水溶液を生成し、該水溶液を
   精製した後含モリブデン結晶を晶出させ、該結晶を固液
   分離、洗浄及び乾燥した後に加熱還元することによって
   高純度モリブデン粉末を調製し、該高純度モリブデン粉
   末を加圧成形及び焼結した後、エレクトロンビーム溶解
   して高純度モリブデンインゴットを作成し、そして後該
   インゴットを塑性加工及び機械加工することを特徴とす
   る、純度が９９．９９９％以上でかつアルカリ金属含有
   率１００ｐｐｂ　以下そして放射性元素含有率１０ｐｐ
   ｂ　以下であるＬＳＩ電極用高純度モリブデンターゲッ
   トの製造方法。
2. 【請求項２】　　金属モリブデン或いはモリブデン化合
   物を溶解して含モリブデン水溶液を生成し、該水溶液を
   精製した後含モリブデン結晶を晶出させ、該結晶を固液
   分離、洗浄及び乾燥した後に加熱還元することによって
   高純度モリブデン粉末を調製し、該高純度モリブデン粉
   末と高純度シリコン粉末とを混合し、加圧、成形及び焼
   結することを特徴とする、純度が９９．９９９％以上で
   かつアルカリ金属含有率１００ｐｐｂ　以下そして放射
   性元素含有率１０ｐｐｂ　以下であるＬＳＩ電極用高純
   度モリブデンシリサイドターゲットの製造方法。